整合多个苯并环丁烯层与基底的方法和相关器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了将苯并环丁烯(BCB)层与基底整合的方法连同相应的器件。该方法包括在基底(12)上形成第一BCB层(18a)和将第一金属层(20a)沉积在第一BCB层(18a)上并且沉积在由第一金属层(20a)限定的通孔中。该方法还在第一金属层(20a)上形成第二BCB层(18b)并且将第二金属层(20b)沉积在第二BCB层(18b)上并且沉积在由第二金属层(20b)限定的通孔中。第二金属层(20b)延伸穿过由第二金属层(20b)限定的通孔以与第一金属层(20a)建立可操作的连接。第一和第二金属层(20a、20b)独立于至由基底(1w)承载的任何电路元件的电连接，但是第一和第二金属层(20a、20b)将第二BCB层(18b)固定至下层的结构并且降低分层的可能性。
【专利说明】整合多个苯并环丁烯层与基底的方法和相关器件
【技术领域】
[0001]本公开一般地涉及制造电子器件，并且更具体地涉及整合(integrate)多个苯并环丁烯层与基底的方法和相关器件。
【背景技术】
[0002]多层互连结构已被开发用于密集的电子封装组件。多层互连结构通常包括多个金属层和分开金属层的多个介电层，该金属层限定互连包括，例如垂直的和水平的互连。对于高频率的应用，如用于单片微波整合电路(MMIC)器件，与无机聚合物相反，介电层可由有机聚合物形成，因为由有机聚合物形成的介电层在更高频率产生较小的损耗。
[0003]可被用作多层互连结构的金属层之间的介电层的一种有机聚合物是苯并环丁烯(BCB)。在这点上，BCB对于微波区域中的信号具有2.65的相对低的介电常数和0.0001的相对低的损耗角正切。因此，具有BCB介电层的多层互连结构可在处于高频率比如微波和毫米波范围内的频率，在水平和垂直互连之间比利用其它类型的介电层的多层互连结构具有更小的寄生电容。
[0004]至少一些经配置的用于在相对高频率操作的电子器件可包括半导体层，其由例如在下层基底如碳化硅(SiC)基底上形成的II1-V材料如氮化镓(GaN)组成。半导体层可限定多个晶体管，该晶体管限定电子器件的功能。然后可在半导体层上形成多层互连结构。然而，BCB与II1-V材料如GaN具有相对差的粘附力。在这点上，BCB相对于GaN和其它II1-V材料在热膨胀系数方面具有相对大的失配。
[0005]BCB还可对于多层互连结构的金属互连具有差的粘附力。在这点上，对于经配置以在高频率操作的器件，金属互连可由金形成，因为金在高频率具有相对低的电阻损耗。然而，BCB相对于金互连也具有相对差的粘附力。
[0006]粘附促进剂-如由Dow Chemical Company开发的AP3000-可用来促进BCB
和GaN层之间的粘附力。然而，粘附促进剂不增加BCB和金互连之间的粘附力，并且因此，利用BCB形成介电层的多层互连结构仍可遭受差的粘附力。
[0007]BCB介电层的差的粘附力可在BCB介电层的分层上证明其本身。在这点上，具有包括BCB介电层的多层互连结构的电子器件的制造方法可包括将电子器件暴露于各种溶剂——如在酸洗期间。由于BCB层和金互连之间的差的粘附力并且由于BCB层和金互连之间的——并且在一些情况中BCB层和GaN之间的——毛细作用，溶剂可迁移，从而产生BCB层的分层。这种分层可导致电子器件不被接受使得电子器件必须被废弃。由于在将电子器件暴露到各种溶剂期间分层可不发生直到制作方法的最后，分层的代价尤其大，因为电子器件在分层发生前已进行了大部分的一如果不是全部一的制造过程。
[0008]对于制造电子器件的方法和具有优于以上列举的优势的相关电子器件存在需要。
【发明内容】
[0009]提供了将多个苯并环丁烯(BCB)层与基底整合的方法连同相应的器件。通过整合多个BCB层与基底，该方法可降低BCB层和各种金属层如多层互连结构的金属互连以及BCB层和基底之间的分层的可能性。通过降低分层的可能性，一个实施方式的方法可相应地增加成功制造具有包括BCB介电层的多层互连结构的可接受的器件的可能性。因此，具有多层互连结构与BCB介电层的器件如MMIC器件可被更加一致和成功地制造，包括例如设计用于高频率应用的电子器件。
