光电装置、光电单元以及电子设备的制作方法

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光电装置、光电单元以及电子设备的制造方法

本发明涉及具备反射镜的光电装置、光电单元以及电子设备。



背景技术:

作为电子设备公开有如下投射式显示装置等:例如将从光源发射的光通过被称为dmd(数字反射镜器件)的光电装置的多个反射镜(微镜)进行调制后,通过投射光学系统放大投射调制光,从而在屏幕显示图像。用于这样的投射式显示装置等的光电装置,例如具有形成有反射镜以及驱动反射镜的驱动元件的芯片、俯视时覆盖反射镜的透光性罩体以及位于罩体与芯片之间的隔离件,隔离件与罩体和芯片接触。在这样构成的光电装置中,来自光源的光透过罩体后入射到反射镜,被反射镜反射的光透过罩体后发射出来。因此,由于光的照射,罩体的温度上升,从而芯片的温度也上升。此外,并且,工作时,芯片本身也发热。这样的芯片温度的上升成为导致光电装置的错误动作或减少寿命的原因,所以并不理想。

另一方面,作为提高安装在支承基板上的设备的散热性的方法,提出了利用封闭树脂覆盖隔离件的侧面,并且,在比封闭树脂与隔离件接触的位置更高的位置,使封闭树脂的表面与透光性罩体接触的构成(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:美国专利us7,898,724b2



技术实现要素:

发明要解决的问题

但是,根据专利文献1中公开的构成,即使提高从罩体到封闭树脂的热传递效率,由于封闭树脂本身的热传递性较低,因此,还是存在无法充分抑制芯片温度上升的问题。

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供光电装置、光电单元以及电子设备,所述光电装置、光电单元以及电子设备能够抑制设有反射镜的芯片的温度上升。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题,根据本发明的光电装置的一方面,其特征在于,具有:芯片,形成有反射镜以及驱动所述反射镜的驱动元件;透光性的罩体,俯视下覆盖所述反射镜;以及,隔离件,位于所述罩体与所述芯片之间,与所述芯片的一表面接触,所述一表面的与所述隔离件接触的整个部分由具有第一导热率的第一物质构成,所述隔离件由第二物质构成,所述第二物质具有比所述第一导热率高的第二导热率。

根据本发明,光透过罩体入射到反射镜,被反射镜反射的光透过罩体后发射出去。这时,由于光的照射,罩体的温度上升,但是,隔离件由第二物质构成,所述第二物质的导热率比构成芯片的一表面的与隔离件接触的部分的第一物质高。因此,罩体的热难以通过隔离件传递到芯片。并且,芯片发生的热容易释放到隔离件侧。由此,能够抑制芯片的温度上升。

在本发明中,还可以采用具有覆盖所述隔离件的整个侧面以及所述罩体的整个侧面的封闭材料的方式。根据这样的方式,能够将罩体的热以及隔离件的热释放到封闭材料。

在本发明中,可以采用所述罩体由具有比所述第二导热率高的第三导热率的第三物质构成的方式。根据这样的方式,能够通过隔离件将芯片的热释放到罩体。

在本发明中,还可以所述罩体由具有比所述第二导热率低的第三导热率的第三物质构成的方式。

在本发明中,可以采用所述隔离件和所述罩体由相同的物质构成的方式。

优选地,在具有适用了本发明的光电装置的光电单元中,具有向所述光电装置供给空气的鼓风机。根据这样的构成,能够高效率地释放光电装置的热,所以能够抑制光电装置的可靠性下降等。

适用了本发明的光电装置可以应用于各种电子设备,这时,电子设备中设有光源部,用于向所述反射镜照射光源光。并且,作为电子设备构成为投射式显示装置时,电子设备中还设有:投射光学系统,用于投射通过所述反射镜调制的光。

