薄膜太阳能电池模块及其制造方法
【专利摘要】本发明的薄膜太阳能电池模块的特征是，在透明导电性氧化物膜(2)上形成有保护涂膜(3)，分割光电转换层(4)的第二分离沟(P2)的顶端位于透明导电性氧化物膜(2)内，藉此，即使在由于激光刻划的实施而保护涂膜(3)发生热变性、其电阻值增加的情况下，由于在第二分离沟(P2)内所形成的背面电极层(5)与透明导电性氧化物膜(2)电连接，所以可抑制电阻引起的电力损失。
【专利说明】薄膜太阳能电池模块及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜太阳能电池模块及其制造方法。更具体而言，涉及多个薄膜太阳能电池单元串联连接而成的集成型结构的薄膜太阳能电池模块及其制造方法。
【背景技术】
[0002]作为光电转换元件的薄膜类太阳能电池模块，随光电转换层的种类不同而有非晶硅(a-Si)类、多晶硅类等，但这些薄膜硅类太阳能电池中，作为其入射光侧的透明电极层，使用透明导电性氧化物膜。该透明导电性氧化物膜，为了提高光电转换效率，要求低电阻、高透明、且光散射性能大。
[0003]薄膜类太阳能电池模块具有在玻璃基板等基体上依次形成有透明电极层、光电转换层、及背面电极层的结构。
[0004]如果使薄膜类太阳能电池模块大面积化，则受光面侧的透明电极层的电阻值增力口，由此产生的电力损失导致作为模块的效率减小。因此，通过采用在基体上形成多个薄膜太阳能电池单元、使这些单元串联连接而成的集成型结构，可减小受光面侧的透明电极层中的电阻值、减小电力损失，即使在大面积化的情况下也能使作为模块的效率下降变小。
[0005]集成型结构的薄膜类太阳能电池模块的制造工艺大致可分为:制作多个薄膜太阳能电池单元串联连接而成的集成型结构的单元制造工序；对于由该工序得到的集成型结构，形成背面保护膜等而制成太阳能电池模块的模块化工序。单元制造工序分为:透明电极层形成、光电转换层形成、背面电极层形成等薄膜形成工序；为了将单元分离成多个而在薄膜上形成分离沟的图案化工序(非专利文献I)。
[0006]图案化工序中，实施在透明电极层形成分离沟的透明电极层的图案化、在光电转换层形成分离沟的光电转换层的图案化、以及在背面电极层和光电转换层形成分离沟的背面电极层和光电转换层的图案化。通过将背面电极层嵌入形成于光电转换层的分离沟内，嵌入分离沟的背面电极层与透明电极层电连接，从而成为多个单元串联连接而成的集成型结构。
[0007]图案化工序中，通过选择作为对象的薄膜所吸收的波长区域的光线，可在特定的薄膜上选择性地形成分离沟，所形成的分离沟的尺寸精度优异，所以优选使用采用了激光的激光刻划法。
[0008]为了保护作为透明电极层的透明导电性氧化物膜免受光电转换层形成时的热及等离子体冲击，有时在透明电极层上形成保护涂膜。作为以该目的形成的保护涂膜，优选使用以氧化钛(TiO2)作为主成分的膜。
[0009]但是，由于氧化钛(TiO2)是绝缘体，所以在作为保护涂膜使用时，需要通过制成具有氧缺陷的膜、或者将与钛的价数不同的金属掺杂入膜等来赋予导电性。
[0010]现有技术文献
[0011]非专利文献
[0012][非专利文献I]“薄膜太阳能电池的基础和应用一环境友好的太阳能发电的新进展(薄膜太陽電池O基礎i応用一環境^? P太陽光発電Q新P展開)”，太阳能发电技术研究组合监修，株式会社欧姆(株式会社才一 Λ社)发行,平成13年(2001年)3月20日发行
【发明内容】
[0013]发明所要解决的技术问题
[0014]如上所述，集成型结构的薄膜类太阳能电池模块及在透明导电层上形成的保护涂膜可提高作为模块的效率，并且本来就是优选的构成。
[0015]但是，本申请发明人发现，将两者组合实施的情况下，电阻引起的电力损失反而增加，作为模块的效率下降。
[0016]图1(a)~(f)是表示集成型结构的薄膜类太阳能电池模块的制造工艺中的单元制造工序的图。
[0017]图1 (a)示出在玻璃基板等的基体I上形成透明电极层2，在该透明电极层2上形成保护涂膜3的状态。
[0018]图1(b)示出透明电极层2的图案化实施后的状态。图示的形态中，在透明电极层2上形成有保护涂膜3，所以将保护涂膜3与透明电极层2 —起图案化，在透明电极层2和保护涂膜3形成第一分离沟Pl。
[0019]图1 (c)示出在保护涂膜3上形成有光电转换层4的状态。这里，光电转换层4也嵌入第一分离沟Pl内。
[0020]图1(d)示出光电转换层4的图案化实施后的状态。光电转换层4形成有第二分离沟P2。
[0021]图1(e)示出在光电转换层4上形成有背面电极层5的状态。这里，背面电极层5也嵌入第二分离沟P2内。
[0022]图1(f)示出背面电极层5和光电转换层4的图案化实施后的状态。背面电极层5和光电转换层4形成有第三分离沟P3。
[0023]另外，图1(b)示出的透明电极层2和保护涂膜3的图案化、图1(d)示出的光电转换层4的图案化、以及图1(f)示出的背面电极层5和光电转换层4的图案化都采用激光刻划法。
[0024]对于由图1(a)~(f)所示的单元制造工序所得的集成型结构的薄膜类太阳能电池模块中的电阻引起的电力损失的增加，本申请发明人进行了认真研究，结果发现在图1(d)所示的光电转换层4的图案化时，由于激光刻划法产生的加热，保护涂膜3发生热变性，该保护涂膜3的电阻值增加。邻接的薄膜太阳能电池单元之间通过薄膜太阳能电池模块的第二分离沟内所形成的背面电极层5与保护涂膜3电连接而维持，由于热变性引起的保护涂膜3的电阻值的增加而导致电力损失增加，作为模块的效率下降。
[0025]为了解 决上述的现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种防止对保护涂膜进行激光刻划时的加热引起的电阻上升、且作为模块的效率提高了的集成型结构的薄膜类太阳能电池模块及其制造方法。
[0026]解决技术问题所采用的技术方案