[0010]在一个实施方式中，提供了将多个BCB层与基底整合的方法，其包括在基底上形成第一 BCB层。第一 BCB层限定穿过其的多个通孔(via)。该方法还将第一金属层沉积在第一 BCB层上并且沉积在由第一金属层限定的多个通孔中。该方法还在第一金属层上形成第二 BCB层。第二 BCB层也限定穿过其的多个通孔。该实施方式的方法额外地将第二金属层沉积在第二 BCB层上并且沉积在由第二金属层限定的多个通孔中。如此，第二金属层延伸穿过由第二金属层限定的通孔以与第一金属层建立可操作的连接。由于金属层之间的可操作的连接，第二 BCB层被有效地固定至下层的结构以便降低分层的可能性。该实施方式的第一和第二金属层独立于至由基底承载的任何电路元件的电连接。
[0011]一个实施方式的方法还可包括提供在其上具有外延半导体(如，氮化镓(GaN)或其它II1-V半导体材料)层的基底。在该实施方式中，该方法还可将金属层沉积在外延半导体或GaN层上。如此，第一 BCB层可在金属层上形成。在这点上，沉积第一金属层可包括与金属层建立可操作的连接，从而有效地将第一 BCB层固定至下层的结构。
[0012]一个实施方式的方法还可包括在形成第二 BCB层之前将金属粘附层沉积在第一金属层上。一个实施方式的方法还可最接近于模具(die)的边缘形成第一和第二 BCB层并将第一和第二金属层沉积。一个实施方式的方法还可包括形成金属互连，其与第一金属层和第二金属层中的至少之一的形成同时发生。在这点上，金属互连经配置以与由基底承载的电路元件建立电连接，但是独立于与第一和第二金属层的电连接。一个实施方式的方法可通过限定穿过第二 BCB层的通孔在第一 BCB层的通孔中偏置(offset)而形成第二 BCB层。
[0013]在另一个实施方式中，提供了将多个BCB层与基底整合的方法，该方法包括提供在其上具有氮化镓(GaN)层的基底。该方法还在GaN层上形成第一 BCB层。第一 BCB层限定穿过其的多个通孔。该方法还将第一金属层沉积在第一 BCB层上并且沉积在由第一金属层限定的多个通孔中。该方法还将金属粘附层沉积在第一金属层上，并且然后在金属粘附层上形成第二 BCB层。第二 BCB层限定穿过其的多个通孔。该方法还将第二金属层沉积在第二 BCB层上并且沉积在由第二金属层限定的多个通孔中。该实施方式的第一和第二金属层独立于至由基底承载的任何电路元件的电连接。
[0014]—个实施方式的方法还可包括在GaN层上沉积金属层。在该实施方式中,第一 BCB层的形成可包括在金属层上形成第一 BCB层。由此，第一金属层的沉积可包括与金属层建立可操作的连接。在一个实施方式中，第一金属层的沉积可包括沉积由金形成的第一金属层。在一个实施方式中，最接近于模具的边缘可形成第一和第二 BCB层,并且可沉积第一和第二金属层。在一个实施方式中，该方法还可包括形成金属互连，其与第一金属层和第二金属层中的至少之一的形成同时发生。在这点上，金属连接经配置以与由基底承载的电路元件建立电连接，但是独立于与第一和第二金属层的电连接。在一个实施方式中，第二 BCB层的形成可包括限定穿过第二 BCB层的通孔与第一 BCB层的通孔偏置。[0015]在进一步实施方式中，提供了包括基底和多个BCB层的器件，该多个BCB层包括在基底上的第一 BCB层。第一 BCB层可限定穿过其的多个通孔。该器件还包括在第一 BCB层上和在由第一金属层限定的多个通孔中的第一金属层。多个BCB层还包括在第一金属层上的第二 BCB层。第二 BCB层限定穿过其的多个通孔。该实施方式的器件还包括在第二 BCB层上的和在由第二金属层限定的多个通孔中的第二金属层。如此，第二金属层延伸穿过由第二金属层限定的通孔以与第一金属层建立可操作的连接，从而有效地将第二 BCB层固定至下层的结构并且降低第二 BCB层分层的可能性。该实施方式的第一和第二金属层独立于至由基底承载的任何电路元件的电连接。
