沉积装置和应用于沉积装置的掩模组件的制作方法

沉积装置和应用于沉积装置的掩模组件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种沉积装置和掩模组件，所述沉积装置包括：掩模框架，具有框架开口；掩模，结合到掩模框架的上表面并且被构造为覆盖框架开口；延伸构件，被布置在框架开口的边缘的至少一部分上，并且被构造为从掩模框架的上表面突出并使掩模的与框架开口相对应的第一部分的竖直距离比掩模的与掩模框架的上表面接触的第二部分的竖直距离大，每个竖直距离均是从掩模框架的上表面测量的。
【专利说明】沉积装置和应用于沉积装置的掩模组件

【技术领域】
[0001] 下面的描述涉及一种沉积装置和一种应用于该沉积装置的掩模组件。

【背景技术】
[0002] 尽管存在许多不同类型的显示装置，但是由于作为自发光显示装置的有机发光显 示装置自身在具有宽的视角、优异的对比度和高的响应速度的方面的优势，它们作为下一 代显示装置已经引起关注。
[0003] 有机发光显示装置包括中间层，中间层包括位于彼此面对的电极之间的至少一个 发光层。电极和中间层可以以各种方法形成，而这些方法中的一种就是沉积方法。
[0004] 沉积方法就是通过利用具有与将要位于基板上的膜的图案相同的开口图案的掩 模而将沉积材料沉积在基板上来形成期望图案的膜的方法，以制造有机发光显示装置。


【发明内容】

[0005] 掩模通常通过将要在沉积工艺中使用的焊接而结合到掩模框架。随着在沉积工艺 中使用的基板的尺寸逐渐增大，相应的掩模的尺寸也增大(例如，为大的尺寸)。
[0006] 然而，随着掩模变为大尺寸，在沉积工艺中出现掩模向下下垂的问题。因此，会发 生阴影效应，例如，这在通过掩模在基板上沉积沉积材料时会导致形成尺寸比期望的膜图 案大或小的膜图案，并且这会在有机发光显示装置发光时引起颜色混合等问题。
[0007] 根据本发明的实施例的方面针对于一种沉积装置和一种应用于沉积装置的掩模 组件，它们能够通过借助掩模在水平方向上的延伸来防止掩模下垂而在使用掩模的沉积工 艺中减小基板的劣等沉积。
[0008] 本发明的附加方面、主题和特征将在下面的描述中进行部分阐述，部分将通过下 面的审查而对本领域普通技术人员变得明显，或者可通过实施本发明而了解。
[0009] 根据本发明的实施例的方面，提供了一种沉积装置，所述沉积装置包括：掩模框 架，具有框架开口；掩模，结合到掩模框架的上表面并且被构造为覆盖框架开口；延伸构 件，被布置在框架开口的边缘的至少一部分上，并且被构造为从掩模框架的上表面突出并 使掩模的与框架开口相对应的第一部分的坚直距离比掩模的与掩模框架的上表面接触的 第二部分的坚直距离大，每个坚直距离均是从掩模框架的上表面测量的。
[0010] 第一部分可以沿从掩模框架到掩模的方向位于第二部分上方。
[0011] 延伸构件可以包括在框架开口中沿框架开口的边缘布置的一个墩块。
[0012] 延伸构件可以包括接触掩模的接触部分，接触部分的横截面具有多边形、半球形、 半椭圆形或它们的组合的形状。
[0013] 掩模可以包括结合在第一部分和第二部分之间的第三部分，延伸构件可以包括接 触掩模的第一部分的接触部分，在第一部分和第三部分彼此接触的部分与接触部分的侧表 面之间可以形成有间隙。
[0014] 框架开口可以呈具有四个边的矩形平面的形状，延伸构件可以包括被布置在所述 四个边中的至少一个边上的墩块。
[0015] 框架开口可以呈具有四个边的矩形平面的形状，延伸构件可以包括在所述四个边 中的至少一个边上划分的多个墩块，所述多个墩块可以被布置为彼此接触或彼此分隔开。
[0016] 所述沉积装置还可以包括：传送部分，布置在与掩模的上表面分隔开的上部上并 且被构造为将基板布置在掩模的上表面上；沉积材料供应源，布置在与掩模的下表面隔开 的下部上并且被构造为通过掩模将沉积材料供应到基板。
[0017] 根据本发明的实施例的另一方面，提供了一种沉积装置，所述沉积装置包括：掩模 框架，具有框架开口；掩模，结合到掩模框架的上表面并且覆盖框架开口；延伸构件，被布 置在框架开口的边缘的至少一部分的下部或上部，并且被构造为相应地移动到所述上部或 所述下部，并使掩模的与框架开口相对应的第一部分的坚直距离比掩模的与掩模框架的上 表面接触的第二部分的坚直距离大，每个坚直距离均是从掩模框架的上表面测量的。
[0018] 第一部分可以沿从掩模框架到掩模的方向位于第二部分上方。
[0019] 第一部分可以沿从掩模框架到掩模的方向位于第二部分下方。
[0020] 延伸构件可以包括在框架开口中沿框架开口的边缘布置的一个墩块。
[0021] 延伸构件可以包括接触掩模的接触部分，接触部分的横截面可以具有多边形、半 球形、半椭圆形或它们的组合的形状。
[0022] 掩模可以包括结合在第一部分和第二部分之间的第三部分，延伸构件可以包括接 触掩模的第一部分的接触部分，在第一部分和第三部分彼此接触的部分与接触部分的侧表 面之间可以形成有间隙。
[0023] 框架开口可以呈具有四个边的矩形平面的形状，延伸构件可以包括被布置在所述 四个边中的至少一个边上的墩块。
[0024] 框架开口可以呈具有四个边的矩形平面的形状，延伸构件可以包括在所述四个边 中的至少一个边上划分的多个墩块，所述多个墩块可以被布置为彼此接触或彼此分隔开。
[0025] 所述沉积装置还可以包括：传送部分，布置在与掩模的上表面分隔开的上部上并 且被构造为使基板布置在掩模的上表面上；沉积材料供应源，布置在与掩模的下表面分隔 开的下部上并且被构造为通过掩模将沉积材料供应到基板。
[0026] 根据本发明的实施例的一方面，提供了一种掩模组件，所述掩模组件包括：掩模框 架，具有框架开口；掩模，结合到掩模框架的上表面并且覆盖框架开口，掩模包括与框架开 口相对应的第一部分、接触掩模框架的上表面的第二部分以及结合在第一部分和第二部分 之间并且厚度比第一部分和第二部分的厚度薄的第三部分。
[0027] 第一部分可以沿从掩模框架到掩模的方向位于第二部分上方。
[0028] 第一部分可以沿从掩模框架到掩模的方向位于第二部分下方。
[0029] 根据本发明的实施例，至少可以实现下述效果。
