专利名称：大功率器件封装使用的花式顶针的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种大功率器件封装使用的花式顶针，属于半导体封装行业。
背景技术：
目前，大功率器件MOS管(金属一绝缘体一半导体)装片粘合过程中主要使用具有一定角度的顶针将MOS管从有粘性的胶膜上分离。然而，大功率器件在晶圆制作后往往非常薄，主流圆片厚度为150um，部分甚至达到120um及80um，从实际生产过程中，传统的顶针存在非常大的作业隐患，经常会出现MOS管被顶针尖端顶裂的现象，从而导致MOS管出现物理损伤直接报废。尤其可怕的是MOS管在被顶裂后为隐裂，实际作业过程中作业员用肉眼无法直接发现，且部分在电性测试后易不能筛选出来，最终在终端客户使用后出现问题，如此往往会给封装行业带来非常大的损失。因此寻求一种在作业过程中不易将MOS管顶裂的大功率器件封装使用的顶针尤为重要。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种在作业过程中不易将MOS管顶裂的大功率器件封装使用的花式顶针。本实用新型的目的是这样实现的一种大功率器件封装使用的花式顶针，它包括针杆以及针杆端部的针头，其特征是所述针头的前端设置有三个针尖，所述三个针尖环形均匀布置于针头前端。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型由于针头的前端设置有三个针尖，使得在实际作业过程中，针头前端的应力得以分散，不易将MOS管顶裂。该大功率器件封装使用的花式顶针具有在作业过程中不易将MOS管顶裂，保证产品质量，降低安全隐患，减少损失的优点。
图1为本实用新型大功率器件封装使用的花式顶针的结构示意图。图2为图1的A向示意图。其中针杆I针头2针尖3。
具体实施方式
参见图1和图2，本实用新型涉及的一种大功率器件封装使用的花式顶针，它包括针杆I以及针杆I端部的针头2，所述针头2的前端设置有三个针尖3，所述三个针尖3环形均匀布置于针头2前端。
权利要求1. ー种大功率器件封装使用的花式顶针，它包括针杆(I)以及针杆(I)端部的针头(2 )，其特征在于所述针头(2 )的前端设置有三个针尖(3 )，所述三个针尖(3 )环形均匀布置于针头(2)前端。
专利摘要本实用新型涉及一种大功率器件封装使用的花式顶针，它包括针杆(1)以及针杆(1)端部的针头(2)，其特征在于所述针头(2)的前端设置有三个针尖(3)，所述三个针尖(3)环形均匀布置于针头(2)前端。本实用新型由于针头的前端设置有三个针尖，使得在实际作业过程中，针头前端的应力得以分散，不易将MOS管顶裂。该大功率器件封装使用的花式顶针具有在作业过程中不易将MOS管顶裂，保证产品质量，降低安全隐患，减少损失的优点。
文档编号H01L21/687GK202871768SQ201220570709
公开日2013年4月10日 申请日期2012年11月1日 优先权日2012年11月1日
发明者吴志勇 申请人:江阴苏阳电子股份有限公司