专利名称：多层介质刻蚀方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及半导体制备过程中层间介质层等多层介质结构的刻蚀技术。
背景技术：
半导体集成电路的制备是一个极其复杂的过程，其目的在于将特定电路所需的各种半导体器件结构和金属互连，小尺寸的制备在尽可能小面积的半导体衬底上。其中，各半导体器件结构必须经由适当的金属互连来实现电性连接，才能发挥预期的电路功能。
随着集成电路的制备向超大规模集成电路(ULSI)发展，其内部的半导体器件结构密度即器件集成度越来越大。而随着集成电路芯片中所包含的半导体元器件数量不断增加，实际上半导体结构表面金属连线的可用空间就大大的减少了。这一问题的解决方法采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加进行多层连接，这其中，需要刻蚀多层不同介质材料形成的介质层以制备用于层间金属互连的接触孔。此外，随着半导体技术的发展，半导体器件结构逐渐多样化、复杂化，在半导体器件制备过程中，同样涉及对由不同介质材料形成的层间介质层的刻蚀，用以形成通孔、沟槽等半导体结构。
在半导体器件制备过程中，常用的绝缘介质材料以及层间介质层材料包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅(NDC)以及低介电常数材料等。要实现半导体器件层间金属互连接触孔，特别是背照式(Backside Illumination, BSI)工艺中的金属互连接触孔，以及其他半导体表面结果，大多需要刻蚀不同介质材料形成的多层介质，以形成通孔或沟槽结构。
现有技术中，传统的刻蚀二氧化硅材料的工艺，刻蚀二氧化硅的反应气体重要为含氟基气体，如CF4、SF6, NF3等。反应离子刻蚀二氧化硅时，在辉光放电中分解出的氟原子或氯原子，与二氧化硅表面原子反应生成气态产物，达到刻蚀的目的。一般而言，高C/F比的碳氟化合物是二氧化硅反应离子刻蚀工艺常用的刻蚀气体，如cf4、C3F8, C4F8, C4F6等，其中所含的碳可以帮助去除氧化层中的氧，产生副产物CO及C02。其中，CF4为最常用的气体。用CF4刻蚀二氧化硅时，刻蚀气体发生离解，主要反应过程如下CF4+e — CF3*+F*+e ； CF3*+e — C+F*+e。生成的CF3*自由基到达二氧化硅材料表面，反应生成挥发物质 Si02+CF3* — SiF4丨+CO2丨。活性离子刻蚀的机理为碳氟化合物在二氧化硅材料表面形成 CF聚合物，在离子物理轰击提供能量的作用下，CF聚合物与二氧化硅材料反应形成挥发性的SiFx，被真空系统抽离反应腔。
该反应过程中，CF3*、F*表示具有强化学反应活性的自由基。作为目前主流的二氧化硅刻蚀技术，为实现较高的刻蚀速度，除高C/F比的碳氟化合物气体外，还需要一些辅助性气体，如02、Ar等。在低压、高功率条件下，由高能的Ar+轰击提供能量,碳氟化合物气体和待刻蚀的二氧化硅材料进行化学反应。二氧化硅分解生成的氧离子和CF3*等基团反应， 生成的CO丨、C02丨、S iF4丨等挥发性气体被真空系统抽离反应腔，完成对二氧化硅的刻蚀。 由此可见，刻蚀二氧化硅主要是碳氟活性基的作用，反应中的碳氟活性基比例大，则有利于进行二氧化硅的刻蚀而现有技术中能刻蚀氮化硅、含C氮化硅等的气体很多，通常能产生氟、氯活性基的气体均可以刻蚀氮化硅等材料。以氮化硅的刻蚀为例，CHF3等氟化的碳氢化合物是刻蚀氮化硅的常用气体，刻蚀氮化硅的主要过程为CHF3+e — CHF2*+CF3*+F*+H*+e ； CF3*+e — C+F*+e ;F*+H* — HF i ;Si3N4+F* — SiF4 t +N2 t。该反应过程中，CF3*、CHF2*、 F*、H*表示具有强化学反应活性的自由基，反应生成的SiF4丨、HF丨、N2丨等挥发性气体被真空系统抽离反应腔体，完成对氮化硅的刻蚀。由此可见，刻蚀氮化硅主要是氟原子自由基的作用，反应气体中氟活性原子的比例大则有利于氮化硅刻蚀的进行。
