三维传感器、系统和相关的方法

三维传感器、系统和相关的方法
【专利摘要】本发明提供3D传感器、系统和相关的方法。在一个方面，例如，用于检测红外光和可见光的单片式3D传感器可包含具有器件表面的半导体衬底，在器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管和邻近该至少一个可见光光电二极管在器件表面上形成的至少一个3D光电二极管。器件可进一步包含功能上耦合至该至少一个3D光电二极管且被安置以与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。在一个方面，量子效率提高的红外光区域是位于器件表面的纹理化区域。
【专利说明】三维传感器、系统和相关的方法
[0001]优先权数据
[0002]这个申请要求2011年3月10日提交的美国临时专利申请N0.61/451，510的权益，其内容通过引用包括在此。
【背景技术】
[0003]光与半导体器件的相互作用是很多重要创新的核心。半导体光电探测器件，如太阳能光电板、光电二极管、成像器用于各种技术，例如，太阳能电池、数码相机、光电鼠标、摄像机、视频游戏控制器、移动电话等等。硅是用于电子器件的最普遍半导体，且也非常广泛地用于光电器件，如光检测器、图像传感器和太阳能电池。室温下硅的带系是1.12eV，并且通常半导体不吸收能量低于它们的带系能量的光子。然而，存在很多需要在比硅的带系低的能量水平上的光学检测的应用。具体的兴趣，例如，是能级0.95eV (1310nm)和0.8eV(1550nm)。典型地通过具有较小带系的其他半导体，如锗、铟砷化镓、碲镉汞等等服务这些应用。

【发明内容】

[0004]本公开提供3D传感器、系统和相关的方法。在一个方面，例如，提供能够探测红外光和可见光的单片3D传感器。这样的器件能够包含具有器件表面的半导体衬底，在器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管和接近该至少一个可见光光电二极管、在器件表面上形成的至少一个3D光电二极管。该器件可进一步包含功能上耦合至该至少一个3D光电二极管并且被安置以与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。在一个方面，量子效率提高的红外光区域是位于器件表面的纹理化区域。在另一个方面，量子效率提高的红外光区域具有利用脉冲激光形成的表面结构，该脉冲激光具有从大约I飞秒至大约500皮秒的脉冲持续时间。在还有的另一个方面，表面结构具有从大约5nm(纳米)至大约500 μ m(微米)的平均高度。
[0005]设想各种光电二极管组合，且认为可见光光电二极管和3D光电二极管的任何这样的组合在本范畴内。在一个方面，例如，至少一个可见光光电二极管包含至少一个红光敏感的光电二极管、至少一个蓝光敏感的光电二极管、至少一个绿光敏感的光电二极管和至少两个3D光电二极管。在另一个方面，3D光电二极管可操作用以探测具有大于大约SOOnm的波长的红外光。在还有的另一个方面，该器件可进一步包含光学地耦合至3D光电二极管并且被安置以便过滤射到3D光电二极管上的电磁辐射的红外窄带通滤光片。在另外的方面，该器件可包含光学地耦合至至少一个可见光二极管并且被安置以便过滤射到至少一个可见光光电二极管上的红外电磁福射的红外截止滤光片(infrared cut filter)。
[0006]根据期望的传感器的功能，可改变3D光电二极管的设计。在一个方面，例如，3D光电二极管进一步包含用于响应来自红外光源的红外光脉冲的探测，捕获由3D光电二极管产生的信号的电路。在另一个方面，3D光电二极管进一步包含用于计算飞行时间的信息的电路。在还有的另一个方面，该器件进一步包含用于将3D光电二极管的光捕获与红外光源同步的电路。在另外的方面，该器件可包含功能上耦合至至少一个可见光光电二极管和可操作以便以全局快门模式(global shutter mode)运行的至少一个3D光电二极管的读出电路。
