集成电路及包括该集成电路的显示装置制造方法

集成电路及包括该集成电路的显示装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种集成电路和包括该集成电路的显示装置。所述集成电路包括基底、布置在基底上的半导体层以及布置在半导体层的上部并且包括设置在其上表面上的凸块的绝缘层，其中，半导体层包括主半导体区域和包括具有p型半导体的内部对准标记的对准标记区域，内部对准标记与布置在绝缘层的上表面上的金属外部对准标记叠置。在集成电路的安装工艺过程中，可以通过红外照相机观察p型半导体内部对准标记。
【专利说明】集成电路及包括该集成电路的显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种集成电路及一种包括该集成电路的显示装置，更具体地说，涉及一种包括对准标记的集成电路及一种包括该集成电路的显示装置。
【背景技术】
[0002]通过将诸如晶体管、电阻器和电容器的电子元件集成在单个基底上或基底中来获得集成电路(1C)，以实现特定电路的功能。由于集成电路具有与通过单独布置电子元件而实现的电路相比减小了的尺寸并且一体地形成，所以促进了对它的处理和布线，并且使其大规模生产成为可能。因此，集成电路在各种电子装置中使用。
[0003]随着技术的发展，需要具有小型化了的尺寸和各种复杂的功能的电子装置。因此，需要包括在电子装置中的集成电路的尺寸小型化并且使其结构复杂。
[0004]近来，随着移动电话、智能电话、PMP和rop的使用增加，显示装置趋于小型化和薄膜化。因此，即使在显示装置中，也能够使用具有小型化了的尺寸和复杂的结构的集成电路。例如，显示装置可使用集成电路作为用于驱动显示图像的显示面板的装置。

【发明内容】

[0005]集成电路可包括用于信号输入和输出的凸块。如果集成电路的尺寸小型化并且其结构复杂，则凸块的数量增多并且凸块的尺寸减小。如果凸块的数量增多并且凸块的尺寸减小，则当集成电路被安装在基底上时，会出现凸块之间的短路或者凸块的对不准，因此需要将集成电路精确地对准在基底上。
[0006]因此，本发明旨在解决现有技术中出现的上述问题，本发明解决的一个目标在于提供一种集成电路，在将集成电路安装在基底上时，该集成电路有助于集成电路的对准。
[0007]本发明解决的另一目标在于提供一种包括集成电路的显示装置，在将集成电路安装在基底上时，该集成电路有助于集成电路的对准。
[0008]本发明的其它优点、目标和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过下面的解释使本领域普通技术人员理解或者可以通过实施本发明来明了。
[0009]根据本发明的一方面，提供了一种集成电路，所述集成电路包括:基底；半导体层，布置在基底上；以及绝缘层，布置在半导体层的上部上，并且包括设置在其上表面上的凸块，其中，半导体层包括主半导体区域和包括P型半导体的对准标记区域，对准标记区域与主半导体区域分隔开，对准标记区域包括内部对准标记。
[0010]基底可以是硅基底。集成电路还可包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记可以与内部对准标记叠置。内部对准标记的形状可由在对准标记区域中布置有P型半导体的区域的形状来限定。内部对准标记可以包括位置对准标记。位置对准标记的形状可以相对于第一轴和与第一轴垂直的第二轴对称。
[0011]位置对准标记可以包括NMOS晶体管。P型半导体可以包括第一 P型半导体以及在第一 P型半导体上方并与第一 P型半导体分隔开的第二 P型半导体，NMOS晶体管可以包括第一 P型半导体、第二 P型半导体以及布置在第一 P型半导体和第二 P型半导体之间的η型半导体。第二 P型半导体可包括彼此分隔开并进行了 η+掺杂的第一掺杂区和第二掺杂区，NMOS晶体管还可包括布置在第一掺杂区和第二掺杂区之间的栅极。对准标记可以包括多个NMOS晶体管。
[0012]位置对准标记可为十字形。位置对准标记可为菱形。内部对准标记还可包括方向对准标记。方向对准标记可以相对于第一轴和第二轴不对称。方向对准标记可以与位置对准标记分隔开。内部对准标记还包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。区域限定对准标记可围绕对准标记区域的外周，位置对准标记和方向对准标记可布置在区域限定对准标记中。内部对准标记的形状可以由在对准标记区域中的不存在P型半导体的区域的形状限定。对准标记区域可以包括NMOS晶体管。内部对准标记可以包括位置对准标记。位置对准标记可以相对于第一轴和与第一轴垂直的第二轴对称。位置对准标记可为十字形。位置对准标记可为菱形。内部对准标记还可包括方向对准标记。方向对准标记可以相对于第一轴和第二轴不对称。方向对准标记可以与位置对准标记分隔开。
[0013]根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路，所述集成电路包括:基底；半导体层，布置在基底上；以及绝缘层，布置在半导体层的上部并且包括设置在其上表面上的凸块，半导体层可以包括彼此连接的主半导体区域和包括P型半导体的内部对准标记。基底可为硅基底。集成电路还可包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记可以与内部对准标记叠置。内部对准标记的形状可由在对准标记区域中布置有P型半导体的区域的形状来限定。内部对准标记可以包括位置对准标记。位置对准标记可以连接到主半导体区域。内部对准标记还可包括方向对准标记。向对准标记可以连接到主半导体层。内部对准标记还可包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。区域限定对准标记可以连接到主半导体区域。
[0014]根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路，所述集成电路包括:基底；半导体层，布置在基底上；以及绝缘层，布置在半导体层的上部上，并且包括设置在其上表面上的凸块，其中，半导体层包括主半导体区域以及包括P型半导体并连接到主半导体区域的凹雕对准标记，其中，内部对准标记由被凹雕对准标记围绕并且不存在P型半导体的区域的形状来限定。基底可为硅基底。集成电路还可包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记可与内部对准标记叠置。内部对准标记可包括位置对准标记。内部对准标记还可包括方向对准标记。内部对准标记还可包括限定对准标记区域的区域限定对准标记，位置对准标记和方向对准标记可以布置在区域限定对准标记中。
