光电装置及电子设备的制作方法

本发明涉及例如有效减少伴随着光泄漏产生的画质劣化的光电装置及电子设备。

背景技术：

近年来，提出了各种使用有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，以下称为“OLED”）元件等发光元件的光电装置。在该光电装置中一般构成为，对应于扫描线与数据线的交叉而包含上述发光元件、晶体管等的像素电路与应显示的图像的像素相对应地设置。使用OLED元件的像素电路一般具备：写入晶体管，其决定可否输入经由数据线供给的数据信号；驱动晶体管，其根据数据信号来决定向OLED元件供给的电流量；以及保持电容，其保持从数据线供给的数据信号。此外，还存在以高画质化为目的而使用更多元件的技术（参照例如专利文献1）。

专利文献1：日本特开2010-20926号公报

但是，在如上所述的光电装置中构成为，将驱动晶体管、电源布线、中间绝缘膜、OLED元件等形成为多层，使用在各层中形成的中继电极、接触孔等将驱动晶体管的源极或漏极与OLED元件的阳极连接。

此外，在顶部发射的像素电路中构成为，在OLED元件的下层形成光学调整层、绝缘层，并且在其下层形成反射层。并且构成为，在与该反射层相同的层上，隔着绝缘膜配置从所述驱动晶体管的源极或漏极连接的中继电极，并连接该中继电极与OLED元件的阳极。

因此，如果俯视观察此类顶部发射的像素电路，则在反射层与中继电极之间产生间隙，部分入射光泄漏至该间隙而导致无法获得适当的亮度。其结果是，目视确认亮度不均匀，导致显示品质下降。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述情况而完成的，将减少伴随着光泄漏的画质劣化作为一个解决课题。

为了解决上述课题，本发明所涉及的光电装置的特征在于，具备：反射层；发光元件，其具备形成于阳极与阴极之间的发光层；以及驱动晶体管，其对流向上述发光元件的电流进行控制，在与上述反射层相同的层上，以与上述反射层具有间隙的方式形成有从上述驱动晶体管向上述阳极的电流路径中所包含的中继电极，将电连接上述中继电极与上述阳极的接触电极作为对射入上述间隙的光进行遮挡的遮光层而形成。

为了解决上述课题，本发明所涉及的光电装置的特征在于，具有：相互交叉的多个扫描线及多个数据线、同上述扫描线与上述数据线的交叉对应地设置的多个像素电路、以及与上述多个像素电路的各个对应地设置并供给规定电位的电源布线，上述扫描线、上述数据线、上述像素电路及上述电源布线形成于多个层中的同层或不同层，上述多个像素电路的各个具备：反射层；发光元件，其具备阳极、形成在上述阳极上的发光层及形成在上述发光层上的阴极；以及驱动晶体管，其对流向上述发光元件的电流进行控制，在与上述反射层相同的层上，以与上述反射层具有间隙的方式形成有朝向上述阳极的信号传递路径中所包含的中继电极，将电连接上述中继电极与上述阳极的接触电极作为对射入上述间隙的光进行遮挡的遮光层而形成。

根据本发明，与反射层同层形成的中继电极和发光元件的阳极利用接触电极而连接。此外，上述中继电极以与上述反射层具有间隙的方式形成。但是，上述接触电极作为覆盖上述间隙的遮光层而形成。因此，来自发光元件的发光区域的光被该遮光层遮挡，因此能够防止光侵入形成于中继电极的下层的像素电路。其结果是，能够防止误动作，能够提高显示质量。此外，使接触电极作为遮光层发挥作用，因此不需要为了对侵入间隙的光进行遮挡而附加特别结构，能够简化光电装置的结构。

在上述光电装置中，优选形成为上述遮光层位于从上述发光层的上述中继电极侧的端部向上述间隙的上述反射层侧的端部射入的光的光路上。

在该情况下，以比从上述发光元件的上述中继电极侧的端部射入上述阳极的光中的、到达上述间隙的上述反射层侧的端部的光的光路更接近垂直的角度射入的光不到达上述间隙。此外，以比从上述发光元件的上述中继电极侧的端部射入上述阳极的光中的、到达上述间隙的上述反射层侧的端部的光的光路更接近平行的角度射入的光被上述遮光层遮挡。因此，来自发光元件的发光区域的光因该遮光层而不向上述间隙射入。因此，能防止像素电路的误动作，实现以正确亮度进行显示。