[0027]为了达到上述的目的，本发明提供一种薄膜太阳能电池模块的制造方法，该薄膜太阳能电池模块是在基体上依次层叠透明导电性氧化物膜、保护涂膜、光电转换层和背面电极层而形成的，具有多个薄膜太阳能电池单元，该多个薄膜太阳能电池单元是比所述基体更靠上部的层在与所述基板大致垂直的方向上被多个分离沟分割而成的，邻接的所述薄膜太阳能电池单元之间电串联连接，其特征在于，包括:在所述基体上形成所述透明导电性氧化物膜的工序；在所述透明导电性氧化物膜上形成所述保护涂膜的工序；和采用激光刻划法在所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜上形成第一分离沟，将所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜分割的透明导电性氧化物膜和保护涂膜的图案化工序；在所述第一分离沟内和所述保护涂膜上形成所述光电转换层的工序；采用激光刻划法在所述光电转换层形成第二分离沟，将所述光电转换层分割的光电转换层的图案化工序；在所述第二分离沟内和所述光电转换层上形成所述背面电极层的工序；采用激光刻划法在所述背面电极层和光电转换层形成第三分离沟，将所述背面电极层和光电转换层分割的背面电极层和光电转换层的图案化工序；以使所述第二分离沟的顶端位于所述透明导电性氧化物膜内的条件实施所述光电转换层的图案化工序。上述的各工序按照上述的顺序进行。
[0028]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，在所述光电转换层形成第二分离沟的激光刻划法的激光的功率密度较好是大于0.1mff/ μ m2。
[0029]此外，在所述第二分离沟内，使背面电极层和透明导电性氧化物膜电连接。
[0030]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述透明导电性氧化物膜较好是含有氟作为掺杂剂的氧化锡膜。
[0031]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述透明导电性氧化物膜的膜厚较好是 400 ?1200nm。
[0032]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述透明导电性氧化物膜的形成较好是采用常压CVD法。
[0033]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述保护涂膜较好是以氧化钛作为主成分且含有氧化锡的膜。
[0034]所述保护涂膜中，所述氧化锡较好是具有氧缺陷的氧化锡。
[0035]此外，所述保护涂膜中，所述氧化锡较好是含有氟作为掺杂剂的氧化锡。
[0036]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述保护涂膜的膜厚较好是10?IOOnm0
[0037]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述保护涂膜的形成较好是采用常压CVD法。
[0038]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述光电转换层较好是包括依次形成有P层、i层、η层的层(p-1-n层)。
[0039]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述光电转换层的形成较好是采用等离子体CVD法。
[0040]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述背面电极层较好是以银、铝、或它们的合金作为主成分。
[0041]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述背面电极层的膜厚较好是100 ?300nm。
[0042]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述背面电极层的形成较好是采用溅射法。
[0043]对于上述的表示数值范围的“?”，以包括记载于其前后的数值作为下限值及上限值的涵义来使用，只要没有特定地定义，则以下在说明书中，也以同样的涵义使用“?”。
[0044]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，形成第二分离沟时的激光的照射部位的能量分布较好是大致为高斯分布。
[0045]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法中，所述透明导电性氧化物膜和保护涂膜的图案化工序、所述光电转换层的图案化工序、以及所述背面电极层和光电转换层的图案化工序中，较好是使用激发波长在1064nm附近的激光源。
[0046]此外，本发明提供一种由本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法制得的薄膜太阳能电池模块。
[0047]此外，本发明提供一种薄膜太阳能电池模块，它是在基体上依次层叠透明导电性氧化物膜、保护涂膜、光电转换层和背面电极层而形成的，具有多个薄膜太阳能电池单元，该多个薄膜太阳能电池单元是比所述基体更靠上部的层被分离沟分割而成的，邻接的所述薄膜太阳能电池单元之间电串联连接，其特征是，所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜被第一分离沟分割，所述光电转换层被嵌入所述第一分离沟内，所述光电转换层被第二分离沟分割，所述背面电极层被嵌入所述第二分离沟内，所述背面电极层和光电转换层被第三分离沟分割，所述第二分离沟的顶端位于所述透明导电性氧化物膜内。
[0048]本发明的薄膜太阳能电池模块的特征是，在所述第二分离沟内，背面电极层和透明导电性氧化物膜电连接。
[0049]发明的效果
[0050]本发明中，即使在由于激光刻划的实施而保护涂膜发生热变性、其电阻值增加的情况下，也可进行薄膜太阳能电池模块的第二分离沟内所形成的背面电极层与透明导电性氧化物膜的电连接。藉此，邻接的薄膜太阳能电池单元之间的电串联连接得到维持，所以可抑制电阻引起的电力损失，由此，作为模块的效率提高。
【专利附图】
【附图说明】
[0051]图1(a)?(f)是表示通常的集成型结构的薄膜类太阳能电池模块的制造工艺中的单元制造工序的图。
[0052]图2 (a)?(C)是表示由光电转换层的图案化工序形成的第二分离沟的示意图，图2(a)示出由现有的方法形成的第二分离沟，图2(b)、(C)示出由本发明的方法形成的第二分离沟。
[0053]图3是表示实施例、比较例1、2的薄膜太阳能电池模块的1-V曲线的图。
[0054]图4是示意地表示用于测定薄膜太阳能电池模块的第二分离沟P2中的接触电阻值的试样构成的图。
