专利名称：Oled器件密封结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及有机发光技术领域，尤其是OLED器件的密封结构。
背景技术：
OLED器件包括在硅片基底上形成的多个功能叠层，来自阴极的电子与来自阳极的空穴分别通过各自的传导层在有机发光层进行复合从而发辐射发光，工业上进行密封的目的正是要隔绝水氧等杂质对这些功能叠层的污染。OLED器件的密封工艺决定了显示器的显示功能和寿命。制作OLED器件发光层的多数有机物对于大气中的氧气、水气以及其他污染物都十分敏感:氧气以及发光层氧化后形成的羰基化合物是有效的淬灭剂，会显著降低OLED器件的发光量子效率，甚至导致显示器丧失发光功能；水汽使有机层发生水解并且影响导电性能，从而导致稳定性大大降低。另外，由于用于OLED器件阴极材料的金属多为化学活性非常活泼的材料，极易在空气或其他含有氧气的环境中受到侵蚀，特别是在含有水气的环境中更容易发生化学腐蚀，都有损OLED器件的使用寿命。现有的OLED器件多采用无机氧化物膜和高分子有机膜结合的密封结构，无机氧化物膜使用原子层沉积技术，高分子有机膜则采用真空涂覆。这种封装方式存在应力匹配与释放的问题，而应力的释放会导致密封膜层破裂，使氧气和水气渗透进来，从而影响到OLED期间的寿命。
发明内容为了克服现有OLED器件密封结构采用无机氧化物膜和高分子有机膜结合的方式所存在应力匹配与释放的问题，提供一种密封性能更佳的OLED器件密封结构。
本实用新型的OLED器件密封结构，覆盖在OLED器件上，其特征在于由三层膜结构组成，从OLED器件基底往外依次为金属氧化物膜、非金属氮化物膜和高分子有机膜。金属氧化物膜的使用主要目的是针对有机功能层的密封，隔绝对其伤害较大的水氧杂质；非金属氮化物膜可以提高复合膜层的致密性，降低金属氧化物膜的应力释放，降低氧气和水气的渗透；高分子有机膜的低气体渗透性，具有无可比拟的屏障效果。作为上述实用新型的优选方案，所述的金属氧化物膜采用Al2O315在OLED器件表面覆盖高密度非晶态Al2O3薄膜能对水氧杂质的隔绝效果极佳。作为上述实用新型的优选方案，所述的非金属氮化物膜采用SiN。SiN可以提高复合膜层的致密性，降低金属氧化物密封薄膜的应力释放，降低氧气和水气的渗透，采用无机氮化物获得的薄膜，可以得到均匀一致，透光性佳且极薄的膜层。作为上述实用新型的优选方案，所述的高分子有机膜采用二甲苯的聚合物。二甲苯的聚合物，即派瑞林，可以抗酸碱腐蚀可以抗溶解，在普通的溶剂中不会被溶解；由于高分子薄膜的低气体渗透性，具有无可比拟的屏障效果；同时抗冻性能强，低至200°c，采用派瑞林(Parylene)进行涂层，可得到均匀一致，透明且极薄的膜层；能涂敷到各种形状的表面，包括尖锐的棱边、裂缝，可靠性强，具有极高的绝缘强度，经济清洁、工序简单、速度快、批量处理能力强通过这两道密封将会明显降低器件退化衰变的速率、提高有机发光显不器的寿命。本实用新型的OLED器件密封结构，克服了原有结构镀膜与基底结合力较弱的问题，可以通过镀膜工艺参数的控制，使薄膜具有零应力，大大改善了三层密封薄膜间的应力匹配与释放的问题。
图1为本实用新型的OLED器件密封结构示意图。其中,基底I,金属氧化物膜2，非金属氮化物膜3，高分子有机膜4。
具体实施方式
实施例1:本实用新型的OLED器件密封结构，覆盖在OLED器件上，其特征在于由三层膜结构组成，从OLED器件基底I往外依次为金属氧化物膜2、非金属氮化物膜3和高分子有机膜4。其中，金属氧化物膜2采用Al2O3,非金属氮化物膜3采用SiN，高分子有机膜4采用二甲苯的聚合物。本实用新型的OLED器件密封结构采用下述工艺制备:1、在高真空(5X 10_4Pa)低温(130°C)下，采用原子沉淀(ALD)技术在有机发光器件的表面形成高密度非晶态Al2O3薄膜。基于表面化学反应的ALD技术可以使薄膜的不完整性降至最小。采用ALD技术完成Al2O3薄膜的制作，ALD技术是利用一个二元反应(这个反应被分成两个自我约束的化学反应)在惰性反应气体的冲刷下按照反复交替的顺序进行沉积，使原子层在发光顶端排列紧密，形 成连接且紧贴器件的薄膜。2、在高真空(I X 10_4Pa)低温(70°C )环境下，采用离子束溅射沉积技术(IBSD)在高密度非晶态Al2O3薄膜上再形成一层SiN薄膜。离子束溅射沉积技术是离子源产生一定能量的离子束轰击置于高真空中的靶材，使其原子溅射出来，形成了 SiN薄膜。3、在采用原子沉淀(ALD)技术和离子束溅射沉积技术(IBSD)进行密封过后，采用有机高分子对显示器进行进一步密封，在料舟中放置对二甲苯原材料通过仓门放入蒸发室中，经过蒸发控制进入裂解室裂解生成稳定的活性单体，再流经分流器进入沉积室，在室温下沉积，瞬间吸附在置于产品支架上的产品表面聚合为聚对二甲苯薄膜。密封过后的OLED器件不含干燥剂，重量轻、透明，可在85°C、相对湿度达到85%的加速测试环境条件下承受IOOOh以上。
权利要求1.0LED器件密封结构，覆盖在OLED器件上，其特征在于由三层膜结构组成，从OLED器件基底(I)往外依次为金属氧化物膜(2 )、非金属氮化物膜(3 )和高分子有机膜(4)。
2.如权利要求1所述的OLED器件密封结构，其特征在于所述的金属氧化物膜(2)采用Al2O3U
3.如权利要求1所述的OLED器件密封结构，其特征在于所述的非金属氮化物膜(3)采用 SiN0
4.如权利要求1所述的OLED器件密封结构，其特征在于所述的高分子有机膜(4)采用二甲苯的聚合 物。
专利摘要本实用新型涉及有机发光技术领域，提供一种OLED器件密封结构，覆盖在OLED器件上，其特征在于由三层膜结构组成，从OLED器件基底往外依次为金属氧化物膜、非金属氮化物膜和高分子有机膜。其中，金属氧化物膜采用Al2O3，非金属氮化物膜采用SiN，高分子有机膜采用二甲苯的聚合物。本实用新型的OLED器件密封结构，克服了原有结构镀膜与基底结合力较弱的问题，可以通过镀膜工艺参数的控制，使薄膜具有零应力，大大改善了三层密封薄膜间的应力匹配与释放的问题。
文档编号H01L51/52GK203165953SQ201320199779
公开日2013年8月28日 申请日期2013年4月19日 优先权日2013年4月19日
发明者李牧词, 金景一, 季华夏 申请人:云南北方奥雷德光电科技股份有限公司