影像传感器结构及其制造方法
【专利摘要】本公开提供一种影像传感器结构及其制造方法。该影像传感器结构包括：一基板，具有一第一表面与一第二表面，并包括一感测区；一第一金属层，形成于该基板的该第一表面上，并包围该感测区；以及一保护层，形成于该基板的该第一表面上，并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层，以露出该第一金属层的一暴露区。该暴露区包括一第一部分，具有一第一宽度，一第二部分，具有一第二宽度，一第三部分，具有一第三宽度，以及一第四部分，具有一第四宽度。
【专利说明】
影像传感器结构及其制造方法
技术领域
[0001]本公开涉及一种影像传感器结构，特别涉及一种其晶背金属层(back-side metallayer)具有大范围暴露区的影像传感器结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]影像传感器(image sensor)为一种将光影像转换为电信号的半导体元件。影像传感器一般分为电荷耦合元件(CCD)与互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器。上述影像传感器中，互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器包括用来检测入射光与将其转换为电信号的光二极管，以及用来传输与处理电信号的逻辑电路。
[0003]在某些半导体制造过程中，例如为蚀刻出连接垫与切割道的蚀刻步骤(S卩，微透镜保护(microlens protect1n)蚀刻步骤)，静电荷会产生并累积在边缘的晶背金属(back-side metal)上。不巧，当静电荷放电时，由于静电放电(electrostatic discharge,ESD)，该等静电荷会穿过基板下方，而造成基板损伤。
[0004]因此，开发一种新颖的影像传感器结构，以有效解决为蚀刻出连接垫与切割道的微透镜保护(MP)蚀刻步骤过程中的静电放电问题是众所期待的。
【发明内容】
[0005]本公开的一实施例提供一种影像传感器结构(image-sensor structure)，包括:一基板，具有一第一表面与一第二表面，并包括一感测区；一第一金属层，形成于该基板的该第一表面上，并包围该感测区；以及一保护层(protect1n layer)，形成于该基板的该第一表面上，并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层，以露出该第一金属层的一暴露区。该暴露区包括一第一部分，具有一第一宽度，一第二部分，具有一第二宽度，一第三部分，具有一第三宽度，以及一第四部分，具有一第四宽度。
[0006]上述感测区包括光电转换单元(photoelectric convers1n units)于其中。
[0007]上述光电转换单元(photoelectric convers1n unit)包括一光二极管(photod1de)。
[0008]本公开影像传感器结构还包括彩色滤光片，形成于上述光电转换单元上。
[0009]本公开影像传感器结构还包括多个微透镜，形成于上述彩色滤光片上。
[0010]上述保护层覆盖上述微透镜。
[0011 ] 上述保护层包括光致抗蚀剂。
[0012]通过上述保护层分离上述第一金属层的上述暴露区的上述第一部分与上述第三部分。
[0013]通过上述保护层分离上述第一金属层的上述暴露区的上述第二部分与上述第四部分。
[0014]上述第一金属层的上述暴露区的上述第一部分连接上述第二部分与上述第四部分。
[0015]上述第一金属层的上述暴露区的上述第三部分连接上述第二部分与上述第四部分。
[0016]上述保护层(protect1n layer)具有一第一侧、一第二侧、一第三侧以及一第四侧，分别对应上述第一金属层的上述暴露区的上述第一部分、上述第二部分、上述第三部分以及上述第四部分。
[0017]本公开影像传感器结构(image-sensor structure)还包括一第二金属层，形成于上述基板的上述第二表面下方，并包围上述第一金属层。
[0018]自上述感测区至上述第二金属层定义一最短水平距离(shortest horizontaldistance)。
[0019]上述第一金属层的上述暴露区的上述第一部分的上述第一宽度、上述第二部分的上述第二宽度、上述第三部分的上述第三宽度以及上述第四部分的上述第四宽度分别大于35 μ m，且小于自上述感测区至上述第二金属层的上述最短水平距离的一半。
[0020]本公开影像传感器结构为一背照式(back-side illuminated)影像传感器结构。