【具体实施方式】
[0055]以下，对本发明进行说明。
[0056]本发明的薄膜太阳能电池模块的制造方法，除了单元制造工序中，光电转换层的图案化工序如后所述有所不同以外，按照与图1(a)?(f)所示的集成型结构的薄膜类太阳能电池模块的制造工序中的单元制造工序同样的顺序实施。
[0057]S卩，如图1 (a)所示，在玻璃基板等的基体I上，作为透明电极层2形成透明导电性氧化物膜，在该透明电极层2 (透明导电性氧化物膜)上形成保护涂膜3。
[0058]〈基体〉
[0059]基体I不一定必须是平面、板状，也可以是曲面、异型状。作为该基体1，可例举玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板、金属基板等。该基体I优选为透光性优异的透明的基体，从强度和耐热性方面考虑优选玻璃基板。作为玻璃基板，可使用无色透明的钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、锂铝硅酸盐玻璃、石英玻璃、硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃、由其他的各种玻璃构成的透明玻璃基板。
[0060]作为薄膜太阳能电池模块的基体I使用玻璃基板时，玻璃基板的厚度优选为0.2?6.0_。如果在范围内，则玻璃基板的强度高、透射率高。
[0061]此外，基体I优选在350?800nm的波长区域内具有高的透射率、例如80%以上的透射率。此外，理想的是具有足够的绝缘性、且化学、物理方面的耐久性高。
[0062]另外，在由钠钙硅酸盐玻璃等含钠的玻璃构成的玻璃基板、或由含低碱的玻璃构成的玻璃基板的情况下，为了使碱金属成分从玻璃向其上面所形成的透明导电性氧化物膜的扩散达到最小限度，可以在玻璃基板面上施加氧化硅膜、氧化铝膜、氧化锆膜等碱金属阻挡层。
[0063]此外，在玻璃基板的表面还可以具有用于减小玻璃基板的表面与其上所设的层的折射率的差异的层。通过形成这样的层，可防止在玻璃基板和其上所设的层的界面上的反射。
[0064]钠钙玻璃基板上形成的碱金属阻挡层是SiO2膜、或SiO2和SnO2的混合氧化物膜、或SiO2膜和其他氧化物膜层叠而得的多层膜等，其膜厚(多层膜的情况下是总膜厚)优选为20?lOOnm。如果膜厚在该范围内，则可控制来自玻璃基板的透射光的反射和吸收。作为多层膜的例子，可例举在钠钙玻璃基板上依次层叠TiO2膜和SiO2膜而得的膜，膜厚分别优选为5?20nm、10?40nm。特别是该碱金属阻挡层的总膜厚优选为30?60nm。
[0065]〈透明导电性氧化物膜>
[0066]作为透明电极层2形成的透明导电性氧化物膜，要求在可见光区域透明、以及具有导电性。
[0067]为了在可见光区域为高透射，透明导电性氧化物膜的折射率在波长400?800nm处优选为1.8?2.2，更优选为1.9?2.1。
[0068]此外，关于导电性，透明导电性氧化物膜的薄膜电阻优选为8?20Ω/ □，更优选为 8 ?12 Ω / □。
[0069]作为透明导电性氧化物膜，含有氟作为掺杂剂的氧化锡膜(以下也称为“氟掺杂氧化锡膜”)满足上述的折射率和薄膜电阻，所以优选。
[0070]氟掺杂氧化锡膜，以相对于氧化锡的摩尔％计，优选含有0.01?15摩尔％的氟，更优选含有0.1?10摩尔％的氟，进一步优选含有0.5?9摩尔％的氟。
[0071]透明导电性氧化物膜的膜厚优选为400?1200nm,更优选400?800nm,进一步优选 500 ?750nm。
[0072]关于透明导电性氧化物膜的形成，从装置成本低、成膜速度快等的理由考虑，优选使用常压CVD法。
[0073]<保护涂膜>
[0074]作为保护涂膜3，优选膜3中的金属成分以钛作为主成分的氧化钛类的膜、即以氧化钛作为主成分的膜。
[0075]氧化钛类的膜、即以氧化钛作为主成分的保护涂膜，与作为透明导电性氧化锡膜使用的氟掺杂氧化锡膜相比，具有相对于氢等离子体的耐还原性优异的特性，所以优选用作保护作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜(氟掺杂氧化锡膜)免受光电转换层4形成时的热及等离子体冲击的保护涂膜。
[0076]此外，氧化钛类的膜具有透光性，其折射率的值可设在作为透明电极层2使用的透明导电性氧化物膜(氟掺杂氧化锡膜)、以及后述的组成的光电转换层4的各折射率的下限和上限的范围内，作为调整它们之间的折射率的差的折射率调整层发挥作用，可改善光封闭效率。
[0077]但是，氧化钛是绝缘体，所以为了制成具有导电性的保护涂膜3，优选使氧化钛膜中含有氧化锡。这里，作为氧化锡，优选导电性好(电阻值低)的氧化锡。
[0078]另外，本申请说明书中“作为主成分”是指该成分的含有率在50%以上。
[0079]导电性好的氧化锡的一个具体例是具有氧缺陷的氧化锡。这里，氧缺陷的比例优选为20%以下。如果氧缺陷的比例在20%以下，则可抑制保护涂膜3中的光吸收增大，确保入射至光电转换层4的光的入射量。
[0080]导电性好的氧化锡的另一个具体例是含有氟作为掺杂剂的氧化锡。这里，氟掺杂量以保护涂膜3中的保护涂膜成膜时所使用的含F化合物和含Ti化合物的原料中的F/Ti的摩尔比(以下也称为原料中的F/Ti的摩尔比)计，优选小于1.0。氟掺杂量以原料中的F/Ti的摩尔比计，如果在1.0以上，则在保护涂膜3的形成时，由于由氟引起的蚀刻作用，透明导电性氧化物膜可能会受到损害。
[0081]此外，氟掺杂量以保护涂膜3中的原料中的F/Ti的摩尔比计，如果在1.0以上，则保护涂膜3自身也受到由氟引起的蚀刻作用，其结果是有可能发生保护涂膜3的成膜速度降低、膜的致密性降低、保护涂膜的导电性降低等问题。
[0082]氟掺杂量以保护涂膜3中的原料中的F/Ti的摩尔比计，优选为0.0001?0.5，更优选0.001?0.3，进一步优选0.001?0.25。
[0083]本发明中的保护涂膜中，在作为该膜中的金属成分以钛为主成分的氧化钛类的膜中，由于氧化锡的存在，还能发挥上述的作为折射率调整层的功能。藉此，可防止在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和光电转换层4的界面上的反射。此外，可改善作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和光电转换层的界面处的电连接，可提高薄膜太阳能电池模块的输出电压。