[0015]根据本发明的另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示面板和驱动显示面板的驱动单元，其中，驱动单元可以包括集成电路，所述集成电路可以包括:基底；半导体层，布置在基底上；以及绝缘层，布置在半导体层的上部并包括设置在其上表面上的凸块，半导体层可以包括对准标记区域，对准标记区域包括P型半导体，对准标记区域还可包括内部对准标记。基底可以是硅基底。所述集成电路可包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记可与内部对准标记叠置。内部对准标记的形状可由在对准标记区域中布置有P型半导体的区域的形状来限定。内部对准标记可包括位置对准标记。内部对准标记还可包括方向对准标记。内部对准标记还可包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。内对准标记的形状可由在对准标记区域中不存在P型半导体的区域的形状限定。内部对准标记可包括位置对准标记。内部对准标记还可包括方向对准标记。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]随着参照下面的当结合附图考虑时进行的详细描述而使本发明变得更好理解，对本发明的更完整的理解以及本发明的许多附带优点将被容易地理解，在附图中，同样的标号指示相同或相似的组件，其中:
[0017]图1是根据本发明实施例的集成电路的透视图；
[0018]图2是沿图1中的线11-11’截取的剖视图；
[0019]图3是根据本发明实施例的对准标记区域的平面图；
[0020]图4是示出根据本发明实施例的对准标记和外部对准标记的布置的透视图；
[0021]图5是示出根据本发明另一实施例的对准标记和外部对准标记的布置的透视图；
[0022]图6是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0023]图7是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0024]图8是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0025]图9是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0026]图10是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0027]图11是根据本发明又一实施例的NMOS的剖视图；
[0028]图12是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0029]图13是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0030]图14是示出根据本发明另一实施例的对准标记和外部对准标记的布置的透视图；
[0031]图15是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0032]图16是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0033]图17是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0034]图18是根据本发明又一实施例的集成电路的剖视图；
[0035]图19是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0036]图20是示出根据本发明又一实施例的对准标记和外部对准标记的布置的透视图；
[0037]图21是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0038]图22是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0039]图23是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0040]图24是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0041]图25是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0042]图26是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图；
[0043]图27是根据本发明实施例的显示装置的框图；
[0044]图28是根据本发明实施例的显示装置的布置的平面图；
[0045]图29是示出根据本发明另一实施例的显示装置的布置的平面图。
【具体实施方式】[0046]现在，将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，而不应该被解释为局限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。相同的标号在整个说明书中指示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
[0047]还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
[0048]在下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施例。
[0049]现在转向图1，图1是根据本发明实施例的集成电路的透视图。参照图1，集成电路100包括设置在其一个表面上的凸块51。集成电路100可包括多个凸块51，凸块51的布置以及凸块51的形状或尺寸可进行各种改变。凸块51可由诸如金属的导电材料制成。集成电路100可通过凸块51将信号输出至外部或者从外部接收信号。
