半导体桥式整流器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体桥式整流器，具有壳体和设置在壳体两侧的引脚，所述壳体内置于至少四个二极管芯片，所述二极管芯片两两对接，本实用新型的整流器具有全新结构、电路简单、尺寸小，且具有点胶工件相配合的沟槽，能够方便点胶工件保持平面，方便整流器固定等特点；其引脚具有的铜锡层具有抗氧化、有光泽且不易变色的特点；同时其可塑性较强，可以根据需求制成多种款式。
【专利说明】半导体桥式整流器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体桥，特别涉及一种半导体桥式整流器。
【背景技术】
[0002]—般市面上所知的二极管组件，其基本结构包含一硅晶粒，该硅晶粒的二端面分别焊接有一导电金属片，该导电金属片的另一侧面再分别焊接导线，使通过导线与其电子线路相连接。在该种二极管组件的制作过程中，当该硅晶粒与导电金属片结合成一体后，需对该硅晶粒进行蚀刻处理，完成蚀刻处理后，需再经过封装处理程序，于该硅晶粒及导电金属片周缘，封装一绝缘胶体，即制成一般的二极管组件；然而在该二极管组件的制作过程中，由于所形成的封装壳体，必须占用一定大小的空间，因而使该二极管组件的体积始终无法进一步缩小。
[0003]半导体桥是通过诸如蒸镀的半导体技术产生的桥的通过术语。是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电子元器件，常用来将交流电转变为直流电。半波整流利用二极管单向导通特性，在输入为标准正弦波的情况下，输出获得正弦波的正半部分，负半部分则损失掉。桥式整流器利用二极管，两两对接，输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时候另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输出还是得到正弦波的正半部分。而桥式整流是对二极管半波整流的一种改进。桥式整流器对输入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。
[0004]而现有的半导体桥在封装过程中，由于桥的表面光滑，易移动且与工件不在一平面上，不方便点胶。同时引脚易氧化和延展性不高等缺陷，影响了桥的使用质量。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的是解决上述存在的问题，提供结构简单、使用方便且方便点胶的一种半导体桥式整流器。
[0006]本实用新型的目的是以如下方式实现的:一种半导体桥式整流器，具有壳体和设置在壳体两侧的引脚，所述壳体内置于至少四个二极管芯片，所述二极管芯片两两对接。
[0007]上述的半导体桥式整流器，所述壳体底面位于中部具有点胶工件相配合的沟槽。
[0008]上述的半导体桥式整流器，所述引脚表面复合一铜锡层。
[0009]上述的半导体桥式整流器，所述二极管芯片具有四个。
[0010]本实用新型的优点:1、本实用新型的整流器具有全新结构、电路简单、尺寸小，且具有点胶工件相配合的沟槽，能够方便点胶工件保持平面，方便整流器固定等特点；
[0011]2、本实用新型的引脚具有的铜锡层具有抗氧化、有光泽且不易变色的特点；同时其可塑性较强，可以根据需求制成多种款式。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
[0013]图1是本实用新型的结构示意图；
[0014]附图标记:1、壳体，2、引脚，3、二极管芯片，4、沟槽。
【具体实施方式】:
[0015]见图1所示，一种半导体桥式整流器，具有壳体I和设置在壳体I两侧的引脚2 ；其所述壳体I内置于至少四个二极管芯片3，所述二极管芯片3两两对接。所述壳体I底面位于中部具有点胶工件相配合的沟槽4，能够方便点胶工件保持平面，方便整流器固定。本实用新型的半导体桥式整流器的引脚2表面复合一铜锡层。所述二极管芯片3具有四个。
[0016]以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种半导体桥式整流器，具有壳体(I)和设置在壳体(I)两侧的引脚(2);其特征在于:所述壳体(I)内置于至少四个二极管芯片(3)，所述二极管芯片(3)两两对接。
2.根据权利要求1所述的半导体桥式整流器，其特征在于:所述壳体(I)底面位于中部具有点胶工件相配合的沟槽(4)。
3.根据权利要求2所述的半导体桥式整流器，其特征在于:所述引脚(2)表面复合一铜锡层。
4.根据权利要求3所述的半导体桥式整流器，其特征在于:所述二极管芯片(3)具有四个。
【文档编号】H01L23/31GK203456437SQ201320486469
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年8月9日 优先权日:2013年8月9日
【发明者】黄钦, 王平 申请人:常州广达电子有限公司