Amoled显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】，公开了一种AMOLED显示装置，包括：阵列基板和与所述阵列基板的对置基板，所述阵列基板上的阴极透明，所述对置基板上包括至少一透光导电结构，所述阴极和所述透光导电结构通过含有导电粒子的粘结剂连接。本发明中，透光导电结构与阴极形成并联，降低了阴极电阻，因此降低了IR?drop；并且未在像素区域周边形成遮光的结构（如：现有技术中阴极辅助线），因此不会影响开口率。
【专利说明】AMOLED显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，特别涉及一种AMOLED显示装置。
【背景技术】
[0002]对于顶发射的AMOLED显示装置，阴极采用透明电极(如:ΙΤ0)形成，而且是一整块覆盖在阵列基板上的块状电极，因此阴极的电阻很高。阴极电阻很高，会增大IR drop，过大的IR drop会影响画面的均一度。为了降低IR drop，现有方案中使用阴极辅助线来降低IRdrop，如图1所示，在阵列基板上非像素区域，形成与阴极位于不同层的若干阴极辅助线，通常是与阳极同时形成，如图1中阴极辅助线120与阳极110采用同种材料且同时形成，两者位于同一层。阴极辅助线120与位于上层的阴极通过条形过孔130连接(图1中，阴极辅助线120在整个基板上呈网状结构，若干条形过孔130也呈网状)。这相当于阴极辅助线120与阴极并联，从而降低了阴极的电阻，因此降低了 IR drop。但要在像素区域(显示区域)边缘布设若干阴极辅助线，会导致整个显示装置的开口率降低。
【发明内容】
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本发明要解决的技术问题是:如何在降低IR drop的情况下不影响开口率。
[0005](二)技术方案
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供了一种AMOLED显示装置，包括:阵列基板和与所述阵列基板的对置基板，所述阵列基板上的阴极透明，所述对置基板上包括至少一透光导电结构，所述阴极和所述透光导电结构通过含有导电粒子的粘结剂连接。
[0007]其中，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的彩色滤光片及位于彩色滤光片之间的黑矩阵，所述黑矩阵为导电材料，且呈网状结构，所述透光导电结构为所述黑矩阵。
[0008]其中，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板还包括:覆盖所述彩色滤光片及所述黑矩阵的保护层，所述保护层上对应黑矩阵的区域形成有过孔，所述粘结剂通过所述过孔连接所述黑矩阵。
[0009]其中，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的彩色滤光片及位于彩色滤光片之间的黑矩阵，所述透光导电结构为位于所述彩膜基板面向阵列基板一侧表面上的透明电极。
[0010]其中，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的彩色滤光片、位于彩色滤光片之间的黑矩阵，还包括位于所述彩色滤光片背离所述衬底基板的一侧的透明电极，所述黑矩阵为导电材料，且呈网状结构，所述透明电极连接所述黑矩阵，共同形成所述透光导电结构。
[0011]其中，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板还包括:覆盖所述彩色滤光片及所述黑矩阵的保护层，所述保护层上对应黑矩阵的区域形成有过孔，所述透明电极通过所述过孔连接所述黑矩阵。
[0012]其中，所述透明电极为条状或网状结构。
[0013]其中，所述透明电极所在所述衬底基板上的投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的投影范围内。
[0014]其中，所述对置基板包括:透明衬底基板，所述透光导电结构为位于所述衬底基板上的透明电极。
[0015]其中，所述导电粒子为金属粒子。
[0016](三)有益效果
[0017]本发明的AMOLED显示装置中，在阴极之上形成透光导电结构，两者通过含有导电粒子的粘结剂连接，透光导电结构与阴极形成并联，降低了阴极电阻，因此降低了 IR drop；并且未在阵列基板上的像素区域周边形成遮光的结构(如:现有技术中阴极辅助线)，因此不会影响开口率。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1是现有技术的一种AMOLED显示装置的阵列基板的平面结构示意图；
[0019]图2a是本发明实施例的一种AMOLED显示装置截面示意图；
[0020]图2b是本发明实施例的另一种AMOLED显示装置截面示意图；