[0007]另外，本公开提供用于探测红外光和可见光的系统。在一个方面，这样的系统可包含用于探测红外光和可见光的单片3D传感器，其中这样的单片传感器进一步包含具有器件表面的半导体衬底、在器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管、接近该至少一个可见光光电二极管的在器件表面上形成的至少一个3D光电二极管，和功能上耦合至该至少一个3D光电二极管且被安置以与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。该系统还可包含可操作用以发射由3D光电二极管可探测的红外光的红外光源，以及红外光源和3D光电二极管之间的同步电路，其使红外光3D光电二极管的探测与红外光源的脉冲同步。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]为了更充分理解本公开的性质和优势，结合附图，参考此处的实施例的【具体实施方式】，其中:
[0009]图1图解说明飞行时间(TOF)的基本原理；
[0010]图2是根据本公开的一个方面的单片传感器的横截面图；
[0011]图3是根据本公开的一个方面的像素排列方案的图解；
[0012]图4是根据本公开的一个方面的像素排列方案的图解；
[0013]图5是根据本公开的一个方面的像素排列方案的图解；
[0014]图6是根据本公开的一个方面的像素排列方案的图解；
[0015]图7是根据本公开的一个方面的基本TOF CMOS像素操作原理的时序示意图；
[0016]图8是根据本公开的一个方面的3D TOF像素和可见的(RGB)像素的横截面图；
[0017]图9是根据本公开的一个方面的6-晶体管(6-transistor)全局快门可见(RGB)像素的不意图；
[0018]图10是根据本公开的一个方面的可见的6T全局快门像素的时序图；
[0019]图11是根据本公开的一个方面的3D TOF全局快门CMOS像素的示意图；
[0020]图12是根据本公开的一个方面的3D TOF像素阵列的时序图；
[0021]图13是根据本公开的一个方面，背景信号提取期间的3D TOF像素阵列的时序图；
[0022]图14是根据本公开的一个方面，包含单片传感器的系统的横截面图；和
[0023]图15是根据本公开的一个方面，与量子效率提高的成像器比较的标准成像器的图示。
【具体实施方式】
[0024]在此处描述本公开内容之前，要理解的是，本公开内容不限于此处公开的具体结构、工艺步骤/处理步骤或材料，但是延伸至相关领域的技术人员承认的其等同物。也应该理解，此处应用的术语只用于描述具体实施例的目的，且不意图为限制。
[0025]定义
[0026]将根据下面阐明的定义使用下列术语。[0027]应该注意，如在这个说明书和附加的权利要求中使用的，除非上下文另外明确地指出，单数形式“一个”和“该/所述”可包含复数个指示对象。因而，例如，提到“一个搀杂物”可包含一个或更多这样的搀杂物，并且提到“该层”可包含对一个或更多这样的层的引用。
[0028]如此处应用的，可互换地使用术语“光”和“电磁辐射”，且这些术语可指代紫外、可见的、近红外和红外光谱中的光或电磁辐射。这些术语还可更广泛地包含如无线电波、微波、X-射线和伽玛射线的电磁辐射。因而，术语“光”不限于可见光谱中的电磁辐射。此处描述的光的很多实例具体地指可见和红外(和/或近红外)光谱中的电磁辐射。为了本公开的目的，认为可见范围波长是从大约350nm至SOOnm并且不可见的波长是比大约SOOnm长或比大约350nm短。红外光谱包括包含大约800至IlOOnm的波长的光谱的近红外部分，包含大约I IOOnm至3微米的波长的光谱的短波红外部分，和包含大于大约3微米直到大约30微米的波长的光谱的中间至长波红外(或热红外)部分。除非另有说明，这些部分通常且共同地在本文被称为电磁频谱的“红外”部分。
[0029]如此处使用的，将量子效率(QE)定义为光电器件上入射的光子转变成电子的百分t匕。将外部QE (EQE)定义为每一传入光子的在器件外部获得的电流。这样，EQE因此取决于光子的吸收和电荷的聚集。由于再结合作用和光损失(例如，传输和反射损失)，EQE低于QE0
[0030]如此处使用的，可互换地使用术语“ 3D ”和“三维的”，且指从电磁辐射获得的距离信息。
