专利名称：一种倒装型发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型属于光电器件技术领域，尤其涉及一种倒装型发光二极管。
背景技术：
发光二极管LED是一种能够将电能转化为光能的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而采用电场发光。据分析，LED的特点非常明显，寿命长、光效高、低福射与低功耗。目前，倒装LED技术是一发展主流，但是目前的倒装LED技术还存在缺陷，例如采用合金焊料，使合金焊料中产生空隙，影响器件倒装后的散热效果。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种倒装型发光二极管，旨在解决现有技术中目前的倒装LED技术还存在缺陷，例如采用合金焊料，使合金焊料中产生空隙，影响器件倒装后的散热效果的问题。本实用新型是这样实现的，一种倒装型发光二极管，所述倒装型发光二极管具体包括蓝宝石衬底；设置在所述蓝宝石衬底下表面的η型GaN半导体；设置在所述η型GaN半导体下表面的器件有源层；设置在所述器件有源层下表面的P型GaN半导体；所述GaN半导体上设有η电极；所述蓝宝石衬底相对位置设有电极基板；所述电极基板设有电极引线，所述电极引线通过金线与所述η电极连接；所述η电极和电极弓丨线设置在绝缘层内；所述绝缘层下表面设有散热板。本实用新型以相对较低的制造成本和简化的制作方式，提高了 LED的散热性能。
图I是本实用新型提供的倒装型发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本实用新型。图I示出了本实用新型提供的倒装型LED的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本实用新型相关的部分。本实用新型提供的倒装型发光二极管具体包括蓝宝石衬底I ;设置在所述蓝宝石衬底I下表面的η型GaN半导体2 ；设置在所述η型GaN半导体2下表面的器件有源层3 ；[0028]设置在所述器件有源层3下表面的P型GaN半导体4 ；所述GaN半导体2上设有η电极5 ;所述蓝宝石衬底I相对位置设有电极基板6 ；所述电极基板6设有电极引线7，所述电极引线7通过金线8与所述η电极5连接；所述η电极5和电极弓丨线7设置在绝缘层9内；所述绝缘层8下表面设有散热板10。本实用新型以相对较低的制造成本和简化的制作方式，提高了 LED的散热性能。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1 一种倒装型发光二极管，其特征在于，所述倒装型发光二极管具体包括蓝宝石衬底；设置在所述蓝宝石衬底下表面的η型GaN半导体；设置在所述η型GaN半导体下表面的器件有源层；设置在所述器件有源层下表面的P型GaN半导体；所述GaN半导体上设有η电极；所述蓝宝石衬底相对位置设有电极基板；所述电极基板设有电极引线，所述电极引线通过金线与所述η电极连接；所述η电极和电极引线设置在绝缘层内；所述绝缘层下表面设有散热板。
专利摘要本实用新型适用于光电器件技术领域，提供了一种倒装型发光二极管，所述倒装型发光二极管具体包括蓝宝石衬底；设置在所述蓝宝石衬底下表面的n型GaN半导体；设置在所述n型GaN半导体下表面的器件有源层；设置在所述器件有源层下表面的p型GaN半导体；所述GaN半导体上设有n电极；所述蓝宝石衬底相对位置设有电极基板；所述电极基板设有电极引线，所述电极引线通过金线与所述n电极连接；所述n电极和电极引线设置在绝缘层内；所述绝缘层下表面设有散热板。本实用新型以相对较低的制造成本和简化的制作方式，提高了LED的散热性能。
文档编号H01L33/64GK202772194SQ20122047497
公开日2013年3月6日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日
发明者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司