[0021]图2c是本发明实施例的又一种AMOLED显示装置截面示意图。
【具体实施方式】
[0022]本发明的AMOLED显示装置包括:阵列基板和与所述阵列基板的对置基板。阵列基板上的阴极透明，即为顶发射的AMOLED显示装置。由于阴极为一整块电极结构，电阻很大，为了降低由于电阻导致的IR drop，在对置基板上设置至少一透光导电结构，阴极和透光导电结构通过含有导电粒子的粘结剂连接。这种连接方式相当于阴极和透光导电结构并联，减小了阴极电阻，从而降低了 IR drop。而且并没有在阵列基板上的非像素区域设置与阴极并联的导电结构，与阴极并联的而是对置基板上的透光导电结构，因此，不会对AMOLED显示装置的开口率产生影响。其中，导电粒子可以为金属粒子。
[0023]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0024]实施例1
[0025]本实施例的AMOLED显示装置如图2a所示，包括:阵列基板210和与阵列基板210的对置基板。对置基板可以为彩膜基板240，彩膜基板240包括:衬底基板244、位于衬底基板244上的彩色滤光片(R、G、B三色滤光片)及位于彩色滤光片之间的黑矩阵243。黑矩阵243通常呈网状结构，形成在非像素区域。彩色滤光片和黑矩阵243上还覆盖有保护彩色滤光片的保护层242。透光导电结构为位于彩膜基板240面向阵列基板210 —侧表面上的透明电极241 (通常由铟锡氧化物Indium Tin Oxide制成,简称ΙΤ0),即透明电极位于保护层242面向阵列基板210的表面。
[0026]为了使透明电极241和阵列基板210顶部的阴极(未示出)形成并联结构，透明电极241和阴极之间通过含有导电粒子的粘结剂与阴极连接。本实施例中含有导电粒子的粘结剂包括两部分，封装层220和黏着层230，封装层220是用于保护和封装阵列基板210顶部阴极的层结构(可以认为是阵列基板层次结构中的一部分)，黏着层230起到连接阵列基板210和彩膜基板240的作用。封装层220和黏着层230均可以含有金属离子，即两者为导体，使得透明电极241和阴极形成并联结构，从而降低了 IR drop。而且并没有在阵列基板210上的非像素区域设置与阴极并联的导电结构，因此，不会对AMOLED显示装置的开口率产生影响。
[0027]透明电极241可以为条状或网状结构，为了不影响像素区域的透光率，进一步地，透明电极241形成在黑矩阵243所在的区域，即透明电极所在衬底基板244上的投影位于黑矩阵243在衬底基板244上的投影范围内。
[0028]实施例2
[0029]本实施例的AMOLED显示装置如图2b所示，包括:阵列基板210和与阵列基板210的对置基板。对置基板可以为彩膜基板240，彩膜基板240包括:衬底基板244、位于衬底基板244上的彩色滤光片(R、G、B三色滤光片)及位于彩色滤光片之间的黑矩阵243。彩色滤光片和黑矩阵243上还覆盖有保护彩色滤光片的保护层242。本实施例中，黑矩阵243为导电材料(如金属)，且呈网状结构，因此黑矩阵243可以直接作为与阴极并联的透光导电结构(即不需要实施例1中的透明电极)。
[0030]为了使黑矩阵243和阵列基板210顶部的阴极(未示出)形成并联结构，透明电极241和阴极之间通过含有导电粒子的粘结剂与阴极连接。本实施例中含有导电粒子的粘结剂包括两部分，封装层220和黏着层230，封装层220是用于保护和封装阵列基板210顶部阴极的层结构(可以认为是阵列基板层次结构中的一部分)，黏着层230起到连接阵列基板210和彩膜基板240的作用。封装层220和黏着层230均可以含有金属离子，即两者为导体，使得黑矩阵243和阴极形成并联结构，从而降低了 IR drop。而且黑矩阵243本身是现有显示装置存在的结构，即未增加额外的导电结构与阴极并联，因此，开口率也不会受到影响。
[0031]本实施例中，黏着层230通过形成在保护层242上对应黑矩阵区域的过孔连接黑矩阵243。当然在没有保护层242的情况下(如:彩色滤光片采用物理和化学性质稳定的材料，不易受相邻层的影响)，黏着层230可直接连接黑矩阵243。
[0032]实施例3
[0033]本实施例的AMOLED显示装置如图2c所示，包括:阵列基板210和与阵列基板210的对置基板。对置基板可以为彩膜基板240，彩膜基板240包括:衬底基板244、位于衬底基板244上的彩色滤光片(R、G、B三色滤光片)及位于彩色滤光片之间的黑矩阵243。彩色滤光片和黑矩阵243上还覆盖有保护彩色滤光片的保护层242。本实施例中，黑矩阵243为导电材料(如金属)，且呈网状结构。还包括位于彩膜基板240面向阵列基板210 —侧表面上的透明电极241 (通常由铟锡氧化物Indium Tin Oxide制成,简称ITO),即透明电极位于保护层242面向阵列基板210的表面。本实施例中，透明电极241连接黑矩阵243，具体通过形成在保护层242上对应黑矩阵区域的过孔连接黑矩阵243，由透明电极241和黑矩阵243共同形成透光导电结构。当然在没有保护层242的情况下(如:彩色滤光片采用物理和化学性质稳定的材料，不易受相邻层的影响)，透明电极241可直接连接黑矩阵243。