[0016]一个实施方式的器件还包括在基底上的氮化镓(GaN)层。在该实施方式中，第一BCB层在GaN层上。该实施方式的器件还可包括在GaN层上的金属层。如此,该实施方式的第一 BCB层在金属层上。此外，该实施方式的第一金属层与金属层建立可操作的连接，从而有效地将第一 BCB层固定至下层的结构以便降低第一 BCB层分层的可能性。一个实施方式的器件还可包括在第一金属层上的金属粘附层。因此，该实施方式的第二 BCB层可以在金属粘附层上。一个实施方式的器件可包括模具，其中第一和第二 BCB层和第一和第二金属层最接近于模具的边缘。在一个实施方式中，该器件还可包括与第一金属层和第二金属层中的至少之一同时形成的金属互连。在这点上，金属互连经配置以与由基底承载的电路元件建立电连接，但独立于与第一和第二 BCB层的电连接。
[0017]已经讨论的特征、功能和优点可在本公开的各种实施方式中独立地实现或可在仍其它的实施方式中结合，本公开的进一步细节可参考以下描述和附图进行理解。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]因此已经概括地描述了本公开的示例性实施方式，现在将参考附图，附图没必要按比例绘制，并且其中:
[0019]图1是根据本公开的一个实施方式的器件的侧视图；
[0020]图2是根据本公开的一个实施方式进行的操作的流程图；
[0021]图3是与根据本公开的一个实施方式的与多个BCB层有关的多个金属层的透视图；
[0022]图4是当从不同优势位置获取时与图3的多个BCB层关联的多个金属层的透视图；
[0023]图5是包括根据本公开的一个实施方式的器件的模具的平面图，其图解了金属层和BCB层的外围布置。
【具体实施方式】
[0024]现在本公开将在下文中参考附图更全面地进行描述，其中示出了一些而不是全部的实施方式。实际上，本公开可以以许多不同的形式进行实施并且不应理解为限于本文说明的实施方式；而是，提供这些实施方式以便本公开将满足适用的法律要求。全文中相同的数字表示相同的元件。
[0025]现参考图1，描绘了根据本公开的一个实施方式的器件10。虽然根据本公开的实施方式可以制造多种器件，但是至少一些器件可被设计用于高频率应用，其包括但不限于涉及具有在微波和/或毫米范围内的频率的信号的应用，该器件例如包括有源电子扫描天线(AESA)和其它丽IC器件。
[0026]如在图1中所示的，器件10可包括基底12。虽然器件10可包括多种基底12，但是一个实施方式的基底可由碳化硅(SiC)形成。器件10还可包括在基底12上形成的用于限定器件的一个或更多电路元件的外延半导体层14，如一个或更多限定器件的功能的晶体管。一个实施方式的半导体层14由限定了多个晶体管的II1-V材料如氮化镓(GaN)形成，该多个晶体管又限定了器件10的功能。如此，根据本公开的一个实施方式的制造器件10的方法可包括提供在其上具有形成的GaN层14的基底，如在图2的操作30中示出的。
[0027]虽然未在图1中示出，但是器件10可包括包含多个金属层以及分开金属层的多个介电层如多个BCB层的多层互连结构，该多个金属层限定例如由例如金形成的水平和垂直互连。多层互连结构将由外延半导体层14限定的并且由基底12承载的电路元件电连接至另一个电路元件和/或至外接(offboard)电气组件。为了避免或至少降低BCB层分层的可能性，器件10还可包括叠堆的结构，其在下文进行描述并且以降低它们分层的可能性的方式用于将BCB层固定至下层的结构。
[0028]在这点上,器件10可包括包含如通过旋涂(spin coating)在基底12上形成的第一 BCB层18a的多个BCB层，如在图2的操作34中示出的。本文中提到的层——如第一 BCB层18a，在或置于在另一层上并不必然表示该层彼此紧邻布置以便处于物理接触。反而，第一层可被认为在第二层上，只要一层重叠在另一层上，即使有一个或更多中间的或居间的层位于第一和第二层之间。在图解的实施方式中，例如，半导体层如GaN层14可在基底12上形成，如上述，并且第一 BCB层18a可在GaN层上形成。为了提高第一 BCB层18a与GaN层14的粘附力，金属层16也可被沉积在GaN层上，如镍层、钛层或铝层，并且第一 BCB层又可在金属层上形成。见图2的操作32和34。