综上所述，二氧化硅的刻蚀主要是碳氟自由基在高能离子的协助下的“反应离子刻蚀”，反应气体中碳氟活性基的比例大则有利于二氧化硅刻蚀的进行；而氮化硅的刻蚀则主要是依靠氟原子自由基与被刻蚀材料间的化学反应为主的化学刻蚀，反应气体中氟活性原子的比例大则有利于氮化硅刻蚀的进行，但如果被刻蚀材料表面的聚合物(反应副产物) 过多，则会阻碍刻蚀的进行。
然而，若将进行二氧化硅刻蚀的刻蚀气体和进行氮化硅及其类似材料刻蚀的刻蚀气体机械组合在一起，采用诸如CF4、CHF3> 02、Ar的混合气体作为刻蚀气体，而对二氧化硅、 氮化硅及低介电常数材料等不同材料形成的多层介质进行刻蚀，无论如何调节各种气体比例，都无法对上述不同材料形成的多层介质进行快速、高质量的等离子体刻蚀。其原因在于，这些气体的组合对二氧化硅的刻蚀速率与对氮化硅及其类似材料的刻蚀速率的选择比很难控制在1:1附近，通常是二氧化硅的刻蚀速率大大高于氮化硅的刻蚀速率。如对于由多层介质材料形成的通孔刻蚀，由于高能离子在侧壁附近被反射，将造成侧壁附近刻蚀速率略快于通孔中心，当刻蚀前沿穿过氮化硅层时，如果侧壁附近的刻蚀前沿先接触到下一层的二氧化硅层，则使该位置的刻蚀速率大大高于通孔中心的刻蚀速率，就会发生如图1 所示的刻蚀停止(Etching Stop)现象,在氮化娃介质材料100中刻蚀通孔101的底部形成凸起102，严重影响刻蚀结构质量。
同时，由于半导体结构中二氧化硅、氮化硅、含碳氮化硅以及低介电常数材料等不同材料形成的多层介质作为层间介质层，通常在不同的器件特征处具有不同的厚度差异， 且有些材料介质层厚度极很薄，针对不同材料的介质层采用不同的刻蚀气体进行不同的刻蚀工艺步骤是难以实现的。
除此之外，在对不同材料形成的多层介质刻蚀的同时，还要保证刻蚀过程中对各材料介质的刻蚀速率远大于对作为等离子体刻蚀掩膜的光阻材料的刻蚀速率。
因此，针对二氧化硅、氮化硅、含碳氮化硅以及低介电常数材料等不同材料形成的多层介质的等离子体刻蚀，如何选择刻蚀气体、确定产生等离子体的相关工艺条件，以达到使用一次等离子体刻蚀工艺即可将上述不同材料形成的多层介质在可接受的速率下完成刻蚀，同时保证该刻蚀工艺对作为掩膜的光阻材料具有一定的选择比，成为半导体结构制备工艺中的一大难点。发明内容
本发明所要解决的技术是，提供一种多层介质刻蚀方法，使用一次等离子体刻蚀工艺即可将上述不同材料形成的多层介质在可控速率下完成刻蚀 。
本发明提供的多层介质刻蚀方法包括以下步骤提供半导体基底，所述半导体基底表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层； 以所述图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并采用等离子化的上述气体对所述多层介质进行刻蚀至暴露出所述半导体基底表面。
作为可选的技术方案，所述多层介质为包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅以及低介电常数材料中任意两种或两种以上不同材料形成的叠层介质层。
进一步地，所述低介电常数材料的介电常数小于2. 8，为多孔硅、碳掺杂氧化硅或碳化娃。
作为可选的技术方案，所述多层介质与图形化的光阻材料层之间，还包括顶层介质层，所述顶层介质层表面全部覆盖有图形化的光阻材料层。
作为可选的技术方案，所述刻蚀气体还包括Ar。
作为可选的技术方案，所述碳氟化合物气体为CF4、C4F8, C4F6中任意一种或几种的混合气体。
作为可选的技术方案，所述碳氢化合物或氟化的碳氢化合物气体为CH2F2、CHF3> CH3F, CH4中任意一种或几种的混合气体。
作为可选的技术方案，所述氮氧气体为NO、N2O, NO2中任意一种或几种的混合气体，或N2与O2的混合气体。
作为可选的技术方案，所述碳氟化合物气体流量为(TlOOsccm ;所述氟化的碳氢化合物气体流量为(T500sCCm。
进一步地,所述氮氧气体流量为200sccnT600sccm。
作为可选的技术方案，所述刻蚀气体中C/F比彡O. 5。
作为可选的技术方案，等离子化刻蚀气体的工艺参数为刻蚀腔体压力为 IOOmT 300mT ;总功率> 1000W。此时，刻蚀结构为沟槽。
