技术总结
本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G‑，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+，NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。
技术研发人员：张守明;淮永进;刘伟;唐晓琦;杨京花;赵小瑞;杨显精;薛佳
受保护的技术使用者：北京燕东微电子有限公司;北京时代华诺科技有限公司
文档号码：201310139156
技术研发日：2013.04.19
技术公布日：2016.12.28