专利名称：一种垂直结构的led芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种垂直结构的LED芯片。
背景技术：
发光二极管广泛应用于仪表指示灯、大尺寸LED背光源、电子广告牌等领域。在生长LED外延层时，主要选择蓝宝石作为衬底，但是蓝宝石的电导率和热导率较差，导致LED的制作工艺复杂，散热差，寿命短，限值高亮度LED的发展。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种垂直结构的LED芯片，旨在解决现有技术中蓝宝石的电导率和热导率较差，导致LED的制作工艺复杂，散热差，寿命短，限值高亮度LED的发展的问题。本实用新型是这样实现的，一种垂直结构的LED芯片，所述垂直结构的LED芯片具体包括高热导率的支撑衬底；设置在所述支撑衬底上表面的键合材料层；涂覆在所述键合材料层上的反射层；所述发射层上面设有透明导电层；所述透明导电层上表面依次设置ρ-GaN层、有源层、n-GaN层和欧姆接触电极。本实用新型提供的LED芯片采用垂直结构，该垂直结构将蓝宝石衬底逐步剥离，制作工艺简单，提升了 LED的散热效果，同时增长了器寿命。
图I是本实用新型提供的垂直结构的LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本实用新型。图I示出了本实用新型提供的垂直结构的LED芯片的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本实用新型相关的部分。本实用新型提供的垂直结构的LED芯片具体包括高热导率的支撑衬底I ;设置在所述支撑衬底I上表面的键合材料层2 ；涂覆在所述键合材料层2上的反射层3 ；所述发射层3上面设有透明导电层4 ；所述透明导电层4上表面依次设置p-GaN层5、有源层6、n-GaN层7和欧姆接触电极8。在本实用新型中，上述键合材料层2为导电聚合物，所述反射层3为铝材料，欧姆接触电极8又分为多层，在此不再赘述，但不用以限制本实用新型。[0027]本实用新型提供的LED芯片采用垂直结构，该垂直结构将蓝宝石衬底逐步剥离，制作工艺简单，提升了 LED的散热效果，同时增 长了器寿命。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种垂直结构的LED芯片，其特征在于，所述垂直结构的LED芯片具体包括高热导率的支撑衬底；设置在所述支撑衬底上表面的键合材料层； 涂覆在所述键合材料层上的反射层；所述发射层上面设有透明导电层；所述透明导电层上表面依次设置P-GaN层、有源层、n-GaN层和欧姆接触电极。
专利摘要本实用新型适用于LED技术领域，提供了一种垂直结构的LED芯片，所述垂直结构的LED芯片具体包括高热导率的支撑衬底；设置在所述支撑衬底上表面的键合材料层；涂覆在所述键合材料层上的反射层；所述发射层上面设有透明导电层；所述透明导电层上表面依次设置p-GaN层、有源层、n-GaN层和欧姆接触电极。本实用新型提供的LED芯片采用垂直结构，该垂直结构将蓝宝石衬底逐步剥离，制作工艺简单，提升了LED的散热效果，同时增长了其寿命。
文档编号H01L33/02GK202772174SQ20122047499
公开日2013年3月6日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日
发明者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司