[0084]由上述的氧化钛类构成且含有氧化锡的保护涂膜3中的氧化锡的含量以保护涂膜3中的锡相对于锡和钛的总量的摩尔比(Sn/(Sn+Ti)摩尔比)计为0.05以上，可确保导电性的提高、良好的接触电阻，因而优选。保护涂膜3中的Sn/(Sn+Ti)摩尔比为0.05以上且0.6以下时可同时实现确保导电性的提高、良好的接触电阻及折射率调整，所以从该方面考虑是优选的。保护涂膜3膜中的Sn/(Sn+Ti)摩尔比更优选为0.1以上且0.5以下，进一步优选0.2以上且0.5以下。[0085]保护涂膜3的膜厚为IOnm以上且IOOnm以下，可发挥保护涂膜所要求的功能、即抑制由光电转换层4形成时的热及等离子体冲击引起的作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜的劣化，因而是优选的。
[0086]使保护涂膜3发挥作为折射率调整层的功能的情况下，保护涂膜3的膜厚更优选为20nm以上且60nm以下。保护涂膜3的膜厚进一步优选25nm以上且50nm以下，特别优选30nm以上且50nm以下。
[0087]为了发挥作为折射率调整层的功能，保护涂膜3的折射率在波长400?SOOnm处优选为2.1?2.7，更优选为2.2?2.5。
[0088]如上所述，被保护涂膜3被覆的作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜的折射率在波长400?800nm处优选为1.8?2.2，更优选1.9?2.1。
[0089]另一方面，保护涂膜3上所形成的光电转换层4的折射率随光电转换层4的结构和材质而不同，但在任何情况下，在波长400?800nm处都优选在2.8?4.5的范围内。
[0090]如果保护涂膜3的折射率在上述的范围内，则可将作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜的折射率和光电转换层4的折射率分别设定在下限和上限的范围内，所以起到折射率调整层的作用，抑制由透明导电性氧化物膜和光电转换层的折射率的差引起的光的反射，光导入至光电转换层的导入效率提高。
[0091]关于上述组成的保护涂膜3的形成，从装置成本低、成膜速度快等的理由考虑，优选使用常压CVD法。
[0092]接着，如图1(b)所示，实施采用激光刻划法在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3上形成第一分离沟Pl的、作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3的图案化工序。
[0093]在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜、和保护涂膜3的图案化工序中，使用在这些膜中有吸收的波长区域的激光、例如波长1064nm附近的激光。作为激光源使用波长1064nm附近的光源、例如波长1064nm的红外线激光源，以达到所需的功率和光斑直径的条件调节激光，将调节后的激光对着形成第一分离沟Pl的部位，从与基体垂直的方向以脉冲状进行照射，同时将激光在基体I上扫描，从而形成第一分离沟P1，将作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3分割成所需的形状。具体而言，例如一边使照射部位沿一定方向移动5?50 μ m左右来照射重复频率为IOkHz左右且光斑直径为20?50 μ m的脉冲激光(即、一边使激光的圆形照射部沿相对于基体平行的方向移动其直径程度的距离一边进行照射，以下相同)，一边形成宽度为20?50 μ m左右的直线状的线状的第一分离沟Pl0在基体I的其他端方向上隔着5?20mm左右的间隔重复该步骤，将作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3分割成宽度5?20_左右的长方形。
[0094]激光的照射可以从保护涂膜3的表面侧实施，或者从基体I的背面侧隔着基体I来实施。
[0095]激光的照射部位处的能量分布可以是单纯聚光的高斯分布，也可以整形为所谓的礼帽型的能量分布平缓的分布。
[0096]接着，如图1(c)所示，在第一分离沟Pl内及保护涂膜3上形成光电转换层4。
[0097]光电转换层4可从薄膜太阳能电池模块所使用的光电转换层中广泛选择。例举一例，有由依次形成有P层、i层和η层的3层构成的单结构的光电转换层。作为P层的材料，可例举氢化非晶碳化硅(a_SiC:H)。作为i层的材料，可例举氢化非晶硅(a_S1:H)、晶体硅(c-Si)、微晶硅(μ c-Si)、或氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)。此外，作为η层材料，可例举氢化非晶硅(a-S1:H)、或微晶硅(μ c-Si)。其中，优选由依次形成有P层为a-SiC:H层、i层为a-S1:H层、及η层为a-S1:H层的3层(以下也称为a_Si的p_i_n层)构成的单结构。
[0098]此外,作为其他例,优选使用例如在a-Si的p_i_n层上还形成有其他的p_i_n层的叠层结构的起电层。更优选在a-Si的p-1-n层上所形成的层是依次形成有P层为a-S1: H层、i层为微晶Si层、和η层为a_S1:H层的3层、或者p层为a_S1:H层、i层为a_SiGe:H层、和η层为a-S1:Η层的3层的叠层结构的起电层。
[0099]上述构成的光电转换层4可采用等离子体CVD法而形成。光电转换层4形成时的条件可根据形成的光电转换层4的种类，从薄膜太阳能电池模块的光电转换层的形成时所使用的条件适当选择。
[0100]光电转换层的膜厚随所形成的起电层的种类而不同，可根据其种类选择适当的膜厚。
[0101]另外，使用等离子体CVD法所形成的P层或η层的膜厚优选在5?15nm的范围，i层的膜厚优选100?400nm。此外，叠层结构中的微晶Si层的膜厚优选500?3000nm。
[0102]接着，如图1(d)所示，实施采用激光刻划法在光电转换层4形成第二分离沟P2的光电转换层4的图案化工序。但是，本发明中，以第二分离沟P2的顶端位于作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜内的条件实施光电转换层4的图案化工序。