[0029]如图1中所示的，第一 BCB层18a限定穿过其的多个通孔。在这点上，由第一 BCB层18a限定的多个通孔延伸穿过第一 BCB层的整个厚度。由第一 BCB层限定的这些通孔不同于为在不同层之间建立电连接的目的而限定的其它通孔。
[0030]器件10还包括在第一 BCB层18a上和在由第一 BCB层限定的多个通孔中如通过派射而形成的第一金属层20a。在一个实施方式中，第一金属层20a填充由第一 BCB层18a限定的通孔。然而，在图解的实施方式中，第一金属层20a覆盖(plate)由第一 BCB层18a限定的通孔，而不填充通孔。虽然第一金属层20a可由各种金属形成，但是一个实施方式的第一金属层由金形成。如所示的，第一金属层20a延伸穿过通孔，如沿着限定通孔的壁的镀层(plating)，以便与下面的层建立可操作的连接。在其中金属层16在半导体层如GaN层14上形成的实施方式中，第一金属层20a可与金属层建立可操作的连接。
[0031]由于该可操作的连接，第一金属层20a有效地将第一 BCB层18a固定至下层的结构。实际上，第一金属层20a可充当具有由镀层限定的穿过由第一 BCB层18a限定的通孔向下延伸的腿部的钉(staple)和重叠在第一 BCB层上并且互连向下延伸的腿部的连接器部分。由于该实施方式的向下延伸的腿部的远端与下层的结构如金属层16可操作地连接，所以第一金属层20a有效地将第一 BCB层18a钉在下层的结构上。
[0032]第一金属层20a可与也在第一 BCB层18a上形成的互连结构的金属层同时形成。然而，第一金属层20a独立于，S卩，没有电连接至互连结构并且独立于至由基底12承载的任何电路元件以及至基底的任何外接电气组件的电连接。因此，第一金属层20a与互连结构、与由基底12承载的任何电路元件以及与基底的任何外接电气组件电隔离。
[0033]接着第二 BCB层18b可在第一金属层20a上形成，如在图2的操作40中所示。虽然第二 BCB层18b可直接在第一金属层20a上形成，但是一个实施方式的器件10包括沉积在第一金属层20a上的金属粘附层22a，如由铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)或其它金属形成的金属粘附层，其被电镀在第一金属层上。见图2的操作38。在该实施方式中,第二 BCB层18b可在金属粘附层22a上形成以便更加牢固地粘附到下层的金属层20a，并且进而是下层的结构。第二 BCB层18b还限定穿过其的多个通孔。在一个实施方式中，由第二 BCB层18b限定的多个通孔是偏置的，如与宽度同向或横向地，例如从由第一 BCB层18a限定的通孔在图1中示出的器件10的方向上的水平方向。
[0034]一个实施方式的器件10还包括沉积在第二 BCB层18b上并且沉积在由第二金属层限定的多个通孔中的第二金属层20b。见图2的操作42。在一个实施方式中，第二金属层20b可填充由第二 BCB层18b限定的通孔。然而，在图解的实施方式中，第二金属层20b覆盖(plate)由第二 BCB层18b限定的通孔,而不填充该通孔。虽然第二金属层20b可由各种金属形成，但是一个实施方式的第一和第二金属层由同样的金属形成，如金。因为第二金属层20b延伸穿过由第二 BCB层18b限定的通孔，所以第二金属层可与第一金属层20a建立可操作的连接。在一个实施方式中，第二金属层20b可与第一金属层20a建立直接连接。然而，在其中金属粘附层22a被沉积在第一金属层20a上的其它实施方式中，第二金属层20b可与金属粘附层产生直接连接，并且进而与下层的第一金属层产生可操作的连接。在任一情况中，第二金属层20b可用来将第二 BCB层18b固定至下层的结构以便降低第二BCB层分层的可能性。实际上，如以上结合第一金属层20a进行描述的，第二金属层20b可用来将第二 BCB层18b有效地钉至下层的结构。
