发光二极管结构、发光二极管结构金属支架及承载座模块的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管结构、发光二极管结构的金属支架及承载座模块，发光二极管结构的金属支架包括两间隔设置的导电架与多个分别自该两导电架一体延伸形成的延伸臂。每一导电架具有正面、背面、及相连于正面与背面周缘的环侧面。每一导电架的正面定义有密封区与大致被密封区所包围的承载区。每一导电架自其密封区凹设形成有至少一分隔槽，且分隔槽连通于环侧面并于环侧面上形成两开口，以使每一导电架的分隔槽能区隔开该些延伸臂的至少其中之一与承载区。由此，通过形成有分隔槽而使绝缘体包覆金属支架后，两者的结合性增加并能减缓水气入侵。
【专利说明】发光二极管结构、发光二极管结构金属支架及承载座模块
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光结构，且特别涉及一种发光二极管结构、发光二极管结构的金属支架、及用以供多个发光二极管芯片安装的承载座模块。
【背景技术】
[0002]传统的发光二极管结构随着高瓦数输出，其所使用的热塑性(Thermoplastic)塑料已逐渐被热固性(Thermoset)塑料所取代。然而，由于公知发光二极管结构的金属支架与塑料之间的接触面积比例较小，进而产生许多问题，例如:导电架与塑料之间的结合性问题以及水气入侵问题。
[0003]于是，本发明人有感上述缺失的可改善，乃特潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本发明。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种发光二极管结构及其金属支架、以及承载座模块，其皆能通过设置位于密封区的分隔槽(如连通相邻环侧面且位于导电架四边角落的分隔槽，或者环绕承载区外围的环状分隔槽)而使金属支架与绝缘体之间结合性增加并能有效地减缓水气入侵。
[0005]为实现上述目的，本发明实施例提供一种发光二极管结构，包括:一金属支架，其具有两间隔设置的导电架与多个分别自该两导电架一体延伸形成的延伸臂，每一导电架具有一正面、一背面、及相连于该正面与该背面周缘的一环侧面，且每一导电架的正面定义有一密封区与一大致被该密封区所包围的承载区；其中，每一导电架自其正面的密封区凹设形成有至少一分隔槽，且该至少一分隔槽连通于该环侧面并于该环侧面上形成两开口，以使每一导电架的分隔槽能区隔开所述延伸臂的至少其中之一与该承载区；一发光二极管芯片，装设于该金属支架的承载区上并电性连接于该两导电架；以及一绝缘体，其包覆于该金属支架，且该两导电架的背面部分区域以及该些延伸臂的末端面显露于该绝缘体之外。
[0006]本发明还提供一种发光二极管结构的金属支架，包括:两导电架，其呈间隔设置，每一导电架具有一正面、一背面、及相连于该正面与该背面周缘的一环侧面，且每一导电架的正面定义有一密封区与一大致被该密封区所包围的承载区；以及多个延伸臂，其分别自该两导电架一体延伸形成；其中，每一导电架自其正面的密封区凹设形成有至少一分隔槽，且该至少一分隔槽连通于该环侧面并于该环侧面上形成两开口，以使每一导电架的分隔槽能区隔开所述延伸臂的至少其中之一与该承载区。
[0007]本发明又提供一种承载座模块，用以供多个发光二极管芯片安装于其上，该承载座模块包括:多个金属支架，其一体相连成单片构造，每一金属支架包含有两导电架与多个分别自该两导电架一体延伸形成的延伸臂，每一导电架具有一正面、一背面、及相连于该正面与该背面周缘的一环侧面，且每一导电架的正面定义有一密封区与一大致被该密封区所包围的承载区；其中，每一导电架自其正面的密封区凹设形成有至少一分隔槽，且该至少一分隔槽连通于该环侧面并于该环侧面上形成两开口，以使每一导电架的分隔槽能区隔开该延伸臂至少其中之一与该承载区；其中，每一金属支架的两导电架分别定义为一第一导电架与一第二导电架，沿一第一方向上的任两相邻金属支架通过其中一金属支架的第一导电架延伸臂斜向地一体相连于其中另一金属支架的第二导电架延伸臂，且该斜向一体相连的延伸臂大致与该第一方向相夹有一锐角；以及多个绝缘座，其包覆于该些金属支架外缘。