在上述光电装置中，优选上述反射层由与上述中继电极相同的导电性材料形成，并向上述反射层供给上述规定电位。在该情况下，向反射层供给规定电位，因此利用反射层来屏蔽噪声。因此，能够向发光元件供给正确的电流，提高显示质量。

此外，本发明除了能够定义为光电装置，还能够定义为光电装置的驱动方法、具有该光电装置的电子设备。作为电子设备，例如典型地列举头戴式显示器（HMD）、电子取景器等显示装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的光电装置的构成的立体图。

图2是表示该光电装置的构成的框图。

图3是表示该光电装置的像素电路的图。

图4是表示该光电装置的动作的时序图。

图5是表示该光电装置的像素电路的结构的剖视图。

图6是表示使用了实施方式等所涉及的光电装置的HMD的立体图。

图7是表示HMD的光学构成的图。

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。

实施方式

图1是表示本发明的实施方式所涉及的光电装置10的结构的立体图。

光电装置10是例如在头戴式显示器中显示图像的微显示器。后面将阐述光电装置10的详情，其为多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路等被形成于例如硅基板的有机EL装置，在像素电路中使用作为发光元件的一个例子的OLED。

光电装置10被收纳于在显示部开口框状的壳体72中，并且与FPC（Flexible Printed Circuits）基板74的一端连接。在FPC基板74上，利用COF（Chip On Film）技术安装半导体芯片的控制电路5，并且设置多个端子76，上述端子76与省略图示的上位电路连接。从该上位电路经由多个端子76而与同步信号同步地供给图像数据。同步信号中包含垂直同步信号、水平同步信号、点时钟信号。此外，图像数据例如以8比特规定应显示的图像的像素的灰度级。

控制电路5兼备光电装置10的电源电路与数据信号输出电路的功能。即，控制电路5除了将根据同步信号生成的各种控制信号、各种电位供给至光电装置10外，还将数字的图像数据转换为模拟的数据信号并供给至光电装置10。

图2是表示本发明的一个实施方式所涉及的光电装置10的结构的图。如该图所示，光电装置10被大致分为扫描线驱动电路20、数据线驱动电路30以及显示部100。

其中，在显示部100中，与应显示的图像的像素对应的像素电路110排列为矩阵状。具体而言，在显示部100中，m行扫描线12沿图中的横向延伸地被设置，另外，n列数据线14沿图中的纵向延伸且与各扫描线12相互保持电绝缘地被设置。而且，同m行扫描线12与n列数据线14的交叉部对应地设置有像素电路110。因此，在本实施方式中，像素电路110以纵m行×横n列排列为矩阵状。

此处，m、n都是自然数。为了区别扫描线12及像素电路110的矩阵中的行（Row），有时从图中的上方依次称为1、2、3、…、（m-1）、m行。同样，为了区分数据线14及像素电路110的矩阵的列（Column），有时从图中的左侧依次称为1、2、3、…、n-1、n列。

在本实施方式中，在每列沿数据线14分别设置有初始化用的电源线16。作为初始化用的复位电位的电位Vorst被公用地供给至各电源线16。

此外，通过控制电路5将如下控制信号供给至光电装置10。具体而言，将用于对扫描线驱动电路20进行控制的控制信号Ctr1及用于对数据线驱动电路30进行控制的控制信号Ctr2供给至光电装置10。

扫描线驱动电路20根据控制信号Ctr1生成用于在整个帧期间按顺序对扫描线12进行逐行扫描的扫描信号。此处，将被供给至第1、2、3、…、（m-1）、m行的扫描线12的扫描信号分别标记为Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。

