发光装置的制作方法

本发明涉及一种使用了半导体发光元件的发光装置。

背景技术：
在使用了半导体发光元件的发光装置中，已知有不使用电线来向半导体发光元件施加电力（供电）的倒装片安装。例如，已知有如下的方法：在使氮化物半导体层在绝缘性的蓝宝石基板上生长的氮化镓（GaN）系半导体发光元件的情况下，在半导体层上（同一面侧）形成p电极和n电极，并以使这些电极与设置于电路基板的布线相向的方式配置这些电极，利用导电性的接合构件使电极和电路基板的布线接合，使得以能够导通的方式相互连接。该方法使来自半导体发光元件的光难以穿射基板方向，而是能够从上面及侧面方向高效率地射出。作为用于使基板和半导体发光元件导通的导电性的接合构件，已知有焊锡、电镀凸块（platingbump）等，但是由于在发光元件很小的情况下，p电极与n电极的距离变短，所以易于发生短路。因此，已知有利用各向异性导电粘接剂来作为接合构件。各向异性导电粘接剂为使导电粒子混合在热固化性树脂中的构件，已知有膜状的各向异性导电膜（ACF：AnisotropicConductiveFilm）、膏状的各向异性导电膏（ACP：AnisotropicConductivePaste）。特别是在设置于微小的区域的情况下，适合应用通过印刷能够设置在任意的大小/区域的ACP、ACI。已知采用在金属粒子、绝缘性粒子的表面涂覆布线导体而得的复合粒子，来作为导电粒子，在用作半导体发光元件的接合构件的情况下，采用反射率高的导电粒子（例如专利文献1）。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-157940号公报由于各向异性导电粘接剂不仅使半导体发光元件导通，还作为使半导体发光元件固定的芯片焊接（diebond）构件起作用，所以各向异性导电粘接剂设置成大于半导体发光元件的面积（大面积）。另外，需要以某种程度的厚度设置各向异性导电粘接剂，有时会以至少覆盖半导体发光元件的侧面的一部分的方式形成焊脚。然而，为了获得均匀的导电性，需要以在各向异性导电粘接剂中按照规定的浓度均匀地分散导电粒子的方式混合导电粒子，因此，从俯视来看，设置于半导体发光元件的周边的部分或焊脚中也存在很多导电粒子。由于导电粒子的至少表面为金属，所以这些导电粒子多少会吸收一些从半导体发光元件的侧面射出的光。

技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明的发光装置具有：具有布线导体的基体；将导电粒子混入到透光性树脂中而形成的各向异性导电粘接构件；借助所述各向异性导电粘接构件来接合在所述布线导体上的半导体发光元件，所述发光装置的特征在于，在所述各向异性导电粘接构件中，所述半导体发光元件的周围区域的导电粒子的浓度，低于夹在所述半导体发光元件与所述基体之间的下部区域的导电粒子的浓度。根据这种结构，能够实现抑制所述周围区域的各向异性导电粘接构件中的导电粒子对光的吸收并且光取出效率好的发光装置。附图说明图1是本实施方式的发光装置的剖视图。图2A是表示各向异性导电粘接剂的示意图。图2B是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图2C是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图2D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图3A是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图3B是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。