[0050]集成电路100还可包括外部对准标记52。外部对准标记52可布置在与集成电路100的其上布置有凸块51的一个表面相同的表面上。外部对准标记52可由金属制成，但不限于此，外部对准标记52可由各种材料形成，使得外部对准标记52具有可以从外部识别的形状。在一些实施例中，外部对准标记52可由与凸块51的材料相同的材料形成。
[0051]外部对准标记52可被布置为相邻于集成电路100的一个表面的边缘，更具体地说，可被布置为相邻于集成电路100的所述一个表面的角部，然而，外部对准标记52的布置不限于此。
[0052]当集成电路100安装在诸如基底等的另一电子元件上时，外部对准标记52可提供用于使集成电路100的位置对准的基准。例如，芯片安装机可以通过照相机来感测外部对准标记52，并且可以基于外部对准标记52的位置来布置集成电路100。
[0053]图1示出了外部对准标记52为十字形状，然而，外部对准标记52的形状不限于此，外部对准标记52可以是例如菱形形状。图1示出了集成电路100包括两个外部对准标记52a和52b，然而，集成电路100的构造不限于此，集成电路100可以仅包括一个对准标记52,或者可包括三个或更多个对准标记52。在一些实施例中，集成电路100可以不包括外部对准标记52。
[0054]在下文中，参照图2，将更详细地描述根据本发明实施例的集成电路100。图2是沿图1中的线11-11’截取的剖视图。
[0055]参照图2，集成电路100包括基底10和对准标记区域31。基底10可用作用于在基底10的上部上的集成电路100中形成电路的材料。在一些实施例中，基底10可由硅(Si)形成。基底10不是必须由硅形成，而是可由红外线能够穿过的其它材料形成。例如，基底10可由氧化硅、玻璃或透明合成树脂形成。
[0056]对准标记区域10可布置在基底上。对准标记可形成在对准标记区域上方。对准标记区域31可以是在集成电路100的芯片安装过程中能够起到对准集成电路100的位置的区域，并且可以包括对准标记以及与对准标记相邻的围绕区域。在形成随后将要描述的半导体层30时，对准标记区域31可以与主半导体层32在同一工艺中形成。
[0057]对准标记区域31可被布置为与主半导体层32分隔开。对准标记区域31可被布置为与集成电路100的侧表面相邻，例如，可以被布置为与集成电路100的表面的角部相邻，如从方向Dl可见。对准标记区域31可被布置为与外部对准标记52a叠置。在一些实施例中，虽然未示出，但是如果设置了多个外部对准标记52a和52b，则可在对应的位置处形成多个对准标记区域31。在一些实施例中，对准标记区域31可以布置在未形成外部对准标记52a和52b的区域中，并且即使省略了外部对准标记52a和52b，集成电路100也可以包括对准标记区域31。
[0058]对准标记区域31可以包括P型半导体。如果利用红外照相机沿方向Dl对集成电路100拍照，则已经穿过基底10的红外线可以被P型半导体反射并然后被红外照相机检测至|J。因此，形成在对准标记区域31中的内部对准标记可以通过红外照相机来识别。由于形成在对准标记区域31中的内部对准标记可以使用布置在与集成电路的凸块51所形成在的表面相对侧上的红外照相机来识别，所以可以识别出对准标记，而不管是否存在其上将要安装集成电路100的目标，因此可以在芯片安装工艺过程中精确地对准集成电路100。将在下面更详细地描述内部对准标记。
[0059]由于集成电路100不仅包括外部对准标记52，还包括对准标记区域31，所以集成电路100可以在芯片安装过程中通过沿方向D2识别外部对准标记52来对准。另外，由于集成电路可通过沿方向Dl通过红外照相机识别对准标记区域31内的内部对准标记来对准，所以可以改善对准、覆盖和配准的精确度。通过外部对准标记52的对准以及通过内部对准标记的对准可以顺序地或同时地执行，或者可以选择性地执行它们中的任一种。
[0060]集成电路100还可包括第一绝缘层20、主半导体层32、布线层40和第二绝缘层
50。第一绝缘层20可以布置在基底10的上部，或者可以布置在基底10和半导体层30之间。在一些实施例中，在基底10由硅形成的情况下，第一绝缘层20可由通过使基底10的表面氧化而形成的氧化硅形成，然而，第一绝缘层20的形成不限于此，第一绝缘层20可通过在基底10的上表面上通过沉积或其它涂覆工艺布置绝缘材料来形成。
[0061]主半导体层32可以布置在第一绝缘层20的上部上。主半导体层32可在同一工艺中与对准标记区域31形成在同一层上。当沿方向D2观察集成电路100时，主半导体层32可被布置为与中心部分相邻，或者可与对准标记区域31分隔开。在主半导体层32上，可以布置用于形成多个晶体管或二极管的半导体结构。主半导体层32可以是布置有用于驱动集成电路100的半导体器件的区域。
[0062]布线层40可以布置在主半导体层32和对准标记区域31的上部上。布线层40可以包括诸如晶体管、电容器、电感器和布线的电子元件。布线可以将形成在主半导体层32上的诸如晶体管和二极管的电子元件电连接到形成在布线层40上的电子元件。布线层40还可包括用于使布线或电子元件彼此绝缘的绝缘材料。
[0063]第二绝缘层50可以布置在布线层40的上部上。第二绝缘层50可包括设置在其上表面上的凸块51和外部对准标记52。第二绝缘层50可以形成其上布置有集成电路100的凸块51的上表面的外观，第二绝缘层50可从集成电路100的侧表面延伸，以形成侧表面的外观。第二绝缘层50可被形成为包括但不限于氮化硅膜、氧化硅膜或者氮氧化硅膜。虽然未示出，但是在第二绝缘层50中，可包括用于将凸块51连接到布线层40的布线。
[0064]然后，参照图3至图17，将更详细地描述内部对准标记。图3是根据本发明实施例的内部对准标记区域的平面图。[0065]当在图2中从方向Dl观察对准标记区域31时，内部对准标记的形状可通过P型半导体所布置的区域来限定。参照图3，内部对准标记可包括位置对准标记AMP1。位置对准标记AMPl可布置在对准标记区域31内部，在对准标记区域31中，除了布置有位置对准标记AMPl的区域之外，可以不存在P型半导体。
[0066]位置对准标记AMPl可具有相对于彼此垂直的两个轴Xl和x2对称的形状，或者位置对准标记AMPl的端部可以沿轴Xl和x2的方向延伸。虽然图3示出了位置对准标记AMPl为十字形，但是位置对准标记AMPl的形状也可以具有其它各种形状，例如相对于轴Xl和x2对称的正方形或菱形，或者位置对准标记AMPl的端部可以沿轴Xl和x2的方向延伸。在一些实施例中，如果集成电路100的其上布置有凸块51的表面或者该表面的相对表面具有矩形形状或者接近于矩形的形状，则轴Xl和x2可以是与矩形的彼此垂直的两条边平行的轴。在芯片安装过程中，位置芯片安装机可以通过如下方式精确地对准集成电路100:从位置对准标记AMPl识别轴Xl和x2来计算集成电路100的布置位置的覆盖的误差以及沿水平方向倾斜的角度。