此外，扫描线驱动电路20除了生成扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）外，还按每行生成与该扫描信号同步的各种控制信号并将其供给至显示部100，但是在图2中省略图示。此外，所谓帧期间是指光电装置10显示1个镜头（片段）的图像所需的期间，例如如果同步信号中所包含的垂直同步信号的频率为120Hz，则帧期间为该一个周期的量、即8.3微秒的期间。

另外，数据线驱动电路30对于位于由扫描线驱动电路20选择的行的像素电路110，利用控制电路5将与该像素电路110的灰度数据对应的电位的数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）供给至第1、2、…、n列的数据线14。

参照图3说明像素电路110。此外，在图3中示出了同第i行扫描线12与第j列数据线14的交叉对应的一个像素量的像素电路110。此处，i是一般表示像素电路110所排列的行的情况下的标记，为1以上m以下的整数。同样，j是一般表示像素电路110所排列的列的情况下的标记，为1以上n以下的整数。

如图3所示，像素电路110包含P沟道MOS型的晶体管121～125、OLED130及保持电容132。各像素电路110相互结构相同，因此以位于i行j列的像素电路为代表加以说明。

在i行j列的像素电路110中，晶体管122作为写入晶体管发挥作用，其栅极节点与第i行的扫描线12连接，其漏极或源极节点的一方与第j列的数据线14连接，另一方与晶体管121的栅极节点g、保持电容132的一端及晶体管123的漏极节点分别连接。此处，为了将晶体管121的栅极节点与其他节点相区别而标记为g。

向第i行的扫描线12、即晶体管122的栅极节点供给扫描信号Gwr（i）。

晶体管121作为驱动晶体管发挥作用，其源极节点与高位侧电源线160连接，其漏极节点与晶体管123的源极节点、晶体管124的源极节点分别连接。此处，向高位侧电源线160供给像素电路110中的成为电源的高位侧的电位Vel。

晶体管123作为补偿用晶体管发挥作用，向其栅极节点供给控制信号Gcmp（i）。

晶体管124作为发光控制晶体管发挥作用，向其栅极节点供给控制信号Gel（i），其漏极节点与晶体管125的源极节点及OLED130的阳极51分别连接。

晶体管125作为初始化用晶体管发挥作用，向其栅极节点供给控制信号Gorst（i），其漏极节点连接于与第j列对应的初始化用的电源线16并保持为电位Vorst。

保持电容132的另一端与高位侧电源160连接。因此，保持电容132保持晶体管121的源极-漏极间的电压。此外，作为保持电容132，可以使用寄生在晶体管121的栅极节点g的电容，还可以使用通过以相互不同的导电层夹持绝缘层而形成的电容。

本实施方式中的光电装置10形成于硅基板，因此将晶体管121～125的基板电位设定为电位Vel。

OLED130的阳极51是独立地设置于每个像素电路110的像素电极。相对于此，OLED130的阴极53是以所有像素电路110公用的方式设置的公用电极，被保持为像素电路110中的成为电源的低位侧的电位Vct。

OLED130是在上述硅基板上利用阳极51与具有透光性的阴极53夹持发出白色光的有机EL层的元件。并且，在OLED130的射出侧（阴极53侧）重叠与任意RGB对应的滤色器。

在此类OLED130中，如果电流从阳极51流向阴极53，则从阳极51注入的空穴与从阴极53注入的电子在有机EL层再次结合而生成激子，产生白色光。构成为此时产生的白色光透过与硅基板（阳极51）相反的一侧的阴极53，经过滤色器的着色而在观察者侧被目视确认。

＜光电装置的动作＞

接下来，参照图4说明光电装置10的动作。图4是用于说明光电装置10中的各部的动作的时序图。

如该图所示，扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）被依次切换为L电平，在1帧期间，第1～m行的扫描线12在每个水平扫描期间（H）被依次扫描。