[0021]本公开的一实施例提供一种影像传感器结构的制造方法，包括:提供一基板，该基板具有一第一表面与一第二表面，并包括一感测区；形成一第一金属层于该基板的该第一表面上，并包围该感测区；以及形成一保护层(protect1n layer)于该基板的该第一表面上，并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层。
[0022]上述影像传感器结构的制造方法还包括形成一第二金属层于上述基板的上述第二表面下方，并包围上述第一金属层。
[0023]上述影像传感器结构的制造方法还包括填入一光致抗蚀剂层于多个衬垫上方至一足够厚度，上述衬垫设置于一周边切割道中。
[0024]上述影像传感器结构的制造方法还包括坦覆性地形成一第一平坦层于上述光致抗蚀剂层、上述第一金属层与上述基板的上述第一表面上。
[0025]上述影像传感器结构的制造方法还包括涂布彩色滤光图案(color filterpatterns)于上述感测区内的上述第一平坦层上。
[0026]上述影像传感器结构的制造方法还包括形成多个微透镜于一第二平坦层上，对应其下方的上述彩色滤光图案。上述第二平坦层坦覆性地形成于上述第一平坦层与上述彩色滤光图案上。
[0027]上述保护层形成于上述第二平坦层上，并覆盖上述微透镜与一部分的上述第一金属层，以露出一部分未为上述保护层所覆盖的上述第一金属层。
[0028]上述影像传感器结构的制造方法还包括实施一蚀刻工艺，以蚀刻出上述衬垫与上述切割道。
[0029]为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。
【附图说明】
[0030]图1是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的上视图；
[0031]图2是根据本公开的一实施例，沿图1的A-A’剖面线所得的影像传感器结构的剖面示意图；
[0032]图3是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的上视图；
[0033]图4是根据本公开的一实施例，沿图3的B-B’剖面线所得的影像传感器结构的剖面示意图；
[0034]图5是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的上视图；
[0035]图6是根据本公开的一实施例，沿图5的C-C’剖面线所得的影像传感器结构的剖面示意图；
[0036]图7A?图7H是根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构制造方法的剖面示意图；以及
[0037]图8是一种传统影像传感器结构的上视图。
[0038]附图标iP,说曰月:
[0039]10、100、1000?本公开影像传感器结构；
[0040]10’?传统影像传感器结构；
[0041]12、52、120、1200 ?基板；
[0042]14、54、140、1400 ?感测区；
[0043]16、16，、56、160、1600 ?第一金属层；
[0044]18、18’、58、180、1800 ?(图案化)保护层;
[0045]20、60、200、2000?光电转换单元；
[0046]22、62、220、2200?彩色滤光片(图案);
[0047]24、64、240、2400 ?微透镜；
[0048]26、66、260、2600 ?第二金属层；
[0049]28、28 ’、68、280、2800 ?衬垫(连接垫)；
[0050]30、30’、70、300、3000 ?(周边)切割道；
[0051]50?基板结构；
[0052]72?光致抗蚀剂层；
[0053]74?第一平坦层；
[0054]76?第二平坦层；
[0055]78?蚀刻工艺；
[0056]1201、5201?基板的第一表面；
[0057]1202、5202?基板的第二表面；
[0058]7201?光致抗蚀剂层的表面；
[0059]Al、Al’?第一金属层的暴露区；
[0060]Dl?第一金属层暴露区第一部分的第一宽度；
[0061]D2?第一金属层暴露区第二部分的第二宽度；
[0062]D3?第一金属层暴露区第三部分的第三宽度；
[0063]D4?第一金属层暴露区第四部分的第四宽度；
[0064]Dn D2、D3、D4?第一金属层暴露区的宽度；
[0065]dn d2、d3、d4?保护层与连接垫之间的距离；
[0066]L?自感测区至第二金属层的最短水平距离；
[0067]Pl?第一金属层暴露区的第一部分；
[0068]P2?第一金属层暴露区的第二部分；
[0069]P3?第一金属层暴露区的第三部分；
[0070]P4?第一金属层暴露区的第四部分；
[0071]SI?保护层的第一侧；
[0072]S2?保护层的第二侧；
[0073]S3?保护层的第三侧；
[0074]S4?保护层的第四侧。
【具体实施方式】