作为可选的技术方案，等离子化刻蚀气体的工艺参数为刻蚀腔体压力不高于 120mT;总功率> 1500W。此时，刻蚀结构为通孔。
本发明提供的多层介质刻蚀方法，采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，氮氧气体在等离子化过程中形成亚稳态的NO*,能够夺走氮化娃或含碳的氮化娃表面具有一个孤对电子的N,形成挥发性气态产物N2或N2O,从而使气相中的F能够占据氮化硅或含碳的氮化硅表面原来N的位置， 与Si结合形成可挥发的SiF4，进而达到提高氮化硅或含碳的氮化硅的刻蚀速率目的。而氮氧气体在一定含量以下对二氧化硅刻蚀速率影响不大。因此，在一定的流量范围内，氮氧化物可以调节等离子体中聚合物的浓度，从而起到调节刻蚀速率及刻蚀形貌的作用。
与现有技术相比，本发明提供的多层介质刻蚀方法，选用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体对二氧化娃、氮化娃、含碳的氮化娃以及低介电常数材料等不同材料形成的多层介质通过一次等离子体刻蚀工艺进行刻蚀，而无需按照材料分层多步进行。此外，本方法还能够通过刻蚀气体中N/0比来控制上述各材料层的刻蚀速率，从而控制二氧化硅与其他材料层的刻蚀选择比。同 时，由于主刻蚀气体为高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体，其对作为掩膜的光阻材料层刻蚀速率并不快，而对二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅、低介电常数材料等材料则具有较快的刻蚀速率，从而保证了对光阻材料的刻蚀选择比。
图1为现有技术中氮化硅刻蚀过程中刻蚀停止现象结构示意图；图2为本发明提供的多层介质刻蚀方法步骤流程图；图3为本发明具体实施方式
提供的半导体基底结构示意图；图4为本发明具体实施方式
提供的半导体基底表面形成多层介质结构示意图；图5为本发明具体实施方式
提供的多层介质结构表面形成图形化光阻材料层结构示意图；图6为本发明提供的多层介质刻蚀方法中氮氧气体提高氮化硅刻蚀速率机理示意图； 图7为本具体实施方式
提供的多层介质刻蚀方法实验结果结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式
加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
图2为本发明提供的多层介质刻蚀方法步骤流程图。
如图2所示，本具体实施方式
提供的多层介质刻蚀方法包括以下步骤步骤S1:提供半导体基底300，所述半导体基底300表面依次覆盖有多层介质400图形化的光阻材料层500 ；。
图3为本具体实施方式
提供的半导体基底结构示意图。
作为可选实施方式，如图3a、图3b所示，所述半导体基底300可以为原始或外延的半导体材料晶圆310，如单晶硅/锗硅/锗晶圆310a、带有绝缘埋层311的单晶硅/锗硅/ 应变硅/锗晶圆310b (S0I/SG0I/sS0I/G0I晶圆)等。
作为又一可选实施方式，如图3c、图3d所示，所述半导体基底300可以包括形成于所述半导体材料晶圆310表面的MOS晶体管320等半导体器件；还可以为包括覆盖所述半导体器件表面的单层或多层介质层330。
图4为本具体实施方式
提供的半导体基底300表面形成多层介质结构示意图。
如图4所示，半导体基底300表面覆盖有多层介质400。所述多层介质400为包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅以及低介电常数材料中任意两种或两种以上不同材料形成的叠层介质层。其中，所述低介电常数材料的介电常数小于2. 8。作为较佳实施例，低介电常数材料为多孔硅、碳掺杂氧化硅或碳化硅。