在一个水平扫描期间（H）的动作是在各行的像素电路110中通用的。因此，以下在水平扫描第i行的扫描期间，特别着眼于i行j列的像素电路110来对动作进行说明。

在本实施方式中，若对第i行的扫描期间大致分类，则分为图4（b）所示的初始化期间、图4（c）所示的补偿期间以及图4（d）所示的写入期间。并且，在图4（d）的写入期间后，间隔一段时间而成为图4（a）所示的发光期间，在经过1帧期间后，再次到达第i行的扫描期间。因此，如果按照时间顺序来看，则重复（发光期间）→初始化期间→补偿期间→写入期间→（发光期间）这样的循环。

＜发光期间＞

为了便于说明，从作为初始化期间的前提的发光期间开始进行说明。如图4所示，在第i行的发光期间，扫描信号Gwr（i）为H电平，控制信号Gel（i）为L电平。此外，作为逻辑信号的控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）中，控制信号Gel（i）为L电平，控制信号Gcmp（i）、Gorst（i）为H电平。

因此，在图3所示的i行j列的像素回路电路110中，晶体管124导通，另一方面，晶体管122、123、125截止。因此，晶体管121向OLED130供给与栅极-源极间的电压Vgs对应的电流Ids。如后所述，在本实施方式中，发光期间的电压Vgs是从晶体管121的阈值电压与数据信号的电位对应地发生电平移位后的值。因此，与灰度级对应的电流在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下被供给至OLED130。

此外，第i行的发光期间为第i行以外被水平扫描的期间，因此数据线14的电位适当地变化。但是，在第i行的像素电路110中，晶体管122截止，因此此处未考虑数据线14的电位变化。

＜初始化期间＞

接下来，如果到达第i行的扫描期间，则首先开始作为第一期间（b）的初始化期间。在初始化期间，与发光期间相比，控制信号Gel（i）变为H电平，控制信号Gorst（i）变为L电平。

因此，在图3所示的i行j列的像素电路110中，晶体管124截止，晶体管125导通。由此，供给至OLED130的电流的路径被切断，并且OLED130的阳极51被复位为电位Vorst。

OLED130如上所述构成为利用阳极51与阴极53夹持有机EL层，因此在阳极51、阴极53之间，电容并列地寄生。在发光期间电流流过OLED130时，该OLED130的阳极51、阴极53间的两端电压通过该电容被保持，但是该保持电压因晶体管125的导通而复位。因此，在本实施方式中，在之后的发光期间电流再次流过OLED130时，很难受到由该电容保持的电压的影响。

具体而言，例如在从高亮度的显示状态转变为低亮度的显示状态时，如果为不进行复位的结构，则会保持亮度高（大电流流过）时的高电压，因此，即使接下来流过小电流也会流过过量的电流，而无法变为低亮度的显示状态。对此，在本实施方式中，通过晶体管125的导通来将OLED130的阳极51的电位复位，因此低亮度侧的再现性得到提高。

此外，在本实施方式中，对于电位Vorst，将该电位Vorst与阴极53的电位Vct的差设定为小于OLED130的发光阈值电压。因此，在初始化期间（接下来说明的补偿期间及写入期间），OLED130处于关闭（非发光）状态。

＜补偿期间＞

在第i行的扫描期间，接下来成为作为第二期间（c）的补偿期间。在补偿期间，与初始化期间相比，扫描信号Gwr（i）及控制信号Gcmp（i）变为L电平。另一方面，在补偿期间，在控制信号Gref被维持在H电平的状态下，控制信号/Gini成为H电平。

在补偿期间，晶体管123导通，因此晶体管121变为二极管连接。因此，漏极电流流过晶体管121，对栅极节点g及数据线14进行充电。具体而言，电流在高位侧电源线160→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第j列的数据线14这一路径中流动。因此，通过晶体管121的导通，处于相互连接状态的数据线14及栅极节点g的电位上升。

但是，如果将晶体管121的阈值电压设为｜Vth｜，则在上述路径中流动的电流伴随着栅极节点g接近电位（Vel-｜Vth｜）而难以流动，因此在补偿期间结束之前，数据线14及栅极节点g在电位（Vel-｜Vth｜）饱和。因此，保持电容132在到补偿期间结束之前保持晶体管121的阈值电压｜Vth｜。

