具有双重图案化金属层结构的位格的制作方法
【专利摘要】本发明涉及具有双重图案化金属层结构的位格，揭示一种用于提供具有双重图案化金属层结构的SRAM位格的方法。具体实施例包括：经由第一图案化制程，提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合；以及经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合的位线结构。具体实施例包括：提供作为该字线结构的第一接着垫，以及作为该接地线结构的第二接着垫；以及提供有第一端边及第一侧边的该第一接着垫，以及有第二端边及第二侧边的该第二接着垫，其中该第一侧边面向该第二侧边。
【专利说明】具有双重图案化金属层结构的位格
【技术领域】
[0001]本揭示内容有关于微型化静态随机存取内存(SRAM)位格的制造。本揭示内容尤其可应用于可超越20奈米(nm)技术节点(例如，14奈米及其它技术节点)的SRAM位格。
【背景技术】
[0002]随着技术进步，以及持续缩减晶体管装置的尺寸，越来越难以维持用于制造半导体装置的设计的光刻可印性。例如，图1A中的习知SRAM位格100包含用于字线的金属1接着垫(landing pad)101、用于接地线的金属1接着垫103、以及金属1位线结构105以及金属2层结构107。此外，位格100包含主动区触点109、金属触点111、以及用于完成与金属1层结构101、103及105关连的各种互连的通孔1结构113以及金属2层结构107。不过，位格100可能难以印在晶圆上，因为位格100中颜色相同(或图案化)的金属结构彼此太接近。如图标，例如，字线接着垫101可能太靠近接地线接着垫103，以及接着垫101、103可能太靠近位线结构105。因此，变成越来越难以进一步缩小位格100的设计。此外，如图1B所示的另一习知SRAM位格130，单一图案化金属线(例如，金属1层结构131及133)占据重要的空间。不过，如果减少位格130的高度(例如，以减少占用空间)，金属1层结构133之间的端边至端边间距(tip-to-tip spacing,其中端边为结构的短边)，特别是在相同的颜色空间中，会变成太靠近，这对位格130的光刻可印性有不利影响。
[0003]因此，亟须一种有改良光刻可印性的微型化SRAM位格及致能方法。
【发明内容】
[0004]本揭示内容的态样为一种用于实现具有双重图案化金属层结构的位格的方法。
[0005]本揭示内容的另一态样为一种用有双重图案化金属层结构的位格实现的装置。
[0006]本揭示内容的其它态样及特征会在以下说明中提出以及部份在本技艺一般技术人员审查以下内容或学习本揭示内容的实施后会明白。按照权利要求所特别提示，可实现及得到本揭示内容的优点。
[0007]根据本揭示内容，一些技术效果的达成部份可藉由一种方法，包含:经由第一图案化制程，提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合；以及经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合的位线结构。
[0008]本揭示内容的数个态样包括:提供作为该字线结构的第一接着垫，以及作为该接地线结构的第二接着垫；以及提供具有第一端边(first tip edge)及第一侧边(firstside edge)的该第一接着垫，以及有第二端边及第二侧边的该第二接着垫,其中该第一侧边面向该第二侧边。附加态样包括:提供具有第三端边及第三侧边的该位线结构；以及提供平行于该第三侧边的该第一及该第二端边。不同的态样包括:该位线结构、该字线结构、该接地线结构及该电源线结构均为金属1层结构。其它的态样包括:使用该第一及该第二图案化制程，提供该等金属1层结构的双重图案化。使用双重图案化，该第一色金属与该第二色金属可紧密地隔开以减少位格面积，然而两个同色金属不能这样。[0009]有些态样包括:提供比该第一端边、该第二端边或彼等的组合长1.4至1.8倍的该第一侧边、该第二侧边或彼等的组合。一些态样包括:提供与该第二侧边有50奈米至60奈米的距离的该第一侧边。其它态样包括:提供垂直于该第一侧边的该第一端边、垂直于该第二侧边的该第二端边或彼等的组合。其它的态样包括:经由该第二图案化制程，提供第二位线结构；以及提供该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合于该位线结构与该第二位线结构之间。使用侧边至侧边结构(side-to-side structure),该第一接着垫与该第二接着垫可紧密地隔开以减少位格面积，即使这两个接着垫的颜色图案相同。
[0010]本揭示内容的附加态样为一种装置，包含:具有第一端边及第一侧边的字线结构；具有第二端边及第二侧边的接地线结构，其中该第一侧边面向该第二侧边；电源线结构；以及紧邻该字线结构、该接地线结构及该电源线结构的位线结构。
[0011]数个态样包括:该位线结构有第三端边与第三侧边，以及该第一及该第二端边平行于该第三侧边。附加态样包括:该第一侧边、该第二侧边或彼等的组合比该第一端边、该第二端边或彼等的组合长1.4至1.8倍。一些态样包括:该第一侧边与该第二侧边有50奈米至60奈米的距离。某些态样包括:该第一端边垂直于该第一侧边，该第二端边垂直于该第二侧边、或彼等的组合。其它态样包括:该位线结构、该字线结构、该接地线结构及该电源线结构均为金属1层结构。
[0012]本揭示内容的另一态样包括:经由第一图案化制程，提供有第一端边及第一侧边的字线结构；经由第一图案化制程，提供有第二端边及第二侧边的接地线结构，其中该第一侧边面向该第二侧边；以及经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构及该接地线结构的位线结构。
[0013]附加态样包括:提供具有第三端边及第三侧边的该位线结构；以及提供平行于该第三侧边的该第一及该第二端边。一些态样包括:提供比该第一端边、该第二端边、或彼等的组合长1.4至1.8倍的该第一侧边、该第二侧边、或彼等的组合。不同的态样包括:经由第一图案化制程，提供紧邻该位线结构的电源线结构。其它态样包括:该位线结构、该字线结构、该接地线结构及该电源线结构均为金属1层结构。
[0014]熟谙此艺者由以下详细说明可明白本揭示内容的其它方面及技术效果，其中仅以预期可实现本揭示内容的最佳模式举例描述本揭示内容的具体实施例。应了解，本揭示内容能够做出其它及不同的具体实施例，以及在各种明显的态样，能够修改数个细节而不脱离本揭示内容。因此，附图及说明内容本质上应被视为图解说明用而不是用来限定。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]在此用附图举例说明而不是限定本揭示内容，图中类似的组件用相同的组件符号表不。