[0031 ] 如此处使用的，可互换地使用术语“无序表面”和“纹理化表面”，且指具有纳米至微米级表面变化的拓扑结构的表面。可通过一个或多于一个激光脉冲的照射、化学蚀刻、平板印刷图案化、多个同时的激光脉冲的干涉或反应离子蚀刻形成这样的表面拓扑结构。虽然根据采用的材料和技术可改变这样的表面的特性，但是在一个方面，这样的表面可能是几百纳米厚且由纳米微晶(例如，从大约10至大约50纳米)和纳米孔组成。在另一个方面，这样的表面可包含微米级的结构(例如，大约I μ m至大约60 μ m)。在还有的另一个方面,该表面可包含从大约5nm和大约500 μ m的纳米级和/微米级结构。各种技术可用于测量这样的结构的大小/尺寸。例如，对于似锥形的结构，打算从结构的最高点至在那个结构和临近结构之间形成的谷测量上述范围。对于如纳米孔的结构，意图是上述范围接近直径。另外，表面结构可以彼此隔开各种平均距离。在一个方面，可以从大约50nm至大约50 μ m的距离隔开临近的结构。在另一个方面，可以从大约50nm至大约2um的距离隔开临近的结构。意图是这样的间隔是从一个结构的中心点至临近结构的中心点。
[0032]如此处使用的，术语“积分通量”指来自经过单位面积的激光辐射的单脉冲的能量量。换句话说，可将“积分通量”描述为一个激光脉冲的能量密度。
[0033]如此处使用的，术语“表面改性”和“表面修饰”指利用激光照射、化学蚀刻、反应离子蚀刻、平版印刷图案化等等进行半导体材料的表面的改变。在一个特殊的方面，表面修饰可包含，主要地利用激光照射或结合掺杂剂的激光照射的工艺，其中激光照射促进掺杂剂到半导体材料的表面的结合。因此，在一个方面，表面修饰包含半导体材料的掺杂。
[0034]如此处使用的，术语“目标区域”指打算被掺杂或表面修饰的半导体材料的区。可随着表面修饰工艺进展改变半导体材料的目标区域。例如，在对第一目标区域进行掺杂或表面修饰之后，可在相同的半导体材料上选择第二目标区域。
[0035]如此处使用的，术语“单片”指其中在相同的衬底上形成电子组件的电子装置。例如，两个单片像素元件是在相同的半导体衬底上形成的像素元件。
[0036]如此处使用的，术语“充分地”指行动、特征、属性、状态、结构、项目或结果的完全的或将近完全的范围或程度。例如，被“充分地”封闭的物体意味着，物体被完全地封闭或将近完全地封闭。在某些情况下，从绝对完全性偏离的精确的可允许程度可取决于具体的背景。然而，通常所述的完全的接近度将具有与如果获得绝对的和总的完成时一样的总体结果。
[0037]如此处使用的，术语“大约”通过提供给出的值可能是“少量超过”或“少量低于”端点，用于向数值范围端点提供灵活性。
[0038]如此处使用的，为了方便，可在共同的列表中呈现多个项目、结构元件、组成元件和/或材料。然而，应该将这些列表解释为，分别地将列表的每一个成员确定为单独唯一的成员。因而，仅仅基于共同组中它们的存在，没有这样的列表的单独成员解释为同样的列表的任何其他成员的实际对等物，而没有对相反物的指示。
[0039]此处可以以范围格式表达或介绍浓度、量和其他数值数据。应该理解，仅仅为了方便和简洁使用这样的范围格式，因而，应该将其灵活地解释为不仅包含如范围的限制明确列举的数值，而且包含那个范围内包含的所有的单独的数值或子范围，犹如明确地列举每一个数值和子范围一样。作为说明，应该将“大约I至大约5”的数值范围解释为不仅包含大约I至大约5的明确列举的值，而且包含指示的范围内的个体值和子范围。因而，这个数值范围中包含的是个体值如2、3和4和子范围如从I到3、从2到4和从3到5，等等，以及单独的1、2、3、4和5。
[0040]这个相同的原理适用于只列举一个数值作为最小或最大值的范围。此外，应该不考虑描述的范围或特征的宽度应用这样的解释。
[0041]公开内容
[0042]下列公开内容涉及能够探测用于提供深度信息(也就是，3D信息)的可见光以及红外光的光敏二极管、像素和成像器，包含制造这样的器件的相关的方法。另外，这样的器件表现增强的吸收和量子效率。在一个方面，例如，这样的3D成像器件可包含至少一个第一半导体像素、至少一个第二半导体像素、至少一个第三半导体像素和能够探测物体的距离的至少一个3D半导体像素。可利用其他半导体像素整体地排列这个3D像素。第一、第二、第三和3D半导体像素可经配置分别地探测具有第一、第二、第三和第四波长的光。进一步地，第一波长可能在大约400nm至大约500nm的范围内；第二波长在大约500nm至大约550nm的范围内；第三波长在大约550至大约700nm的范围内和第四波长在大约700nm至大约1200nm的范围内。在某些方面，单片传感器可包含可操作用以探测不同的波长的多个3D像素。例如，可将不同的3D像素调至具体的波长如，例如，850nm、960nm、1064nm等等。包含可操作用以探测相同波长的多个3D像素，也可能是有益的。作为一个非限制性实例，单片传感器可包含可操作用以在1064nm探测的多个3D像素和可操作用以在960探测的多个3D像素。应该理解，预期像素类型和像素数目的各种排列和组合，且认为任何这样的组合在本范畴内。