图4是本实施方式的发光装置的俯视图。图5是本实施方式的发光装置的俯视图。图6是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。其中，附图标记说明如下：100发光装置10发光元件20基体21母材（绝缘构件）22布线导体30各向异性导电粘接剂31导电粒子32透光性树脂A下部区域B外部区域B1焊脚部40封固构件M磁场产生构件（U字磁铁）具体实施方式下面，一边参照附图，一边说明用于实施本发明的方式。但是，下面示出的方式例示了用于具体实现本发明的技术思想的发光装置，本发明不限于下面的内容。另外，就实施方式中所记载的结构部件的尺寸、材质、形状、结构部件的相对的配置等而言，只要没有特定的记载，本发明的范围就不限定于所记载的内容，仅为例示。此外，有时为了明确说明，会夸大（放大）各图面示出的构件的大小、位置关系等。参照图1、图2A～图2D，说明本发明的实施方式的发光装置。图1是本实施方式的发光装置的剖视图，图2A～图2D是说明图1示出的发光装置的制造方法的图。如图1所示，发光装置100具有：基体20，其具有作为正负一对电极起作用的一对布线导体22和保持该布线导体22的绝缘性的母材21；各向异性导电粘接剂30，导电粒子31混入到透光性树脂32中而形成；半导体发光元件10（下面，称为“发光元件”），其借助各向异性导电粘接剂30，接合在基体20上。在各向异性导电粘接构件30中，半导体发光元件10周围的周围区域B的导电粒子的浓度低于夹在半导体发光元件10与基体20之间的下部区域A的导电粒子的浓度。像这样，使易于吸收来自发光元件的光的导电粒子不均匀，以使需要导通的下部区域A的浓度高，由此能够不妨碍在下部区域A中发光元件10的电极与基体20的布线导体22之间的导通的同时，抑制周围区域B的导电粒子对光的吸收。在此，在本说明书中，“下部”、“上部”、“上侧”、“下侧”的定义如下：将接近基体20的一侧作为“下部”、“下侧”，将远离基体的一侧作为“上部”、“上侧”，而不是指在实际的使用方式中的上下关系。而且，除了指正上方、正下方以外，还包括从剖视来看不位于正上方、正下方的上下关系。如上所述，各向异性导电粘接构件30设置成大于发光元件的面积的大面积，如图1所示，各向异性导电粘接构件30具有设置在发光元件10的下方的下部区域A、设置在发光元件10的周围并且在发光元件10的侧面的外侧的周围区域B。并且，就各向异性导电粘接构件30中的导电粒子31的浓度而言，下部区域A高于周围区域B。即，在与基体20的上表面平行的方向（横方向）上，像各向异性导电粘接构件中的导电粒子的浓度高的区域（下部区域A）和分布浓度低的区域（外部区域B）这样，使导电粒子不均匀，以设置浓度不同的区域。这样，通过在需要导通的发光元件的下方配置较多的易于吸收光的导电粒子，在光吸收成问题的周围区域配置较少的上述导电粒子，使得难以吸收从发光元件10的侧面射出的光，能够抑制光的取出效率下降。还能够将各向异性导电粘接构件的周围区域B做成不存在导电粒子的区域，即，做成仅由透光性树脂形成的区域，由此，能够进一步减少对光的吸收。另外，即使在发光元件10的外侧存在导电粒子，只要降低光吸收成问题的周围区域的导电粒子的浓度，即能够使对光的吸收减少。即，就外部区域中的导电粒子的浓度而言，通过将接近发光元件的一侧设为低浓度，并且将远离发光元件的一侧设为高浓度，就能够减少光的吸收。图4及图5是发光装置的基体的俯视图，发光装置具有在母材21上设置有一对布线导体22的基体20、与各布线导体22连接的长方形的发光元件10、以包围发光元件10的方式设置的各向异性导电粘接构件30。