[0008]综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管结构、发光二极管结构的金属支架、及承载座模块，其通过形成有分隔槽，使绝缘体与导电架正面之间的结合性被有效地提升。再者，通过延伸臂渗入于导电架与绝缘体之间的水气，能有效地被分隔槽与绝缘体相接合的部位所隔绝。并且，通过分隔槽的分布位置，以达到避免水气入侵所述导电架承载区的功效。
[0009]为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用于说明本发明，而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明第一实施例的承载座的立体示意图。
[0011]图2为图1另一视角的立体示意图。
[0012]图3为图1中金属支架的立体示意图。
[0013]图4为图1中金属支架另一视角的立体示意图。
[0014]图5为图1沿A-A剖线的剖视示意图。
[0015]图6A为本发明第一实施例的承载座另一实施态样的立体不意图。
[0016]图6B为图6A沿B-B剖线的剖视示意图。
[0017]图6C为图6B中的C区块的局部放大示意图。
[0018]图7为本发明第一实施例的发光二极管结构的立体示意图。
[0019]图8为本发明第一实施例的发光二极管结构另一实施态样的立体示意图。
[0020]图9为本发明第一实施例的发光二极管结构又一实施态样的立体示意图。
[0021]图10为本发明第一实施例的承载座模块的立体不意图。
[0022]图11为图10中金属支架的立体示意图。
[0023]图12为图10中金属支架另一视角的立体示意图。
[0024]图13为图10切割后的立体示意图。
[0025]图14为本发明第二实施例的金属支架的立体示意图。
[0026]图15为图14另一视角的立体示意图。
[0027]图16为本发明第二实施例的发光二极管结构的立体示意图。
[0028]图17为本发明第二实施例的发光二极管结构另一实施态样的立体示意图。
[0029]图18为本发明第二实施例的发光二极管结构又一实施态样的立体示意图。
【具体实施方式】
[0030][第一实施例]
[0031]参阅图1和图2，提供一种QFN(quad flat no-lead)工艺的发光二极管结构的承载座100。承载座100包含有一金属支架I与一绝缘座2，上述金属支架I具有两间隔设置的导电架11与多个分别自该两导电架11 一体延伸形成的延伸臂12。
[0032]绝缘座2可由热固性塑胶所制成,如环氧树脂(Epoxy)、娃树脂(Silicone),且绝缘座2包覆两导电架11与延伸臂12,并使两导电架11被绝缘座2所分尚，所述两导电架11的部分区域(即后述的承载区1112与焊接区1122)以及延伸臂12的末端面121显露于绝缘座2之外，使得焊接区1122的表面及延伸臂12的末端面121与绝缘座2齐平。两导电架11间的间隔被绝缘座2所充填，而绝缘座2充填于两导电架11间的该部位定义为一绝缘隔离部21。值得注意的是，绝缘座2的材料并不以上述热固性塑胶为限，也可采用热塑性塑胶，如聚对苯二甲酸1，4-环己烧二甲酯(Polyl, 4-cyclohexylene dimethyleneterephthalate,简称 PCT)。