[0043]在一个实施例中，3D半导体像素可包含半导体衬底，在半导体衬底上或从半导体衬底形成的半导体层，以及和半导体层相关的量子效率提高的红外光区域。在一个方面，量子效率提高的红外光区域可能是有纹理的区域。在另一个方面，半导体衬底和半导体层由硅组成。
[0044]存在利用深度信息的很多应用，它们的非限制性实例可包含免提手势控制、视频游戏、医学应用、机器视觉等等。飞行时间(TOF)是已经被开发用于雷达和LIDAR(光探测和测距)系统的确定深度信息的一个典型方法。TOF的基本原理涉及发送信号和测量来自目标的返回信号的属性。测量的属性被用于确定T0F。通过一半TOF和应用介质中的信号速度的乘积推断距离。
[0045]图1显示利用具有空间上隔开的多个表面的目标，进行广义TOF测量的图解。等式I显示如何计算这样的距离测量值的一个实例。
[0046]d=（TOF·C）/2
[0047]其中d是距离测量值和c是光速。通过测量光102向目标104来回行进花费的时间(例如，T0F)，可得到发光二极管(LED)和目标的表面之间的距离。
[0048]对于成像器，如果每一个像素可执行上面的TOF测量，那么对于给定的透镜系统，可实现目标的有益3D图像，因为光在真空中的速度是3e8m/sec (米/秒)，在那个速度移动的光将在纳秒内达到在30cm处的目标。因而，当目标相对靠近来源时，这经常是很多3D成像应用的情况，利用TOF方法的距离测量可能是困难的。克服这种问题的TOF测量方法的一个非限制性实例利用已调制的光脉冲，并且测量发射光和接收光之间的相位延迟。基于相位延迟和脉冲宽度，可得到T0F。例如，可从LED光源发出这样的光脉冲。
[0049]此外，在已经外延地(EPI)生长的硅材料上制造很多当前像素或成像器。大多数外延地生长的硅相对薄(例如，小于30 μ m),且因而限制材料可吸收/探测的红外电磁辐射的量，致使近红外和红外波长附近的像素量子效率不良。为了为这样的装置实现可接受的信噪比，需要高功率LED，以便产生红外信号。在没有这样的更高功率提供动力的LED的情况下，潜在可测量的距离范围非常短，并且产生的更高电串扰可显著地影响深度图(depthmap)的空间分辨率。相反地，如果增加这样的像素中的EPI厚度，可提高红外量子效率，尽管没有达到很多应用的可接收水平。然而，增加EPI厚度可显著地减慢电子迁移和解调性能的退化。这可导致不良的深度精确性或换句话说，增加深度噪声。根据本公开的各方面的像素克服先前与深度测量相关的问题。例如，在一个方面，这样的装置可利用具有从大约2 μ m至大约5 μ m的厚度的硅EPI层，其可在红外波长中实现高的QE。
[0050]在一个示例方面，如图2中显示的，提供用于探测红外和可见光的单片3D传感器。这样的传感器可包含具有器件表面204的半导体衬底202，在器件表面204上形成的或由器件表面204形成的至少一个可见光光电二极管206和接近至少一个可见光光电二极管206,在器件表面204上形成或由器件表面204形成的至少一个3D光电二极管208。因而，可关于彼此整体地安排传感器中的光电二极管。单片3D传感器也可包含功能上耦合至至少一个3D光电二极管208并且被安置以便与电磁辐射相互作用的的量子效率提高的红外光区域210。应该注意，在某些方面，各种层可分开量子效率提高的红外光区域和3D光电二极管，包含但不限于氧化层。因而，3D光电二极管具有在光谱的红外区域中提供的反应性和/或可检测性。应该注意，器件表面可能是半导体衬底的一部分，或器件表面可能是在衬底上形成的附加层，如外延生长的层。
[0051]在某些方面，可利用各种沟道隔离212或其他技术将至少一个可见光光电二极管206和至少一个3D光电二极管208彼此隔开，以便降低或消除光电二极管之间的光和/或电串扰。在某些方面，如此处讨论的，可纹理化和/或掺杂沟道隔离自身。另外，沟道隔离可充满氧化物材料。应该注意，各种光电二极管的每一个可具有形成至少一个结的多个掺杂的区域。在某些方面，掺杂区域可包含η型搀杂物和/或P型掺杂物，因此形成ρ-η结。在其他方面，光敏感器件可包含i型区域，以便形成p-1-n结。这里进一步讨论各种掺杂物和掺杂物概况。