在发光元件10的侧面外侧的部分为各向异性导电粘接构件的外部区域，包括周围区域B。在该外部区域中，与远离发光元件的一侧（隔离区域C）相比，接近发光元件的一侧（周围区域B）的导电粒子的浓度更低。图4及图5利用浓淡度表示导电粒子的分布状态，黑的部分表示浓度高的区域，发光元件10附近的白的部分表示浓度低的区域。通过以这种方式使导电粒子远离发光元件，能够减少吸收。此外，如图5所示，在（隔离区域C）中，可以存在导电粒子的浓度低的区域。另外，如图4所示，从各向异性导电粘接剂的俯视来看，浓度可以朝向所有的方向都不同，或者，如图5所示，也可以使浓度在任意的方向上不同。在此，例示了设置成在左右方向上彼此分离的图，但不限于此，还可以设置成在上下方向上分离，进而，还可以设置成在某一处集中分布导电粒子。无论采用哪种方式，都优选地，将导电粒子配置在远离发光元件的位置，以使导电粒子不位于发光元件附近。另外，各向异性导电粘接构件30的周围区域B具有沿着发光元件10的侧面向上爬（向上成形）的焊脚部B1。并且，焊脚部B1的下侧的导电粒子31的浓度高于上侧的浓度。即，在与基体20的上表面垂直的方向（纵方向）上，设置有导电粒子的浓度不同的区域。由此，能够使得导电粒子31难以吸收发光元件10的侧面射出的光。像这样，使导通所需的导电粒子不均匀，以使导电粒子不分散到不需要导通的区域，由此能够降低对光的吸收，还能够减少固化前的各向异性导电粘接剂中的导电粒子31的量。因此，例如，在使荧光体、光扩散剂等扩散混合在各向异性导电粘接剂中的情况下，能够减少借助这些荧光体、光扩散剂等来进行波长转换、反射/散射之后的光被导电粒子吸收的整个吸收量，从而能够实现光取出效率很高的发光装置。在各向异性导电粘接构件的内部（相对于基体的上表面平行的方向、垂直的方向），为了使导电粒子的浓度不同，需要在各向异性导电粘接剂固化之前使导电粒子移动。在此，在基体的里面侧（载置发光元件的部分的里面侧）配置磁场产生构件，从而向固化前的各向异性导电粘接剂施加磁场，将导电粒子吸引至接近发光元件的一侧即基体侧，由此使导电粒子的浓度在各向异性导电粘接剂的中央附近与外周附近、或在上侧和下侧发生变化。此外，在本说明书中，“磁场产生构件”是指，能够产生磁场的构件，除了已经成为磁铁的构件以外，还包括线圈等通过通电来产生磁场的构件。因此，上述的“配置磁场产生构件来施加磁场”是指，在为磁铁的情况下，以该磁铁所具有的磁场接近各向异性导电粘接剂的方式移动并配置该磁铁。另外，在为线圈等的情况下，可以在通过通电来产生磁场之后，像磁铁那样移动并配置该线圈，或者，可以不进行物理性的移动，而是通过通电/不通电来控制磁场的施加/切断。此外，在各向异性导电粘接剂固化之后，可以停止向各向异性导电粘接剂施加磁场。下面，针对各构件进行详细的说明。（基体）基体20包括作为绝缘构件的母材21、由母材21保持且作为正负一对电极起作用的布线导体22，能够根据所使用的发光元件的个数、使用方式等，采用各种各样的材质或形状。除了采用框架插入式（frameinserttype）的树脂封装、玻璃环氧树脂封装、陶瓷封装、金属封装等的LED以外，还可以采用没有柔韧性的刚性基板、有柔韧性的柔性基板（可挠性基板），进而还可以采用COB（chiponboard：板上芯片）、COF（chiponfilm：膜上芯片），该COB、COF使用了组合了上述那些基板的刚柔性基板等。布线导体具有端子部，以使得能够从外部供电，端子部能够设置在基体20的上表面、侧面、下表面等。在为COB、COF的情况下，能够在端子部设置连接器。从俯视来看，基体20的形状能够构成为外形为长方形、四边形、多边形、圆形、椭圆形，还能够构成为组合了这些形状的形状。