[0035]第二金属层20b可与也在第二 BCB层18b上形成的互连结构的金属层同时形成。然而，第二金属层20b独立于，S卩，没有电连接至互连结构并且独立于至由基底12承载的任何电路元件以及至基底的任何外接电气组件的电连接。因此，第二金属层20b与互连结构、与由基底12承载的任何电路元件以及与基底的任何外接电气组件电隔离。
[0036]在其中多层互连结构包括三个或更多作为互连之间的介电层的BCB层的实施方式中，器件10可包括交替顺序的BCB层和金属层，金属层被涂覆，在一些实施方式中，具有金属粘附层。在图1中图解的实施方式中，例如，器件10包括金属覆盖的通孔的叠堆，该叠堆包括在每个各自的BCB层上具有金属层20a、20b、20c、20d和金属粘附层22a、22b、22c、22d的四个BCB层18a、18b、18c、18d。在该实施方式中，重叠在下层的BCB层上的金属层不仅可重叠在BCB层上，还可延伸穿过由下层的BCB层限定的通孔以便与下层的金属层建立可操作的连接，从而有效地将各自的BCB层固定至下层的结构并且降低BCB层分层的可能性。
[0037]通过实例的方式，包括五个金属层16、20a、20b、20c、20d和四个BCB层18a、18b、18c、18d的器件10的一部分在图3和图4中示出。在这点上，第一 BCB层18a夹在金属层16和第一金属层20a之间,第二 BCB层18b布置在第一金属层20a和第二金属层20b之间，第三BCB层18c位于第二金属层20b和第三金属层20c之间，以及第四BCB层18d布置在第三金属层20c和第四金属层20d之间。如将认识到的，BCB层可具有不同的厚度，使得延伸穿过由各自的BCB层限定的通孔的金属层的向下延伸部分又可具有不同的长度。例如，第二金属层18b的向下延伸部分比第一金属层18a的向下延伸部分长，因为第二 BCB层18b比第一 BCB层18a厚。通过将重叠的金属层可操作地连接至下层的金属层，居间的BCB层可被固定至下层的结构使得各自的BCB层分层的可能性降低。
[0038]金属覆盖的通孔的叠堆28 (例如，其中一个在图3和图4中示出)可在不包括电互连和电路元件的模具26的任何部分中形成，S卩，金属覆盖的通孔的叠堆28可在模具的任何空的空间中形成。如在图5的平面图中示出的，例如，金属覆盖的通孔的叠堆28可在最接近于包括器件10的模具26的边缘形成。通过最接近于模具26的边缘形成金属覆盖的通孔的叠堆28，金属覆盖的通孔的叠堆可降低BCB层将分层的可能性，这是由于这种分层一般从模具的边缘开始，如因为溶剂侵入BCB层和相邻层之间。通过根据一个实施方式只在最接近于模具26的边缘形成金属覆盖的通孔的叠堆28，一个实施方式的模具的中心部分没有金属覆盖的通孔的叠堆，使得多层互连结构到下层的半导体层可在模具的中心部分以传统的方式形成。如此，金属覆盖的通孔的叠堆28的金属层20a、20b、20c、20d电独立，并且与多层互连结构的金属互连和由基底12承载的电路元件不同。然而，金属层20a、20b、20c、20d用于将在多层互连结构的金属互连之间充当介电层的BCB层18a、18b、18c、18d固定至下层的结构，以便降低BCB层分层的可能性。
[0039]本文阐述的本公开的许多修改和其它实施方式将被本领域技术人员意识到，其将在这些实施方式涉及具有的在前述描述和相关附图中呈现的教导中获益。因此，应当理解本公开并不限于公开的【具体实施方式】，并且修改和其它实施方式意欲被包含在所附权利要求的范围内。虽然本文采用了具体的术语，但是它们只用于概括和描述的意义并且不是用于限制的目的。
【权利要求】
1.一种将多个苯并环丁烯(BCB)层与基底整合的方法，所述方法包括: 在所述基底(12)上形成第一 BCB层(18a)，其中所述第一 BCB层(18a)限定穿过其的多个通孔； 将第一金属层(20a)沉积在所述第一 BCB层(18a)上并且沉积在由所述第一 BCB层(20a)限定的所述多个通孔中； 在所述第一金属层(20a)上形成第二 BCB层(18b)，其中所述第二 BCB层(18b)限定穿过其的多个通孔；和 将第二金属层(20b)沉积在所述第二 BCB层(18b)上并且沉积在由所述第二 BCB层(18b)限定的所述多个通孔中，使得所述第二金属层(20b)延伸穿过由所述第二 BCB层(18b)限定的所述通孔以与所述第一金属层(20a)建立可操作的连接， 其中所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)独立于至由所述基底(12)承载的任何电路元件的电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括提供在其上具有外延半导体层(14)的所述基底(12)。