该步骤中，形成多层介质400的各材料层厚度可以相同，也可以不同。当半导体基底300结构为如图3c所示，即多层介质400直接覆盖在形成于所述半导体材料晶圆310表面的MOS晶体管320等半导体器件表面时，该多层介质层400为层间介质层，刻蚀通孔用于形成多层金属互连之间的接触孔，或刻蚀沟槽用于形成其他多层半导体结构，如光电器件的高传输效率光通路等。当半导体基底3`00结构为如图3d所示，即形成于所述半导体材料晶圆310表面的MOS晶体管320等半导体器件表面覆盖有单层或多层介质层330，而多层介质400覆盖在所述介质层表面时，该覆盖半导体器件结构的单层或多层介质层330可以为底层的层间介质层，也可以为底层金属布线层，或包括底层层间介质层及覆盖所述底层层间介质层表面的金属层，此时，多层介质400为层间介质层，刻蚀通孔用于形成半导体结构中间层或上层金属与半导体器件或底层金属层之间的接触孔。
作为可选实施例，如图4所示，多层介质400包括依次覆盖半导体基底300表面的氮化娃层401、二氧化娃层402、含碳的氮化娃层403和低介电常数材料碳化娃层404,该多层介质400覆盖半导体基底300用于制备半导体器件结构的上表面。作为可选实施例，多层介质400包括氮化硅、二氧化硅、含碳的氮化硅以及低介电常数材料以任意次数、任意数量叠加的层叠结构，且该多层介质400覆盖半导体基底300背面，此时，制备半导体器件所采用的技术为背照式工艺，多用于形成置于半导体基底300背面用于金属互连的接触孔。
该步骤中，多层介质400中各材料层的沉积采用化学气相沉积方法实现。
图5为本具体实施方式
提供的多层介质结构表面形成图形化光阻材料层结构示意图。
本具体实施方式
中，如图5a所不，多层介质400表面覆盖有光阻材料500,且其表面具有图形化窗口 501暴露出所述多层介质400表面，用于进行多层介质400的通孔或沟槽刻蚀。该步骤中，光阻材料层500为正性或负性光刻胶，其通过光刻曝光或等离子体处理开图形化窗口 501。
作为可选实施方式，如图5b、图5c所不,所述多层介质400与图形化的光阻材料层 500之间，还包括顶层介质层502，所述顶层介质层502表面全部覆盖有图形化的光阻材料层500。顶层介质层502为硬掩膜层，或顶层金属层，其与多层介质400及光阻材料层500 的位置关系，可以如图5b所示，具有与光阻材料层500相同的图形化窗口，也可以如图5c 所示，其表面及侧壁全部覆盖有光阻材料层500。即光阻材料层500上的图形化窗口 501 仍直接暴露所述多层介质400表面，用于等离子体刻蚀形成通孔或沟槽。
步骤S2 以所述图形化的光阻材料层500为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、 氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并采用等离子化的上述气体对所述多层介质400进行刻蚀至暴露出所述半导体基底300表面。
该步骤中，所涉及的碳氟化合物气体为高C/F比气体，包括CF4、C4F8、C4F6中任意一种或几种的混合气体；碳氢化合物或氟化的碳氢化合物气体为CH2F2、CHF3、CH3F、CH4中任意一种或几种的混合气体；氮氧气体为NO、N2O, NO2中任意一种或几种的混合气体，也可以氧气和氮气的混合气体替代。
作为最佳实施例，该步骤所涉及的刻蚀气体还包括辅助刻蚀气体Ar，且刻蚀气体中C/F比彡O. 5。
该步骤中 ，碳氟化合物气体流量小于IOOsccm ;所述氟化的碳氢化合物气体流量小于500sCCm ;所述氮氧气体流量高于所述碳氟化合物气体流量和所述氟化的碳氢化合物气体流量。作为最佳实施例，氮氧气体流量为200SCCnT600SCCm。
该步骤中，以碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，增加氮氧气体以控制氮化硅、含碳的氮化硅、低介电常数材料等的刻蚀速率。在等离子化过程中，刻蚀气体在等离子体中解离产生F*、CF3*、CHF2*、H*等具有强化学反应活性的活性基，并在高能的Ar+轰击作用下与多层介质400中各材料层发生反应，生成HF、SiF4、N2、C0、C02、N20等挥发性物质。