另外，从剖视来看，除了图1示出的平板状的基体20以外，还能够为具有凹部的厚度不同的基体，其中，凹部具有侧壁部和底面部。另外，优选地，载置有发光元件的面（布线导体的上表面）为大致相同的高度，由此，在安装发光元件之后进行加压（热压接）时，易于同样地（均匀地）施加负重，能够高可靠性地进行接合。能够采用陶瓷、树脂、玻璃等来作为母材。例如，能够采用氮化铝、氧化铝、LTCC（LowTemperatureCo-firedCeramics：低温共烧陶瓷技术）等来作为陶瓷。能够采用热固化性树脂、热可塑性树脂来作为树脂，具体来说，能够列举环氧树脂组成物、硅酮树脂组成物、硅酮改性环氧树脂等改性环氧树脂组成物、环氧改性硅酮树脂等改性硅酮树脂组成物、聚酰亚胺树脂组成物、改性聚酰亚胺树脂组成物、聚氨酯（Urethane）树脂、改性聚氨酯树脂组成物、特氟纶（Teflon：注册商标）、FR-4、CEM-3等。还能够采用聚对苯二甲酸乙二酯（PET：polyethyleneterephthalate）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN：Polyethylenenaphthalate）、聚酰亚胺、液晶聚合物、尼龙等。可以将TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg（OH）2、Ca（OH）2等的微粒子等作为填充材料（filler）混入在这些母材中。优选地，采用C、Fe、Cu、Ni、Al、Ag、Au及包含这些金属的金属（合金）、被覆金属来作为布线导体22。在为框架插入式的树脂封装的情况下，能够采用将板状的引线（lead）加工成期望的形状而得的构件，除了平板状的构件以外，还可以加工成局部厚度不同的构件、或在上下方向上弯曲的构件，能够根据发光装置的形状等，选择各种各样的厚度或形状等。另外，就除了上述以外的基体而言，可以采用通过利用了光致抗蚀剂的增层（buildup）法或削减（subtractive）法而形成的基体，或采用通过利用了导电膏的印刷、电解电镀或无电解电镀等而形成的基体。另外，在使各向异性导电粘接剂中的导电粒子移动的情况下，如后述的那样，利用了磁场产生构件，还可以使设置于基体的布线导体22的至少一部分采用磁场产生构件。例如，能够做成具有用作向发光元件供电的供电构件的布线导体和与其不同地作为磁场产生构件的布线导体的基体。由此，即使不采用作为其它构件的磁场产生构件，也能够使导电粒子移动。作为基体，上述的母材和布线导体22为必要的结构要素，但是还可以具有除两者以外的构件。例如，还可以具有覆盖布线导体22中的不安装发光元件、保护元件等的部分的绝缘性的覆盖构件等。特别是，在布线导体22为易于吸收光的构件的情况下，通过利用高反射率的覆盖构件（例如，白色抗蚀剂等）覆盖布线导体22中的不安装发光元件、保护元件等的部分，能够抑制光的取出效率下降。另外，还可以具有与布线导体22分开的作为散热构件起作用的金属构件等。（各向异性导电粘接构件）各向异性导电粘接构件为使发光元件和基体的布线导体导通的构件，并且还为用于使发光元件固定于基体的构件。由于兼具这两个功能，所以各向异性导电粘接构件为具有作为粘接剂的透光性树脂和在该透光性树脂中混入的作为导通构件的导电粒子的复合物。如图1所示，各向异性导电粘接构件30由设置在发光元件的下方的下部区域A、设置在发光元件的侧面的外侧的周围区域B构成。各向异性导电粘接剂30的下部区域A具有以下两个功能：在发光元件10的下侧，在发光元件10的电极（图中省略）与基体20的布线导体22之间，通过加压（压接）使导电粒子31与发光元件10的电极、基体20的布线导体22接合，来形成导通路径（主要的功能）；通过热压接使透光性树脂固化，由此使发光元件10固定于基体20。