[0030] 根据本发明实施例的沉积装置，通过将延伸构件布置在掩模框架的框架开口的边 缘的至少一部分上使得延伸构件与掩模接触并且按压通过焊接结合到掩模框架的掩模的 下部，可以通过将掩模的第一部分设置得比掩模的第二部分距离掩模框架的上表面远而在 水平方向上拉伸掩模(或者使掩模在水平方向上延伸）。
[0031] 因此，根据本发明实施例的沉积装置可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板的掩模 在沉积过程中下垂，由此可以防止发生阴影效应。当在将沉积材料沉积在基板上的同时形 成了尺寸比期望的膜图案大或小的膜图案时，会发生这种效应。
[0032] 因此，根据本发明实施例的沉积装置可以防止因掩模下垂而发生的在基板上的劣 等沉积，并且在使用该沉积方法制造有机发光显示装置的情况下，沉积装置能够解决当有 机发光显示装置发光时的颜色混合等问题。
[0033] 根据本发明实施例的效果不限于上面所示例出的内容，在本申请的说明书中会描 述进一步的各种效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0034] 通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的上述和其它特征和方面将更加明 显，其中：
[0035] 图1是示意性地示出根据本发明的示例实施例的沉积装置的剖视图；
[0036] 图2是示出图1中示出的掩模的示例的平面图；
[0037] 图3是示出根据本发明的示例实施例的图1中示出的掩模框架和延伸构件的布置 的平面图；
[0038] 图4是根据本发明的示例实施例的图1中的"A"部分的放大视图；
[0039] 图5到图12是示出根据本发明的一些示例实施例的图1中示出的延伸构件的各 种实施例的剖视图；
[0040] 图13到图18是示出图3中示出的掩模框架和延伸构件的布置的各种实施例的平 面图；
[0041] 图19是根据本发明的示例实施例的应用于沉积装置的掩模组件的剖视图；
[0042] 图20是示意性示出根据本发明的另一示例实施例的沉积装置的剖视图；
[0043] 图21是示意性示出根据本发明的又一实施例的沉积装置的剖视图；
[0044] 图22是示意性示出根据本发明的又一实施例的沉积装置的剖视图；
[0045] 图23是根据本发明的另一示例实施例的应用于沉积装置的掩模组件的剖视图。

【具体实施方式】
[0046] 本发明的实施例和特征及实现其的方法可以通过参照下面的优选实施例的详细 描述和附图而更加容易地理解。然而，本发明可以以多种不同的形式来实施，并且不应该被 理解为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并 将把本发明的构思充分地传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求书及其等同物来 限定。
[0047] 还将理解的是，当层被称作在另一层或基板"上"时，该层可以直接在另一层或基 板上，或者也可以存在中间层。在整个说明书中，相同的标号指示相同的组件。
[0048] 将理解的是，虽然在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、 区域、层和/或部分，但是，这些元件、组件、区域、层和/或部分并不应受这些术语的限制。 这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分 区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或 部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0049] 在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
[0050] 图1是示意性地示出根据本发明实施例的沉积装置的剖视图，图2是示出图1中 示出的掩模的示例的平面图，图3是示出根据本发明的实施例的图1中示出的掩模框架和 延伸构件的布置的平面图。
[0051] 参照图1，沉积装置100是一种将沉积材料沉积在基板S的期望位置上以形成膜图 案的装置。
[0052] 基板S可以是用于显示装置的基板。例如，基板S可以是用于诸如有机发光显示 装置、液晶显示装置或等离子体显示装置的显示装置的基板。基板S可以是裸基板或者形 成有诸如薄膜和布线的结构的基板。另外，基板S可以是用于单个显示装置的基板，或者可 以是包括通过以单元为单位进行切割而将被聚集为显示基板的多个单位单元的母板。
[0053] 沉积装置100可以被安装在用于沉积工艺的沉积室(例如，气相沉积室)中，并且可 以包括掩模框架110、框架支撑件120、掩模130、传送部分140、延伸构件150和沉积材料供 应源160。
[0054] 掩模框架110支撑掩模130,并且可以通过焊接结合到掩模130。掩模框架110可 以形成为在通过掩模130在基板S上沉积沉积材料时不干扰沉积的结构。例如，掩模框架 110中可以具有框架开口 FAP，并且掩模框架110可以为带状。
[0055] 框架支撑件120支撑通过焊接而结合到掩模130的掩模框架110,并且被安装为使 得结合到掩模框架110的掩模130被布置在沉积室内部的处理空间中。框架支撑件120可 以形成为在通过掩模130在基板S上沉积沉积材料时不干扰沉积的结构。例如，掩模框架 110可以形成为能够支撑作为框架开口 FAP的外侧的边缘的结构。