＜写入期间＞

在补偿期间后，到达作为第三期间（d）的写入期间。在写入期间，控制信号Gcmp（i）变为H电平，因此晶体管121的二极管连接被解除。从第j列的数据线14到i行j列的像素电路110的栅极节点g的路径上的电位被保持电容132维持在（Vel-｜Vth｜）。

＜发光期间＞

在第i行的写入期间结束之后，间隔一个水平扫描期间的间隔而到达发光期间。在该发光期间，如上所述控制信号Gel（i）变为L电平，因此在i行j列的像素电路110中，晶体管124导通。与灰度级对应的电流在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下被供给至OLED130。

在第i行的扫描期间内，在第i行的第j列的像素电路110以外的其他像素电路110中在时间上也并行地执行这样的动作。并且，这样的第i行的动作实际上在1帧期间内按照第1、2、3、…、（m-1）、m行的顺序被执行，并且以帧为单位反复进行。

在如上所述的像素电路110中，寄生电容实际寄生于数据线14与像素电路110中的栅极节点g之间。因此，如果数据线14的电位变化幅度大，则经由该寄生电容传递至栅极节点g，发生所谓的串扰、不均匀等而导致显示品质降低。该寄生电容的影响在像素电路110被微型化时表现明显。

但是，在本实施方式中，如后所述，晶体管121的栅极电极与其他晶体管或保持电容的连接部的四周被初始化用的电源线16所包围。因此，即使因数据线14的电位变化等而产生噪声，晶体管121的栅极电极与其他晶体管或保持电容的连接部也不会受到噪声的影响，晶体管121的栅极电极的电位变化得到抑制。其结果是，实现良好的显示品质。后面加以详述。

根据本实施方式，能够将使晶体管125导通的期间、即OLED130的复位期间确保为比扫描期间长的期间，例如两个水平扫描期间，因此，在发光期间能够对被OLED130的寄生电容保持的电压充分地进行初始化。

此外，根据本实施方式，通过晶体管121而供给至OLED130的电流Ids抵消阈值电压的影响。因此，根据本实施方式，即使晶体管121的阈值电压在每个像素电路110中存在偏差，也会补偿该偏差而将与灰度级对应的电流供给至OLED130，因此能够抑制有损显示画面的一致性的显示不均匀的发生，从而能够实现高品质的显示。

并且，根据本实施方式，晶体管121的栅极电极与其他晶体管或保持电容的连接部的四周被初始化用的电源线16包围，因此，即使因数据线14的电位变化等而产生噪声，晶体管121的栅极电极与其他晶体管或保持电容的连接部也不会受到噪声的影响，晶体管121的栅极电极的电位变化得到抑制。其结果是，能够降低显示不均匀等显示不良。

＜像素电路的构造＞

接下来，参照图5说明该像素电路110的构造。

图5是表示从一个像素电路110的层间绝缘膜至滤色器层的结构的俯视图。此外，在比该层间绝缘膜靠下的下层层叠地形成有电源布线、中继电极、层间绝缘膜、及供晶体管形成的基板等（省略图示）。此外，在以下各图中，为了将各层、各部材、各区域等设定为可识别的大小而使缩尺不同。

首先，如图5所示，配线114及中继电极41形成在它们的下层的层间绝缘膜上，以覆盖这些配线114及中继电极41的整个表面的方式形成第一层间绝缘膜17。

中继电极41是在其下层经由多个中继电极及接触孔与晶体管124的源极节点连接的电极。

在第一层间绝缘膜17的表面形成由钛/铝（Ti/Al）合金等反射性导电构件形成的反射层115与中继电极42。中继电极42经由在第一层间绝缘膜17开孔的接触孔31与中继电极41电连接。此外，中继电极42被配置在设置于反射层115的开口内，其四周被反射层115包围。

以覆盖反射层115及中继电极42的方式形成由氧化硅（SiO₂）构成的第二层间绝缘膜18，并且，以覆盖第二层间绝缘膜18的方式形成由氮化硅（SiN）构成的第三层间绝缘膜19。此外，在第三层间绝缘膜19上形成由氧化硅（SiO₂）构成的层间调整膜15。