[0067]参照图4，将更详细地描述位置对准标记AMPl与外部对准标记52a之间的位置关系。图4是示出根据本发明实施例的位置对准标记AMPl和外部对准标记52a的布置的透视图。
[0068]参照图4，外部对准标记52a可具有相对于彼此垂直的轴x3和x4对称的形状，或者外部对准标记52a的端部可以沿轴x3和x4的方向延伸。当从方向Dl或D2观察集成电路100时，位置对准标记AMPl和外部对准标记52a可以被布置为使得轴x3与轴xl叠置，并且轴x4与轴x2叠置。如果位置对准标记AMPl和外部对准标记52a被布置为使得轴x3与轴xl叠置，并且轴x4与轴x2叠置，则在芯片安装过程中，对于通过位置对准标记AMPl的对准和通过外部对准标记52a的对准，可以通过应用相同的位置设定来使集成电路100对准，因此可以提高工艺的便利性。
[0069]位置对准标记AMPl可具有与外部对准标记52a完全叠置的形状，然而，位置对准标记AMPl的形状不限于此，位置对准标记AMPl的形状可以在轴xl和轴x2保持恒定的范围内改变。例如，位置对准标记AMPl的尺寸可以大于或小于外部对准标记52a的尺寸，并且可具有沿轴xl或轴x2的方向延伸为比外部对准标记52a长或短的形状。另外，位置对准标记AMPl可以保持轴xl和轴x2，但是可具有与外部对准标记52a显著不同的形状。
[0070]现在转向图5，图5是示出根据本发明另一实施例的内部对准标记和外部对准标记的布置的透视图。参照图5，外部对准标记52可通过凹雕形成。也就是说，可以通过非透明金属层的不存在来限定外部对准标记52。在图5中，由诸如金属的材料制成的凹雕对准标记53可以在外部对准标记52a的外周区域中形成，并且其中未布置凹雕对准标记53的区域(即，凹雕对准标记53的内侧)可被定义为外部对准标记52c。这里，术语凹雕本质上表示外部对准标记与图4的外部对准标记的照相负片相似，其中，与图4中的外部对准标记被限定为对准标记区域的存在金属膜的部分的布置相反，外部对准标记被限定为对准标记区域的不存在非透明金属膜的部分。
[0071]以图2中的外部对准标记52a相同的方式，外部对准标记52c可具有相对于彼此垂直的轴x3和x4对称的形状，或者外部对准标记52c的端部可以沿轴x3和x4的方向延伸。当从方向Dl或D2观察集成电路100时，位置对准标记AMPl和外部对准标记52c可以被布置为使得轴x3与轴xl叠置，并且轴x4与轴x2叠置。
[0072]位置对准标记AMPl可具有与外部对准标记52c完全叠置的形状。也就是说，位置对准标记AMPl可被形成为与凹雕对准标记53内部上的空闲区域完全叠置，然而，位置对准标记AMPl的形状不限于此，位置对准标记AMPl的形状可以在轴xl和轴x2保持恒定的范围内改变。例如，相反地，位置对准标记AMPl的尺寸可以大于或小于外部对准标记52c的尺寸，并且可具有沿轴xl或轴x2的方向延伸为比外部对准标记52c长或短的形状。另外，位置对准标记AMPl可以保持轴xl和轴x2，但是可具有与外部对准标记52c显著不同的形状。
[0073]在下文中，将描述根据本发明另一实施例的对准标记。
[0074]现在转向图6，图6是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。参照图
6,内部对准标记可包括位置对准标记AMPl和方向对准标记AMDI。
[0075]方向对准标记AMDl可具有相对于轴xl和轴x2对称的形状。例如，方向对准标记AMDl可以仅布置在由轴xl和轴x2形成的四个象限中的一个象限中。图6示出了方向对准标记AMDl被布置在右上象限中，然而，方向对准标记AMDl的布置不限于此，其可以布置在另一象限中。虽然图6示出了正方形的方向对准标记AMDl，但是方向对准标记AMDl的形状不限于此，而是可以具有例如各种其它形状，例如圆形和三角形。
[0076]在芯片安装过程中，通过利用红外照相机识别方向对准标记AMDl的布置位置，芯片安装机可以确定集成电路100是处于正常状态还是颠倒状态。
[0077]虽然未示出，但是外部对准标记52a还可包括与方向对准标记基本相同的形状，并且处于与方向对准标记AMDl叠置的位置。
[0078]现在转向图7，图7是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。参照图
7,内部对准标记可包括位置对准标记AMP1、方向对准标记AMDI和区域限定对准标记AMAl。
[0079]区域限定对准标记AMAl沿对准标记区域31的外周布置，可以沿区域限定对准标记AMAl的轮廓限定对准标记区域31。区域限定对准标记AMAl可以使对准标记区域31与外部之间的边界清楚，并使得对准标记AMPl、AMD1和AMAl能够更容易地被红外照相机检测到。
[0080]现在转向图8，图8是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。参照图8，内部对准标记可以包括位置对准标记AMPl和区域限定对准标记AMA2。
[0081]区域限定对准标记AMA2可以被形成为具有相对于轴xl和轴x2不对称的形状。例如，区域限定对准标记AMA2可以具有一个角的相邻区域与其它角相比延伸至内部的形状。图8示出了区域限定对准标记AMA2的右上角的相邻区域延伸到内部，然而，根据本实施例的变型，其它角的相邻区域可以延伸至内部。在一些变型中，区域限定对准标记AMA2可以被形成为具有相对于轴xl和轴x2不对称的各种形状。如果区域限定对准标记AMA2具有相对于轴xl和轴x2不对称的形状，则芯片安装机可以通过识别区域限定对准标记AMA2的形状来确定集成电路是否处于颠倒状态。即，区域限定对准标记AMA2可以同时执行图7中的区域限定对准标记AMAl的功能以及方向对准标记AMDl的功能。
[0082]现在转向图9，图9是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。参照图9，内部对准标记可包括位置对准标记AMP2、方向对准标记AMD2以及区域限定对准标记AMAl。位置对准标记AMP2可以具有相对于轴xl和轴x2对称或者沿轴xl和轴x2延伸的菱形形状。