虽然CF聚合物对氮化硅、含碳的氮化硅及类似材料的刻蚀具有一定的阻碍作用， 但由于增加了氮氧气体，以氮化硅刻蚀为例，如图6氮氧气体提高氮化硅刻蚀速率机理示意图所示，氮氧气体在等离子体中会形成亚稳态的NO*活性基，NO*能够夺走氮化硅或含碳的氮化硅表面具有一个孤对电子的N，形成可挥发性产物N2或N2O,从而使等离子化气相中的F*能够占据氮化硅或含碳氮化硅表面原来N的位置，与Si结合形成可挥发性产物SiF4， 从而达到刻蚀氮化硅或含碳氮化硅材料层的目的。
氮化硅及含碳的氮化硅材料刻蚀过程中生成的NO*等在一定含量以下对二氧化硅等的刻蚀速率影响不大，且氟化的碳氢化合物气体对氮化硅以及碳化硅等低介电常数材料具有较快的刻蚀速率。因此，采用本具体实施方式
中提供的碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体并通入适量的氮氧气体，即可通过一次等离子体刻蚀，实现对包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅、低介电常数材料等的多层介质400的通孔或沟槽刻蚀，并可通过对气体中N/0比的控制来控制各材料层的刻蚀选择比。
作为可选实施例，以图形化的光阻材料层500为掩膜，对多层介质400进行通孔刻蚀，刻蚀气体为C4F8、CH2F2, N02、Ar的混合气体，其中，C4F8流量为80sccm，CH2F2流量为 150sccm, NCV流量为200sccm，等离子体刻蚀的腔体压力为IOOmT 120mT，总功率> 1500W， 更佳的，总功率为2000W。
作为第二可选实施例，以图形化的光阻材料层500为掩膜，对多层介质400进行沟槽刻蚀，刻蚀气体为CF4、CH4, NO、Ar的混合气体，其中，CF4流量为lOOsccm，CH4流量为 500sccm, NO流量为600sccm，等离子体刻蚀的腔体压力为120mT 300mT，总功率> 1000W，更佳的，总功率为1500W。
作为第三可选实施例，以图形化的光阻材料层500为掩膜，对多层介质400进行沟槽刻蚀，刻蚀气体为CF4、NO、Ar的混合气体，其中，CF4流量为50sccm，NO流量为 300sccm,此时，刻蚀气体中氟化的碳氢化合物气体流量为Osccm，等离子体刻蚀的腔体压力为120mT 300mT，总功率> 1000W，更佳的，总功率为1500W。
图7为本具体实施方式
提供的多层介质刻蚀方法实验结果结构示意图。
如图7所示，上述三实施例具有不同的气体流量和N/0比，因而对二氧化硅、氮化硅、含碳的氮氧化硅、碳化硅等低介电常数材料具有不同的刻蚀速率和刻蚀选择比，但均能通过一次等离子体刻蚀工艺完成对多层介质400的通孔或沟槽刻蚀，至暴露半导体基底 300表面。同时，等离子体刻蚀过程中对上述各材料层的刻蚀速率均远大于对光阻材料层的刻蚀速率，即保证了刻蚀过程中对光阻材料较低的刻蚀速率。
本具体实施方式
提供的多 层介质刻蚀方法，采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，进而达到刻蚀氮化硅或含碳的氮化硅的目的。而氮氧气体在一定含量以下对二氧化硅刻蚀速率影响不大，且氟化的碳氢化合物气体对氮化硅以及低介电常数材料均具有较快的刻蚀速率。此外，由于主刻蚀气体为高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体，其对作为掩膜的光阻材料层刻蚀速率并不快，而对二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅、低介电常数材料等材料则具有较快的刻蚀速率，从而保证了刻蚀过程中对光阻材料较低的刻蚀速率。
因此，采用本具体实施方式
提供的多层介质刻蚀方法，能够通过一次等离子体刻蚀实现对不同材料形成的多层介质的刻蚀，而无需按照材料分层多步进行，同时保证了对光阻材料较低的刻蚀速率。
虽然通过参照本发明的某些优选实施方式，已经对本发明进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应该明白，可以在形式上和 细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
权利要求