[0056] 掩模130结合到掩模框架110的上表面，以覆盖掩模框架110的框架开口 FAP。掩 模130可以包括与掩模框架110的框架开口 FAP相对应的第一部分130a、与掩模框架110的 上表面接触并且沿从沉积材料供应源160到基板S的方向位于第一部分130a下方(例如， 位置比第一部分130a低）的第二部分130b以及结合(例如，连接）在第一部分130a和第二 部分130b之间的第三部分130c。结合在第一部分130a或第二部分130b与第三部分130c 之间的连接部分可以是弯曲的。掩模130可以包括如图2中所示的形成在与期望的膜图案 相对应的位置中的多个掩模开口 MAP，从而能够通过将沉积材料沉积在布置在掩模130的 上部上的基板S上而形成期望的膜图案。掩模130中的形成有多个掩模开口 MAP的区域可 以与掩模框架120的框架开口 FAP相对应。在有机发光显示装置的红色有机发光层、绿色 有机发光层和蓝色有机发光层当中形成红色有机发光层的情况下，多个掩模开口 MAP可以 位于与例如红色有机发光层的图案相对应的位置。图2示出了多个掩模开口 MAP以狭缝形 状形成。然而，掩模开口 MAP可以以点的形状形成或者可以形成为包括狭缝形状和点的形 状。另外，图2示出了在掩模130上彼此未分开的多个掩模开口 MAP，但是不限于此。即，掩 模130可以由多个掩模条带(或者分开的掩模）组成，从而多个掩模开口 MAP可以在某个方 向(例如，预定方向）上彼此分开。
[0057] 传送部分140布置在与掩模130的上表面隔开的上部上，传送部分140传送基板 S，从而使基板S布置为与掩模130的上表面相邻或与掩模130的上表面接触。传送部分 140可以被构造为执行坚直移动。
[0058] 延伸构件150被布置在框架开口 FAP的边缘的至少一部分上，以从掩模框架110 的上表面突出。例如，延伸构件150可以在框架开口 FAP中沿框架开口 FAP的边缘布置，并 且可以包括朝着掩模框架110的上表面突出的一个墩块（block)。
[0059] 当延伸构件150布置在框架开口 FAP的边缘的至少一部分上时，随着按压通过焊 接结合到掩模框架110的掩模130的下部，延伸构件150与掩模130接触。按照此方式，延 伸构件150通过使掩模130的第一部分130a的坚直距离比掩模130的第二部分130b的坚 直距离大(从掩模框架110的上表面测量)，即，通过使第一部分130a在从掩模框架110到掩 模130的方向上比第二部分130b高而起到使掩模130 (例如，第一部分130a)在水平方向 上延伸的作用。因此，防止掩模130向下下垂。虽然未示出，但是延伸构件150可以通过螺 钉等结合到掩模框架110或与掩模框架110分开。在延伸构件150通过螺钉结合到掩模框 架100的实施例中，延伸构件110可以通过螺钉与掩模框架110接触或与掩模框架110分 开。在一些实施例中，延伸构件150具有长的长度，因此延伸构件150通过螺钉可以结合到 沉积室的内壁或者可以保持与沉积室的内壁分开。稍后将描述延伸构件150的与掩模130 接触的接触部分C的细节。
[0060] 沉积材料供应源160布置在沉积室的内部空间中的与掩模130的下表面隔开的下 部上。沉积材料供应源160将沉积材料从掩模130的下侧供应到掩模130,从而期望的膜图 案通过掩模130的掩模开口 MAP而形成在基板S上。例如，沉积材料供应源160可以通过 使沉积材料(例如，预定的沉积材料）（诸如有机发光材料或电极材料)从掩模130的下部向 掩模130的方向蒸发而向掩模130的方向供应沉积材料。在该实施例中，沉积材料供应源 160可以由通过在高温下加热沉积材料而使沉积材料蒸发的蒸发源来实施。
[0061] 在一些实施例中，沉积材料供应源160可以安装为在沉积室内部沿水平方向可移 动一定距离(例如，预定的距离)。例如，可以在沉积室中安装用于在水平方向上传送沉积材 料供应源160 -定距离(例如，预定的距离）的传送单元。
[0062] 接下来，将详细描述延伸构件150的与掩模130接触的接触部分。延伸构件150的 接触部分的横截面可以具有下列形状中的一种：多边形、半球形、半椭圆形或它们的组合。
[0063] 图4是根据本发明的示例实施例的图1中的"A"部分的放大视图。
[0064] 参照图4,延伸构件150的接触部分C可以具有矩形的横截面。延伸构件150坚直 移动以与第一部分130a接触并固定到第一部分130a，延伸构件150利用宽的接触区域按压 掩模130的下部，具体地说，按压第一部分130a，由此能够提高使第一部分130a在水平方向 上延伸的延伸力，具体地说，在第二部分130b的方向上延伸的延伸力。因此，延伸构件150 可以防止被扩大以匹配大尺寸基板的掩模130下垂，由此可以防止发生在将沉积材料沉积 在基板S上的同时形成尺寸比期望的膜图案大或小的膜图案的阴影效应。在该示例中，当 第一部分130a沿水平方向上延伸时，延伸构件150可以使第一部分130a延伸得与第三部 分130c的宽度一样多。
[0065] 在下文中，将更加详细地描述被应用于上述沉积装置的具有呈各种合适形状的接 触部分的延伸构件。
[0066] 图5到图12是示出在图1中示出的延伸构件的各种实施例的剖视图。
[0067] 参照图5到图12,延伸构件150a到150h被构造为在接触部分C1到C8的侧表面 与掩模130中的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的部分之间形成空间间隙。因此， 防止了厚度在延伸构件150a到150h使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸时变 薄的掩模130的第三部分130c受到延伸构件150a到150h的角的损坏。
[0068] 具体地说，图5示出了延伸构件150a包括具有三角形的横截面的接触部分Cl的 示例。延伸构件150a被构造为在接触部分C1和掩模130的第一部分130a之间具有小的 接触区域，因而可以应用于掩模130具有小的尺寸并且掩模130的下垂并不明显的情形。 [0069] 图6示出了延伸构件150b包括具有六边形的横截面的接触部分C2的示例。在一 个实施例中，延伸构件150b包括通过削去横截面为矩形的接触部分C的两个相对的上部的 角（或边缘）而形成的接触部分C2。延伸构件150b具有接触部分C2的侧表面未到达掩模 130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的这部分的结构，由此通过增大接触部分 C2和掩模130的第一部分130a之间的接触区域而提高了使掩模130的第一部分130a在水 平方向上延伸的延伸力。