附图说明

图1是概略示出适用了本发明的投射式显示装置中设置的光学系统的例子的说明图。

图2是概略示出适用了本发明的光电装置的基本构成的例子的说明图。

图3是概略示出适用了本发明的光电装置的反射镜周边截面的说明图。

图4是概略示出适用了本发明的光电装置整体的截面的说明图。

图5是示出适用了本发明的光电装置的制造方法的工序截面图。

图6是示出适用了本发明的光电装置的制造中使用的第二晶片等的制造方法的工序图。

图7是示出适用了本发明的光电装置的制造工序中利用基板以及封闭树脂封闭基板的工序的工序截面图。

图8是适用了本发明的光电单元的说明图。

图9是示出适用了本发明的光电单元中的送风方向的说明图。

图10是示出适用了本发明的光电单元的其他方式中的送风方向的说明图。

附图标记说明

1:元件基板,1s:元件基板的一表面,2:芯片,2s:芯片的一表面,10:第一晶片,11:基板侧偏压电极,12、13:基板侧寻址电极,14:地址指定电路,17:端子,20:第二晶片,30:驱动元件,32、33:高架寻址电极,35:绞链,36、37:绞链臂,50:反射镜,60:隔离件用晶片,61:隔离件,61e、61f:端部,61w:隔离件的侧面,71:罩体,71w:罩体的侧面,75:封闭部件,90:基板,98:封闭材料,100:光电装置,180:光电单元,190:鼓风机,1000:投射式显示装置(电子设备),1002:光源部,1004:投射光学系统,1020:光源,1030:滤色片,1100:被投射物。

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式。另外,在下面的说明中,作为适用本发明的电子设备说明投射式显示装置。此外,在下面的说明中所参照的图中,为了将各层或各部件显示为在图中可识别的程度的大小,各层或各部件的缩尺各不相同。图中示出的反射镜等的数量被设为在图中可识别的程度的大小,但也可以设置比图中示出的数量更多的反射镜等。

[作为电子设备的投射式显示装置]

图1是概略示出适用了本发明的投射式显示装置中设置的光学系统例子的说明图。图1示出的投射式显示装置1000(电子设备)具有:光源部1002;光电装置100,根据图像信息调制从光源部1002照射的光源光;以及投射光学系统1004,将通过光电装置100调制的光作为投射图像投射到屏幕等被投射物1100。光源部1002具备光源1020以及滤色片1030。光源1020作为光源光发射白色光,滤色片1030进行旋转的同时发射各种颜色的光,光电装置100在与滤色片1030的旋转同步的时机,对入射的光进行调制。另外,还可以采用将从光源1020发射的光转换为各种颜色的光的荧光体基板,以此来代替滤色片1030。此外,还可以针对各种颜色的光设置光源部1002以及光电装置100。

[光电装置100的基本构成]

图2是概略示出适用本发明的光电装置100的基本构成例子的说明图,图2示出了将其一部分进行分解后的样子。图3是概略示出适用本发明的光电装置100的反射镜50周边截面的说明图,图3中示出了反射镜50向一侧倾斜的状态以及反射镜50向另一侧倾斜的状态。

如图2以及图3示出,光电装置100具有在元件基板1的一表面1s矩阵状配置有多个反射镜50的芯片2,在芯片2中,反射镜50从元件基板1分开。元件基板1是例如硅基板。反射镜50例如是具有一边的长度为例如10~30μm的平面尺寸的微镜。反射镜50以例如800×600至1028×1024的排列方式配置,一个反射镜50对应于图像的一个像素。

反射镜50的表面形成为由铝等反射金属膜构成的反射面。芯片2具备:一阶部分100a,该一阶部分100a包括形成在元件基板1的一表面1s上的基板侧偏压电极11以及基板侧寻址电极12、13等;二阶部分100b,该二阶部分100b包括高架寻址电极32、33以及绞链35;以及三阶部分100c,该三阶部分100c包括反射镜50。在一阶部分100a,元件基板1上形成有地址指定电路14。地址指定电路14具备用于选择性地控制各反射镜50的动作的存储单元或字线、位线的布线15等,具有与具备cmos电路16的ram(randomaccessmemory:随机存取存储器)相类似的电路构成。

二阶部分100b包括高架寻址电极32、33、绞链35以及反射镜筒51。高架寻址电极32、33经由电极筒321、331与基板侧寻址电极12、13导通,并且,受到基板侧寻址电极12、13的支承。绞链臂36、37从绞链35的两端延伸。绞链臂36、37经由臂筒39与基板侧偏压电极11导通,并且,受到基板侧偏压电极11的支承。反射镜50经由反射镜筒51与绞链35导通,并且受到绞链35的支承。从而,反射镜50经由反射镜筒51、绞链35、绞链臂36、37、臂筒39与基板侧偏压电极11导通,从基板侧偏压电极11施加有偏压电压。另外,绞链臂36、37的前端形成有阻挡器361、362、371、372,用于防止反射镜50倾斜时抵接从而反射镜50与高架寻址电极32、33接触。