[0083]方向对准标记AMD2可具有相对于xl和轴x2对称的形状，并且可以仅布置在由轴xl和轴x2形成的四个象限中的一个象限中。方向对准标记AMD2可具有圆形形状。
[0084]现在转向图10，图10是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。参照图
10,内部对准标记可包括位置对准标记ΑΜΡ2和区域限定对准标记ΑΜΑ3。
[0085]区域限定对准标记ΑΜΑ3可以与位置对准标记ΑΜΡ2分隔开，并且可沿位置对准标记ΑΜΡ2的轮廓形成。区域限定对准标记ΑΜΑ3的至少一部分区域可以不沿着位置对准标记ΑΜΡ2的轮廓形成。如图10中所示，区域限定对准标记ΑΜΑ3的由轴xl和轴x2划分的四个象限的右上区域可以不沿着位置对准标记AMP2形成。在这种情况下，区域限定对准标记AMA3可以包括相对于轴xl和轴x2不对称的形状，芯片安装机可以通过识别区域限定对准标记AMA3的形状来确定集成电路10是否处于颠倒状态。
[0086]根据本发明的又一实施例，内部对准标记可被形成为包括NMOS (N-沟道金属氧化物半导体)晶体管。在下文中，参照图11和图12，将对此进行更详细的描述。现在转向图11，图11是根据本发明又一实施例的NMOS晶体管的剖视图。参照图11，NMOS晶体管可包括第一 P型半导体61、η型半导体62、第二 P型半导体63、绝缘膜64和栅极65。
[0087]第一 P型半导体61布置在NMOS晶体管的基体部分上。可在第一 P型半导体61的一个表面上形成弯曲形状，η型半导体62可以布置在第一 P型半导体61的弯曲表面上，以形成η势阱。在由η型半导体62形成的η势阱的内侧，可布置第二 P型半导体63。第一掺杂区63a和第二掺杂区63b可以形成在第二 P型半导体63上。第一掺杂区63a和第二掺杂区63b可以是通过使杂质渗入到第二 P型半导体63中而进行η+掺杂的区域。第一掺杂区63a和第二掺杂区63b可被布置为彼此分隔开。第一掺杂区63a和第二掺杂区63b可被布置为与栅极65相邻。如果预定电平的电压被施加到栅极65，则在第二 P型半导体63的第一掺杂区63a和第二掺杂区63b之间可以形成沟道，并且电流可以在第一掺杂区63a和第二掺杂区63b之间流动。即，第一掺杂区63a和第二掺杂区63b可以用作每个晶体管的源极或漏极。
[0088]绝缘膜64可以布置在第二 P型半导体63和栅极65之间，以使第二 p型半导体63和栅极65彼此绝缘。栅极65可以布置在绝缘膜64的上部，可根据施加到栅极65的电压来控制沟道的形成。
[0089]即使对准标记被形成为包括NMOS晶体管，第一 P型半导体61的轮廓也可以被红外照相机检测到，因此内部对准标记可在芯片安装工艺过程中执行对集成电路100的对准功能。
[0090]在下文中，参照图12，将更详细地描述包括NMOS晶体管的内部对准标记。图12是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。更具体地说，图12是沿图2中的方向D2观察对准标记区域时的平面图。
[0091]内部对准标记可以包括位置对准标记AMP3、方向对准标记AMD3以及区域限定对准标记AMAl。位置对准标记AMP3和方向对准标记AMD3的布置以及轮廓形状可以与图6中的位置对准标记AMPl和方向对准标记AMDl基本相同。
[0092]位置对准标记AMP3和方向对准标记AMD3可以包括NMOS晶体管。第一 p型半导体61被布置为形成位置对准标记AMP3和方向对准标记AMD3的轮廓。在第一 P型半导体61的局部区域上，可布置形成η势阱的η型半导体62。包括第一掺杂区634a和第二掺杂区63b的第二 P型半导体区域63可布置在η型半导体62的内侧上，绝缘膜64和栅极65可以布置在其上部，以形成NMOS晶体管。在每个对准标记区域31中可以形成多个NMOS晶体管。形成在内部对准标记上的NMOS晶体管可以通过布线层40电连接到包括在集成电路100中的其它电子元件。一旦NMOS晶体管形成在内部对准标记上，则对准标记区域31可以被用作电路，因此可以提高集成电路100的容量。
[0093]图12中示出的NMOS晶体管的布置仅仅是示例性的，布置的NMOS晶体管的位置、数量和形状可以根据实施例而改变。在一些实施例中，如果区域限定对准标记AMAl的宽度足够大来形成NMOS晶体管，或者如果NMOS晶体管可以被形成为足够小以将NMOS晶体管布置在区域限定对准标记AMA上的尺寸，则NMOS晶体管甚至可以形成在区域限定对准标记AMAl 上。
[0094]然后，参照图13，将描述根据本发明又一实施例的内部对准标记。图13是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。
[0095]参照图13，可通过凹雕来形成内部对准标记。即，包括P型半导体的凹雕对准标记33可布置在对准标记区域31中，对准标记区域31的不存在凹雕对准标记33的部分用作内部对准标记。凹雕对准标记33的外边缘可限定对准标记区域31的外周。这里，术语凹雕本质上表示内部对准标记与图3的内部对准标记的照相负片相似，其中，与图3中的内部对准标记被限定为对准标记区域的存在P型半导体的部分的布置相反，内部对准标记被限定为对准标记区域的不存在P型半导体的部分。
[0096]对准标记可包括位置对准标记ΑΜΡ4。位置对准标记ΑΜΡ4可具有相对于彼此垂直的两个轴xl和x2对称的形状，或者位置对准标记ΑΜΡ4的端部可以沿轴xl和轴χ2的方向延伸。虽然图13示出了位置对准标记ΑΜΡ4为十字形，但是位置对准标记可具有各种形状，例如，位置对准标记可具有相对于轴xl和轴χ2对称的正方形或菱形，或者位置对准标记ΑΜΡ4的端部可以沿轴xl和轴χ2的方向延伸。
[0097]参照图14，将更详细地描述通过凹雕形成的内部对准标记与外部对准标记52a之间的布置关系。图14是示出根据本发明另一实施例的内部对准标记和外部对准标记的布置的透视图。
[0098]参照图14，当从方向Dl或D2观察集成电路100时，位置对准标记AMP4和外部对准标记52a可被布置为使得轴x3与轴xl叠置，并且轴x4与轴x2叠置。如果位置对准标记AMP4和外部对准标记52a被布置为使得轴x3与轴xl叠置，并且轴x4与轴x2叠置，则在芯片安装过程中，对于通过位置对准标记AMP4的对准和通过外部对准标记52a的对准，可以通过应用相同的位置设定来使集成电路100对准，因此可以提高覆盖配准计量工艺(overlay registration metrology process)的便利性。