周围区域B具有如下的功能：通过热压接使透光性树脂固化，由此辅助固定下部区域A和发光元件10，使两者更坚固地紧贴在一起。并且，通过以使下部区域A的导电粒子的浓度高于周围区域B的方式来使导电粒子不均匀，即通过使导电粒子集中在下部区域，能够易于确保导通路径，另外，通过减少周围区域的导电粒子，能够降低对光的吸收。另外，在各向异性导电粘接构件的下部区域A、周围区域B内，从布线导体22之间露出的基体的母材上也存在导电粒子。这些导电粒子虽然不用来导通，但是其热传导率比透光性树脂高，所以能够使散热性上升。另外，就发光元件10而言，以难以从发光元件10的下表面朝向基体射出光的方式设置发光元件的电极等，但即使存在一部分向基体方向射出的光，也能够通过导电粒子遮挡。由此，能够防止光灼伤等。另外，若在各向异性导电粘接剂中混入白色的填充材料等，也能够高效率地反射这种光。进而，通过利用各向异性导电粘接构件一体地覆盖作为一对电极的布线导体和从该一对电极之间露出的母材这三个构件，能够使作用于这些不同构件之间的弯曲应力向被覆盖的区域以外的部分扩散（分散）。特别是，在基体为具有柔韧性的柔性基板的情况下，不存在布线导体的区域即以倒装片安装的方式安装有发光元件的区域的强度变弱，在这种情况下，通过利用使固化后的硬度变硬至与柔性基板的硬度同等以上的各向异性导电粘接剂，能够使针对弯曲的强度上升。进而，通过将周围区域B做成仅为透光性树脂的区域，即，做成不存在导电粒子的区域，能够使对光的吸收进一步降低。另外，周围区域B具有形成在发光元件10的侧面的焊脚部B1。该焊脚部B1具有从横方向固定发光元件10的功能，通过以覆盖发光元件10的整个周围的方式设置该焊脚部B1，能够更坚固地固定发光元件10。就焊脚部的导电粒子的浓度而言，下侧的浓度高于上侧的浓度，特别是，优选地，在发光元件的侧面中，位于比发光层（活性层）更靠近上侧的焊脚部仅由透光性树脂构成。由此，能够使在发光层的侧面从横方向向上方向射出的光难以被导电粒子吸收。优选地，采用耐光性、耐热性好且易于透过来自发光元件的光的树脂，来作为构成各向异性导电粘接构件的透光性树脂，具体来说，能够采用环氧树脂组成物、硅酮树脂组成物、聚酰亚胺树脂组成物或其改性树脂、混合（hybrid）树脂等。优选地，采用至少一部分为磁性材料的粒子来作为混合在这种透光性树脂内的导电粒子，具体来说，列举有镍（Ni）、铁（Fe）、钴（Co）、不锈钢等。特别是，优选地，采用强磁性材料的镍。导电粒子的大小、形状没有特别的限定，例如，列举有球状、针状、不定形的形状，优选大小为1μm～20μm左右的导电粒子，更优选2μm～10μm左右的导电粒子。优选地，透光性树脂中的导电粒子的含有量在10wt%以下，更优选地，在lwt%以下。另外，除了导电粒子以外，还可以混入绝缘性的高反射率的填充材料或用于波长转换的荧光体（波长转换构件）等。能够使用TiO2、SiO2、A12O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg（OH）2、Ca（OH）2等，来作为高反射率的填充材料。能够使用将在后述的封固构件的说明中例示的荧光体，来作为荧光体。但是，在此时的填充材料或荧光体的粒子直径为与导电粒子直径同等以上的情况下，不能达成电连接。优选地，采用导电粒子直径的1/10以下的粒子直径来作为填充材料或荧光体的粒子直径，更优选地，采用导电粒子直径的1/100以下。（封固构件）优选地，在使各向异性导电粘接剂固化，从而在基体上固定发光元件之后，以覆盖发光元件及各向异性导电粘接构件的方式设置封固构件。