[0033]参阅图3并适时参酌图1，两导电架11为不同外型的一凸形第一导电架Ila与一凹形第二导电架lib。所述两导电架11各具有一相同的预定厚度(T)，每一导电架11定义有一正面111、一背面112、及相连于正面111与背面112周缘的一环侧面113。每一导电架11正面111与背面112之间的最大距离即为上述预定厚度(T)，并且每一导电架11的正面111定义有一密封区1111与一承载区1112。上述承载区1112大致被密封区1111所包围，且承载区1112用以承载(固设)至少一发光二极管芯片或供打线连接之用。
[0034]密封区1111被绝缘座2所包覆，承载区1112则显露于绝缘座2之外，所述两导电架11的承载区1112大致位于密封区1111之间，且两导电架11的正面111及位于两导电架11之间的绝缘隔离部21顶面大致呈共平面设置。
[0035]绝缘座2顶面的大致中央处凹设形成有一大致呈圆槽状的容置孔22，并且每一导电架11正面111的承载区1112经由上述容置孔22而露出于绝缘座2之外。上述容置孔22可以如图1所示为圆槽状，而于实际应用时，容置孔22亦可以形成如方槽状等构造。
[0036]每一导电架11自其正面111的密封区1111凹设(如:蚀刻)形成有两大致呈三角状构造的分隔槽1113，且每一分隔槽1113连通于上述环侧面113并于环侧面113上形成大小相异的两开口 1113a、1113b，以使每一分隔槽1113能区隔开至少一延伸臂12顶面与承载区1112。进一步地说，于每一分隔槽1113中，其较小的开口 1113a朝向导电架11内部，且形成在该三角状构造的其中一角落，而较大的开口 1113b朝向导电架11外部，且形成在该角落的对边，三角状构造的斜边大致上沿着圆槽状的弧线延伸。再者，分隔槽1113的凹陷深度较佳为二分之一的预定厚度(1/2T)，但不以此为限，上述分隔槽1113的凹陷深度可大致为四分之一的预定厚度(1/4T)至四分之三的预定厚度(3/4T)。值得注意的是，分隔槽1113与圆槽状容置孔22至少距离100微米，使得绝缘座2可以足够包覆两导电架11与延伸臂12。
[0037]两导电架11的分隔槽1113各形成未封闭的三角半蚀结构，该些分隔槽1113为围绕绝缘座2容置孔22设置，且位于金属支架I的四周角落。由此，通过形成有分隔槽1113，以使导电架11正面111呈现高低起伏的构造，进而令绝缘座2与导电架11正面111之间的结合性被有效地提升。再者，分隔槽1113与绝缘座2相接合的部位，由于两者的结合性较周围高，因而使得通过延伸臂12渗入于导电架11与绝缘座2之间的水气，能有效地被分隔槽1113与绝缘座2相接合的部位所隔绝。并且，通过分隔槽1113的分布位置，以达到避免水气入侵所述导电架11的承载区1112的功效。
[0038]于每一导电架11中，所述环侧面113对应于每一分隔槽1113的较小开口 1113a的部位形成一由正面111贯通至背面112的缺槽114。由此，因应承载座100设计时，为求最大固晶及散热区域，而使导电架11与绝缘座2的结合面积变少的情况，绝缘座2能通过结合于缺槽114的角状延伸边料穿透结构，以提升绝缘座2与导电架11之间的结合力。
[0039]请参阅图4并适时参酌图2所示，每一导电架11的背面112定义有一包覆区1121与一焊接区1122。其中，包覆区1121是自背面112周缘(亦即，背面112邻接于环侧面113的部位)所凹设形成(如:蚀刻)的槽状构造。包覆区1121被绝缘座2所包覆，而焊接区1122则显露于绝缘座2之外。每一导电架11的焊接区1122大致位于其包覆区1121内侧，而两导电架11的焊接区1122及连接于两导电架11的绝缘座2底面大致呈共平面设置。
[0040]环侧面113的厚度大致为二分之一的预定厚度(1/2T)，但不以此为限，环侧面113的厚度可大致为四分之一的预定厚度(1/4T)至四分之三的预定厚度(3/4T)。