[0075]根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构，描述于图1及图2。图1为上述影像传感器结构的上视图。图2则为沿图1的A-A’剖面线所得的上述影像传感器结构的剖面示意图。
[0076]请参阅图1及图2，提供一种影像传感器结构(image-sensor structure) 10。影像传感器结构10包括:一基板12，具有一第一表面1201与一第二表面1202，并包括一感测区14 ;一第一金属层16，形成于基板12的第一表面1201上，并包围感测区14 ;以及一保护层(protect1n layer) 18，形成于基板12的第一表面1201上，并覆盖感测区14与一部分的第一金属层16，以露出第一金属层16的一暴露区Al。暴露区Al包括一第一部分P1，具有一第一宽度D1，一第二部分P2，具有一第二宽度D2，一第三部分P3，具有一第三宽度D3，以及一第四部分P4，具有一第四宽度D4。
[0077]在部分实施例中，感测区14可包括光电转换单元(photoelectric convers1nunits) 20于其中。
[0078]在部分实施例中，光电转换单元20可包括一光二极管(photod1de)。
[0079]在部分实施例中，影像传感器结构10可还包括彩色滤光片22，形成于光电转换单元20上。
[0080]在部分实施例中，影像传感器结构10可还包括多个微透镜24，形成于彩色滤光片22上。
[0081]在部分实施例中，保护层18覆盖微透镜(microlenses) 24。
[0082]在部分实施例中，保护层18可包括光致抗蚀剂(photoresists)。
[0083]在部分实施例中，通过保护层(protect1n layer) 18可分离第一金属层16的暴露区(exposed area) Al的第一部分Pl与第三部分P3。
[0084]在部分实施例中，通过保护层(protect1n layer) 18可分离第一金属层16的暴露区(exposed area) Al的第二部分P2与第四部分P4。
[0085]在部分实施例中，第一金属层(first metal layer) 16的暴露区(exposed area)Al的第一部分Pl可连接第二部分P2与第四部分P4。
[0086]在部分实施例中，第一金属层(first metal layer) 16的暴露区(exposed area)Al的第三部分P3可连接第二部分P2与第四部分P4。
[0087]在部分实施例中，保护层18具有一第一侧S1、一第二侧S2、一第三侧S3以及一第四侧S4，分别对应第一金属层16的暴露区Al的第一部分P1、第二部分P2、第三部分P3以及第四部分P4。
[0088]在部分实施例中，影像传感器结构10可还包括一第二金属层26，形成于基板12的第二表面1202下方，并包围第一金属层16。
[0089]自感测区14至第二金属层26定义一最短水平距离(shortest horizontaldistance)L0
[0090]第一金属层16的暴露区Al的第一部分Pl的第一宽度D1、第二部分P2的第二宽度D2、第三部分P3的第三宽度D3以及第四部分P4的第四宽度D4分别大于35 μ m，且小于自感测区14至第二金属层26的最短水平距离(shortest horizontal distance)L的一半(L/2)。
[0091]在此实施例中，第一金属层16的暴露区Al的第一部分Pl的第一宽度Dl相近于第三部分P3的第三宽度D3，第一金属层16的暴露区Al的第二部分P2的第二宽度D2相近于第四部分P4的第四宽度D4。
[0092]在部分实施例中，影像传感器结构10可还包括多个衬垫28，设置于一周边切割道(peripheral scribe line) 30 中。
[0093]在部分实施例中，影像传感器结构10可为一背照式(back-side illuminated)影像传感器结构。
[0094]根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构，描述于图3及图4。图3为上述影像传感器结构的上视图。图4则为沿图3的B-B’剖面线所得的上述影像传感器结构的剖面示意图。
[0095]请参阅图3及图4，提供一种影像传感器结构(image-sensor structure) 100。影像传感器结构100包括:一基板120，具有一第一表面1201与一第二表面1202，并包括一感测区140 ;—第一金属层160，形成于基板120的第一表面1201上，并包围感测区140 ;以及一保护层(protect1n layer) 180，形成于基板120的第一表面1201上，并覆盖感测区140与一部分的第一金属层160，以露出第一金属层160的一暴露区Al。暴露区Al包括一第一部分P1，具有一第一宽度D1，一第二部分P2，具有一第二宽度D2，一第三部分P3，具有一第三宽度D3，以及一第四部分P4，具有一第四宽度D4。