并且，在使中继电极42上的区域开孔后，在该区域形成由氮化钛（TiN）或氮化钛/铝/氮化钛（TiN/Al/TiN）合金形成的遮光层50。该遮光层50作为使中继电极42与由ITO构成的阳极51电连接的接触电极发挥作用。

另一方面，在形成于反射层115的上层的第三层间绝缘膜19上形成由氧化硅（SiO₂）构成的第一光学调整层116及由氧化硅（SiO₂）构成的第二光学调整层117。

在上述遮光层50及第二光学调整层117上，形成由氧化铟锡（ITO、Indium Tin Oxide）构成的OLED130的阳极51。此外，在阳极51上形成由氮化硅（SiN）构成的像素分离层118。

并且，以覆盖上述阳极51及像素分离层118的方式形成含有发光层的有机功能层52。有机功能层52由空穴与电子相结合而发光的有机EL物质形成。有机EL物质为低分子材料，发射白色光。

在有机功能层52上形成由镁/铝（Mg/Al）合金构成的阴极53，在阴极53上形成用于保护有机功能层、阴极免受氧、水分的侵蚀的密封层54，在密封层54上形成滤色器层55。在该滤色器层55例如形成绿色滤色器57、红色滤色器56、蓝色滤色器58。

如此，本实施方式的像素在有机功能层52上具备作为光输出侧电极的阴极53，并具有利用第一光学调整层116及第二光学调整层117那样的调整层对所述反射层115与作为光输出侧电极的阴极53之间的光程进行调整的共振构造。

此外，如图5所示，在上述构造的像素电路110中，在反射层115与中继电极42之间形成有间隙Ｗ。因此，考虑到从发光区域发出的光会泄漏到该间隙Ｗ。

但是，在本实施方式中，由氮化钛（TiN）所形成的遮光层50以覆盖该间隙Ｗ的方式从中继电极42延设至覆盖反射层115的一部分的位置，可靠地防止光泄漏。

还考虑在中较之继电极42及反射层115的下层设置遮光层，如此在下层设置遮光层的情况下，在以图5那样的剖视图进行观察时，在遮光层的两端部与上层之间形成有间隙，产生光泄漏的间隙增加。

此外，若在中继电极42及反射层115的下层设置遮光层，则因与中继电极、其他配线等的关系而很难进行图案形成。

但是，在本实施方式中，因为将中继电极42与阳极51的接触电极用作遮光层50，因此中继电极42与遮光层50连接，中继电极42上的区域被遮光层50完全覆盖。此外，可以不考虑来自下层的中继电极等，因此图案形成是容易的。

另外，如以下那样规定遮光层50的发光区域侧的端部B的位置。构成为，从发光区域射入的光中的、如图5中以点划线箭头表示那样地经过发光区域端部A并到达间隙Ｗ的反射层侧端部C的入射光照射到遮光层50的发光区域侧的端部B。即，形成为遮光层50位于从有机功能层52的中继电极侧的端部A向间隙Ｗ的反射层侧的端部C射入的光的光路上即可。

通过这样地构成，从而以比图5中以点划线箭头表示的入射光更接近垂直的角度射入的光不会到达间隙Ｗ，图5中以点划线箭头表示的入射光及以比该入射光更接近水平的角度射入的光被遮光层50遮挡而不会射入间隙Ｗ。

此外，在本实施方式中，将阳极51、光学调整层116、117、第二层间绝缘膜18、第三层间绝缘膜19的折射率设为大致相等，但是即使各自的折射率不同，只要在从端部A向间隙Ｗ的反射层侧的端部C射入的光的光路上形成遮挡光的遮光层50即可。

如上所述，使连接中继电极42与阳极51的接触电极以覆盖形成于中继电极42与反射层115之间的间隙的方式延伸而成为遮光层50，因此能够可靠地防止光泄漏，提供高画质的顶部发射方式的光电装置10。