[0041]所述延伸臂12分别自每一导电架11的环侧面113 —体延伸所形成，且延伸臂12的厚度大致等同于环侧面113的厚度。亦即，延伸臂12的厚度为四分之一的预定厚度(1/4T)至四分之三的预定厚度(3/4T)，延伸臂12的厚度于本实施例为二分之一的预定厚度(1/2T)。换个角度来看，延伸臂12的厚度大致等同于形成有分隔槽1113的导电架11部位的厚度。
[0042]请参阅图5并适时参酌图3和图4，上述凸形第一导电架Ila设有一凸出部111a，凹形第二导电架Ilb于对应该凸出部Illa的部位设有对应于上述凸出部Illa的一凹陷部Illb0其中，凸出部Illa的下表面即为上述呈槽状构造的包覆区1121，而凹陷部Illb的上表面凹设有一凹槽1111b，借以使得填充于两导电架11之间的塑料呈现上下错位，以强化绝缘隔离部21，并通过上下均有外延伸塑料阻绝水气入侵，来强化绝缘座2与导电架11之间的结合力。
[0043]本发明的金属支架I选用凸形的第一导电架Ila与凹形的第二导电架11b，以通过凹凸配合的导电架11达到克服侧向机械剪力的效果，并进而有效地解决上述导电架11与绝缘隔离部21剥离的现象。
[0044]如图6A，所述绝缘隔离部21位于容置孔22的部位，其突出并高于两侧的第一与第二导电架IlaUlb的承载区1112，借此达到减少水气入侵的效果，并防止芯片发出的光从底部漏出。更详细地说，如图6B和图6C所示，上述绝缘隔离部21位于容置孔22的部位，其相较于两侧的第一与第二导电架IlaUlb的承载区1112而言，较佳可突出300-500微米，并且覆盖在所述承载区1112的截面宽度较佳为300-500微米，除了有效地阻隔水气由承载座100底面入侵外，还可避免因绝缘隔离部21的遮挡到芯片出光角度，而影响到封装结构的出光亮度。
[0045]再者，上述承载座100能搭配其他元件而形成一发光二极管结构。具体来说，请参阅图7所示，其为一种发光二极管结构，包含所述承载座100、装设于承载座100上的两发光二极管芯片200、及设置于承载座100且密封发光二极管芯片200的透光件300 (如:透镜)。
[0046]发光二极管芯片200的型态可以是打线式、覆晶式。发光二极管芯片200位于绝缘座2的容置孔22内且装设于第一导电架Ila的承载区1112上，发光二极管芯片200通过打线而分别电性连接于第一导电架Ila与第二导电架lib。所述透光件300部分充填于绝缘座2的容置孔22内，以密封发光二极管芯片200，而透光件300的其余部分则显露于绝缘座2顶面之外并形成半球状的构造。另，上述透光件300亦能形成如图8的构造，亦即，透光件300填平于上述容置孔22内，且透光件300顶面与绝缘座2顶面呈共平面。
[0047]发光二极管结构亦能仅由所述金属支架1、发光二极管芯片200与透光件300所构成。如图9所示，透光件300直接一体包覆导电架11与发光二极管芯片200，以形成发光二极管结构。换言之，发光二极管结构亦能以透光件300取代绝缘座2。其中，两导电架11的背面112的焊接区1122以及该些延伸臂12的末端面121显露于透光件300之外。
[0048]总合来说，本实施例的发光二极管结构是由金属支架1、设置于金属支架I上的发光二极管芯片200、及包覆于金属支架I与发光二极管芯片200的一绝缘体所构成。
[0049]其中，当发光二极管结构为图7或图8的态样时，绝缘体包含非透光的绝缘座2与透光件300。当发光二极管结构为图9的态样时，绝缘体则限定为透光件300。但无论发光二极管结构为何种态样，所述两导电架11的背面112的焊接区1122以及该些延伸臂12的末端面121皆需显露于绝缘体之外。