由此，能够保护发光元件及各向异性导电粘接构件不受到尘垢、水分、以及外力等的影响。作为封固构件的材料，优选具有能够透过来自发光元件的光的透光性且具有难以因透过光而恶化的耐光性的材料。只要以至少覆盖发光元件的方式设置封固构件即可，不需要覆盖设置在发光构件的下面的各向异性导电粘接构件的全部。例如，在使波长转换构件混入封固构件中的情况下等，使白色填充材料等混入各向异性导电粘接构件，优选地，将封固构件设置为与各向异性导电粘接构件的面积相同，或者比各向异性导电粘接构件的面积小。换言之，优选地，设置为各向异性导电性粘接构件比封固构件的面积宽（大）。由此，通过各向异性导电粘接构件易于将来自封固构件中的波长转换构件的光向上方向反射。另外，就封固构件的外表面的形状而言，能够根据配光特性等选择各种各样的形状。例如，在图1中，将封固构件40的上表面形成为凸状透镜形状，除此以外，还能够形成为凹状透镜形状、菲涅耳透镜形状等，能够根据封固构件40的上表面的形状，调整指向特性。能够采用灌注（滴下）法、压缩成型法、印刷法、传递模塑法、射流分配（jetdispense）法等来形成封固构件。另外，封固构件可以为中空，例如，可以通过罩上圆顶状的透光性覆盖构件来进行固定。作为具体的材料，列举有树脂、玻璃等，详细来说，能够列举有硅酮树脂组成物、改性硅酮树脂组成物、改性环氧树脂组成物、氟类树脂组成物等具有能够透过来自发光元件的光的透光性的绝缘树脂组成物。特别是，能够采用包括二甲基硅酮、苯基含有量少的苯基硅酮、以氟类硅酮树脂等硅氧烷骨骼为基础材料的树脂中的至少一种以上的混合树脂等。优选地，这些树脂硬度在JISA硬度10以上且在D硬度90以下。更优选地，在JISA硬度40以上且在D硬度70以下。封固构件除了包含这种透光性的材料以外，根据期望，还能够包括着色剂、光扩散剂、光反射材料、各种填充材料、波长转换构件（荧光构件）等。只要使用吸收来自发光元件的光并通过波长转换而转换成不同波长的光的构件来作为波长转换构件即可，没有特别的限定。具体来说，例举有从主要由Eu、Ce等镧系元素激活的氮化物系荧光体/氧氮化物系荧光体/硅铝陶瓷（Sialon）系荧光体、主要由Eu等镧系、Mn等过渡金属系的元素激活的碱土类卤素磷灰石（Halogenapatite）荧光体、碱土类金属卤化硼酸荧光体、碱土类金属铝酸盐荧光体、主要由碱土类硅酸盐、碱土类硫化物、碱土类硫代镓（thiogallate）、碱土类氮化硅、锗酸盐、或者Ce等镧系元素激活的稀土类铝酸盐、稀土类硅酸盐或主要由Eu等镧系元素激活的有机及有机配合物等中选择的至少一种以上。更具体来说，列举有（y，Gd）3（A1，Ga）SO12：Ce、（Ca，Sr，Ba）2SiO4：Eu、（Ca，Sr）2Si5N8：Eu、CaAlSiN3：Eu等。（半导体发光元件）借助各向异性导电粘接剂以倒装片安装的方式安装半导体发光元件。在半导体层的同一面侧具有正负电极，采用易于反射来自发光元件的光的金属，来作为这些电极。例如，通过设置银（Ag）等的高反射率的电极，构成为难以从发光元件的下侧射出来自发光元件（发光层）的光的结构。各向异性导电粘接剂中的导电粒子位于发光元件的正下方，但通过设置上述电极，抑制了导电粒子对光的吸收。此外，能够采用层叠了除了上述的银以外的其它金属的构件，来作为电极。半导体发光元件能够选择任意的波长的半导体发光元件。例如，能够采用利用了ZnSe、氮化物系半导体（InxAlyGa1-x-yN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1）、GaP的发光元件，来作为蓝色、绿色的发光元件。