高架寻址电极32、33构成驱动元件30,在与反射镜50之间产生静电力,从而驱动反射镜50使其倾斜。此外,基板侧寻址电极12、13也可以形成为在与反射镜50之间产生静电力从而驱动反射镜50使其倾斜的构成,这时,驱动元件30由高架寻址电极32、33以及基板侧寻址电极12、13构成。在图3示出,向高架寻址电极32、33施加驱动电压,反射镜50以被拉到高架寻址电极32或者高架寻址电极33的方式倾斜时,绞链35被扭曲,当停止向高架寻址电极32、33施加驱动电压从而对于反射镜50的吸引力消失时,绞链35发挥使反射镜50恢复平行于元件基板1的姿势的力量。

如图3示出,在光电装置100中,例如,若反射镜50向一侧的高架寻址电极32侧倾斜,变为从光源部1002发射的光通过反射镜50向投射光学系统1004反射的打开状态。相对于此,若反射镜50向另一侧的高架寻址电极33侧倾斜,变成从光源部1002发射的光通过反射镜50向光吸收装置1005反射的关闭状态,在这样的关闭状态下,不会向投射光学系统1004反射光。在多个反射镜50中的每一个中进行这样的驱动的结果,从光源部1002发射的光通过多个反射镜50调制为图像光之后从投射光学系统1004投射,从而显示图像。

另外,还可以与绞链35一体设置与基板侧寻址电极12、13相对的平板状的轭,除了在高架寻址电极32、33与反射镜50之间产生的静电力之外,还利用作用于基板侧寻址电极12、13与轭之间的静电力来驱动反射镜50。

[光电装置100的封闭结构]

图4是概略示出适用了本发明的光电装置100整体截面的说明图。如图4示出,在本方式的光电装置100中,形成有多个参照图2以及图3说明的反射镜50的元件基板1(芯片2)在一表面1s被由框状的隔离件61以及具有透光性的平板状的透光性罩体71构成的封闭部件75封闭之后,固定于基板90的基板安装部93,之后,被封闭材料98封闭。在基板90中,基板安装部93形成为被侧板部92围住的有底的凹部,元件基板1通过粘结剂97固定在基板90的底板部91。这样,保护反射镜50以及芯片2避免受到水分等的影响。

在本方式中,罩体71在俯视观察时覆盖反射镜50,隔离件61在罩体71与芯片2之间与芯片2的一表面2s接触。更加具体地,隔离件61的元件基板1侧端部61e粘结于芯片2的一表面2s上,与芯片2的一表面2s接触。在本方式中,芯片2的一表面2s由元件基板1的一表面1s构成。罩体71粘结于隔离件61的与元件基板1相对的端部相反侧的端部、即端部61f,被端部61f支承。在该状态下,罩体71在从反射镜50分开预定距离的位置与反射镜50的表面相对。因此,光透过罩体71后入射到反射镜50,之后,被反射镜50反射的光透过罩体71发射出来。

在元件基板1的一表面1s中,与反射镜50不重叠的端部(隔离件61的外侧)形成有多个端子17。在本方式中,端子17以夹着反射镜50的方式配置有两列。多个端子17的一部分通过参照图2以及图3说明的地址指定电路14和基板侧寻址电极12、13与高架寻址电极32、33(驱动元件30)电连接。多个端子17的另一部分通过参照图2以及图3说明的地址指定电路14、基板侧偏压电极11以及绞链35与反射镜50电连接。多个端子17的另外的一部分与设在参照图2以及图3说明的地址指定电路14前端的驱动电路等电连接。

其中,端子17的与元件基板1相反侧是开放状态,所以通过引线接合用的电线99与形成在基板90底板部91的元件基板1侧的一面91s上的内部端子94电连接。基板90的底板部91形成为多层布线基板,内部端子94通过由形成在底板部91的通孔或布线构成的多层布线部95与形成在底板部91的与元件基板1相反侧的外表面91t上的外部端子96导通。

这样的布线板90的侧板部92内侧(凹部)设有由环氧树脂等树脂构成的封闭材料98。封闭材料98覆盖电线99、电线99与端子17的接合部、电线99与内部端子94的接合部、元件基板1周围以及隔离件61与元件基板1的粘结部周围,并且封闭材料98覆盖隔离件61的侧面61w(例如,连接隔离件61的与元件基板1相对的端部和其相反侧的端部、即端部61f的面)的全部以及罩体71的侧面71w(例如,连接罩体71的与元件基板1相对的一面和其相反侧的一面的面)的全部。

(发热对策的第一构成例)