[0052]在另一个方面，光电二极管可包含耦合至半导体衬底和可操作用以从结转移电信号的电转移元件。电转移元件的非限制性实例可包含各种器件如晶体管、传输门、金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)、P沟道MOS (PMOS)传输门等等。
[0053]通常，光电二极管可包含无源像素传感器(PPS)、有源像素传感器(APS)、数字像素传感器成像器(DPS)，等等，具有的一个差异是图像传感器读出体系结构。例如，半导体的光电二极管可能是三个、四个、五个或六个晶体管有源像素传感器(3T、4T、5T、或6T APS)。具有超过6个晶体管的装置也在本范畴内。
[0054]在本公开的另一个方面，提供3D光电器件。这样的器件可包含具有器件表面的半导体衬底，在器件表面上形成的至少一个3D光电二极管，和功能上耦合至该至少一个3D光电二极管并且被安置以便与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。
[0055]关于单片传感器或单片传感器阵列的布局，考虑各种各样的配置。应该注意，可见光光电二极管(或像素)和3D光电二极管(或像素)的很多组合是可能的，且认为任何这样的组合在本范畴内。例如，在一个方面，图3显示和在颜色传感器中发现的“拜尔”图案类似的基本像素阵列排列。拜尔图案一般具有红色像素、蓝色像素和位于图案的对角的两个绿色像素。如图3中看到的，类似的布局可包含一个蓝色像素302、一个红色像素304、一个绿色像素306和一个3D像素308。图4显示具有一个蓝色像素402、一个红色像素404、一个绿色像素406和两个3D像素408，410 (3D T0F_1和3D T0F_2)的排列。具有多种3D像素，如两个3D像素的组合可允许更好的深度感知。在某些方面，图3和4中的排列可有益于大像素设计。
[0056]在另一个方面，如图5中显示的，像素排列包含几个拜尔类型图案成像器和两组3D TOF像素。本质上，一个TOF像素取代四分之一的RGGB像素设计。在这个配置中，几个绿色像素的添加允许绿色色彩敏感需要的更多绿色波长的捕获，同时捕获红外光用于深度感知。在还有的另一个方面，图6显示颜色像素和相应的3D像素的另一个可能安排。除了其他方面，图5和6中的像素排列可有益于小的像素尺寸。应该注意，认为其他排列在本公开的范畴内。
[0057]可根据各种不同的方案和体系结构操作单片3D传感器，并且因此，不应该通过描述的方案和体系结构限制本范畴。例如，图7示意性地显示根据一个方面的单片光敏3D成像器或3D传感器的一个潜在的操作方案。对于单个3D光电二极管，将总的集成时间分成两个交替的部分。集成I与来自红外光源，如LED的驱动信号同步。集成2与LED的驱动信号相对。可在集成I和集成2之间分离接收的光的信号。可在读出积聚的信号之前，将集成周期重复几次。SI和S2之间的比率可用于导出接收的光相对于发射光的相移，如由等式I1、II1、和IV显示的。
【权利要求】
1.一种能够探测红外光和可见光的单片3D传感器，包括: 具有器件表面的半导体衬底； 在所述器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管； 接近所述至少一个可见光光电二极管、在所述器件表面上形成的至少一个3D光电二极管；和 功能上耦合至所述至少一个3D光电二极管且被安置以便与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。
2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述量子效率提高的红外光区域是位于所述器件表面的纹理化区域。
3.根据权利要求1所述的传感器，其中所述量子效率提高的红外光区域是位于和所述器件表面相对的半导体衬底的侧面上的纹理化区域。
4.根据权利要求1所述的传感器，其中所述量子效率提高的红外光区域具有利用脉冲激光形成的表面结构，该脉冲激光具有从大约I飞秒至大约500皮秒的脉冲持续时间。