[0096]在部分实施例中，感测区140可包括光电转换单元(photoelectric convers1nunits) 200 于其中。
[0097]在部分实施例中，光电转换单元200可包括一光二极管(photod1de)。
[0098]在部分实施例中，影像传感器结构100可还包括彩色滤光片220，形成于光电转换单元200上。
[0099]在部分实施例中，影像传感器结构100可还包括多个微透镜240，形成于彩色滤光片220上。
[0100]在部分实施例中，保护层180覆盖微透镜(microlenses) 240。
[0101]在部分实施例中，保护层180可包括光致抗蚀剂(photoresists)。
[0102]在部分实施例中，通过保护层(protect1n layer) 180可分离第一金属层160的暴露区(exposed area) Al的第一部分Pl与第三部分P3。
[0103]在部分实施例中，通过保护层(protect1n layer) 180可分离第一金属层160的暴露区(exposed area) Al的第二部分P2与第四部分P4。
[0104]在部分实施例中，第一金属层(first metal layer) 160的暴露区(exposed area)Al的第一部分Pl可连接第二部分P2与第四部分P4。
[0105]在部分实施例中，第一金属层(first metal layer) 160的暴露区(exposed area)Al的第三部分P3可连接第二部分P2与第四部分P4。
[0106]在部分实施例中，保护层180具有一第一侧S1、一第二侧S2、一第三侧S3以及一第四侧S4，分别对应第一金属层160的暴露区Al的第一部分P1、第二部分P2、第三部分P3以及第四部分P4。
[0107]在部分实施例中，影像传感器结构100可还包括一第二金属层260，形成于基板120的第二表面1202下方，并包围第一金属层160。
[0108]自感测区140至第二金属层260定义一最短水平距离(shortest horizontaldistance)L0
[0109]第一金属层160的暴露区Al的第一部分Pl的第一宽度Dl、第二部分P2的第二宽度D2、第三部分P3的第三宽度D3以及第四部分P4的第四宽度D4分别大于35 μ m，且小于自感测区140至第二金属层260的最短水平距离(shortest horizontal distance)L的一半(L/2)ο
[0110]在此实施例中，第一金属层160的暴露区Al的第三部分P3的第三宽度D3大于第一部分Pl的第一宽度Dl，第一金属层160的暴露区Al的第二部分P2的第二宽度D2相近于第四部分P4的第四宽度D4。
[0111]在部分实施例中，影像传感器结构100可还包括多个衬垫280，设置于一周边切割道(peripheral scribe line) 300 中。
[0112]在部分实施例中，影像传感器结构100可为一背照式(back-side illuminated)影像传感器结构。
[0113]根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构，描述于图5及图6。图5为上述影像传感器结构的上视图。图6则为沿图5的C-C’剖面线所得的上述影像传感器结构的剖面示意图。
[0114]请参阅图5及图6，提供一种影像传感器结构(image-sensor structure) 1000影像传感器结构1000包括:一基板1200，具有一第一表面1201与一第二表面1202，并包括一感测区1400 ;—第一金属层1600，形成于基板1200的第一表面1201上，并包围感测区1400 ;以及一保护层(protect1n layer) 1800，形成于基板1200的第一表面1201上，并覆盖感测区1400与一部分的第一金属层1600，以露出第一金属层1600的一暴露区Al。暴露区Al包括一第一部分P1，具有一第一宽度D1，一第二部分P2，具有一第二宽度D2，一第三部分P3，具有一第三宽度D3，以及一第四部分P4，具有一第四宽度D4。
[0115]在部分实施例中，感测区1400可包括光电转换单元(photoelectric convers1nunits) 2000 于其中。
[0116]在部分实施例中，光电转换单元2000可包括一光二极管(photod1de)。
[0117]在部分实施例中，影像传感器结构1000可还包括彩色滤光片2200，形成于光电转换单元2000上。
[0118]在部分实施例中，影像传感器结构1000可还包括多个微透镜2400，形成于彩色滤光片2200上。
[0119]在部分实施例中，保护层1800覆盖微透镜(microlenses) 2400。
[0120]在部分实施例中，保护层1800可包括光致抗蚀剂(photoresists)。
[0121]在部分实施例中，通过保护层(protect1n layer) 1800可分离第一金属层1600的暴露区(exposed area) Al的第一部分Pl与第三部分P3。