[0034]为了使透明电极241和阵列基板210顶部的阴极(未示出)形成并联结构，透明电极241和阴极之间通过含有导电粒子的粘结剂与阴极连接。本实施例中含有导电粒子的粘结剂包括两部分，封装层220和黏着层230，封装层220是用于保护和封装阵列基板210顶部阴极的层结构(可以认为是阵列基板层次结构中的一部分)，黏着层230起到连接阵列基板210和彩膜基板240的作用。封装层220和黏着层230均可以含有金属离子，即两者为导体，使得透明电极241、黑矩阵243和阴极形成并联结构，相对于实施例1和实施例2进一步地降低了 IR drop。而且并没有在阵列基板210上的非像素区域设置与阴极并联的导电结构，因此，不会对AMOLED显示装置的开口率产生影响。
[0035]透明电极241可以为条状或网状结构，为了不影响像素区域的透光率，进一步地，透明电极241形成在黑矩阵243所在的区域，即透明电极所在衬底基板244上的投影位于黑矩阵243在衬底基板244上的投影范围内。
[0036]以上三个实施例中，彩色滤光片形成在彩膜基板上，对于COA形成的显示装置，对置基板可以是一透明衬底基板，透光导电结构为位于衬底基板上的透明电极。透明电极和阴极通过含有导电粒子的粘结剂与阴极并联。和以上三个实施例类似，与阴极并联的可以是透明电极、黑矩阵或透明电极及黑矩阵共同形成的结构。
[0037]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关【技术领域】的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【权利要求】
1.一种AMOLED显示装置，包括:阵列基板和与所述阵列基板的对置基板，所述阵列基板上的阴极透明，其特征在于，所述对置基板上包括至少一透光导电结构，所述阴极和所述透光导电结构通过含有导电粒子的粘结剂连接。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的彩色滤光片及位于彩色滤光片之间的黑矩阵，所述黑矩阵为导电材料，且呈网状结构，所述透光导电结构为所述黑矩阵。
3.如权利要求2所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板还包括:覆盖所述彩色滤光片及所述黑矩阵的保护层，所述保护层上对应黑矩阵的区域形成有过孔，所述粘结剂通过所述过孔连接所述黑矩阵。
4.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的彩色滤光片及位于彩色滤光片之间的黑矩阵，所述透光导电结构为位于所述彩膜基板面向阵列基板一侧表面上的透明电极。
5.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板包括:衬底基板、位于衬底基板上的彩色滤光片、位于彩色滤光片之间的黑矩阵，还包括位于所述彩色滤光片背离所述衬底基板的一侧的透明电极，所述黑矩阵为导电材料，且呈网状结构，所述透明电极连接所述黑矩阵，共同形成所述透光导电结构。
6.如权利要求5所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述对置基板为彩膜基板，所述彩膜基板还包括:覆盖所述彩色滤光片及所述黑矩阵的保护层，所述保护层上对应黑矩阵的区域形成有过孔，所述透明电极通过所述过孔连接所述黑矩阵。
7.如权利要求4?6中任一项所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述透明电极为条状或网状结构。
8.如权利要求7所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述透明电极所在所述衬底基板上的投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的投影范围内。
9.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述对置基板包括:透明衬底基板，所述透光导电结构为位于所述衬底基板上的透明电极。
10.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述导电粒子为金属粒子。
【文档编号】H01L27/32GK103681775SQ201310750642
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】永山和由 申请人:京东方科技集团股份有限公司