另外，能够采用GaAlAs、AlInGaP等，来作为红色的发光元件。还能够采用由这些材料以外的材料构成的发光元件。根据目的，能够适当地选择所采用的发光元件的组成、发光颜色、大小、个数等。在采用具有荧光物质的发光装置的情况下，优选地例举有可以发出能够高效率地激发该荧光物质的短波长的光的氮化物半导体。能够根据半导体层的材料、混晶程度来选择各种发光波长。另外，不仅能够采用输出可视光区域的光的发光元件，还能够采用输出紫外线、红外线的发光元件。还能够一并搭载发光元件和受光元件等。<制造方法>图2A是表示各向异性导电粘接剂的示意图，图2B～图2D说明用于获取本实施方式的发光装置的工序。详细来说，图2A是使导电粒子31混入透光性树脂32中而得到的各向异性导电粘接剂。在该固化之前的时间点，在透光性树脂32内，导电粒子31以大致均匀地分散的方式被导电粒子31保持。接着，如图2B所示，准备基体20，以一体地覆盖设置在基体20的上表面的一对布线导体22、从一对布线导体22之间露出的母材21这三个部分的方式，设置各向异性导电粘接剂30bc。作为设置各向异性导电粘接剂30bc的方法，列举有印刷、分配（dispense）等。另外，此时，将各向异性导电粘接剂30bc设置为面积比在之后载置的发光元件的面积大。接着，向各向异性导电粘接剂30bc的周围施加磁场，将导电粒子31吸引至基体20一侧。在图2C中，为了易于理解，在基体20的下部侧配置作为磁场产生构件的U字磁铁M，来吸引导电粒子31。只要为产生磁场的磁铁即可，不限定磁铁的种类或形状，优选地，以在正负两侧吸引同等的量的导电粒子31的方式，向作为电极的布线导体22上施加相同程度的磁场。然后，在这种状态下，即在透光性树脂32固化之前并且导电粒子31偏向基体20一侧的状态下的各向异性导电粘接剂30bc上，载置发光元件10。此时，在发光元件10的侧面形成各向异性导电粘接剂30bC的焊脚部B1。然后，继续施加磁场，或者在解除磁场的施加之后，从发光元件上方进行加压/加热，来使透光性树脂固化。通过上述工序，如图2D所示，能够在各向异性导电粘接剂30bc中的导电粒子31偏向基体20一侧的状态下使透光性树脂固化。即，通过焊脚部B1的下侧的导电粒子的浓度高于上侧的各向异性导电粘接构件30来接合发光元件。由此，能够抑制从发光元件的侧面射出的光被导电粒子吸收。由于还能够减少导电粒子的量，所以能够抑制例如来自扩散混合在各向异性导电粘接构件30中的荧光体、光散射材料等的光被导电粒子吸收的整个量。图3A、图3B是说明在图2A～图2D示出的工序中使各向异性导电粘接剂30bc中的导电粒子移动至基体一侧的工序和载置发光元件10的工序两者颠倒的工序的图。如图3A所示，在将各向异性导电粘接剂30bc设置在基体20上之后，在使导电粒子移动至基体一侧之前载置发光元件10。此时，各向异性导电粘接剂30bc的焊脚部B1的内部处于导电粒子均匀地分散的状态。接着，如图3B所示，在基体20的下侧配置磁场产生构件M，使各向异性导电粘接剂30bc中的焊脚部B1的导电粒子31移动至基体20一侧。由此，能够使焊脚部B1的下侧（基体一侧）的导电粒子31的浓度变得高于上侧的浓度。像这样，在载置发光元件之后使导电粒子移动的情况下，如图6所示，通过在各向异性导电粘接剂30的周围区域B的外侧配置磁场产生构件M，能够使导电粒子以图4示出的远离发光元件的方式移动。工业上的可利用性本发明的发光装置能够用于各种显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光源，还能够用于数码摄像机、传真机、复印机、扫描仪等的图像读取装置、投影装置等。