[0122]在部分实施例中，通过保护层(protect1n layer) 1800可分离第一金属层1600的暴露区(exposed area) Al的第二部分P2与第四部分P4。
[0123]在部分实施例中，第一金属层(first metal layer) 1600的暴露区(exposedarea) Al的第一部分Pl可连接第二部分P2与第四部分P4。
[0124]在部分实施例中，第一金属层(first metal layer) 1600的暴露区(exposedarea) Al的第三部分P3可连接第二部分P2与第四部分P4。
[0125]在部分实施例中，保护层1800具有一第一侧S1、一第二侧S2、一第三侧S3以及一第四侧S4，分别对应第一金属层1600的暴露区Al的第一部分P1、第二部分P2、第三部分P3以及第四部分P4。
[0126]在部分实施例中，影像传感器结构1000可还包括一第二金属层2600，形成于基板1200的第二表面1202下方，并包围第一金属层1600。
[0127]自感测区1400至第二金属层2600定义一最短水平距离(shortest horizontaldistance)L0
[0128]第一金属层1600的暴露区Al的第一部分Pl的第一宽度D1、第二部分P2的第二宽度D2、第三部分P3的第三宽度D3以及第四部分P4的第四宽度D4分别大于35 μ m，且小于自感测区1400至第二金属层2600的最短水平距离(shortest horizontal distance) L的一半(L/2)。
[0129]在此实施例中，第一金属层1600的暴露区Al的第一部分Pl的第一宽度Dl相近于第三部分P3的第三宽度D3，第一金属层1600的暴露区Al的第四部分P4的第四宽度D4大于第二部分P2的第二宽度D2。
[0130]在部分实施例中，影像传感器结构1000可还包括多个衬垫2800，设置于一周边切割道(peripheral scribe line) 3000 中。
[0131]在部分实施例中，影像传感器结构1000可为一背照式(back-side illuminated)影像传感器结构。
[0132]根据本公开的一实施例，一种影像传感器结构的制造方法，描述于图7A图至图7H，其为上述影像传感器结构制造方法的剖面示意图。
[0133]请参阅图7A，提供一基板结构50。基板结构50包括一基板52，具有一第一表面5201与一第二表面5202，并包括一感测区54 ；以及一第一金属层56，形成于基板52的第一表面5201上，并包围感测区54。感测区54可包括光电转换单元(photoelectricconvers1n units)60于其中。光电转换单元60可包括一光二极管。基板结构50可还包括一第二金属层66，形成于基板52的第二表面5202下方，并包围第一金属层56。基板结构50可还包括多个衬垫68，设置于一周边切割道(peripheral scribe line)70中。
[0134]请参阅图7B，填入一光致抗蚀剂层72于衬垫68上方至一足够厚度，使得光致抗蚀剂层72的表面7201与基板52的第一表面5201呈相同高度。
[0135]请参阅图7C，坦覆性地形成一第一平坦层(first planarizat1n layer)74于光致抗蚀剂层72、第一金属层56与基板52的第一表面5201上。第一平坦层74例如为一光致抗蚀剂层、一氧化层、一氮化层或一氮氧化层。
[0136]请参阅图7D，涂布彩色滤光图案(color filter patterns) 62于感测区54内的第一平坦层(first planarizat1n layer) 74上，对应其下方的光电转换单元60。彩色滤光图案62例如包括红色(R)彩色滤光图案、蓝色(B)彩色滤光图案及绿色(G)彩色滤光图案。
[0137]请参阅图7E，坦覆性地形成一第二平坦层76于第一平坦层74与彩色滤光图案62上。第二平坦层76例如为一光致抗蚀剂层、一氧化层、一氮化层或一氮氧化层。
[0138]请参阅图7F，形成多个微透镜64于第二平坦层76上，对应其下方的彩色滤光图案
62ο
[0139]请参阅图7G，通过例如一涂布工艺、一曝光工艺与一显影工艺，形成一图案化保护层58，例如一图案化光致抗蚀剂层，于第二平坦层76上，并覆盖微透镜64与一部分的第一金属层56，以露出一部分(暴露区)未为图案化保护层58所覆盖的第一金属层56。第一金属层56暴露区的轮廓态样近似于图1、3、5所公开者。
[0140]请参阅图7Η，实施一蚀刻工艺78，例如一等离子体蚀刻，以蚀刻出衬垫(pads) 68与切割道(scribe line) 70，供后续电性测试。