[0070] 图7示出了延伸构件150c包括具有五边形的横截面的接触部分C3的示例。在一 个实施例中，延伸构件150c包括通过削去横截面为矩形的接触部分C的相对的上部的角 (或边缘)中的面对掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的部分的一个上部 的角（或边缘)而形成的接触部分C3。按照与图6中的延伸构件150b相同的方式，延伸构件 150c具有接触部分C3的侧表面未到达掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接 触的这部分的结构，由此通过增大接触部分C3和掩模130的第一部分130a之间的接触区 域而提高了使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸的延伸力(例如，纵向拉伸力）。
[0071] 图8示出了延伸构件150d包括接触部分C4的示例，接触部分C4通过下述方式来 形成：按照直线的形式削去横截面为矩形的接触部分C的相对的上部的角（或边缘）中的面 对掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的部分的一个上部的角（或边缘)， 而按圆形的形式削去另一个角（或边缘)。按照与图6中的延伸构件150b相同的方式，延伸 构件150d也具有接触部分C4的侧表面未到达掩模130的第一部分130a和第三部分130c 彼此接触的这部分的结构，从而通过增大接触部分C4和掩模130的第一部分130a之间的 接触区域而提高了使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸的延伸力（例如，纵向拉 伸力）。
[0072] 图9示出了延伸构件150e包括具有半球形横截面的接触部分C5的示例。延伸构 件150e具有接触部分C5和掩模130的第一部分130a之间的接触区域比图5中的延伸构 件150a的接触部分C1和掩模130的第一部分130a之间的接触区域大一点的结构，并且可 以在掩模130具有小的尺寸并且掩模130下垂不明显的情况下应用，以实现与掩模130的 稳定接触。
[0073] 图10示出了延伸构件150f包括具有半椭圆形的横截面的接触部分C6的示例。 按照与图6中的延伸构件150b相同的方式，延伸构件150f也具有接触部分C6的侧表面未 到达掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的这部分的结构，由此通过增大 接触部分C6和掩模130的第一部分130a之间的接触区域而提高了使掩模130的第一部分 130a在水平方向上延伸的延伸力。
[0074] 图11示出了延伸构件150g包括接触部分C7的示例，接触部分C7通过下述方式 来形成：按照圆形的形状削去横截面为矩形的接触部分C的相对的上部的角（或边缘）中的 面对掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的部分的一个上部的角（或边缘)， 而按直线的形式削去另一个角。按照与图6中的延伸构件150b相同的方式，延伸构件150g 也具有接触部分C7的侧表面未到达掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触 的这部分的结构，由此通过增大接触部分C7和掩模130的第一部分130a之间的接触区域 而提高了使掩模130的第一部分130a在水平方向上延伸的延伸力。
[0075] 图12示出了延伸构件150h包括接触部分C8的示例，接触部分C8通过下述方式 来形成：按照圆形的形状削去横截面为矩形的接触部分C的相对的上部的角（或边缘）中的 面对掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的部分的一个上部的角（或边缘)。 按照与图6中的延伸构件150b相同的方式，延伸构件150h也具有接触部分C8的侧表面未 到达掩模130的第一部分130a和第三部分130c彼此接触的这部分的结构，由此通过增大 接触部分C8和掩模130的第一部分130a之间的接触区域而提高了使掩模130的第一部分 130a在水平方向上延伸的延伸力。
[0076] 在下文中，将更加详细地描述图3中示出的掩模框架和延伸构件的布置的各种实 施例。
[0077] 图13到图18是示出图3中示出的掩模框架和延伸构件的布置的各种示例实施例 的平面图。
[0078] 参照图13到图18,在掩模框架110的框架开口 FAP呈例如具有四个边的矩形平面 的形状的情况下，举例示出了延伸构件包括布置在四个边中的任意一个边上的墩块，并且 能够控制掩模的期望部分在水平方向上的延伸。
[0079] 图13示出了延伸构件250在掩模框架110的框架开口 FAP中被布置在框架开口 FAP的边缘中的在X轴方向上的一侧上的示例。在掩模130具有小尺寸并且因而掩模130 下垂不明显的情况下，该延伸构件250可以通过与掩模130的一侧接触而被应用为使掩模 130的这一侧在水平方向上细微地延伸。
[0080] 图14示出了延伸构件350包括在掩模框架110的框架开口 FAP中被布置在框架 开口 FAP的边缘中的在X轴方向上的两侧上的第一墩块351和第二墩块352的示例。在掩 模130沿X轴方向下垂的情况下，该延伸构件350可以借助第一墩块351和第二墩块352 通过使掩模130在X轴方向上以平衡的方式水平地延伸而防止掩模130下垂。
[0081] 图15示出了延伸构件450包括在掩模框架110的框架开口 FAP中被布置在框架 开口 FAP的边缘中的在Y轴方向上的两侧上的第一墩块451和第二墩块452的示例。在掩 模130沿Y轴方向下垂的情况下，该延伸构件450可以借助第一墩块451和第二墩块452 通过使掩模130在Y轴方向上以平衡的方式水平地延伸而防止掩模130下垂。
[0082] 图16示出了延伸构件550包括在掩模框架110的框架开口 FAP中被布置在框架 开口 FAP的四个边上的第一墩块551、第二墩块552、第三墩块553和第四墩块554的示例。 根据该示例，第一墩块551、第二墩块552、第三墩块553和第四墩块554可以独立地控制与 掩模130的接触并且按压掩模130的下部，因此能够根据掩模130下垂的方式(例如，位置） 而可变地调节(或不同地设定）掩模130在水平方向上延伸的位置。
