有机发光二极管的制作方法

文档序号:7036197阅读:283来源:国知局
有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光二极管及其制造方法。本发明的有机发光二极管包括含有由化学式1所表示的化合物的激子阻挡层以将激子限制于发光层内从而防止光泄露,并且因此具有能够使有机电致发光器件具有优异的发光效率的优点。因此,与根据现有技术制造的相比,所述有机发光二极管可以具有更简单并且更经济的制造方法,并且可以具有低电压、高效率和长寿命。
【专利说明】有机发光二极管
【技术领域】
[0001]本申请要求2012年2月27日在KIPO提交的第10-2012-0019965号韩国专利申请的优先权,其公开内容全文以引用的方式纳入本申请。
[0002]本发明涉及一种有机发光二极管。更具体而言,本发明涉及具有包括低电压、高效率和长寿命和制造方法简单的优异特性的有机发光二极管。
【背景技术】[0003]有机发光现象是通过特定有机分子的内部过程而将电流转化为可见光的实例。有机发光现象基于以下原理。当将有机材料层置于阳极和阴极之间时,如果在两个电极之间施加电压,则电子和空穴由阴极和阳极注入至有机材料层。注入至有机材料层的电子和空穴再结合以形成激子,然后激子还原为基态而发光。使用该原理的有机发光二极管通常可以由阴极、阳极和置于两者之间的有机材料层组成,所述有机材料层例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。
[0004]有机发光二极管中使用的材料主要为纯的有机材料或其中有机材料和金属形成络合物的络合化合物,并且根据其目的可以分类为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。在此,具有P-型特性的有机材料,即容易氧化并且在有机材料被氧化时电化学稳定的有机材料,主要用作空穴注入材料或空穴传输材料。同时,具有η-型特性的有机材料,即容易还原并且在有机材料被还原时电化学稳定的有机材料,主要用作电子注入材料或电子传输材料。作为发光层材料,优选同时具有P-型和η-型特性的材料,即当材料被氧化和被还原时稳定的材料,并且优选当形成激子时具有高的将激子转化为光的发光效率的材料。
[0005]此外,优选在有机发光二极管中使用的材料还具有以下特性。
[0006]首先,优选在有机发光二极管中使用的材料具有优异的热稳定性。这是因为在有机发光二极管中通过电荷移动而产生焦耳热。近来,作为空穴传输层材料主要使用的是ΝΡΒ,其玻璃化转变温度为100°C或更低,并且因此存在在需要高电流的有机发光二极管中难以使用NPB的问题。
[0007]第二,注入至有机发光二极管的空穴或电子必须平稳地传输至发光层,并且注入的空穴和电子一定不能逸出到发光层外以获得能够在低电压下驱动并且具有高效率的有机发光二极管。为此,在有机发光二极管中使用的材料应具有合适的带隙和HOMO能级或LUMO能级。在目前通过溶液涂覆方法制造的有机发光二极管中,由于用作空穴传输材料的PEDOT:PSS与用作发光层材料的有机材料相比LUMO能级低,因此难以制造具有高效率和长寿命的有机发光二极管。
[0008]此外,在有机发光二极管中使用的材料应当具有优异的化学稳定性、电荷迁移率和与电极或相邻层的界面特性。即,在有机发光二极管中使用的材料应遇湿气或氧气几乎不变形。此外,应确保合适的空穴或电子迁移率以使有机发光二极管的发光层中的空穴和电子的密度平衡,由此使激子的形成最大化。此外,应当与含有金属或金属氧化物的电极具有良好的界面以保证二极管的稳定性。
[0009]为充分显示出上述有机发光二极管的优异特性,在二极管中形成有机材料层的材料,例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等应事先被稳定的和高效的材料所支持,但是目前仍未充分地开发出用于有机发光二极管的稳定的和高效的有机材料层材料,以致仍需要开发新材料。

【发明内容】

[0010]技术问题
[0011]本发明致力于提供具有包括低电压、高效率和长寿命和制造方法简单的优异特性的有机发光二极管。
[0012]技术方案
[0013]本发明的一个示例性的实施方案提供包括阳极、阴极和一层或多层置于阳极和阴极之间的有机材料层的有机发光二极管,
[0014]其中有机材料层包括发光层,并且
[0015]含有以下式I所表示的化合物的有机材料层和含有以下式2所表示的化合物的有机材料层包括于阳极和发光层之间。
[0016][式I]
[0017]
【权利要求】
1.一种有机发光二极管,其含有阳极、阴极和一层或多层置于阳极和阴极之间的有机材料层, 其中有机材料层包括发光层,并且 含有以下式I所表示的化合物的有机材料层和含有以下式2所表示的化合物的有机材料层包括于阳极和发光层之间:
2.权利要求1的有机发光二极管,其中空穴传输层包括于阳极和发光层之间,并且包括式2所表示的化合物。
3.权利要求1的有机发光二极管,其中电子阻挡层包括于阳极和发光层之间,并且包括式I所表示的化合物。
4.权利要求3的有机发光二极管,其中电子阻挡层为与发光层接触的有机材料层。
5.权利要求1的有机发光二极管,其中式I的CYl和CY2均为苯环,Ar3为氢或苯基,并且Ar4为苯基或联苯基。
6.权利要求1的有机发光二极管,其中式I的CYl和CY2均为苯环,并且L为联苯基。
7.权利要求1的有机发光二极管,其中式I所表示的化合物由以下式3至5中任一个所表示: [式3]
8.权利要求1的有机发光二极管,其中式I所表不的化合物选自以
9.权利要求1的有机发光二极管,其中式2所表示的化合物选自以下结构式:
【文档编号】H01L51/56GK103827257SQ201380003206
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年2月27日 优先权日:2012年2月27日
【发明者】洪性佶, 千民承, 金公谦, 张俊起, 金渊焕, 李东勋 申请人:株式会社Lg化学
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