[0099]位置对准标记AMP4可以具有与外部对准标记52a完全叠置的形状。S卩，在对准标记区域31内的未布置凹雕对准标记33的区域可以与外部对准标记52a重合，然而，位置对准标记AMP4的形状不限于此，位置对准标记AMP4的形状可以在轴xl和轴x2保持恒定的范围内改变。例如，位置对准标记AMP4的尺寸可以大于或小于外部对准标记52a的尺寸，并且可具有沿轴xl或轴x2的方向延伸为比外部对准标记52a长或短的形状。另外，位置对准标记AMP4可以保持轴xl和轴x2，但是可具有与外部对准标记52a显著不同的形状。另外，虽然未示出，但是如图5中所示的外部对准标记52a也由凹雕形成的情形基本相同。
[0100]现在转向图15，图15是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。现在参照图15，内部对准标记可包括位置对准标记AMP4和方向对准标记AMD4。S卩，可通过在凹雕对准标记33中不存在凹雕对准标记33a的区域来限定位置对准标记AMP4和方向对准标记AMD4的位置。除了通过凹雕形成方向对准标记AMD4之外，方向对准标记AMD4可以与图6中的方向对准标记AMDl基本相同。
[0101]现在转向图16，图16是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。
[0102]参照图16，内部对准标记可包括位置对准标记AMP4。凹雕对准标记33b的外部边缘可具有相对于轴xl和轴x2不对称的形状。例如，凹雕对准标记33b的外部边缘可具有矩形的一个角被切掉的形状。另外，凹雕对准标记33b的外部边缘可具有相对于轴xl和轴x2不对称的各种形状。如果凹雕对准标记33b的外部边缘具有相对于轴xl和轴x2不对称的形状，则芯片安装机可以通过识别凹雕对准标记33b的形状来确定集成电路100是否处于颠倒状态。
[0103]现在转向图17，图17是根据本发明又一实施例的对准标记区域31的平面图。
[0104]参照图17，在凹雕对准标记33c上，可以布置NMOS晶体管。第一 P型半导体61可以根据凹雕对准标记33c的形状来布置。在第一 P型半导体61的部分区域上，可布置η型半导体62、第二 P型半导体63、绝缘膜(未示出)以及栅极65，以形成NMOS晶体管。形成在凹雕对准标记33c上的NOMS晶体管可以通过布线层(未示出)电连接到包括在集成电路100中的其它电子元件。图17中示出的NMOS晶体管的布置仅仅是示例性的，布置的NMOS晶体管的位置、数量和形状可以根据实施例而改变。一旦NMOS晶体管形成在内部对准标记上，则对准标记区域31可以被用作电路，因此可以提高集成电路100的容量。
[0105]在下文中，参照图18，将描述根据本发明另一实施例的集成电路200。图18是根据本发明又一实施例的集成电路的剖视图。更具体地说，集成电路200的外观可以与图1中的集成电路100基本相同，图18是与沿图1中的线11-11’截取的类似于图2的剖视图。
[0106]参照图18，集成电路200可包括基底110、第一绝缘层120、半导体层130、布线层140以及第二绝缘层150。第二绝缘层150可包括凸块151和设置在第二绝缘层150的一个表面上的外部对准标记152。基底110、第一绝缘层120、布线层140和第二绝缘层150的构造与图1中示出的构造基本相同。
[0107]半导体层130可以包括主半导体层132和对准标记区域131。与图1和图2中的集成电路不同，图18的集成电路200的对准标记区域131和主半导体层132可以彼此连接。与图1和图2中一样，对准标记区域131可以被布置为与外部对准标记152叠置。
[0108]在下文中，参照图19，将更详细地描述对准标记区域131。现在转向图19，图19是根据本发明的又一实施例的对准标记区域131的平面图。
[0109]内部对准标记可包括位置对准标记AMP5。位置对准标记AMP5可具有沿轴xl和轴x2的方向延伸的形状。位置对准标记AMP5可具有相对于轴xl和轴x2近似对称的形状。位置对准标记AMP5的一侧可以连接到主半导体层132。虽然图19示出了位置对准标记AMP5沿轴xl的方向连接到主半导体层132，但是位置对准标记AMP5的连接不限于此，位置对准标记AMP5而是可以以其它各种方式连接到主半导体层132。例如，位置对准标记AMP5可以沿轴x2的方向或者沿与轴xl或轴x2不相关的方向连接到主半导体层132。即使位置对准标记AMP5连接到主半导体层132，在芯片安装工艺过程中，通过从位置对准标记AMP5识别轴xl和x2来计算集成电路100的布置位置的误差和沿水平方向扭曲的角度，位置芯片安装机也能够精确地对准集成电路100。
[0110]参照图20，将更详细地描述内部对准标记与外部对准标记152之间的位置关系。现在转向图20，图20是示出根据本发明另一实施例的内部对准标记和外部对准标记的布置的透视图。
[0111]图20中示出的外部对准标记152可以与图4中示出的外部对准标记52a基本相同。当从方向Dl或D2观察集成电路100时，位置对准标记AMP5和外部对准标记152可以被布置为使得轴x3与轴xl叠置,并且轴x4与轴x2叠置。如果位置对准标记AMP5和外部对准标记152被布置为使得轴x3与轴xl叠置，并且轴x4与轴x2叠置，则在芯片安装过程中，对于通过位置对准标记AMP5的对准和通过外部对准标记152的对准，可以通过应用相同的位置设定来使集成电路100对准，因此可以提高工艺的便利性。另外，虽然未示出，但是通过凹雕来形成外部对准标记52a的情形基本相同。
[0112]现在转向图21，图21是根据本发明又一实施例的对准标记区域131的平面图。参照图21，内部对准标记可包括位置对准标记AMP5和方向对准标记AMD5。方向对准标记AMD5可以与图6中示出的方向对准标记AMDl基本相同。
[0113]现在转向图22，图22是根据本发明又一实施例的对准标记区域131的平面图。参照图22,内部对准标记可包括位置对准标记AMP6和方向对准标记AMD6。位置对准标记AMP6可以与图5中不出的位置对准标记AMPl基本相同。
[0114]方向对准标记AMD6可连接到主半导体层132。即使当方向对准标记AMD6连接到主半导体层132时，位置芯片安装机也能够通过红外照相机来检测方向对准标记AMD6，因此能够确定集成电路200是否处于颠倒状态。
[0115]现在转向图23，图23是根据本发明又一实施例的对准标记区域131的平面图。参照图23，内部对准标记可包括连接到主半导体层132的位置对准标记AMP5和方向对准标记MD6。