[0103]图2 (a)?(C)是表示由光电转换层的图案化工序形成的第二分离沟的示意图，图2(a)示出由现有的方法形成的第二分离沟，图2(b)、(C)示出由本发明的方法形成的第二分离沟。但是，为了容易理解由本发明产生的效果，示出了接着实施的背面电极层的形成后的状态。
[0104]如图2(a)所示，现有的方法中，由光电转换层4的图案化工序所形成的第二分离沟的顶端(也称为沟的底面)位于保护涂膜3上，嵌入第二分离沟内的背面电极层5与保护涂膜3形成电连接。
[0105]如上所述，以氧化钛作为主成分的保护涂膜3与作为透明导电性氧化锡膜使用的氟掺杂氧化锡膜相比，对于氢等离子体的耐还原性优异，所以可保护作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜免受光电转换层4形成时的热及等离子体冲击。但是，由于是该膜中的金属成分以钛为主成分的氧化钛类的膜，所以在光电转换层4的图案化工序中，激光对光电转换层4的照射产生热能，保护涂膜3由此发生热变性，该保护涂膜3的电阻值增加。
[0106]集成型结构的薄膜类太阳能电池模块的情况下，通过嵌入第二分离沟内的背面电极层5与保护涂膜3的电连接，形成邻接的薄膜太阳能电池单元之间的电串联连接，所以由于热变性引起的保护涂膜3的电阻值的增加而导致电力损失增加，作为模块的效率下降。
[0107]另一方面，本发明中，如图2(b)、(C)所示，由光电转换层4的图案化工序所形成的第二分离沟的顶端位于作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜内，所以嵌入第二分离沟内的背面电极层5与作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜形成电连接。
[0108]另外，图2(c)中，由光电转换层4的图案化工序形成的第二分离沟的顶端位于作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和基体I的界面，但这样的状态也可以设为第二分离沟的顶端位于作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜内。[0109]作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜是氟掺杂氧化锡膜，所以在光电转换层4的图案化工序中，不会由于激光对光电转换层4的照射产生的热能而发生热变性，电阻值也不会增加。
[0110]本发明的薄膜类太阳能电池模块的情况下，通过嵌入第二分离沟内的背面电极层5与作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜的电连接，形成邻接的薄膜太阳能电池单元之间的电串联连接，所以可抑制电阻引起的电力损失，藉此，作为模块的效率提高。
[0111]光电转换层4的图案化工序中，使用在该光电转换层4具有吸收的波长区域的激光、例如波长1064nm附近的激光源的二次谐波、即波长532nm的激光。将调节为所需的功率和光斑直径的激光对着形成第二分离沟P2的部位，一边以脉冲状进行照射，一边使激光在基体I上扫描，从而形成第二分离沟P2，将光电转换层4分割成所需的形状。这里，为了使第二分离沟的顶端位于作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜内，与现有的方法中的光电转换层4的图案化工序中的条件、即图2(a)所示的第二分离沟的顶端位于保护涂膜3上的情况的条件相比，只要提高使用的激光的功率即可。例如，后述的实施例中，相对于第二分离沟的顶端位于保护涂膜3上的比较例1，通过将实施例中的激光的功率(激光输出功率)设为约3.5倍，可使第二分离沟的顶端位于作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜内。特别是在上述光电转换层形成第二分离沟的激光刻划法中使用波长532nm的激光时，其激光的功率密度优选大于0.1mff/ μ m2。
[0112]另外，将激光在基体I上扫描时，使照射部位沿与基体的表面平行的方向移动时如果增大距离，则所形成的第二分离沟会变为侧面具有凹凸的形状。因此，嵌入第二分离沟内的背面电极层5与作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜形成电连接的部位的面积增加，可期待进一步抑制电阻引起的电力损失。
[0113]光电转换层4的图案化工序，除了如上所述改变激光的波长和功率以外，可按照与作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3的图案化工序基本相同的步骤实施。但是，如图1(d)所示，第二分离沟Ρ2的位置需要与图1(b)所示的第一分离沟Pl的位置错开。邻接的第二分离沟Ρ2和第一分离沟Pl的距离优选设为50~150 μ m左右。
[0114]接着，如图1(e)所示，在第二分离沟内和光电转换层4上形成背面电极层5。
[0115]背面电极层5以银、铝、或它们的合金(银合金、铝合金)作为主成分。优选使用膜中含有95摩尔％以上的结晶性的银的金属膜。通过将结晶性的银用于背面电极层5的金属膜，能够将透过上述光电转换层4的光反射，再将反射光返回至光电转换层4，所以与光电转换效率的提高效果有关。
[0116]上述金属膜也可含有钯和/或金作为成分。以银作为主成分的金属膜的情况下，该膜中的钯和金的含量相对于与银的总和，优选分别为0.3~5摩尔％，更优选0.3~3摩尔％。此外，仅由银构成的层的情况下，杂质的量的合计优选在I摩尔％以下。
[0117]上述组成的背面电极层5可采用溅射法而形成。例如，作为背面电极层5，形成膜中含有95摩尔％以上的结晶性的银的金属膜的情况下，可通过使用含有95摩尔％以上的Ag的金属(以下称为Ag系金属)作为靶，在惰性气氛中进行溅射而形成。
[0118]此外，在光电转换层4和背面电极层5之间也可以具有用于改善两者的接触性的接触改善层。在两者之间形成接触改善层的情况下，该接触改善层的比电阻和吸收系数优选较小。具体而言，比电阻优选为1× 10_2Ω ·cm以下，更优选5×10_3Ω·cm 以下。接触改善层的比电阻如果在范围内，则在光电转换层4经光电转换的电动势不会减低，能够通至背面电极层5。吸收系数优选在波长区域500?800nm内为5 X IO3CnT1以下，更优选2 X IO3CnT1以下。接触改善层的吸收系数如果在该范围内，则透过光电转换层4的光不会被吸收，而能够透射至背面电极层5。
