技术总结
本发明的实施方式总体上涉及通过降低邻接镜接触件的阻挡层的光吸收效应而具有改善的总发射的LED芯片。在一个实施方式中，LED芯片（200）包括一个或多个LED，各LED具有有源区、在具有高反射镜（206）的所述有源区下面第一接触件、和邻接镜的阻挡层（208）。阻挡层小于镜，使得它未延伸超过镜的周围。在另一个可行的实施方式中，还配置绝缘体（210），绝缘体邻接阻挡层并且邻接不与有源区或阻挡层接触的镜的部分。在又另一个实施方式中，在有源区上配置第二接触件（222、224）。在另一个实施方式中，阻挡层小于镜，使得镜的周围至少40%没有阻挡层，而且第二接触件在第一接触件下方并且可从芯片的底部接入。
技术研发人员：迈克尔·伯格曼恩;马修·多诺弗里奥;斯滕·海克曼;凯文·S·施奈德;凯文·W·哈贝雷恩;约翰·A·埃德蒙
受保护的技术使用者：克利公司
文档号码：201280041229
技术研发日：2012.04.20
技术公布日：2018.04.06