[0016]图1A及1B示意图标有单一图案化金属层结构的SRAM位格；
[0017]图2根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标有双重图案化金属层结构的位格；
[0018]图3根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标有双重图案化金属层结构的位格的电路图；
[0019]图4根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有双重图案化金属层结构的位格关连的η型阱区及主动区；[0020]图5根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有双重图案化金属层结构的位格关连的多晶娃结构及多晶娃切割区；
[0021]图6根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有双重图案化金属层结构的位格关连的主动区触点、栅极触点及通孔0结构；以及
[0022]图7根据本揭示内容的示范具体实施例示意图标与有双重图案化金属层结构的位格关连的通孔0结构及金属1层结构。
[0023]符号说明
[0024]
100习知SRAM位格
101金属1接着垫
103金属1接着垫
105金属1位线结构
107金属2层结构
109主动区触点
111金属触点
113通孔1结构
130另一习知SRAM位格
131、133金属1层结构
200位格
201金属1字线结构
203金属1接地线结构
205金属1电源线结构
207金属1位线结构
300位格
301a、301b传递栅极
303a、303b位线
[0025]
【权利要求】
1.一种方法，包含: 经由第一图案化制程，提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合；以及经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合的位线结构。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 提供作为该字线结构的第一接着垫，以及作为该接地线结构的第二接着垫；以及提供具有第一端边及第一侧边的该第一接着垫，以及具有第二端边及第二侧边的该第二接着垫，其中，该第一侧边面向该第二侧边。
3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括: 提供具有第三端边及第三侧边的该位线结构；以及 提供平行于该第三侧边的该第一及该第二端边。
4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括: 提供长度比该第一端边、该第二端边或彼等的组合大1.4至1.8倍的该第一侧边、该第二侧边或彼等的组合。
5.根据权利要求2所述的方法，进一步包括: 提供与该第二侧边有50奈米至60奈米的距离的该第一侧边。
6.根据权利要求2所述的方法，进一步包括: 提供垂直于该第一侧边的该第一端边、垂直于该第二侧边的该第二端边、或彼等的组口 ο
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 经由该第二图案化制程，提供第二位线结构；以及 提供该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合于该位线结构与该第二位线结构之间。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，该位线结构、该字线结构、该接地线结构及该电源线结构均为金属1层结构。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括: 使用该第一及该第二图案化制程，提供该等金属1层结构的双重图案化。
10.一种装置,包含: 具有第一端边及第一侧边的字线结构； 具有第二端边及第二侧边的接地线结构，其中，该第一侧边面向该第二侧边； 电源线结构；以及 紧邻该字线结构、该接地线结构及该电源线结构的位线结构。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，该位线结构具有第三端边与第三侧边，以及该第一及该第二端边平行于该第三侧边。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一侧边、该第二侧边、或彼等的组合比该第一端边、该第二端边或彼等的组合长1.4至1.8倍。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一侧边与该第二侧边有50奈米至60奈米的距离。
14.根据权利要求10所述的装置，其中，该第一端边垂直于该第一侧边、该第二端边垂直于该第二侧边、或彼等的组合。
15.根据权利要求10所述的装置，其中，该位线结构、该字线结构、该接地线结构及该电源线结构均为金属1层结构。
16.—种方法，包含: 经由第一图案化制程，提供具有第一端边及第一侧边的字线结构； 经由第一图案化制程，提供具有第二端边及第二侧边的接地线结构，其中，该第一侧边面向该第二侧边；以及 经由第二图案化制程，提供紧邻该字线结构及该接地线结构的位线结构。
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括: 提供具有第三端边及第三侧边的该位线结构；以及 提供平行于该第三侧边的该第一及该第二端边。
18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括: 提供比该第一端边、该第二端边或彼等的组合长1.4至1.8倍的该第一侧边、该第二侧边或彼等的组合。
19.根据权利要求16所述的方法，进一步包括: 经由第一图案化制程，提供紧邻该位线结构的电源线结构。
20.根据权利要求19所述`的方法，其中，该位线结构、该字线结构、该接地线结构及该电源线结构均为金属1层结构。
【文档编号】H01L21/768GK103681471SQ201310410115
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月10日 优先权日:2012年9月14日
【发明者】J·金, M·拉希德 申请人:格罗方德半导体公司