1.一种多层介质刻蚀方法，包括以下步骤提供半导体基底，所述半导体基底表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；其特征在于以所述图形化的光阻材料层为掩膜，激发刻蚀气体为碳氟化合物气体、碳氢化合物或氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体以产生等离子体，以对所述多层介质进行刻蚀至暴露出所述半导体基底表面。
2.根据权利要求1所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述多层介质为包括二氧化硅、氮化硅、含碳的氮化硅以及低介电常数材料中任意两种或两种以上不同材料形成的叠层介质层。
3.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述低介电常数材料的介电常数小于2. 8，为多孔硅、碳掺杂氧化硅或碳化硅。
4.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述多层介质与图形化的光阻材料层之间，还包括顶层介质层，所述顶层介质层表面全部覆盖有图形化的光阻材料层。
5.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括Ar。
6.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟化合物气体为 CF4, C4F8, C4F6中任意一种或几种的混合气体。
7.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述碳氢化合物或氟化的碳氢化合物气体为CH2F2、CHF3> CH3F, CH4中任意一种或几种的混合气体。
8.根据权利要求2所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述氮氧气体为Ν0、Ν20、Ν02 中任意一种或几种的混合气体，或N2与O2的混合气体。
9.根据权利要求31中任意一项所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟化合物气体流量为(TlOOsccm ;所述氟化的碳氢化合物气体流量为(T500sCCm。
10.根据权利要求9所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述氮氧气体流量为 200sccm 600sccmo
11.根据权利要求9所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体中C/F比 ^ O. 5。
12.根据权利要求9所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，等离子化刻蚀气体的工艺参数为刻蚀腔体压力为100mT 300mT ;总功率> 1000W。
13.根据权利要求9所述的多层介质刻蚀方法，其特征在于，等离子化刻蚀气体的工艺参数为刻蚀腔体压力不高于120mT ;总功率> 1500W。
全文摘要
本发明涉及半导体技术领域，公开了一多层介质刻蚀方法，包括步骤提供半导体基底，其表面依次覆盖有多层介质和图形化的光阻材料层；以图形化的光阻材料层为掩膜，对刻蚀气体为碳氟化合物气体、氟化的碳氢化合物气体、氮氧气体的混合气体等离子化，并以此对多层介质进行刻蚀至暴露出半导体基底表面。该方法采用高C/F比的碳氟化合物气体和氟化的碳氢化合物气体作为主刻蚀气体，并添加一定流量的氮氧气体，能够通过一次等离子体刻蚀达到刻蚀不同材料形成的多层介质的目的，而无需按照材料分层多步进行。同时，其对作为掩膜的光阻材料层具有较低的刻蚀速率。
文档编号H01L21/311GK103050396SQ20121059443
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月31日 优先权日2012年12月31日
发明者杜若昕, 王兆祥, 刘骁兵, 刘志强 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司