[0050]此外，本实施例所述的单个承载座100，其在被制造时是通过切割一承载座模块400而形成(如图10)。具体而言，承载座模块400包含有多个相连成一体的承载座100，用以供多个发光二极管芯片200安装于其上。为便于说明，本实施例的图式仅以部分承载座100说明。
[0051 ] 在形成该承载座模块400之前，先形成一体相连为单片构造的多个金属支架I (请参阅图11和图12)。其中，若由一第一方向Dl来看,每一金属支架I的第一导电架Ila分别与位于其相反两侧的第一导电架Ila通过各自的延伸臂12—体相连。而每一金属支架I的第二导电架Ilb分别与位于其相反两侧的第二导电架Ilb通过各自的延伸臂12 —体相连，且所述多个相连接的延伸臂12大致平行于第一方向D1。若由垂直于上述第一方向Dl的一第二方向D2来看，任两相邻的金属支架I通过其中一金属支架I的第一导电架Ila延伸臂12与其中另一金属支架I的第二导电架Ilb延伸臂12—体相连接，且所述多个相连接的延伸臂12大致平行于第二方向D2。
[0052]除上述大致平行于第一方向Dl或第二方向D2的延伸臂12之外，当由第一方向Dl来看，任两相邻的金属支架I通过其中一金属支架I的第一导电架Ila延伸臂12斜向地一体相连于其中另一金属支架I的第二导电架Ilb延伸臂12，且该些相连接的延伸臂12大致与第一方向Dl相夹有一锐角。借此，两相邻的金属支架I通过上述斜向相连的延伸臂12，以增强该两相邻金属支架I之间的稳定度，进而利于提升后续成形绝缘座2时的射出良率、及降低后续制程中因溢胶产生毛边的可能性。
[0053]当所述多个相连为一体的金属支架I外缘成形有相连为一体的多个绝缘座2，以形成多个相连成一体的承载座100之后，实施一切割步骤，以使该些相连成一体的承载座100被切割为多个彼此分离的承载座100 (如图13)。
[0054]其中，通过延伸臂12的厚度小于导电架11的预定厚度，如，延伸臂12的厚度为四分之一的预定厚度(1/4T)至四分之三的预定厚度(3/4T)。借此，于切割步骤中，能减少刀具所需切割的延伸臂12厚度，进而降低刀具损耗且能减少毛边的产生机率，并且可有效避免延伸臂12末端面121 (切断点)与绝缘座2产生剥离现象，以减缓水气由延伸臂12入侵的速度。
[0055][第二实施例]
[0056]参阅图14至图18，其为本发明的第二实施例，本实施例与上述第一实施例类似，相同处则不再复述，而两者的差异主要在于导电架11上的分隔槽1113，具体说明如下。
[0057]如图14和图15所示，每一导电架11自其正面111的密封区1111凹设(如:蚀刻)形成有一大致呈U字状构造且具有相等宽度的分隔槽1113，上述两U字状分隔槽1113沿绝缘座2的容置孔22外侧分布以包围所述承载区1112。进一步地说，所述两导电架11的分隔槽1113围绕于承载区1112外，并位于金属支架I的外周缘之内。亦即，所述两导电架11的分隔槽1113的内缘大于等于承载区1112外缘，而所述两导电架11的分隔槽1113的外缘小于等于金属支架I的外缘。
[0058]每一分隔槽1113连通于两导电架11架彼此相向的环侧面113，并且U字状分隔槽1113的两末端于环侧面113上形成大小大致相同的两开口 1113a (亦即，分隔槽1113的两开口 1113a分别形成于U字状构造的两末端)，以使每一分隔槽1113区隔开承载区1112与所有延伸臂12顶面。
[0059]于本实施例的分隔槽1113凹陷深度大致为二分之一的预定厚度(1/2T)，而宽度小于等于1T，但不以此为限。上述分隔槽1113的凹陷深度可为四分之一的预定厚度(1/4T)至四分之三的预定厚度(3/4T)。
[0060]再者，于每一导电架11中，所述环侧面113对应于每一分隔槽1113的两开口1113a的部位各形成一由正面111贯通至背面112的缺槽114。