[0141]请参阅图8，在一传统影像传感器结构10’中，一保护层18’与连接垫28’之间距离的设计为山、(12、(13、(14。当实施一蚀刻工艺以蚀刻出连接垫28’与切割道30’时，静电荷会累积在一第一金属层16’的一暴露区Al’(晶背金属(BME)的边缘)上。然，该些静电荷随后会极易放电穿过基板，由于山、(12、(13、(14的距离短及暴露区Al’，而造成基板损伤(承受静电放电(ESD)效应)。相反地，在本公开影像传感器结构10中(如图1所示)，第一金属层16暴露区Al宽度的设计为DpD2、D3、D4，当实施一蚀刻工艺以蚀刻出连接垫28与切割道30时，虽静电荷仍会累积在第一金属层16的暴露区Al (晶背金属(BME)的边缘)上，然，由于DpDrD3'D4具有足够大的宽度及暴露区Al，使得该些静电荷会停留在晶背金属(BME)上，而不会穿过及损伤基板(防止静电放电(ESD)效应)。值得注意的是,D1约为屯的1.5倍、D2约为d 2的1.5倍、D 3约为d 3的1.5倍、D 4约为d 4的1.5倍。
[0142]虽然本发明已以数个较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的变动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
【主权项】
1.一种影像传感器结构，其特征在于，包括: 一基板，具有一第一表面与一第二表面，并包括一感测区； 一第一金属层，形成于该基板的该第一表面上，并包围该感测区；以及 一保护层，形成于该基板的该第一表面上，并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层，以露出该第一金属层的一暴露区，其中该暴露区包括一第一部分，具有一第一宽度，一第二部分，具有一第二宽度，一第三部分，具有一第三宽度，以及一第四部分，具有一第四宽度。2.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该第一金属层的该暴露区的该第一部分的该第一宽度、该第二部分的该第二宽度、该第三部分的该第三宽度以及该第四部分的该第四宽度分别大于35 μ m。3.如权利要求1所述的影像传感器结构，还包括一第二金属层，形成于该基板的该第二表面下方，并包围该第一金属层，其中自该感测区至该第二金属层定义一最短水平距离。4.如权利要求3所述的影像传感器结构，其中自该感测区至该第二金属层的该最短水平距离的一半大于该第一金属层的该暴露区的该第一部分的该第一宽度、该第二部分的该第二宽度、该第三部分的该第三宽度以及该第四部分的该第四宽度。5.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中通过该保护层分离该第一金属层的该暴露区的该第一部分与该第三部分，以及通过该保护层分离该第一金属层的该暴露区的该第二部分与该第四部分。6.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该第一金属层的该暴露区的该第一部分连接该第二部分与该第四部分，以及该第一金属层的该暴露区的该第三部分连接该第二部分与该第四部分。7.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该保护层具有一第一侧、一第二侧、一第三侧以及一第四侧，分别对应该第一金属层的该暴露区的该第一部分、该第二部分、该第三部分以及该第四部分。8.一种影像传感器结构的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基板，该基板具有一第一表面与一第二表面，并包括一感测区； 形成一第一金属层于该基板的该第一表面上，并包围该感测区；以及 形成一保护层于该基板的该第一表面上，并覆盖该感测区与一部分的该第一金属层。9.如权利要求8所述的影像传感器结构的制造方法，还包括形成一第二金属层于该基板的该第二表面下方，并包围该第一金属层，填入一光致抗蚀剂层于多个衬垫上方至一足够厚度，该等衬垫设置于一周边切割道中，以及实施一蚀刻工艺，以蚀刻出该等衬垫与该切割道。10.如权利要求9所述的影像传感器结构的制造方法，还包括坦覆性地形成一第一平坦层于该光致抗蚀剂层、该第一金属层与该基板的该第一表面上，以及涂布彩色滤光图案于该感测区内的该第一平坦层上。11.如权利要求10所述的影像传感器结构的制造方法，还包括形成多个微透镜于一第二平坦层上，对应下方的该彩色滤光图案，该第二平坦层坦覆性地形成于该第一平坦层与该彩色滤光图案上，其中该保护层形成于该第二平坦层上，并覆盖该等微透镜与一部分的该第一金属层，以露出一部分未为该保护层所覆盖的该第一金属层。
【文档编号】H01L23/60GK105990381SQ201510341107
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年6月18日
【发明人】黄志国, 林哲圣
【申请人】采钰科技股份有限公司