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在所述外延半导体层上沉积金属层(16)，其中形成所述第一 BCB层(18a)包括在所述金属层(16)上形成所述第一 BCB层(18a)，并且其中沉积所 述第一金属层(20a)包括与所述金属层(16)建立可操作的连接。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述外延半导体层是II1-V材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述第二BCB层(18b)之前在所述第一金属层(20a)上沉积金属粘附层(22a)。
6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一BCB层和第二 BCB层(18a、18b)和沉积所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)包括最接近于模具(26)的边缘形成所述第一BCB层和第二 BCB层(18a、18b)和沉积所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括与形成所述第一金属层(20a)和所述第二金属层(20b)中的至少之一同时形成金属互连，其中所述金属互连经配置以与由所述基底(12)承载的电路元件建立电连接，但独立于与所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)的电连接。
8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第二BCB层(18b)包括限定穿过所述第二BCB层(18b)的所述通孔与所述第一 BCB层(18a)的所述通孔偏置。
9.一种将多个苯并环丁烯(BCB)层与基底整合的方法，所述方法包括: 提供在其上具有氮化镓(GaN)层的所述基底(12)； 在所述GaN层(14)上形成第一 BCB层(18a)，其中所述第一 BCB层(18a)限定穿过其的多个通孔； 将第一金属层(20a)沉积在所述第一 BCB层(18a)上并且沉积在由所述第一 BCB层(18a)限定的所述多个通孔中； 在所述第一金属层(20a)上沉积金属粘附层(22a)； 在所述金属粘附层(22a)上形成第二 BCB层(18b)，其中所述第二 BCB层(18b)限定穿过其的多个通孔；和 将第二金属层(20b)沉积在所述第二 BCB层(18b)上并且沉积在由所述第二 BCB层(18b)限定的所述多个通孔中， 其中所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)独立于至由所述基底(12)承载的任何电路元件的电连接。
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括在所述GaN层(12)上沉积金属层(16)，其中形成所述第一 BCB层(18a)包括在所述金属层(16)上形成所述第一 BCB层(18a)，并且其中沉积所述第一金属层(20a)包括与所述金属层(16)建立可操作的连接。
11.根据权利要求8所述的方法，其中沉积所述第一金属层(20a)包括沉积由金构成的第一金属层(20a)。