[0061]另，本实施例所述的发光二极管结构亦能形成如同第一实施例图7至图9所示的构造。如:图16所示为本实施例发光二极管结构对应于第一实施例图7所示的构造；图17所示为本实施例发光二极管结构对应于第一实施例图8所示的构造；图18所示为本实施例发光二极管结构对应于第一实施例图9所不的构造。
[0062][本发明实施例的可能功效]
[0063]综上所述，本发明实施例通过形成有分隔槽，以令绝缘座与导电架正面之间的结合性被有效地提升，进而令通过延伸臂渗入于导电架与绝缘座之间的水气，能有效地被分隔槽与绝缘座相接合的部位所隔绝。并且，通过分隔槽的分布位置，以达到避免水气入侵所述导电架的承载区的功效。另，绝缘座能通过结合于缺槽的角状延伸边料穿透结构，以提升绝缘座与导电架之间的结合力。
[0064]更详细的说，在第一实施例中，容置孔形状为圆槽状，分隔槽对应圆槽状的容置孔，在有限的密封区内设计出座落在导电架四个角落且连通环侧面的三角半蚀结构，来增加绝缘座与导电架的结合力。在第二实施例中，容置孔为方槽状，分隔槽对应方槽状的容置孔，沿方槽状容置孔的外缘设计出U字状分隔槽，增加了绝缘座与导电架的结合力。
[0065]本发明实施例所提供的金属支架，其通过凹凸配合的两导电架达到克服侧向机械剪力的效果，并有效地解决上述导电架与绝缘隔离部剥离的现象。再者，通过凸出部的下表面呈槽状构造，而凹陷部的上表面设有凹槽，使得填充于两导电架之间的塑料呈现上下错位，以强化绝缘隔离部，并通过上下均有外延伸塑料阻绝水气入侵，来强化绝缘座与导电架之间的结合力。
[0066]本发明实施例所提供的承载座模块中，任两相邻的金属支架通过斜向相连的延伸臂，以增强该两相邻金属支架之间的稳定度，进而利于提升后续成形绝缘座时的射出良率、及降低后续制程中因溢胶产生毛边的可能性。再者，通过延伸臂的厚度小于导电架的预定厚度，借此在切割步骤中，减少刀具所需切割的延伸臂厚度，进而降低刀具损耗且能减少毛边的产生机率，并且可有效避免延伸臂末端面与绝缘座产生剥离现象，以减缓水气由延伸臂入侵的速度。
[0067]以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，其并非用以局限本发明的专利范围，凡依本发明权利要求范围所做的任何变化与修饰，皆应属本发明所述的述的权利要求范围内。
【权利要求】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括: 一金属支架，其具有两个间隔设置的导电架与多个分别自所述两个导电架一体延伸形成的延伸臂，每一所述导电架具有一正面、一背面、及相连于该正面与该背面周缘的一环侧面，且每一所述导电架的正面定义有一密封区与一被该密封区所包围的承载区； 其中，每一所述导电架自其正面的密封区凹设形成有至少一分隔槽，且该至少一分隔槽连通于该环侧面并于该环侧面上形成两个开口，以使每一所述导电架的分隔槽能区隔开所述多个延伸臂的至少其中之一与该承载区； 一发光二极管芯片，装设于该金属支架的承载区上并电性连接于所述两个导电架；以及 一绝缘体，其包覆于该金属支架，且所述两个导电架的背面部分区域以及所述多个延伸臂的末端面显露于该绝缘体之外。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该绝缘体包含有一绝缘座，该绝缘座包覆在所述两个导电架与所述多个延伸臂，且所述两个导电架间的间隔被该绝缘座所充填，以使所述两个导电架被该绝缘座所分离，所述两个导电架的正面承载区与背面部分区域以及所述多个延伸臂的末端面显露于该绝缘座之外。
3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中，该绝缘座充填于所述两个导电架间的部位定义为一绝缘隔离部，而该绝缘隔离部表面齐平或突伸出所述两个导电架的正面承载区。