在如上述构成的光电装置100中,罩体71的温度因为光的照射而上升,如果这样的热传递到芯片2,则芯片2的温度上升,降低可靠性。为此,在本方式中,将芯片2、隔离件61以及罩体71的导热率的相对大小以如下说明的方式进行设定。

首先,芯片2的一表面2s的与隔离件61接触的部分全部由具有第一导热率的第一物质构成。在本方式中,芯片2的一表面2s由元件基板1的一表面1s构成,一表面1s中与隔离件61接触的部分全部由通过半导体流程形成地址指定电路14(参照图2)等时形成的硅氧化膜(第一物质)构成。硅氧化膜(第一物质)的导热率(第一导热率)在3.0w/(m·k)以下。

隔离件61由具有比硅氧化膜(第一物质)的导热率(第一导热率)更高的第二导热率的第二物质构成。在本方式中,隔离件61由水晶(第二物质)构成,水晶(第二物质)的导热率(第二导热率)约为8.0w/(m·k)。

在本方式中,罩体71由具有比水晶(第二物质)的导热率(第二导热率)更高的第三导热率的第三物质构成。在本方式中,罩体71由蓝宝石(第三物质)构成,蓝宝石(第三物质)的导热率(第三导热率)约为42w/(m·k)。

从而,在本方式中,导热率具有如下关系。

芯片2的一表面2s<隔离件61<罩体71。

因此,罩体71的热难以通过隔离件61传递到芯片2。此外,进行工作时,芯片2本身发热,但是,芯片2中产生的热通过隔离件61容易释放到罩体71侧。由此,能够抑制芯片2的温度上升,从而能够提高芯片2以及光电装置100的可靠性。

并且,在本方式中,封闭材料98在隔离件61的外侧覆盖芯片2的一表面2s。因此,能够将芯片2的热释放到封闭材料98。此外,封闭材料98覆盖隔离件61的侧面61w的全部以及罩体71的侧面71w的全部。因此,能够将罩体71的热以及隔离件61的热释放到封闭材料98。

(发热对策的第二构成例)

在缓和芯片2的温度上升时,还可以采用以下的构成。首先,芯片2的一表面2s(元件基板1的一表面1s)中与隔离件61接触的部分全部由硅氧化膜(第一物质)构成,硅氧化膜(第一物质)的导热率(第一导热率)在3.0w/(m·k)以下。

隔离件61由具有比硅氧化膜(第一物质)的导热率(第一导热率)更高的第二导热率的第二物质构成。在本方式中,隔离件61由蓝宝石(第二物质)构成,蓝宝石(第二物质)的导热率(第二导热率)是约42w/(m·k)。

罩体71由具有比蓝宝石(第二物质)的导热率(第二导热率)更低的第三导热率的第三物质构成。在本方式中,罩体71由水晶(第三物质)构成,水晶(第三物质)的导热率(第三导热率)约为8.0w/(m·k)。因此,罩体71的导热率(第三导热率)比芯片2的一表面2s的导热率(第一导热率)更高。

从而,在本方式中,导热率具有以下关系。

芯片2的一表面2s<罩体71<隔离件61

因此,与构成例1相同地,罩体71的热难以通过隔离件61传递到芯片2。并且,进行工作时,芯片2本身发热,但是,芯片2中产生的热容易释放到隔离件61。由此,能够抑制芯片2的温度上升,从而能够提高芯片2以及光电装置100的可靠性。

此外,在本方式中,封闭材料98在隔离件61的外侧覆盖芯片2的一表面2s。因此,能够将芯片2的热释放到封闭材料98。此外,封闭材料98覆盖隔离件61的侧面61w的全部以及罩体71的侧面71w的全部。因此,能够将罩体71的热以及隔离件61的热释放到封闭材料98。

(发热对策的第三构成例)

在缓和芯片2的温度上升时,还可以采用以下的构成。首先,芯片2的一表面2s(元件基板1的一表面1s)中与隔离件61接触的部分全部由硅氧化膜(第一物质)构成,硅氧化膜(第一物质)的导热率(第一导热率)在3.0w/(m·k)以下。

隔离件61由具有比硅氧化膜(第一物质)的导热率(第一导热率)更高的第二导热率的第二物质构成。在本方式中,隔离件61由蓝宝石(第二物质)构成,蓝宝石(第二物质)的导热率(第二导热率)约为42w/(m·k)。罩体71由与隔离件61相同的物质(蓝宝石)构成。并且,还可以是隔离件61以及罩体71均由蓝宝石构成。

