专利名称：前照式影像传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及影像传感器技术领域，特别涉及一种前照式影像传感器。
背景技术：
影像传感器是在光电技术基础上发展起来的，所谓影像传感器，就是能够感受光学图像信息并将其转换成可用输出信号的传感器。影像传感器可以提高人眼的视觉范围，使人们看到肉眼无法看到的微观世界和宏观世界，看到人们暂时无法到达处发生的事情，看到超出肉眼视觉范围的各种物理、化学变化过程，生命、生理、病变的发生发展过程，等等。可见影像传感器在人们的文化、体育、生产、生活和科学研究中起到非常重要的作用。可以说，现代人类活动已经无法离开影像传感器了。影像传感器可依据其采用的原理而区分为电荷耦合装置(Charge-CoupledDevice)影像传感器(亦即俗称CCD影像传感器)以及CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor)影像传感器，其中CMOS影像传感器即基于互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术而制造。由于CMOS影像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可将影像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS影像传感器具有更广的应用前景。按照接收光线的位置的不同，影像传感器可以分为前照式影像传感器及背照式影像传感器。请参考图1，其为现有的前照式影像传感器的结构示意图。如图1所示，所述前照式影像传感器I包括:半导体基底10 ;形成于所述半导体基底10中的光电二极管11 ;形成于所述半导体基底10上的金属连线12 ;及形成于所述半导体基底10上的滤光片13，且所述滤光片13与金属连线12相邻。在现有的前照式影像传感器I中，容易发生影像传感器的串扰(crosstalk)问题。具体的，如图1所示，光线LI在入射到一滤光片13 (进而进入该滤光片13正对的光电二极管)之后，极易通过金属连线12的反射进入到另一滤光片13(进而进入该滤光片13正对的·光电二极管)中，从而造成影像传感器的串扰问题，进而降低前照式影像传感器的质量及可靠性。因此，如何避免/减少影像传感器的串扰问题，成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种前照式影像传感器，以解决在现有的前照式影像传感器中，存在影像传感器的串扰的问题。为解决上述技术问题，本实用新型提供一种前照式影像传感器，所述前照式影像传感器包括:半导体基底；多个光电二极管，所述多个光电二极管形成于所述半导体基底中；遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙形成于所述半导体基底上，且位于光电二极管的两侧。[0011]可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述遮蔽侧墙为金属制成的遮蔽侧墙。可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述遮蔽侧墙为铝或者铜制成的遮蔽侧
m ο可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述遮蔽侧墙的截面宽度为0.2微米
0.3微米。可选的，在所述的前照式影像传感器中，还包括:透光填充层，所述透光填充层形成于所述半导体基底上，且正对光电二极管。可选的，在所述的前照式影像传感器中，还包括:滤光片，所述滤光片位于所述透光填充层上，且正对光电二极管。可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述透光填充层为聚酰亚胺透光填充层或者SU8透光填充层。可选的，在所述的前照式影像传感器中，所述透光填充层的厚度为I微米 2微米。可选的，在所述的前照式影像传感器中，多个光电二极管分成多组，每组包括绿光光电二极管、蓝光光电二极管及红光光电二极管。在本实用新型提供的前照式影像传感器中，所述半导体基底上形成有遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙位于光电二极管的两侧，由此，通过所述遮蔽侧墙能够将入射光线限定在一光电二极管范围内，防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了前照式影像传感器的质量及可靠性。
图1是现有的前照式影像传感器的结构示意图；图2是本实用新型实施例一提供的前照式影像传感器的结构示意图；图3是本实用新型实施例二提供的前照式影像传感器的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的前照式影像传感器作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的 。实施例一请参考图2，其为本实用新型实施例提供的前照式影像传感器的结构示意图。如图2所示，所述前照式影像传感器2包括:半导体基底20 ；多个光电二极管21，所述多个光电二极管21形成于所述半导体基底20中；遮蔽侧墙22，所述遮蔽侧墙22形成于所述半导体基底20上，且位于光电二极管21的两侧。通过所述遮蔽侧墙22能够将入射光线限定在一光电二极管21范围内，防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了前照式影像传感器2的质量及可靠性。[0032]在本实施例中，还包括滤光片23，所述滤光片23形成于所述半导体基底20上，且正对光电二极管21。请继续参考图2，在本实施例中，所述光电二极管21的数量为三个，分别为进行绿光(Green)转换的绿光光电二极管21A、进行蓝光(Blue)转换的蓝光光电二极管2IB及进行红光(Red)转换的红光光电二极管21C，该三个光电二极管21组成一组，通过该组光电二极管能够对白光进行光电转换。其中，图2仅示意性的示出了一组光电二极管21，在本申请的其他实施例中，前照式影像传感器可以由更多组这样的光电二极管组成。