[0116]现在转向图24，图24是根据本发明又一实施例的对准标记区域131的平面图。参照图24,内部对准标记可包括位置对准标记AMP6、方向对准标记AMD5和区域限定对准标记AMA4。
[0117]区域限定对准标记AMA4可以连接到主半导体层132。图24示出了区域限定对准标记AMA4的一侧连接到主半导体层132，然而，这仅仅是示例性的，在本实施例的一些变型中，区域限定对准标记AMA4的一些侧可以连接到主半导体层132，或者仅仅其一侧的一部分可以连接到主半导体层132。虽然未在图24中示出，但是在一些实施例中，NMOS晶体管可以形成在位置对准标记AMP6中或者在方向对准标记AMD5中。
[0118]在下文中，参照图25和图26，将描述根据实施例的通过凹雕形成的内部对准标记。现在转向图25，图25是根据本发明又一实施例的对准标记区域的平面图。参照图25，可通过凹雕形成内部对准标记。包括P型半导体的凹雕对准标记133可以布置在对准标记区域131中，在凹雕对准标记133的内侧上未布置凹雕对准标记133的内部区域可用作位置对准标记AMP7。位置对准标记AMP7可以与图13中的位置对准标记AMP4基本相同。
[0119]在图25中，凹雕对准标记133的一侧可以连接到主半导体层132。图25示出了凹雕对准标记133的一侧连接到主半导体层132，然而，这仅仅是示例性的，在一些变型中，凹雕对准标记133的一些侧可以连接到主半导体层132，或者仅仅其一侧的一部分可以连接到主半导体层132。
[0120]现在转向图26，图26是根据本发明又一实施例的对准标记区域131的平面图。参照图26，凹雕对准标记133a可被形成为包括位置对准标记AMP7和方向对准标记AMD7。凹雕对准标记133a的一侧可以连接到主半导体层132。图26示出了凹雕对准标记133a的一侧连接到主半导体层132，然而这仅仅是示例性的，在本实施例的一些变型中，凹雕对准标记133a的一些侧可以连接到主半导体层132，或者仅仅其一侧的一部分可以连接到主半导体层132。
[0121]在下文中，参照图27至图29，将描述根据本发明实施例的显示装置。图27是根据本发明实施例的显示装置1000的框图。参照图27,显示装置1000包括显示面板400以及驱动单元310、320和330。
[0122]显示面板400包括多个像素PX。显示面板400可接收数据信号D1、D2、......、
Dm以及栅极信号G1、G2、......> Gn,并且可显示对应的图像。数据信号D1、
D2、......、和Dm可以是关于显示在显示面板400上的图像的颜色或灰阶的信
号。栅极信号G1、G2、......、Gn可以是用于确定像素PX是否接收数据信号D1、
D2、......、Dm的信号。显不面板400可以是液晶面板、有机电致发光显不面板或电
泳显示面板。
[0123]驱动单元310、320和330可以包括栅极驱动器310、时序控制器320和数据驱动器330。时序控制器320可接收图像信号R、G、B并产生用于控制栅极驱动器310的栅极驱动器控制信号GCS以及用于控制数据驱动器330的数据驱动器控制信号DCS。栅极驱动器310
可接收栅极驱动器控制信号并产生对应的栅极信号G1、G2、......、Gn。数据驱动器
330可以接收数据驱动器控制信号DCS，并可以产生对应的数据信号Dl、D2、......、Dm。
[0124]栅极驱动器310、时序控制器320和数据驱动器330可以分别被制造在集成电路中，并且可以包括在显示装置1000中。在一些实施例中，驱动单元310、320和330可以制造成信号集成电路，并且可以包括在显示装置1000中。
[0125]在下文中，参照图28和图29，将描述根据本发明一个实施例的包括集成电路500的显示装置1000的布置。图28是示出根据本发明实施例的集成电路的布置的平面图。参照图28,显示面板400可以包括显示区DA和非显示区NDA,在显示区DA中显示图像,在非显示区NDA中不显示图像。集成电路500可以布置在非显示区NDA中。集成电路500可以对应于根据本发明实施例的图1至图26中示出的集成电路之一。如果集成电路500布置在非显示区NDA中，则包括P型半导体的内部对准标记或由包括P型半导体的凹雕对准标记限定的内部对准标记可以通过红外照相机被容易地检测到，该红外照相机沿显示面板400的集成电路500所布置在的表面的方向布置,而不会由于显不面板400而干扰视场，因此可以精确地对准集成电路500的位置。
[0126]现在转向图29，图29是示出根据本发明另一实施例的另一显示装置1000的另一布置的平面图。参照图29，显示装置还可包括附属基底600。附属基底600可以是柔性电路板，但本发明不限于此。附属基底600可以连接到显示面板400的非显示区NDA。在附属基底600上，可以布置集成电路500。当集成电路500布置在附属基底600上时，包括p型半导体的内部对准标记或由包括P型半导体的凹雕对准标记限定的内部对准标记可以通过红外照相机被容易地检测到，该红外照相机沿附属基底600的集成电路500所布置在的表面的方向布置，而不会由于附属基底600而干扰视场，因此可以精确地对准集成电路500的位置。
[0127]虽然已经出于说明性的目的描述了本发明的优选实施例，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离由权利要求书中所公开的本发明的范围和精神的情况下，能够进行各种修改、增加和替换。
【权利要求】
1.一种集成电路，所述集成电路包括: 基底； 半导体层，布置在基底上；以及 绝缘层，布置在半导体层的上部，并且包括设置在绝缘层的上表面上的凸块， 其中，半导体层包括主半导体区域和包括P型半导体的对准标记区域，对准标记区域与主半导体区域分隔开， 对准标记区域包括内部对准标记。
2.如权利要求1所述的集成电路，其中，基底是硅基底。
3.如权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记与内部对准标记叠置。
4.如权利要求1所述的集成电路，其中，内部对准标记的形状由在对准标记区域中布置有所述P型半导体的区域的形状来限定。
5.如权利要求4所述的集成电路，其中，内部对准标记包括位置对准标记。
6.如权利要求5所述的集成电路,其中，位置对准标记的形状相对于第一轴和与第一轴垂直的第二轴对称。