此外，反射层115由与中继电极42相同的导电性材料形成，优选向反射层115供给电位Vel或电位Vct。在该情况下，能够使反射层115作为屏蔽电极发挥作用，因此能够抑制进入中继电极42的噪声。其结果是，能够向OLED元件供给正确的电流，能够提高显示质量。

应用例、变形例

本发明并不局限于上述实施方式、应用例等的实施方式等，例如能够实现下述的各种变形。此外，能够将任意选择的一个或多个下述的变形方式适当地组合。

＜控制电路＞

在实施方式中，使供给数据信号的控制电路5与光电装置10相独立，但是有关控制电路5也可以与扫描线驱动电路20、数据线驱动电路30一并集成于硅基板。

＜基板＞

在实施方式中，设为将光电装置10集成于硅基板的构成，但也可以设为集成于其他半导体基板的构成。此外，还可以应用多晶硅工艺而形成于玻璃基板等。任何方式都对像素电路110微型化且在晶体管121中漏极电流相对于栅极电压Vgs的变化而呈指数函数地增大的结构有效。

＜控制信号Gcmp（i）＞

在实施方式等中，对于第i行，在写入期间将控制信号Gcmp（i）设为H电平，但也可以设为L电平。即，可以构成为并行地执行导通晶体管123而进行的阈值补偿与对节点栅极g的写入。

＜晶体管的沟道类型＞

在上述实施方式等中，以P沟道型对像素电路110的晶体管121～125进行统一，但是也可以是以N沟道型进行统一。此外，还可以将P沟道型及N沟道型适当组合。

＜其他＞

在实施方式等中，作为光电元件而例举了作为发光元件的OLED，但是只要是例如无机发光二极管、LED（Light Emitting Diode）等以与电流相应的亮度发光的元件即可。

＜电子设备＞

接下来，对应用了实施方式等、应用例所涉及的光电装置10的电子设备加以说明。光电装置10适用于像素尺寸小且高清晰度地进行显示的用途。因此，作为电子设备而例举头戴式显示器进行说明。

图6是表示头戴式显示器的外观的图，图7是表示其光学结构的图。

首先，如图6所示，头戴式显示器300在外观上与一般的眼镜相同，具有镜腿310、镜梁320、镜片301L、301R。此外，如图7所示，头戴式显示器300在镜梁320附近且是在镜片301L、301R的里侧（图中下侧）设置左眼用光电装置10L与右眼用光电装置10R。

光电装置10L的图像显示面被配置为位于图7中的左侧。由此，光电装置10L的显示图像经由光学透镜302L向图中的9点方向射出。半透半反镜303L使光电装置10L的显示图像向6点方向反射，另一方面，使从12点方向射入的光透过。

光电装置10R的图像显示面被配置为位于与光电装置10L相反的右侧。由此，光电装置10R的显示图像经由光学透镜302R向图中的3点方向射出。半透半反镜303R使光电装置10R的显示图像向6点方向反射，并使从12点方向射入的光透过。

在该结构中，头戴式显示器300的佩戴者能够在将光电装置10L、10R的显示图像与外部样态相重合的透明状态下进行观察。

此外，在该头戴式显示器300中，若使带有视差的两眼的图像中的左眼用图像显示于光电装置10L，使右眼用图像显示于光电装置10R，则对于佩戴者来说，能够感觉到所显示的图像仿佛具有了深度、立体感（3D显示）。

另外，有关光电装置10除了能够应用于头戴式显示器300外，还能够应用于摄像机、镜头更换式数码相机等电子式取景器。

附图标记说明：

10...光电装置；12...扫描线；14...数据线；16...初始化用的电源线；17...第一层间绝缘膜；18...第二层间绝缘膜；19...第三层间绝缘膜；20...扫描线驱动电路；30...数据线驱动电路；31...接触孔；41～42...中继电极；50...遮光层；51...阳极；52...有机功能层；53...阴极；54...密封层；55...滤色器层；56...红色滤光片；121～125...晶体管；130...OLED；132...保持电容；160...高位侧电源线；300...头戴式显示器。