4.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中，该绝缘座顶面凹设形成有一容置孔，且每一所述导电架正面的承载区通过该容置孔而露出于该绝缘座之外，该发光二极管芯片位于该绝缘座的容置孔内，该绝缘体还包含有一透光件，该透光件至少部分充填于该绝缘座的容置孔内，以密封该发光二极管芯片。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该绝缘体进一步限定为一透光件，该透光件一体包覆该金属支架与该发光二极管芯片，且所述两个导电架的背面部分区域以及所述多个延伸臂的末端面显露于该透光件之外。
6.一种承载座模块，其特征在于，用以供多个发光二极管芯片安装于其上，该承载座模块包括: 多个金属支架，其一体相连成单片构造，每一所述金属支架包含有两个导电架与多个分别自所述两个导电架一体延伸形成的延伸臂，每一所述导电架具有一正面、一背面、及相连于该正面与该背面周缘的一环侧面，且每一所述导电架的正面定义有一密封区与一被该密封区所包围的承载区； 其中，每一所述导电架自其正面的密封区凹设形成有至少一分隔槽，且该至少一分隔槽连通于该环侧面并于该环侧面上形成两个开口，以使每一所述导电架的分隔槽能区隔开该延伸臂至少其中之一与该承载区； 其中，每一所述金属支架的两个导电架分别定义为一第一导电架与一第二导电架，沿一第一方向上的任意两个相邻金属支架通过其中一金属支架的第一导电架延伸臂斜向地一体相连于其中另一金属支架的第二导电架延伸臂，且该斜向一体相连的延伸臂与该第一方向相夹有一锐角；以及 多个绝缘座，其包覆于所述多个金属支架外缘。
7.一种发光二极管结构的金属支架，其特征在于，包括: 两个导电架，其呈间隔设置，每一所述导电架具有一正面、一背面、及相连于该正面与该背面周缘的一环侧面，且每一所述导电架的正面定义有一密封区与一被该密封区所包围的承载区；以及 多个延伸臂，其分别自所述两个导电架一体延伸形成； 其中，每一所述导电架自其正面的密封区凹设形成有至少一分隔槽，且该至少一分隔槽连通于该环侧面并于该环侧面上形成两个开口，以使每一所述导电架的所述至少一分隔槽能区隔开所述多个延伸臂的至少其中之一与该承载区。
8.如权利要求7所述的发光二极管结构的金属支架，其中，每一所述导电架的分隔槽数量为多个，且每一所述分隔槽呈三角状构造，每一所述分隔槽的两开口的大小相异，于每一所述分隔槽中，其较小的开口形成在该三角状构造的其中一角落，而较大的开口则形成在该角落的对边。
9.如权利要求8所述的发光二极管结构的金属支架，其中，于每一所述导电架中，该环侧面对应于每一所述分隔槽的较小开口的部位形成一由该正面贯通至该背面的缺槽。
10.如权利要求7所述的发光二极管结构的金属支架，其中，每一所述导电架的分隔槽数量为单个且呈U字状构造，于每一所述导电架中，该分隔槽的两个开口的大小相同且分别形成于该U字状构造的两末端，该分隔槽区隔开该承载区与所述多个延伸臂。
11.如权利要求10所述的发光二极管结构的金属支架,其中，于每一所述导电架中，该环侧面对应于该分隔槽两个开口的部位各形成一由该正面贯通至该背面的缺槽。
12.如权利要求7所述的发光二极管结构的金属支架，其中，所述两个导电架的其中一导电架呈凸形且设有一凸出部，而另一导电架呈凹形且于对应该凸出部的部位设有对应于该凸出部的一凹陷部，该凸出部的下表面形成槽状构造，而该凹陷部的上表面凹设有一凹槽。
【文档编号】H01L33/48GK104282821SQ201310647783
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年12月4日 优先权日:2013年7月12日
【发明者】林贞秀 申请人:光宝光电(常州)有限公司, 光宝科技股份有限公司