相应的，滤光片23也为三个，分别为正对绿光光电二极管21A的绿色滤光片23A、正对蓝光光电二极管2IB的蓝色滤光片23B及正对红光光电二极管2IC的红色滤光片23C，通过所述滤光片23可实现对光线的选取，从而对进入光电二极管21的光线进行一定的选取。在本实施例中，所述遮蔽侧墙22为四个，分别为位于绿光光电二极管2IA两侧(也即位于绿色滤光片23A两侧)的遮蔽侧墙22A及遮蔽侧墙22B、位于蓝光光电二极管21B两侧(也即位于蓝色滤光片23B两侧)的遮蔽侧墙22B及遮蔽侧墙22C及位于红光光电二极管2IC两侧(也即位于红色滤光片23C两侧)的遮蔽侧墙22C及遮蔽侧墙22D。通过所述遮蔽侧墙22A、22B、22C及22D，能够将入射到绿色滤光片23A、蓝色滤光片23B及红色滤光片23C的光线限定在绿色滤光片23A、蓝色滤光片23B或者红色滤光片23C范围内，即限定在绿光光电二极管21A、蓝光光电二极管21B或者红光光电二极管21C范围内，从而防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了前照式影像传感器2的质量及可靠性。例如，光线L2入射到红色滤光片23C内，经过遮蔽侧墙22C的作用，该光线L2 —直限定在红色滤光片23C范围内，在此包括红色滤光片23C及其正对的红光光电二极管21C，即避免了光线L2散射到·了前照式影像传感器2的质量及可靠性。优选的，所述遮蔽侧墙22为金属制成的遮蔽侧墙，例如，可以为铜或者铝制成的遮蔽侧墙。金属制成的遮蔽侧墙能够很好的反射光线，例如通过遮蔽侧墙22C对光线L2进行了反射，从而防止了入射到红色滤光片23C的光线L2的损耗，提高了前照式影像传感器2的光电转换效率。优选的，所述遮蔽侧墙22的截面宽度为0.2微米 0.3微米，例如一宽为0.2微米 0.3微米的长方体。将所述遮蔽侧墙22的截面宽度限定在0.2微米 0.3微米，既可以保证有效的将入射光线限定在一光电二极管范围内，又能够避免对于半导体基底20上的制作空间的占用。实施例二请参考图3，其为本实用新型实施例二提供的前照式影像传感器的结构示意图。如图3所示，所述前照式影像传感器3包括:半导体基底30 ；多个光电二极管31，所述多个光电二极管31形成于所述半导体基底30中；遮蔽侧墙32，所述遮蔽侧墙32形成于所述半导体基底30上，且位于光电二极管31的两侧。[0045]同样的，在本实施二中，所述光电二极管31的数量为三个，分别为绿光光电二极管31A、蓝光光电二极管31B及红光光电二极管31C ;所述遮蔽侧墙32为四个，分别为位于绿光光电二极管3IA两侧的遮蔽侧墙32A及遮蔽侧墙32B、位于蓝光光电二极管3IB两侧3的遮蔽侧墙32B及遮蔽侧墙32C及位于红光光电二极管3IC两侧3的遮蔽侧墙32C及遮蔽侧墙32D。本实施例二与实施例一的差别在于，还包括:透光填充层33，所述透光填充层33形成于所述半导体基底30上，且正对光电二极管31。通过所述透光填充层33能够提高光线的穿透，从而使得光电二极管31能够接收到更多光线，提高前照式影像传感器3的光电转换效率。优选的，所述透光填充层33为聚酰亚胺透光填充层或者SU8透光填充层；所述透光填充层33的厚度为I微米 2微米。聚酰亚胺材料或者SU8材料具有非常高的透光性，从而由此所形成的透光填充层33也具有非常高的透光性。此外，在本实施例中，还包括滤光片34，所述滤光片34位于所述透光填充层33上，也即正对光电二极管31。同样的，所述滤光片34也为三个，分别为正对绿光光电二极管31A的绿色滤光片34A、正对蓝光光电二极管3IB的蓝色滤光片34B及正对红光光电二极管3IC的红色滤光片34C。上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书 的保护范围。
权利要求1.一种前照式影像传感器，其特征在于，包括: 半导体基底； 多个光电二极管，所述多个光电二极管形成于所述半导体基底中； 遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙形成于所述半导体基底上，且位于光电二极管的两侧。
2.如权利要求1所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述遮蔽侧墙为金属制成的遮蔽侧墙。
3.如权利要求2所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述遮蔽侧墙为铝或者铜制成的遮蔽侧墙。
4.如权利要求1所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述遮蔽侧墙的截面宽度为0.2微米 0.3微米。
5.如权利要求1所述的前照式影像传感器，其特征在于，还包括: 透光填充层，所述透光填充层形成于所述半导体基底上，且正对光电二极管。
6.如权利要求5所述的前照式影像传感器，其特征在于，还包括: 滤光片，所述滤光片位于所述透光填充层上，且正对光电二极管。
7.如权利要求5所述的前照式影像传感器，其特征在于，所述透光填充层为聚酰亚胺透光填充层或者SU8透光填充层。
8.如权利要求5所 述的前照式影像传感器，其特征在于，所述透光填充层的厚度为I微米 2微米。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的前照式影像传感器，其特征在于，多个光电二极管分成多组，每组包括绿光光电二极管、蓝光光电二极管及红光光电二极管。
专利摘要本实用新型提供了一种前照式影像传感器，所述前照式影像传感器包括半导体基底；多个光电二极管，所述多个光电二极管形成于所述半导体基底中；遮蔽侧墙，所述遮蔽侧墙形成于所述半导体基底上，且位于光电二极管的两侧。由此，通过所述遮蔽侧墙能够将入射光线限定在一光电二极管范围内，防止了影像传感器的串扰问题，进而提高了前照式影像传感器的质量及可靠性。
文档编号H01L27/146GK203134798SQ20132009037
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月27日 优先权日2013年2月27日
发明者李全宝, 肖海波, 费孝爱 申请人:豪威科技(上海)有限公司