[0119]作为满足上述的比电阻和吸收系数的接触改善层的材料，优选以氧化锌(ZnO)作为主成分，且膜中的全部金属成分的90原子％以上是Zn。更优选使用在上述以氧化锌作为主成分的层中含有镓(Ga)而成的层、或含有铝(Al)而成的层。通过含有Ga或Al，导电电子密度升高、相对于氧化锌起到掺杂剂的作用，从而具有接触改善层整体的导电性提高的效果。
[0120]此外，含有Ga或Al的含量优选相对于与Zn的总和为0.3?10摩尔％，更优选
0.3?5摩尔％。如果在范围内，则可防止由导电性的过度提高引起的接触改善层的吸收系数的增大。还有，如果是含有Ga或Al的氧化锌层，则可以含有杂质，杂质的量的合计优选在I摩尔％以下。
[0121]上述组成的接触改善层可采用溅射法而形成。例如，作为接触改善层，在形成使以氧化锌作为主成分的层中含有镓(Ga)而成的层的情况下，可通过使用掺杂了 Ga的氧化锌(以下、GZ0)作为靶，在惰性气氛中进行溅射而形成。
[0122]接着，如图1(f)所示，实施采用激光刻划法在背面电极层5和光电转换层4形成第三分离沟P3的背面电极层5和光电转换层4的图案化工序。这里，在光电转换层4和背面电极层5之间形成接触改善层的情况下，在该接触改善层也形成第三分离沟P3。
[0123]背面电极层5和光电转换层4的图案化工序中，使用在光电转换层4具有吸收的波长区域的激光、例如波长1064nm附近的激光源的二次谐波、即波长532nm的激光。将调节为所需的功率和光斑直径的激光对着形成第二分离沟P3的部位，一边以脉冲状进行照射，一边将激光在基体I上扫描，从而形成第二分离沟P3,将背面电极层5和光电转换层4分割成所需的形状。
[0124]这里，背面电极层5不透过激光，所以激光的照射通过从基体I的背面侧隔着基体I来实施。光电转换层4通过吸收激光，在背面电极层5和光电转换层4形成第三分离沟P3。因此，与现有的方法中的光电转换层4的图案化工序中的条件、即如图2(a)所示的第二分离沟的顶端位于保护涂膜3上的情况的条件相比，需要提高使用的激光的功率。例如，后述的实施例中，相对于第二分离沟的顶端位于保护涂膜3上的比较例1，通过将实施例中的激光的功率设为约1.1倍，可在背面电极层5和光电转换层4形成第三分离沟P3。
[0125]背面电极层5和光电转换层4的图案化工序，除了如上所述改变照射激光的朝向和功率以外，可按照与光电转换层4的图案化工序基本相同的步骤实施。但是，如图1(f)所示，第三分离沟P3的位置需要与图1(b)所示的第一分离沟P1、及图1(d)所示的第二分离沟P2的位置错开。具体而言，需要以第一分离沟P1、第二分离沟P2、第三分离沟P3的顺序进行排列。此外，邻接的第二分离沟P2和第三分离沟P3的距离优选设为50?150 μ m左右。
[0126]实施例
[0127]以下，通过实施例对本发明进行详述，但本发明并不局限于这些实施例。
[0128](实施例)[0129]作为基体1，使用形成有将TiO2膜和SiO2膜层叠而得的防反射膜的钠钙玻璃基板(300mmX 300mmX 3.9mm)，通过常压CVD法，在该基体I的防反射膜上形成氟掺杂氧化锡膜作为透明导电性氧化物膜(透明电极层2)。采用常压CVD法的氟掺杂氧化锡膜的形成步骤按照如下所述的方法进行。
[0130]将钠钙玻璃基板用电加热器升温至550°C，自喷嘴向其喷射四氯化锡、水蒸气和氢氟酸，形成膜厚700nm的氟掺杂氧化锡膜。
[0131]接着，采用常压CVD法，在氟掺杂氧化锡膜上形成以氧化钛为主成分且含有导电性良好的氧化锡的保护涂膜3，作为导电性良好的氧化锡，含有氟作为掺杂剂。
[0132]采用常压CVD法的保护涂膜3的形成步骤按照如下所述的方法进行。
[0133]作为锡原料使用单丁基三氯化锡、作为钛原料使用四异丙醇钛，分别用加热鼓泡槽加热，并使用干燥氮气进行鼓泡，将规定量的原料与鼓泡气体一起作为蒸气取出。此外，对于作为氟原料的三氟乙酸，同样地用加热鼓泡槽加热、并使用干燥氮气进行鼓泡，按照三氟乙酸/四异丙醇钛的比率以摩尔比计达到0.2的条件进行调整、供给。将这些原料气体与氧气混合，将其喷射到加热至550°C的基板的形成有氟掺杂氧化锡膜的面上,从而在氟掺杂氧化锡膜上形成以氧化钛为主成分且含有导电性良好的氧化锡的保护涂膜3，作为导电性良好的氧化锡，含有氟作为掺杂剂。
[0134]接着，利用激光刻划法按照下述步骤实施作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3的图案化工序，在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3形成第一分离沟Pl。
[0135]该图案化工序中，作为光源使用波长1064nm的脉冲光纤激光器，使聚光后的1.3W的激光自保护涂膜3的膜面以IOkHz的重复频率、沿与基体的表面平行的方向每次移动10 μ m,并沿基体I的一端方向扫描，从而在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜和保护涂膜3形成宽度为26 μ m左右的线状的第一分离沟Pl (即、没有透明导电性氧化物膜和保护涂膜的沟状的区域)。在基体I的其他端方向上隔着IOmm左右的间隔重复该步骤，形成线状的第一分离沟Pl。
[0136]接着，在保护涂膜3上，利用等离子体CVD法依次形成作为P层的a_SiC:B层(20nm)、作为i层的a-S1:H层(350nm)、作为η层的a_S1:P层(40nm)，并分别使用SiH4/CH4/H2/B2H6、SiH4/H2、及SiH4/H2/PH3作为原料气体，从而形成由依次形成有P层、i层和η层的3层构成的单结构的光电转换层4。另外，上述原料气体中，“/”表示“和”，例如“SiH4/H2” (i层用原料)表示使用SiH4和H2作为原料。
[0137]接着，利用激光刻划法按照下述步骤来实施光电转换层4的图案化工序，在光电转换层4形成了第二分离沟P2。
