一种发光二极管外延片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及半导体发光【技术领域】，具体地说，涉及一种发光二极管外延片。一种发光二极管外延片包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有下电流扩展层、下包覆层、发光层、上包覆层、上电流扩展层，所述下电流扩展层连接有第一电极，所述上电流扩展层连接有第二电极。本实用新型采用蓝宝石作为外延片的生长衬底，而蓝宝石对黄色至红色波段的光基本上是透明的，且蓝宝石衬底的下方设有增透膜，因此可以避免衬底对光的吸收，降低发光效率的问题的发生。
【专利说明】一种发光二极管外延片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体发光【技术领域】，具体地说，涉及一种发光二极管外延片。
【背景技术】
[0002]随着科技的发展，发光二极管(LED)已被广泛作为照明元件使用在工业和民用上，LED的发光效率与LED外延片的结构密切相关，目前很多的LED外延片存在着衬底吸光的情况，严重影响了 LED的发光效率，因此需要设计一种能够避免衬底吸光的LED外延片。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于解决现有技术的不足，提供一种发光二级管外延片，该发光二极管外延片的衬底能够避免光吸收，提高光的使用率，节省能源。
[0004]本实用新型采用的技术方案为:
[0005]一种发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有下电流扩展层、下包覆层、发光层、上包覆层、上电流扩展层，所述下电流扩展层连接有第一电极，所述上电流扩展层连接有第二电极。
[0006]进一步地，所述蓝宝石衬底的下方设有增透膜层。
[0007]进一步地，蓝宝石衬底与下电流扩展层之间还设置有缓冲层。
[0008]更进一步地，所述缓冲层包括低温GaP缓冲层和高温GaP缓冲层。
[0009]由于下电流扩展`层生长时需要较高的温度，为了方便下电流扩展层的生长，因此设置了缓冲层，且将缓冲层分为低温GaP缓冲层和高温GaP缓冲层。其中低温GaP缓冲层的厚度为20nm或左右，高温GaP缓冲层的厚度为0.3unTlum。
[0010]进一步地，所述下电流扩展层为3unT4Um厚的P型GaP电流扩展层，所述下包覆层为0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆层，所述上包覆层为0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆层，所述上电流扩展层为4unTl5um厚的n型GaP电流扩展层。
[0011]进一步地，所述发光层为AIGaInP活性层。
[0012]进一步地，所述下电流扩展层为3unT4um厚的n型GaP电流扩展层，所述下包覆层为0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆层，所述上包覆层为0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆层，所述上电流扩展层为4unTl5um厚的P型GaP电流扩展层。
[0013]本实用新型的有益效果为:本实用新型采用蓝宝石作为外延片的生长衬底，而蓝宝石对黄色至红色波段的光基本上是透明的，且蓝宝石衬底的下方设有增透膜层，因此可以避免衬底对光的吸收，降低发光效率的问题的发生。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的结构示意图。
[0015]附图标记说明:
[0016]I——蓝宝石衬底2——低温GaP缓冲层[0017]3—高温GaP缓冲层4——下电流扩展层
[0018]5——下包覆层6——发光层
[0019]7—上包覆层8—上电流扩展层
[0020]9——第二电极10——第一电极。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图1和【具体实施方式】对本实用新型作进一步的说明。
[0022]实施例1:一种发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底I，所述蓝宝石衬底I上从下至上依次设有下电流扩展层4、下包覆层、发光层6、上包覆层7、上电流扩展层8，所述下电流扩展层4连接有第一电极10，所述上电流扩展层8连接有第二电极9。蓝宝石衬底I的下方设有增透膜层。
[0023]进一步地，蓝宝石衬底I与下电流扩展层4之间还设置有缓冲层。
[0024]更进一步地，所述缓冲层包括低温GaP缓冲层2和高温GaP缓冲层3。
[0025]由于下电流扩展层4生长时需要较高的温度，为了方便下电流扩展层4的生长，因此设置了缓冲层，且将缓冲层分为低温GaP缓冲层2和高温GaP缓冲层3。其中低温GaP缓冲层2的厚度为20nm或左右，高温GaP缓冲层3的厚度为0.3unTlum。
[0026]采用蓝宝石作为外延片的生长衬底，且使GaP作为缓冲层，而蓝宝石和磷化镓材料对黄色至红色波段的光基本上是透明的，因此可以避免衬底对光的吸收，降低发光效率的问题的发生。
`[0027]其中，所述下电流扩展层4为3unT4um厚的P型GaP电流扩展层，所述下包覆层5为0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆层，所述上包覆层7为0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆层，所述上电流扩展层8为4unTl5um厚的n型GaP电流扩展层。
[0028]其中，所述发光层6为AIGaInP活性层。
[0029]此时第一电极10为P电极，第二电极9为n电极。
[0030]实施例2: —种发光二极管外延片，其结构与实施例1不同之处在于:所述下电流扩展层4为3unT4um厚的n型GaP电流扩展层,所述下包覆层5为0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆层，所述上包覆层7为0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆层，所述上电流扩展层8为4unTl5um厚的P型GaP电流扩展层。此时第一电极10为n电极,第二电极9为P电极。
[0031]本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于:包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有下电流扩展层、下包覆层、发光层、上包覆层、上电流扩展层，所述下电流扩展层连接有第一电极，所述上电流扩展层连接有第二电极。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片，其特征在于:蓝宝石衬底与下电流扩展层之间还设置有缓冲层。
3.根据权利要求2所述的一种发光二极管外延片，其特征在于:所述缓冲层包括低温GaP缓冲层和高温GaP缓冲层。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片，其特征在于:所述下电流扩展层为3unT4um厚的P型GaP电流扩展层，所述下包覆层为0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆层，所述上包覆层为0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆层,所述上电流扩展层为4unTl5um厚的n型GaP电流扩展层。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片，其特征在于:所述发光层为AIGaInP活性层。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片，其特征在于:所述下电流扩展层为3unT4um厚的n型GaP电流扩展层，所述下包覆层为0.3unT0.8um厚的n型AIGaInP包覆层，所述上包覆层为0.3unT0.8um厚的P型AIGaInP包覆层,所述上电流扩展层为4unTl5um厚的P型GaP电流扩展层。
【文档编号】H01L33/00GK203406313SQ201320358708
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年6月21日 优先权日:2013年6月21日
【发明者】牛志宇 申请人:东莞市德颖光电有限公司