从而,在本方式中,导热率具有以下关系。

芯片2的一表面2s<隔离件61=罩体71

因此,与构成例1相同地,罩体71的热难以通过隔离件61传递到芯片2。此外,进行工作时,芯片2本身发热,但是,芯片2中产生的热容易释放到隔离件61及罩体71。由此,能够抑制芯片2的温度上升,从而能够提高芯片2以及光电装置100的可靠性。

此外,本方式中,封闭材料98在隔离件61的外侧覆盖芯片2的一表面2s。因此,能够将芯片2的热释放到封闭材料98。此外,封闭材料98覆盖隔离件61的侧面61w的全部以及罩体71的侧面71w的全部。因此,能够将罩体71的热以及隔离件61的热释放到封闭材料98。

另外,在本构成例中,隔离件61和罩体71由相同的物质构成,所以作为隔离件61和罩体71可以利用一体式封闭部件75。

[光电装置100的制造方法]

参照图5、图6以及图7说明适用了本发明的光电装置100的制造方法。图5是示出适用了本发明的光电装置100的制造方法的工序截面图。图6是示出适用了本发明的光电装置100的制造中使用的第二晶片20等的制造方法的工序图,图6示出了各工序中的晶片的平面图,并且平面图的下面示出了切断截面图。图7是示出适用了本发明的光电装置100的制造工序中通过基板90以及封闭材料98来封闭元件基板1的工序的工序截面图。在图6中省略了反射镜50等,在图5中,与图4相比,减少了反射镜50的数量,示出了一个元件基板1上仅形成三个反射镜50的例子。

在本方式中,从晶片获得多个元件基板1等。因此,在下面的说明中,将所获得的多个元件基板1中、得到一个基板的区域中所形成的反射镜50以及端子17分别以第一反射镜50a以及第一端子17a进行说明等,在各标记后面附带a进行说明。此外,将多个元件基板1中、与形成第一反射镜50a以及第一端子17a的区域相邻的区域中所形成的反射镜50以及端子17分别以第二反射镜50b以及第二端子17b进行说明等,在各标记后面附带b进行说明。但是,在无需特别指定某一个元件基板1时,不再附带上述的a或b。

在制造本方式的光电装置100时,在图5示出的工序a5以及图6示出的工序a6、b6(第一晶片准备工序)中,准备第一晶片10,该第一晶片10在能够获得多个元件基板1的大型的第一晶片10的一表面10s上、分割元件基板1的每个区域形成有反射镜50以及端子17。

因此,第一晶片10的一表面10s形成第一反射镜50a,并且与第一反射镜50a在俯视时相邻的位置形成有与驱动第一反射镜50a的第一驱动元件30a(参照图2以及图3)电连接的第一端子17a。此外,第一晶片10的一表面10s的相对于第一端子17a的第一反射镜50a相反侧形成有第二反射镜50b,并且,第一端子17a与第二反射镜50b之间形成有与驱动第二反射镜50b的第二驱动元件30b(参照图2以及图3)电连接的第二端子17b。

此外,在图5示出的工序a5(第二晶片形成工序)中,准备能够获得多个隔离件61以及罩体71的大型的第二晶片20。在第二晶片20的由一表面构成的第二面20s中的分割隔离件61以及罩体71的每个区域,形成有底部具有透光性的凹部21,并且,形成有在彼此正交交叉的两个方向上延伸从而包围多个凹部21中的每一个的有底的槽22。多个凹部21中的一个是第一凹部21a,与第一凹部21a相邻的凹部21是第二凹部21b。从而,第二晶片20的第二面20s形成有底部具有透光性的第一凹部21a、底部具有透光性的第二凹部21b、以及沿第一凹部21a与第二凹部21b之间延伸的有底的槽22。

在形成这样的第二晶片20时,在第二晶片形成工序,例如进行图6示出的工序c6~f6。首先,在工序c6,准备可以获得多个罩体71的透光性晶片70(第四晶片)。并且,在工序d6,准备可以获得多个隔离件61的隔离件用晶片60(第三晶片)之后,在第一工序中,通过蚀刻等处理,在隔离件用晶片60形成用于构成凹部21的贯通孔66。多个贯通孔66中的一个是用于构成第一凹部21a的第一贯通孔66a,与第一贯通孔66a相邻的贯通孔66是用于构成第二凹部21b的第二贯通孔66b。接着,在工序e6,通过半蚀刻等处理,形成在彼此正交交叉的两个方向上延伸从而包围多个凹部21中的每一个的有底的槽22。另外,在第一工序中,在形成贯通孔66之后形成了槽22,但是,还可以在形成槽22之后形成贯通孔66。