[0138]该图案化工序中，作为光源使用波长1064nm的脉冲光纤激光器，使该激光源的二次谐波、即波长532nm的激光以输出功率144mW从基体I的背面侧隔着基体1、且以IOkHz的重复频率、沿着与基体的表面平行的方向每次移动20 μ m的条件进行照射。激光的照射部位的能量分布是仅仅单纯地聚光的高斯分布。
[0139]在相对于第一分离沟P1、中心线间的距离为100 μ m的位置处，以IOkHz的重复频率、沿与基体的表面平行的方向每次移动10 μ m，并沿基体I的一端方向进行扫描，从而在光电转换层4形成宽度40 μ m左右的线状的第二分离沟P2(即、没有光电转换层的沟状的区域)。这里，用电子显微镜(SEM)对同样地制成的试样进行观察，结果确认到在第二分离沟P2的中央部的宽度为20 μ m左右的区域中也没有透明导电性氧化物膜，第二分离沟P2的顶端位于透明导电性氧化物膜内。在基体I的其他端方向上隔着IOmm左右的间隔重复该步骤，相对于所有的所形成的线状的第一分离沟Pl，在距离第一分离沟Pl为100 μ m的位置处形成第二分离沟P2。
[0140]接着，使相对于Ga和锌的总和含有5摩尔％的Ga的GZO靶相对于基体I倾斜60°，实施直流溅射法，在光电转换层4上形成了约IOOnm的GZO层作为接触改善层。预先将真空装置减压至10_4Pa以下后，以75sccm的流量导入Ar气、以Isccm的流量导入CO2气体进行溅射，将溅射中的压力设为4 X KT1Pa,将溅射功率设为2.4ff/cm2。此外，GZO膜中的Ga含量与靶同样，相对于Ga和锌的总和为5摩尔％，基体I的温度设为100°C。GZO单膜的性能是:比电阻为5 X Kr3 Ω.cm，在500~800nm处的吸收系数为IXlOW0
[0141]然后，在GZO膜上，作为背面电极层5，使用Ag靶、在Ar气氛中利用溅射法(溅射中的压力:4X K^Pa、溅射功率:1.4ff/cm2)形成膜厚约200nm的Ag膜。
[0142]接着，利用激光刻划法按照下述步骤来实施背面电极层5和光电转换层4的图案化工序，在背面电极层5和光电转换层4形成了第三分离沟P3。
[0143]在该图案化工序中，作为光源使用波长1064nm的脉冲光纤激光器，将该激光源的二次谐波、即波长532nm的激光以输出功率45mW从基体I的背面侧隔着基体I进行照射。激光的照射部位的能量分布是仅仅单纯地聚光的高斯分布。
[0144]在相对于第二分离沟P2、中心线间的距离为100 μ m的位置(即、相对于第一分离沟P1、中心线间的距离为200μπι的位置)处，以IOkHz的重复频率、沿与基体的表面平行的方向每次移动30μηι,并沿基体I的一端方向进行扫描,从而在背面电极层5和光电转换层4形成宽度为33 μ m左右的线状的第三分离沟P3 (没有背面电极层和光电转换层的沟状的区域)。在基体I的其他端方向上隔着IOmm左右的间隔重复该步骤，相对于所有的所形成的线状的第二分离沟P2，在距离第二分离沟P2为100 μ m的位置处形成第三分离沟P3。
[0145]接着，在相对于第一分离沟、第二分离沟和第三分离沟分别垂直的方向上，在自基体I的两端分别为IOmm左右的部位，利用激光刻划法在光电转换层、背面电极层、保护涂膜和透明导电性氧化物膜层层叠而得的膜上形成用于将端部的边缘部分的不良部分切掉分离的沟，将该端部的不良部分电分离，从而制成薄膜太阳能电池单元。由于使用的基体是300mmX 300mm，所以串联地形成约28个280mmX IOmm尺寸的单元。此后，根据需要形成背面保护膜等，制成太阳能电池模块。
[0146]此外，除上述外，作为电阻值测定用的试样，按照与上述薄膜太阳能电池模块同样的工艺制成了图4示出的结构的试样。但是，如图4所示，没有形成第一分离沟P1，改变了第二分离沟P2和第三分离沟P3的位置。使用该试样，测定了在第二分离沟P2处的接触电阻。如图4的左侧所示，使用电阻计10测定了 “背面电极层5-第二分离沟P2-透明电极层2 (长度5mm)-第二分离沟P2-背面电极层5”的电阻值，此外，如图4的右侧所示，使用电阻计11测定了 “背面电极层5-第二分离沟P2-透明电极层2 (长度IOmm)-第二分离沟P2-背面电极层5”的电阻值。根据测得的透明电极层3为5mm时的电阻值与透明电极层3为IOmm时的电阻值的差 算出透明电极层3的电阻值，根据该结果，通过计算求出透明电极层3的长度为Omm时的电阻值，将其除以2，将所得的值作为在第二分离沟P2处的接触电阻。另外，图4中记载了电阻计采用两个电阻计，但理想的是用同一电阻计进行测定。
[0147]其结果是，在第二分离沟P2处的接触电阻在换算为宽度IOmm时是3.4Ω。
[0148]对于由上述的步骤所得的薄膜太阳能电池模块，在串联连接的长方形发电区域的两端部锡焊铜箔等布线材料，在采用太阳光模拟器的模拟太阳光的照射下测定电压一电流特性，测定转化效率等太阳能电池特性，求出1-V曲线。结果示于图3中。
[0149](比较例I)
[0150]光电转换层4的图案化工序中，除了将波长532nm的激光以输出功率41mW从基体I的背面侧隔着基体I进行照射以外，实施了与实施例同样的步骤。在光电转换层4形成了宽度33 μ m左右的线状的第二分离沟P2 (即、没有光电转换层的沟状的区域)。这里，用电子显微镜(SEM)观察同样地制造的试样，结果保护涂膜的下层的透明导电性氧化物膜没有大的损伤，通过SEM观察时观察到了保护涂膜。
[0151]对于比较例1，也按照与实施例同样的步骤测定了在第二分离沟P2处的接触电阻，结果为49 Ω。由此可认为，形成有第二分离沟P2的部分的保护涂膜因为激光的热而电阻值增加。
[0152]此外，按照与实施例同样的步骤求出I 一 V曲线。结果示于图3中。
[0153](比较例2)
[0154]除了在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜(氟掺杂氧化锡膜)上没有形成保护涂膜3以外，实施了与比较例I同样的步骤。
[0155]对于比较例2，也按照与实施例同样的步骤测定了在第二分离沟P2处的接触电阻，结果为0.1 Ω。
[0156]此外，按照与实施例同样的步骤求出I 一 V曲线。结果示于图3中。
[0157]图3中，将在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜(氟掺杂氧化锡膜)上形成了保护涂膜3的薄膜太阳能电池模块的实施例与比较例I相比较，可知接触电阻大的比较例I中1-V曲线的形状破坏，发电性能低。