[0083] 图17示出了延伸构件650包括第一墩块651、第二墩块652、第三墩块653、第四 墩块654、第五墩块655、第六墩块656、第七墩块657和第八墩块658使得多个划分的墩块 在掩模框架110的框架开口 FAP中被布置在框架开口 FAP的四个边中的至少一个边上的示 例。根据该不例，第一墩块651、第二墩块652、第三墩块653、第四墩块654、第五墩块655、 第六墩块656、第七墩块657和第八墩块658可以独立地控制与掩模130的接触并且按压掩 模130的下部，因此能够根据掩模130下垂的位置在进一步的细节上可变地调节(或不同地 设置）掩模130在水平方向上延伸的位置。
[0084] 图18示出了延伸构件750包括在掩模框架110的框架开口 FAP中被划分到框架 开口 FAP的四个边中并且被布置为彼此分隔开的多个墩块。根据该示例，所述多个墩块可 以独立地控制与掩模130的接触并且按压掩模130的下部，由此所述多个墩块之间不会发 生干扰。
[0085] 在使用上面描述的延伸构件150、150a到150h、250、350、450、550、650和750使掩 模130在水平方向上延伸的示例中，多个掩模开口 MAP之间的间距可以改变(例如，间距变 成扭曲)，并且考虑到这种变化(例如，扭曲)，多个掩模开口 MAP可以在多个掩模开口 MAP之 间的间距被调整的状态下被初始地形成在掩模130上。另外，延伸构件150、150a到150h、 250、350、450、550、650和750可以被控制为在多个掩模开口 MAP之间的间距的变化(例如， 扭曲）所允许的范围(例如，可接受的范围）内沿水平方向拉伸掩模130 (或使掩模130在水 平方向上延伸）。
[0086] 如上所述，根据本发明实施例的沉积装置100可以通过下述方式在水平方向上拉 伸掩模130 (或者使掩模130在水平方向上延伸):将掩模130的第一部分130a设置得比掩 模130的第二部分130b距离掩模框架110的上表面远，即，通过将第一部分130a在从掩模 框架110到掩模130所指向的方向上设置得比第二部分130b高。这可以通过将延伸构件 150布置在掩模框架110的框架开口 FAP的边缘的至少一部分上使得延伸构件150与掩模 130接触并且按压通过焊接结合到掩模框架110的掩模130的下部来实现。
[0087] 因此，根据本发明实施例的沉积装置100可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模130在沉积过程中下垂，由此可以防止发生阴影效应。当在将沉积材料沉积在基板S 上的同时由于掩模130的下垂导致形成尺寸比期望的膜图案大或小的膜图案时，会发生这 种效应。
[0088] 因此，根据本发明实施例的沉积装置100可以防止因掩模下垂而发生的在基板S 上的劣等沉积，并且在使用该沉积方法制造有机发光显示装置的情况下，沉积装置能够解 决当有机发光显示装置发光时的颜色混合等问题。
[0089] 接下来，将描述根据本发明的实施例的应用于沉积装置100的掩模组件。
[0090] 图19是根据本发明的示例实施例的应用于沉积装置的掩模组件的剖视图。
[0091] 参照图19,根据本发明的实施例的应用于沉积装置100的掩模组件10包括掩模框 架110和掩模130。
[0092] 掩模框架110支撑掩模130,并且通过焊接结合到掩模130。掩模框架110可以形 成为在通过掩模130在基板S上沉积沉积材料时不干扰沉积的结构。例如，掩模框架110 中可以具有框架开口 FAP，并且掩模框架110可以为带状。
[0093] 掩模130结合到掩模框架110的上表面，以覆盖掩模框架110的框架开口 FAP。掩 模130可以包括与掩模框架110的框架开口 FAP相对应的第一部分130a、与掩模框架110 的上表面接触的第二部分130b以及结合在第一部分130a和第二部分130b之间的第三部 分130c。在该示例中，由于图1中的延伸构件150被布置在框架开口 FAP的边缘的至少一 部分上，以从掩模框架110的上表面突出，因此第一部分130a可以在从掩模框架110到掩 模130的方向上位于第二部分130b上方(例如，位于比第二部分130b高的位置)，结合在第 一部分130a或第二部分130b与第三部分130c之间的连接部分可以是弯曲的。另外，第三 部分130c可以利用延伸构件150在水平方向上延伸，第三部分130c可以具有比第一部分 130a的厚度和第二部分130b的厚度薄的厚度。
[0094] 接下来，将描述根据本发明另一实施例的沉积装置800。
[0095] 图20是示意性示出根据本发明的另一示例实施例的沉积装置的剖视图。
[0096] 参照图20,根据本发明另一实施例的沉积装置800可以安装在沉积室(例如，气相 沉积室)中，并且可以包括掩模框架110、框架支撑件120、掩模130、传送部分140、延伸构件 850和沉积材料供应源160。
[0097] 除了延伸构件850的加入外，根据本发明实施例的沉积装置800具有与图1中的 沉积装置100的构造大体上相同的构造。因此，针对于根据本发明实施例的沉积装置800， 将主要集中于对延伸构件850的解释。
[0098] 延伸构件850布置在掩模框架110的框架开口 FAP的边缘的至少一部分的下部 中，并且被构造为坚直地移动。延伸构件850可以包括移动墩块(可被称为墩块）851、螺钉 852、电机853和电机支撑部854。
[0099] 移动墩块851可以向上坚直移动，并且可以通过接触掩模130并按压掩模130的 下部而在水平方向上拉伸掩模130 (或者使掩模130在水平方向上延伸）。移动墩块851可 以按照与图3中的延伸构件150、图13中的延伸构件250、图14中的延伸构件350、图15中 的延伸构件450、图16中的延伸构件550、图17中的延伸构件650和/或图18中的延伸构 件750的布置基本上相同的布置方式来布置。另外，移动墩块851可以具有形式与例如在 图 4 到图 12 中示出的延伸构件 150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g 或 150h 的接 触部分中的任意一种或它们的组合的形式基本相同的接触部分。