接着,在第二工序,如工序f6示出,在隔离件用晶片60的与槽22开口侧的面60s相反侧的面60t层叠粘结透光性晶片70。结果,形成了层叠有隔离件用晶片60和透光性晶片70的第二晶片20,在这样的第二晶片20中,由隔离件用晶片60的面60s构成第二晶片20的第二面20s,由透光性晶片70的与隔离件用晶片60相反侧的面构成第二晶片20的第三面20t。此外,贯通孔66(第一贯通孔66a以及第二贯通孔66b)的一个开口端被透光性晶片70堵塞,成为底部具有透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。

接着,在粘结工序,在图5示出的工序b5中,粘结第一晶片10的一表面10s和第二晶片20的第二面20s,以使凹部21在俯视时(例如,从一表面10s侧观察第一晶片10时的俯视时)重叠在反射镜50上,槽22重叠在端子17。结果,俯视观察时第一凹部21a重叠在第一反射镜50a上,俯视观察时第二凹部21b重叠在第二反射镜50b上,并且俯视观察时共同的槽22重叠在第一端子17a、第二端子17b以及被第一端子17a和第二端子17b夹住的区域。在该状态下,在第二晶片20中被第一凹部21a和槽22夹住的部分粘结于第一反射镜50a与第一端子17a之间,在第二晶片20中被第二凹部21b和槽22夹住的部分粘结于第二反射镜50b与第二端子17b之间。从而,第一端子17a以及第二端子17b与第二晶片20不粘结。

接着,在图5示出的工序c5(第二晶片切割工序)中,从第二晶片20的与第二面20s相反侧的面构成的第三面20t插入第二晶片用划片刀82(第一划片刀),沿槽22切割第二晶片20。结果,分割出第二晶片20,由第二晶片20中的从透光性晶片70分割出的平板部分构成罩体71,从隔离件用晶片60分割出的框架部分构成隔离件61。在本方式中,第二晶片用划片刀82的厚度w2与槽22的宽度w0相同。

接着,在图5示出的工序d5(第一晶片切割工序),通过第一晶片用划片刀81(第二划片刀),沿着在第一晶片10中分割出元件基板1的区域(被第一端子17a和第二端子17b夹住的区域)切割第一晶片10。其结果,第一晶片10在第一端子17a与第二端子17b之间被切割。在本方式中,第一晶片用划片刀81的厚度w1比第二晶片用划片刀82的厚度w2更薄。从而,在第一晶片切割工序中,对于第一晶片10,将第一晶片用划片刀81从第二晶片20侧插入第二晶片20的切断之处(相邻的罩体71之间以及相邻的隔离件61之间),从而切割第一晶片10。

结果,制造出形成有多个反射镜50的元件基板1的一表面1s被隔离件61以及罩体71封闭的多个光电装置100。如图4示出,进一步通过基板90以及封闭材料98封闭这样的光电装置100时,进行图7示出的工序。

首先,在图7示出的工序a7,准备基板90,该基板90的基板安装部93变成被侧板部92围住的凹部,之后,在图7示出的工序b7中,通过粘结剂97将元件基板1固定于基板安装部93的底部。接着,在图7示出的工序c7中,通过引线接合用的电线99将元件基板1的端子17和基板90的内部端子94电连接。接着,如图4示出,向基板90的侧板部92内侧注入封闭材料98,之后固化封闭材料98,从而通过封闭材料98来封闭元件基板1。其结果,可以得到元件基板1被隔离件61、罩体71、基板90以及封闭材料98封闭的光电装置100。

[光电单元180的构成]

图8是示出适用了本发明的光电单元180的说明图。图9是示出适用了本发明的光电单元180中的送风方向的说明图。图10是示出适用了本发明的光电单元180的其他样式中的送风方向的说明图。

当将参照图2~图7说明的光电装置100应用于图1示出的投射式显示装置1000等时,根据本方式,如图8以及图9示出,由光电装置100以及向光电装置100供给空气的鼓风机190来构成光电单元180。本方式的光电装置100的尺寸为,端子17夹着罩体71并相向的y方向的尺寸小于端子17排列的x方向的尺寸,在本方式中,鼓风机190从光电装置100的尺寸更小的y方向送风。

另外,如图10示出,还可以构成为鼓风机190从光电装置100的尺寸更大的x方向送风。

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