7.如权利要求6所述的集成电路，其中，位置对准标记包括NMOS晶体管。
8.如权利要求7所述的集成电路，其中，P型半导体包括第一P型半导体以及在第一 P型半导体上方并与第一 P型半导体分隔开的第二 P型半导体，并且 NMOS晶体管包括所述第一 P型半导体、所述第二 P型半导体以及布置在所述第一 P型半导体和所述第二 P型半导体之间的η型半导体。
9.如权利要求8所述的集成电路，其中，第二P型半导体包括彼此分隔开并进行η+掺杂的第一掺杂区和第二掺杂区，并且 NMOS晶体管还包括布置在第一掺杂区和第二掺杂区之间的栅极。
10.如权利要求6所述的集成电路，其中，位置对准标记包括多个NMOS晶体管。
11.如权利要求6所述的集成电路，其中，位置对准标记为十字形。
12.如权利要求6所述的集成电路，其中，位置对准标记为菱形。
13.如权利要求6所述的集成电路，其中，内部对准标记还包括方向对准标记。
14.如权利要求13所述的集成电路，其中，方向对准标记相对于第一轴和第二轴不对称。
15.如权利要求13所述的集成电路，其中，方向对准标记与位置对准标记分隔开。
16.如权利要求15所述的集成电路，其中，内部对准标记还包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。
17.如权利要求16所述的集成电路，其中，区域限定对准标记围绕对准标记区域的外周，并且 位置对准标记和方向对准标记布置在区域限定对准标记中。
18.如权利要求1所述的集成电路，其中，内部对准标记的形状由在对准标记区域中不具有所述P型半导体的区域的形状限定。
19.如权利要求18所述的集成电路，其中，对准标记区域包括NMOS晶体管。
20.如权利要求18所述的集成电路，其中，内部对准标记包括位置对准标记。
21.如权利要求20所述的集成电路,其中，位置对准标记相对于第一轴和与第一轴垂直的第二轴对称。
22.如权利要求21所述的集成电路，其中，位置对准标记为十字形。
23.如权利要求21所述的集成电路，其中，位置对准标记为菱形。
24.如权利要求21所述的集成电路,其中，内部对准标记还包括方向对准标记。
25.如权利要求24所述的集成电路,其中，方向对准标记相对于第一轴和第二轴不对称。
26.如权利要求24所述的集成电路，其中，方向对准标记与位置对准标记分隔开。
27.一种集成电路，所述集成电路包括: 基底； 半导体层，布置在基底上；以及 绝缘层，布置在半导体层的上部，并且包括设置在绝缘层的上表面上的凸块， 其中，半导体层包括彼此连接的主半导体区域和包括P型半导体的内部对准标记。
28.如权利要求27所述的集成电路，其中，基底为硅基底。
29.如权利要求27所述的集成电路，所述集成电路还包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记与内部对准标记叠置。`
30.如权利要求27所述的集成电路，其中，内部对准标记的形状由在对准标记区域中布置有所述P型半导体的区域的形状来限定。
31.如权利要求30所述的集成电路，其中，内部对准标记包括位置对准标记。
32.如权利要求31所述的集成电路，其中，位置对准标记连接到主半导体区域。
33.如权利要求31所述的集成电路，其中，内部对准标记还包括方向对准标记。
34.如权利要求33所述的集成电路，其中，方向对准标记连接到主半导体区域。
35.如权利要求33所述的集成电路，其中，内部对准标记还包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。
36.如权利要求35所述的集成电路，其中，区域限定对准标记连接到主半导体区域。
37.一种集成电路，所述集成电路包括: 基底； 半导体层，布置在基底上；以及 绝缘层，布置在半导体层的上部，并且包括设置在绝缘层的上表面上的凸块， 其中，半导体层包括主半导体区域以及包括P型半导体并连接到主半导体区域的凹雕对准标记，其中，内部对准标记由被凹雕对准标记围绕并且不具有所述P型半导体的区域的形状来限定。
38.如权利要求37所述的集成电路，其中，基底为硅基底。
39.如权利要求37所述的集成电路，所述集成电路还包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记与内部对准标记叠置。
40.如权利要求37所述的集成电路，其中，内部对准标记包括位置对准标记。
41.如权利要求40所述的集成电路,其中，内部对准标记还包括方向对准标记。
42.如权利要求41所述的集成电路，其中，内部对准标记还包括限定对准标记区域的区域限定对准标记，并且位置对准标记和方向对准标记布置在区域限定对准标记中。
43.一种显示装置，所述显示装置包括:显示面板和驱动显示面板的驱动单元，其中，驱动单元包括集成电路，所述集成电路包括: 基底； 半导体层，布置在基底上；以及 绝缘层，布置在半导体层的上部，并且包括设置在绝缘层的上表面上的凸块， 其中，半导体层包括对准标记区域，对准标记区域包括P型半导体，对准标记区域包括内部对准标记。
44.如权利要求43所述的显示装置，其中，基底是硅基底。
45.如权利要求43所述的显示装置，其中，所述集成电路包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记与内部对准标记叠置。
46.如权利要求43所述的显示装置，其中，内部对准标记的形状由在对准标记区域中布置有所述P型半导体的区域的形状来限定。
47.如权利要求46所述的显示装置，其中，内部对准标记包括位置对准标记。
48.如权利要求47所述的显示装置，其中，内部对准标记还包括方向对准标记。
49.如权利要求48所述的显示装置，其中，内部对准标记还包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。
50.如权利要求43所述的显示装置，其中，内对准标记的形状由在对准标记区域中不具有所述P型半导体的区域的形状限定。
51.如权利要求50所述的显示装置，其中，内部对准标记包括位置对准标记。
52.如权利要求51所述的显示装置，其中，内部对准标记还包括方向对准标记。
【文档编号】H01L23/544GK103579195SQ201310313654
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月24日 优先权日:2012年7月30日
【发明者】韩昊锡, 孟昊奭 申请人:三星显示有限公司