[0100] 螺钉852结合到移动墩块851，并且在电机853的作用下旋转，以使移动墩块851 向上或向下坚直移动。在示例中，螺钉852的数量可以与移动墩块851的数量相同，而为了 精确的控制，螺钉852的数量可以比移动墩块851的数量多。
[0101] 电机853结合到螺钉852,并且产生用于使螺钉852旋转的动力。电机853的数量 可以与螺钉852的数量相同。电机853的驱动可以通过独立的控制部控制。
[0102] 电机支撑部854位于电机853的下部上，以支撑电机853。
[0103] 虽然图20示出了延伸构件850包括移动墩块851、螺钉852、电机853和电机支撑 部854,但是延伸构件可以由使用提升销的移动构件或者包括线性引导件和螺钉的移动构 件以及/或者类似物组成。
[0104] 在使用上述延伸构件850使掩模130在水平方向上延伸的情况下，多个掩模开口 MAP之间的间距可以改变(例如，变得扭曲)，并且考虑到这种变化(例如，扭曲)，多个掩模开 口 MAP可以在多个掩模开口 MAP之间的间距被调整的状态下被初始地形成在掩模130上。 另外，延伸构件850可以被控制为在多个掩模开口 MAP之间的间距的变化(例如，扭曲)所允 许的范围（例如，可接受的范围）内在水平方向上拉伸掩模130 (或者使掩模130在水平方 向上延伸）。
[0105] 如上所述，根据本发明另一实施例的沉积装置800可以通过下述方式使掩模130 在水平方向上延伸：将掩模130的第一部分130a设置得比掩模130的第二部分130b距离 掩模框架110的上表面远，即，通过将第一部分130a在从掩模框架110到掩模130所指向 的方向上设置得比第二部分130b高。这可以通过将延伸构件850布置在掩模框架110的 框架开口 FAP的边缘的至少一部分的下部中使得延伸构件850与掩模130接触并且按压掩 模130的下部来实现。
[0106] 因此，根据本发明实施例的沉积装置800可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模130在沉积过程中下垂，由此可以防止发生阴影效应。当在将沉积材料沉积在基板S 上的同时由于掩模130的下垂导致形成尺寸比期望的膜图案大或者小的膜图案时，会发生 这种效应。
[0107] 因此，根据本发明实施例的沉积装置800可以防止因掩模130下垂而发生的在基 板S上的劣等沉积，并且在使用该沉积方法制造有机发光显示装置的情况下，沉积装置能 够解决当有机发光显示装置发光时的颜色混合等问题。
[0108] 接下来，将描述根据本发明的又一实施例的沉积装置900。
[0109] 图21是示意性示出根据本发明的又一实施例的沉积装置的剖视图。
[0110] 参照图21，根据本发明的又一实施例的沉积装置900可以安装在沉积室(例如，气 相沉积室)中，并且可以包括掩模框架110、框架支撑件120、掩模930、传送部分140、延伸构 件950和沉积材料供应源160。
[0111] 除了掩模930和延伸构件950的加入外，根据本发明实施例的沉积装置900具有 与图1中的沉积装置100的构造大体上相同的构造。因此，在根据本发明的该实施例的沉 积装置900中，将主要集中于对掩模930和延伸构件950的解释。
[0112] 掩模930结合到掩模框架110的上表面，以覆盖掩模框架110的框架开口 FAP，按 照与图1中的掩模130相似的方式，掩模930包括与掩模框架110的框架开口 FAP相对应的 第一部分930a、与掩模框架110的上表面接触的第二部分930b以及结合在第一部分930a 和第二部分930b之间的第三部分930c。然而，掩模930的第一部分930a沿着从沉积材料供 应源160到基板S的方向（例如，在从掩模框架110到掩模930的方向）位于第二部分930b 的下方(例如，位于比第二部分930b低的位置)。
[0113] 延伸构件950布置在掩模框架110的框架开口 FAP的边缘的至少一部分中，并且 被固定地布置在掩模930的下部上，以坚直移动。延伸构件950可以包括移动墩块(可以被 称为墩块）951、螺钉952、电机953和电机支撑部954。
[0114] 移动墩块951可以向下坚直移动，并且在移动墩块951固定到掩模930的状态下 在水平方向上拉伸掩模930 (或者使掩模130在水平方向上延伸）。移动墩块951可以按照 与图3中的延伸构件150、图13中的延伸构件250、图14中的延伸构件350、图15中的延伸 构件450、图16中的延伸构件550、图17中的延伸构件650和/或图18中的延伸构件750 的布置方式基本上相同的布置方式来布置。另外，移动墩块951可以具有形式与例如在图4 到图12中示出的延伸构件150、150a、150b、150c、150d、150e、150f、150g或150h的接触部 分中的任意一种或者它们的组合的形式基本相同的接触部分。
[0115] 移动墩块951可以在它固定到掩模930的下部之前被布置在掩模框架110的框架 开口 FAP的边缘的至少一部分的下部。移动墩块951可以向上坚直地移动，以被固定到掩 模930的下部，移动墩块951可以利用螺钉固定到掩模930。
[0116] 螺钉952结合到移动墩块951，并且在电机953的作用下旋转，以使移动墩块951 向上或向下坚直移动。在示例中，螺钉952的数量可以与移动墩块951的数量相同，而为了 精确的控制，螺钉952的数量可以比移动墩块951的数量多。
[0117] 电机953结合到螺钉952,并且产生用于使螺钉952旋转的动力。电机953的数量 可以与螺钉952的数量相同。电机953的驱动可以通过独立的控制部控制。
[0118] 电机支撑部954位于电机953的下部上，以支撑电机953。
[0119] 虽然图21示出了延伸构件950包括移动墩块951、螺钉952、电机953和电机支撑 部954,但是延伸构件可以由使用提升销的移动构件或包括线性引导件和螺钉的移动构件 以及/或者类似物组成。
[0120] 在使用上述延伸构件950使掩模930在水平方向上延伸的情况下，多个掩模开口 (见图2中的MAP)之间的间距可以改变(例如，变成扭曲)，并且考虑到这种变化(例如，扭 曲)，多个掩模开口 MAP可以在多个掩模开口 MAP之间的间距被调整的状态下被初始地形成 在掩模930上。另外，延伸构件950可以被控制为在多个掩模开口 MAP之间的间距的变化 (例如，扭曲）所允许的范围(例如，可接受的范围）内在水平方向上拉伸掩模930 (或者使掩 模130在水平方向上延伸）。