5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述表面结构具有从大约5nm至大约500μ m的平均高度。
6.根据权利要求1所述的传感器，其中所述至少一个可见光光电二极管包含至少一个红光敏感的光电二极管、至少一个蓝光敏感的光电二极管、至少一个绿光敏感的光电二极管和至少一个3D光电二极管。
7.根据权利要求 1所述的传感器，其中所述3D光电二极管可操作用以探测具有大于大约800nm的波长的红外光。
8.根据权利要求1所述的传感器，进一步包含光学地耦合至所述3D光电二极管且被安置以便过滤射到所述3D光电二极管上的电磁辐射的红外窄带通滤光片。
9.根据权利要求1所述的传感器，进一步包含光学地耦合至所述至少一个可见光二极管且被安置以便过滤射到所述至少一个可见光光电二极管上的红外电磁辐射的红外截止滤光片。
10.根据权利要求1所述的传感器，其中所述3D光电二极管进一步包含响应探测到来自红外光源的红外光脉冲，用于捕获由所述3D光电二极管产生的信号的电路。
11.根据权利要求1所述的传感器，其中所述3D光电二极管进一步包含用于计算飞行时间信息的电路。
12.根据权利要求1所述的传感器，进一步包含用于将所述3D光电二极管的光捕获与红外光源同步的电路。
13.根据权利要求1所述的传感器，进一步包括功能上耦合至所述至少一个可见光光电二极管和可操作用以在全局快门模式中运行的所述至少一个3D光电二极管的读出电路。
14.根据权利要求1所述的传感器，其中所述传感器经配置作为背部照射的传感器。
15.一种用于探测红外和可见光的系统，包括: 用于探测红外和可见光的单片3D传感器，其包括: 具有器件表面的半导体衬底； 在所述器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管；接近所述至少一个可见光光电二极管、在所述器件表面上形成的至少一个3D光电二极管；和 功能上耦合至所述至少一个3D光电二极管且被安置以便与电 磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域； 可操作用以发射可由所述3D光电二极管探测的红外光的红外光源；和 所述红外光源和所述3D光电二极管之间的同步电路，其将红外光3D光电二极管的探测与所述红外光源的脉冲同步。
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述量子效率提高的红外光区域是位于所述器件表面的纹理化区域。
17.根据权利要求15所述的系统，其中所述量子效率提高的红外光区域具有利用脉冲激光形成的表面结构，该脉冲激光具有从大约I飞秒至大约500皮秒的脉冲持续时间。
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述表面结构具有从大约5nm至大约500μ m的平均高度。
19.根据权利要求15所述的系统，其中所述至少一个可见光光电二极管包含至少一个红光敏感的光电二极管、至少一个蓝光敏感的光电二极管、至少一个绿光敏感的光电二极管和至少两个3D光电二极管。
20.根据权利要求15所述的系统，其中所述3D光电二极管可操作用以探测来自所述红外光源的所述红外光。
21.根据权利要求20所述的系统，进一步包括光学地耦合至所述3D光电二极管且被安置以便过滤射到所述3D光电二极管上的电磁辐射的红外窄带通滤光片，其中所述红外窄带通滤光片具有基本匹配所述红外光频率的通带。
22.根据权利要求15所述的系统，进一步包含光学地耦合至所述至少一个可见光二极管且被安置以便过滤射到所述至少一个可见光光电二极管上的红外电磁辐射的红外截止滤光片。
23.根据权利要求15所述的系统，其中所述3D光电二极管进一步包含用于响应从所述红外光源探测到所述红外光的脉冲而捕获由所述3D光电二极管产生的信号的电路。
24.根据权利要求15所述的系统，进一步包含用于将所述3D光电二极管的光捕获与所述红外光源产生的所述红外光同步的电路。
【文档编号】H01L31/101GK103636006SQ201280022674
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年3月12日 优先权日:2011年3月10日
【发明者】蒋巨涛, J·麦基, H·阿达, C·S·宏 申请人:西奥尼克斯公司