12.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第一BCB层和第二 BCB层(18a、18b)和沉积所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)包括最接近于模具(26)的边缘形成所述第一BCB层和第二 BCB层(18a、18b)和沉积所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)。
13.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括与形成所述第一金属层(20a)和所述第二金属层(20b)中的至少之一同时形成金属互连，其中所述金属互连经配置以与由所述基底(12)承载的电路元件建立电连接，但独立于与所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)的电连接。
14.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第二BCB层(18b)包括限定穿过所述第二BCB层(28b)的所述通孔与所述第一 BCB层(18a)的所述通孔偏置。
15.一种器件，其包括: 基底(12)； 在所述基底(12)上包括第一 BCB层(18a)的多个BCB层(18a、18b、18c、18d)，其中所述第一 BCB层(18a)限定穿过其的多个通孔； 第一金属层(20a),其在所述第一 BCB层(18a)上并且在由所述第一 BCB层(18a)限定的所述多个通孔中； 其中所述多个BCB层(18a、18b、18c、18d)进一步包括在所述第一金属层(20a)上的第二 BCB层(18b)，其中所述第二 BCB层(18b)限定穿过其的多个通孔；和 第二金属层(20b)，其在所述第二 BCB层(18b)上并且在由所述第二 BCB层(18b)限定的所述多个通孔中，使得所述第二金属层(20b)延伸穿过由所述第二 BCB层(18b)限定的所述通孔，以与所述第一金属层(20a)建立可操作的连接， 其中所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)独立于至由所述基底(12)承载的任何电路元件的电连接。
16.根据权利要求14所述的器件，其进一步包括在所述基底(12)上的外延半导体层(14)，其中所述第一 BCB层(18a)在所述外延半导体层(14)上。
17.根据权利要求14所述的器件，其进一步包括在所述基底(12)上的氮化镓(GaN)层(14)，其中所述第一 BCB层(18a)在所述GaN层(14)上。
18.根据权利要求17所述的器件，其进一步包括在所述GaN层上的金属层(16)，其中所述第一 BCB层(18a)在所述金属层(16)上，并且其中所述第一金属层(20a)与所述金属层(16)建立可操作的连接。
19.根据权利要求14所述的器件，其进一步包括在所述第一金属层(20a)上的金属粘附层(22a)，其中所述第二 BCB层(18b)在所述金属粘附层(22a)上。
20.根据权利要求14所述的器件，其中所述器件包括模具(26)，并且其中所述第一BCB层和第二 BCB层(18a、18b)和所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)最接近于所述模具(26)的边缘。
21.根据权利要求14所述的器件，其进一步包括与所述第一金属层(20a)和所述第二金属层(20b)中的至少之一同时形成金属互连，其中所述金属互连经配置以与由所述基底(12)承载的电路元件建立电连接，但独立于与所述第一金属层和第二金属层(20a、20b)的电连 接。
22.根据权利要求14所述的器件，其中所述第二BCB层(18b)的所述通孔与所述第一BCB层(18a)的所述通孔偏置。
【文档编号】H01L23/00GK103959460SQ201280059524
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2012年8月30日 优先权日:2011年12月2日
【发明者】H·谢里菲, A·D·马戈米诺斯, A·K·库多格里安, M·米佐维奇, K·希原赫拉, C·M·巴特勒 申请人:波音公司