[0121] 如上所述，根据本发明又一实施例的沉积装置900,通过将延伸构件950固定地布 置在掩模框架110的框架开口 FAP的边缘的至少一部分中并使延伸构件950向下移动从而 延伸构件950与掩模930接触并按压掩模930的下部，可以通过下述方式在水平方向上拉 伸掩模930 :将掩模930的第一部分930a设置得比掩模930的第二部分930b距离掩模框 架110的上表面远，即，通过将第一部分930a在从掩模框架110到掩模930所指向的方向 上设置得比第二部分930b低。
[0122] 因此，根据本发明实施例的沉积装置900可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模930在沉积过程中下垂，由此可以防止发生阴影效应。当在将沉积材料沉积在基板S 上的同时由于掩模930的下垂导致形成的膜图案的尺寸比期望的膜图案大或小时，会发生 这种效应。
[0123] 因此，根据本发明实施例的沉积装置900可以防止因掩模930下垂而发生的在基 板S上的劣等沉积，并且在使用该沉积方法制造有机发光显示装置的情况下，沉积装置能 够解决当有机发光显示装置发光时的颜色混合等问题。
[0124] 接下来，将描述根据本发明的又一实施例的沉积装置1000。
[0125] 图22是示意性示出根据本发明的又一实施例的沉积装置的剖视图。
[0126] 参照图22,根据本发明的实施例的沉积装置1000可以安装在沉积室(例如，气相 沉积室)中，并且可以包括掩模框架110、框架支撑件120、掩模930、传送部分140、延伸构件 1050和沉积材料供应源160。
[0127] 除了掩模930和延伸构件1050外，根据本发明实施例的沉积装置1000具有与图1 中的沉积装置100的构造大体上相同的构造。因此，针对于根据本发明该实施例的沉积装 置1000,将主要集中于对掩模930和延伸构件1050的解释。
[0128] 掩模930结合到掩模框架110的上表面，以覆盖掩模框架110的框架开口 FAP，按 照与图1中的掩模130相似的方式，掩模930包括与掩模框架110的框架开口 FAP相对应 的第一部分930a、与掩模框架110的上表面接触的第二部分930b以及在第一部分930a和 第二部分930b之间结合(例如，连接)的第三部分930c。然而，掩模930的第一部分930a沿 着从沉积材料供应源160到基板S的方向（例如，在从掩模框架110到掩模930的方向）位 于第二部分930b的下方(例如，位于比第二部分930b低的位置)。
[0129] 延伸构件1050布置在掩模框架110的框架开口 FAP的边缘的至少一部分中，并且 布置在掩模930的上部上，以向下移动。延伸构件1050可以由能够被按压的按压墩块(或 者可以称为墩块）组成。
[0130] 组成延伸构件1050的按压墩块1051可以向下坚直移动，并且在按压墩块1051随 着对掩模930进行按压通过与掩模930接触而在水平方向上拉伸掩模930(或者使掩模130 在水平方向上延伸）。延伸构件1050可以按照与图3中的延伸构件150、图13中的延伸构件 250、图14中的延伸构件350、图15中的延伸构件450、图16中的延伸构件550、图17中的 延伸构件650和/或图18中的延伸构件750的布置方式基本上相同的布置方式来布置。另 夕卜，延伸构件1050可以具有形成与例如在图4到图12中示出的延伸构件150、150a、150b、 150c、150d、150e、150f、150g或150h的接触部分中的任意一种或者它们的组合的形式基本 相同的接触部分。
[0131] 虽然未示出，但是由按压墩块组成的延伸构件1050还可以包括螺钉和电机，以向 下移动。
[0132] 另外，在使用上述延伸构件1050使掩模930在水平方向上延伸的情况下，多个掩 模开口（见图2中的MAP)之间的间距可以改变(例如，变得扭曲），并且考虑到这种变化(例 如，扭曲)，多个掩模开口 MAP可以在多个掩模开口 MAP之间的间距被调整的状态下被初始 地形成在掩模930上。另外，延伸构件1050可以被控制为在多个掩模开口 MAP之间的间距 的变化(例如，扭曲）所允许的范围(例如，可接受的范围）内在水位方向上拉伸掩模930。
[0133] 如上所述，根据本发明又一实施例的沉积装置900,通过将延伸构件1050布置在 掩模框架110的框架开口 FAP的边缘的至少一部分中并使延伸构件1050向下移动从而延 伸构件1050与掩模930接触并按压掩模930的下部，可以通过将掩模930的第一部分930a 设置得比掩模930的第二部分930b距离掩模框架110的上表面远而在水平方向上拉伸掩 模930，即，通过将第一部分930a在从掩模框架110到掩模930所指向的方向上设置得比第 二部分930b低而在水平方向上拉伸掩模930。
[0134] 因此，根据本发明实施例的沉积装置1000可以防止大尺寸的以匹配大尺寸基板S 的掩模930在沉积过程中下垂，由此可以防止发生阴影效应。在将沉积材料沉积在基板S 上的同时由于掩模930的下垂导致形成尺寸比期望的膜图案大或小的膜图案时，会发生这 种效应。
[0135] 因此，根据本发明实施例的沉积装置1000可以防止因掩模930的下垂而发生的在 基板S上的劣等沉积，并且在使用该沉积方法制造有机发光显示装置的情况下，沉积装置 能够解决当有机发光显示装置发光时的颜色混合等问题。
[0136] 接下来，将描述根据本发明另一实施例的应用于沉积装置900或1000的掩模组 件。
[0137] 图23是根据本发明另一示例实施例的应用于沉积装置的掩模组件的剖视图。
[0138] 参照图23,根据本发明的实施例的应用于沉积装置900或1000的掩模组件20包 括掩模框架110和掩模930。
[0139] 掩模框架110支撑掩模930,并且通过焊接结合到掩模930。掩模框架110可以形 成为在通过掩模930在基板S上沉积沉积材料时不干扰沉积的结构。例如，掩模框架110 中可以具有框架开口 FAP，并且掩模框架110可以为带状。
