具有增强的镜反射率的LED结构的制作方法

技术特征：

1.一种LED芯片，包括：

一个或多个LED，所述LED的每一个包括：

有源区；

在所述有源区下方的第一接触件，所述接触件包括高反射镜；以及

邻接所述镜的阻挡层，所述阻挡层小于所述镜，使得它没有延伸超过所述镜的周围；以及

绝缘体，其邻接所述阻挡层的与所述镜相反的侧的至少一部分、所述有源区和所述镜的不与所述阻挡层接触的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述有源区由交替的p-GaN层和n-GaN层构成。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述有源区是织构化的以增强光提取。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一接触件包括p-接触件，并且所述镜是Ag基的。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述阻挡层由金属构成，与所述镜相比所述金属具有显著较低的反射性。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述绝缘体邻接所述阻挡层、所述有源区和所述镜的不与所述阻挡层接触的每一部分。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，还包括在所述绝缘层下方并邻接于所述绝缘层的反射金属层。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其中，所述绝缘体和所述反射金属层形成与所述阻挡层相比具有显著较高反射性的复合阻挡体，所述复合阻挡体的反射率>80％。

9.根据权利要求7所述的LED芯片，其中，所述反射金属层包括Al或Ag。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，配置所述阻挡层以防止所述镜的Ag迁移。

11.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述阻挡层包括台阶或过渡。

12.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，配置所述绝缘体以防止所述镜的Ag迁移并且以具有低折射率。

13.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述绝缘体由元素Si或Al的氧化物、氮化物或氧氮化物构成。

14.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述绝缘体由两个或多个不同的层构成。

15.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述绝缘体包含第一层和第二层，其中，所述第一层用于防止Ag迁移，并且所述第二层厚于所述第一层。

16.根据权利要求15所述的LED芯片，其中，所述绝缘体由与反射金属接触并且被优化以实现与所述反射金属的良好粘附的第三层构成。

17.根据权利要求7所述的LED芯片，其中，所述绝缘体和所述反射金属层形成与所述阻挡层相比具有显著较高反射性的复合阻挡体，所述复合阻挡体的反射率>90％。

18.一种LED芯片，包括：

一个或多个安装于底座上的LED，所述LED的每一个包括：

包括顶部半导体层和底部半导体层的有源区；

在所述有源区下方的第一接触件，所述第一接触件包括高反射镜；

邻接所述镜的阻挡层，所述阻挡层小于所述镜；以及

绝缘体，其邻接所述阻挡层的与所述镜相反的侧的至少一部分，并且邻接所述镜的不与所述有源区或所述阻挡层接触的部分。

19.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，所述第一接触件包括p-接触件，并且所述镜是Ag基的。

20.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，所述阻挡层由金属构成，与所述镜相比所述金属具有显著较低的反射性，所述阻挡层还小于所述镜，使得所述镜的周围的至少40％没有所述阻挡层。

21.根据权利要求18所述的LED芯片，还包括在所述绝缘层下方并邻接于所述绝缘层的反射金属层，其中，所述绝缘体和所述反射金属层形成与所述阻挡层相比具有显著较高反射性的复合阻挡体，所述复合阻挡体的反射率>80％。

22.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，配置所述阻挡层和所述绝缘体以防止所述镜的Ag迁移。

23.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，所述绝缘体进一步被配置为具有低折射率。

24.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，所述绝缘体由两个或更多个不同的层构成，其中第一层被配置用于防止Ag迁移，第二较厚层具有低折射率，以及可选的第三层，所述第三层与反射金属接触并且被优化以实现与所述反射金属的良好粘附。

25.根据权利要求18所述的LED芯片，还包括包含n-接触件的第二接触件，所述n-接触件由Al构成。

26.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，所述芯片周围的至少40％没有所述阻挡层。

27.根据权利要求18所述的LED芯片，其中，所述阻挡层包括台阶或过渡。

28.根据权利要求18所述的LED芯片，还包括在所述绝缘层下方并邻接于所述绝缘层的反射金属层，其中，所述绝缘体和所述反射金属层形成与所述阻挡层相比具有显著较高反射性的复合阻挡体，所述复合阻挡体的反射率>90％。

29.一种LED芯片，包括：

一个或多个LED，所述LED的每一个包括：

包括n-GaN层和p-GaN层的有源区；

在所述有源区下方的第一接触件，所述第一接触件包括高反射镜；

邻接所述镜的阻挡层，所述阻挡层小于所述镜；

绝缘体，其邻接所述阻挡层的与所述镜相反的侧的至少一部分并且邻接所述镜的不与所述有源区或所述阻挡层接触的部分；以及

在所述有源区上方的第二接触件。

30.根据权利要求29所述的LED芯片，其中，所述绝缘体与所述镜、所述阻挡层和金属粘合层接触。

31.根据权利要求29所述的LED芯片，其中，所述第二接触件包括n-接触件，所述n-接触件设置于粗糙的GaN层上方。

32.根据权利要求29所述的LED芯片，其中，所述镜的周围和所述芯片的周围的至少40％没有所述阻挡层。

33.根据权利要求29所述的LED芯片，还包括用于防潮的由SiN构成的钝化层。

34.一种LED芯片，包括：

一个或多个LED，所述LED的每一个包括：

包括n-GaN层和p-GaN层的有源区；

在所述有源区下方的第一接触件，所述第一接触件包括高反射镜；

邻接所述镜的阻挡层，所述阻挡层小于所述镜，使得所述镜的周围的至少40％没有所述阻挡层；

绝缘体，其邻接所述阻挡层的与所述镜相反的侧的至少一部分并且邻接所述镜的不与所述有源区或所述阻挡层接触的部分；以及

在所述第一接触件下方的第二接触件，所述第二接触件从所述芯片的底部是可连接的。

35.根据权利要求34所述的LED芯片，其中，所述第一接触件是具有暴露于所述芯片顶部的粘合垫的p-接触件。

36.根据权利要求34所述的LED芯片，其中，所述第二接触件是n-接触件，所述LED芯片还包括用于将电气连接提供至所述第二接触件的通孔。