[0158]此外，在作为透明电极层2的透明导电性氧化物膜(氟掺杂氧化锡膜)上没有形成保护涂膜3的比较例2中，认为接触电阻虽然低，但由于没有还起到折射率调整层的作用的保护涂膜，所以光封闭效率没有改善，与实施例相比入射至光电转换层的光少，发电量、即电流值小。
[0159]实施例、比较例的条件、结果示于表1中。
[0160][表 I]
[0161]
【权利要求】
1.一种薄膜太阳能电池模块的制造方法，该薄膜太阳能电池模块是在基体上依次层叠透明导电性氧化物膜、保护涂膜、光电转换层和背面电极层而形成的，具有多个薄膜太阳能电池单元，该多个薄膜太阳能电池单元是比所述基体更靠上部的层在与所述基板大致垂直的方向上被多个分离沟分割而成的，邻接的所述薄膜太阳能电池单元之间电串联连接，其特征在于，包括: 在所述基体上形成所述透明导电性氧化物膜的工序；在所述透明导电性氧化物膜上形成所述保护涂膜的工序；和采用激光刻划法在所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜上形成第一分离沟，将所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜分割的透明导电性氧化物膜和保护涂膜的图案化工序； 在所述第一分离沟内和所述保护涂膜上形成所述光电转换层的工序；采用激光刻划法在所述光电转换层形成第二分离沟，将所述光电转换层分割的光电转换层的图案化工序； 在所述第二分离沟内和所述光电转换层上形成所述背面电极层的工序；采用激光刻划法在所述背面电极层和光电转换层形成第三分离沟，将所述背面电极层和光电转换层分割的背面电极层和光电转换层的图案化工序； 以使所述第二分离沟的顶端位于所述透明导电性氧化物膜内的条件实施所述光电转换层的图案化工序。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，在所述光电转换层形成第二分离沟的激光刻划法的激光的功率密度大于0.1mW/μ m2。
3.如权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，在所述第二分离沟内将背面电极层和透明导电性氧化物膜电连接。
4.如权利要求1~3中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物膜是含有氟作为掺杂剂的氧化锡膜。
5.如权利要求1~4中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物膜的膜厚为400~1200nm。
6.如权利要求1~5中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述透明导电性氧化物膜的形成采用常压CVD法。
7.如权利要求1~6中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述保护涂膜是以氧化钛作为主成分且含有氧化锡的膜。
8.如权利要求1~7中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述保护涂膜的膜厚为10~lOOnm。
9.如权利要求1~8中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述保护涂膜的形成采用常压CVD法。
10.如权利要求1~9中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述光电转换层包括依次形成有P层、i层、n层的层、即p-1-n层。
11.如权利要求1~10中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述光电转换层的形成采用等离子体CVD法。
12.如权利要求1~11中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述背面电极层以银、铝、或它们的合金作为主成分。
13.如权利要求1~12中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述背面电极层的膜厚为100~300nm。
14.如权利要求1~13中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，所述背面电极层的形成采用溅射法。
15.如权利要求1~14中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，形成第二分离沟时的激光的照射部位处的能量分布为高斯分布。
16.如权利要求1~15中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法，其特征在于，在所述透明导电性氧化物膜和保护涂膜的图案化工序、所述光电转换层的图案化工序、以及所述背面电极层和光电转换层的图案化工序中，使用激发波长在1064nm附近的激光源。
17.—种薄膜太阳能电池模块 ,其特征在于，由权利要求1~16中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法制得。
18.—种薄膜太阳能电池模块，它是在基体上依次层叠透明导电性氧化物膜、保护涂膜、光电转换层和背面电极层而形成的，具有多个薄膜太阳能电池单元，该多个薄膜太阳能电池单元是比所述基体更靠上部的层被分离沟分割而成的，邻接的所述薄膜太阳能电池单元之间电串联连接，其特征在于， 所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜被第一分离沟分割，所述光电转换层被嵌入所述第一分离沟内，所述光电转换层被第二分离沟分割，所述背面电极层被嵌入所述第二分离沟内，所述背面电极层和光电转换层被第三分离沟分割，所述第二分离沟的顶端位于所述透明导电性氧化物膜内。
19.如权利要求18所述的薄膜太阳能电池模块，其特征在于，在所述第二分离沟内，背面电极层和透明导电性氧化物膜电连接。
【文档编号】H01L31/0224GK103907197SQ201280051972
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年8月31日 优先权日:2011年8月31日
【发明者】增茂邦雄, 东诚二 申请人:旭硝子株式会社