[0140] 掩模930结合到掩模框架110的上表面，以覆盖掩模框架110的框架开口 FAP。掩 模930可以包括与掩模框架110的框架开口 FAP相对应的第一部分930a、与掩模框架110 的上表面接触的第二部分930b以及结合在第一部分130a和第二部分130b之间的第三部 分930c。在该示例中，由于图21或图22中的延伸构件950或1050向下坚直移动，而在水 平方向上拉伸掩模930,因此第一部分930a可以在从掩模框架110到掩模930的方向上位 于第二部分930b下方(例如，位于比第二部分930b低的位置)，结合在第一部分930a或第二 部分930b与第三部分930c之间的连接部分可以是弯曲的。另外，第三部分930c可以在延 伸构件950或1050的作用下在水平方向上延伸，第三部分930c可以具有比第一部分930a 的厚度和第二部分930b的厚度薄的厚度。
[0141] 通过对详细的描述进行总结，本领域技术人员将理解的是，在总体上不脱离本发 明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变形和修改。因此，本发明的公开实施例仅 是以一般的且描述性的意思来使用，其目的并不在于限制。相反，本发明将由权利要求及其 等同物限定。
【权利要求】
1. 一种沉积装置，所述沉积装置包括： 掩模框架，具有框架开口； 掩模，结合到掩模框架的上表面并且被构造为覆盖框架开口； 延伸构件，被布置在框架开口的边缘的至少一部分上，并且被构造为从掩模框架的上 表面突出并使掩模的与框架开口相对应的第一部分的坚直距离比掩模的与掩模框架的上 表面接触的第二部分的坚直距离大，每个坚直距离均是从掩模框架的上表面测量的。
2. 如权利要求1所述的沉积装置，其中，第一部分沿从掩模框架到掩模的方向位于第 二部分上方。
3. 如权利要求1所述的沉积装置，其中，延伸构件包括在框架开口中沿框架开口的边 缘布置的一个墩块。
4. 如权利要求1所述的沉积装置，其中，延伸构件包括与掩模接触的接触部分，接触部 分的横截面具有多边形、半球形、半椭圆形或它们的组合的形状。
5. 如权利要求1所述的沉积装置，其中，掩模包括结合在第一部分和第二部分之间的 第三部分，延伸构件包括与掩模的第一部分接触的接触部分，在第一部分和第三部分彼此 接触的部分与接触部分的侧表面之间形成有间隙。
6. 如权利要求1所述的沉积装置，其中，框架开口呈具有四个边的矩形平面的形状，延 伸构件包括被布置在所述四个边中的至少一个边上的墩块。
7. 如权利要求1所述的沉积装置，其中，框架开口呈具有四个边的矩形平面的形状，延 伸构件包括在所述四个边中的至少一个边上划分的多个墩块，所述多个墩块被布置为彼此 接触或彼此分隔开。
8. 如权利要求1所述的沉积装置，所述沉积装置还包括： 传送部分，布置在与掩模的上表面分隔开的上部上并且被构造为使基板布置在掩模的 上表面上； 沉积材料供应源，布置在与掩模的下表面隔开的下部上并且被构造为通过掩模将沉积 材料供应到基板。
9. 一种沉积装置，所述沉积装置包括： 掩模框架，具有框架开口； 掩模，结合到掩模框架的上表面并且覆盖框架开口； 延伸构件，被布置在框架开口的边缘的至少一部分的下部或上部，并且被构造为相应 地移动到所述上部或所述下部并使掩模的与框架开口相对应的第一部分的坚直距离比掩 模的与掩模框架的上表面接触的第二部分的坚直距离大，每个坚直距离均是从掩模框架的 上表面测量的。
10. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，第一部分沿从掩模框架到掩模的方向位于第 二部分上方。
11. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，第一部分沿从掩模框架到掩模的方向位于第 二部分下方。
12. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，延伸构件包括在框架开口中沿框架开口的边 缘布置的一个墩块。
13. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，延伸构件包括与掩模接触的接触部分，接触 部分的横截面具有多边形、半球形、半椭圆形或它们的组合的形状。
14. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，掩模包括结合在第一部分和第二部分之间的 第三部分，延伸构件包括与掩模的第一部分接触的接触部分，在第一部分和第三部分彼此 接触的部分与接触部分的侧表面之间形成有间隙。
15. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，框架开口呈具有四个边的矩形平面的形状， 延伸构件包括被布置在所述四个边中的至少一个边上的墩块。
16. 如权利要求9所述的沉积装置，其中，框架开口呈具有四个边的矩形平面的形状， 延伸构件包括在所述四个边中的至少一个边上划分的多个墩块，所述多个墩块被布置为彼 此接触或彼此分隔开。
17. 如权利要求9所述的沉积装置，所述沉积装置还包括： 传送部分，布置在与掩模的上表面分隔开的上部上并且被构造为使基板布置在掩模的 上表面上； 沉积材料供应源，布置在与掩模的下表面分隔开的下部上并且被构造为通过掩模将沉 积材料供应到基板。
18. -种掩模组件，所述掩模组件包括： 掩模框架，具有框架开口； 掩模，结合到掩模框架的上表面并且覆盖框架开口，掩模包括与框架开口相对应的第 一部分、与掩模框架的上表面接触的第二部分以及结合在第一部分和第二部分之间并且厚 度比第一部分和第二部分的厚度薄的第三部分。
19. 如权利要求18所述的掩模组件，其中，第一部分沿从掩模框架到掩模的方向位于 第二部分上方。
20. 如权利要求18所述的掩模组件，其中，第一部分沿从掩模框架到掩模的方向位于 第二部分下方。
【文档编号】H01L51/56GK104099561SQ201310475755
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年10月12日 优先权日:2013年4月9日
【发明者】韩政洹 申请人:三星显示有限公司