用于电子器件中的含有方形酸或克酮酸部分的有机化合物的制作方法
【专利摘要】本发明涉及包括作为锚定基团的方形酸或克酮酸基团的化合物、所述化合物的合成方法、所述化合物的应用、以及用于电子器件中的组件，所述组件包括至少一种这样的化合物经由方形酸或克酮酸基团附着至其的表面。本发明还涉及包含这样的组件的电子器件。
【专利说明】用于电子器件中的含有方形酸或克酮酸部分的有机化合物
[0001] 本发明涉及包括作为锚定基团（结合基团，anchoringgroup)的方形酸（二轻基 环丁烯二酮，squaricacid)或克酮酸（邻二轻环戊烯三酮，croconicacid)的化合物，所 述化合物的合成的方法，所述化合物的应用，以及用于电子器件中的组件（assemblies)，所 述组件包括至少一个这样的化合物经由方形酸或克酮酸基团附着至其的表面。本发明还涉 及包括这样的组件的电子器件。
[0002]异质材料（dissimilarmaterial)，即，无机的/无机的、有机的/有机的、或无机 的/有机材料之间的界面上的电荷（孔或电子）运输涉及到多种电子器件，包括发光器件 (LED等）、晶体管器件（FET、TFT等）、和光伏器件（太阳能电池、光探测器等）。因此，例如， 由于电极材料的逸出功（功函数，workfunction)的不同的能级排列和有机材料的最高占 据分子轨道（H0M0)和/或最低未占分子轨道（LUMO)，肖特基势垒（Schottkybarrier)存 在于电极/有机界面。因此，肖特基势垒代表两相之间的电荷注入的势垒，和它的量级是决 定实际上所有的有机电子器件的性能、效率、和寿命的重要因素。
[0003] 异质材料，即，无机的/无机的、有机的/有机的、或无机的/有机材料之间的界面 为大多数电子的、和电化学器件所固有。在这样的器件中，器件性能、效率和寿命关键性地 取决于组件的性能和不同组件之间的界面，如它们的能级排列，但是也取决于通过它们的 表面能或材料的形态确定的它们的粘附或覆盖性。
[0004] 改进这样的器件的性能的策略之一涉及在一个组件或甚至两个组件的表面上沉 积的分子吸附剂的应用。在到目前为止的现有技术中，取决于组件是导体、半导体、或绝缘 体，将不同种类的分子用作分子吸附剂。典型地，将硫醇和胺用于金属中，和将含氧酸化合 物（或它的活化衍生物）用于金属-氧化物类或金属-硫属元素化物类半导体或绝缘体。
[0005]EP2 278 636Al公开二硫代氨基甲酸酯用于改变传导的、半导体的、或绝缘的无 机衬底的逸出功的应用，包括在所述传导的、半导体的、或绝缘的无机衬底的表面上沉积所 述二硫代氨基甲酸酯化合物的单层，优选自组装单层的步骤。
[0006] 表面组件上的吸附剂的存在可对涉及例如下述的组件中的一种或两种具有显著 效果：
[0007] 1)真空能级的相对移动（即，逸出功的变化）或
[0008] 2)隧道势鱼（tunnellingbarrier)的改变，其两者都影响组件之间的电荷运输 的势垒，或
[0009] 3)表面自由能的改变，其影响组件之间的润湿行为和/或粘附力，和/或
[0010] 4)它附着的组件的光吸收能力的变化。
[0011] 被吸附到半导体的表面的具有不同的偶极矩的有机分子可改变半导体的电子特 性如频带偏移、电子亲和力和逸出功（1)。这用于改变Zn0/Au肖特基结（2)、CdS/CdTe太 阳能电池（3, 4)和其他固态体系（5-7)的I-V特性。
[0012] 然后，还将相似种类的表面改性应用于电化学体系如具有纳米多孔TiO2和电解质 界面的DSSC。主要地通过短路电流密度（Jsc)、开路电压（Voc)、和填充因数确定DSSC的整 体光转化效率。通过TiO2的准费米能级和电解质DSSC的氧化还原作用的差异限定在确定 光转化效率中起重要作用的Voc。
[0013] 在现有技术中，控制TiO2能级的方法是与光敏剂染料分子一起，利用不同的偶极 矩的有机分子的吸附。已经发现了改进DSSC的光伏性能的多种类型的吸附剂（有时也称 为共吸附剂、添加剂）。例如，含有氮的杂环添加剂（8)，如4-叔丁基吡啶被用作有机电解 质（9-13)、或染料涂覆溶液（14)中的添加剂，或用作用于处理染料涂覆的TiO2电极的试剂 (15)。这种吡啶衍生物显著地改进太阳能电池的光电压，且改进有助于暗电流的抑制。
[0014] 另一个策略是通过两极羧酸衍生物对TiO2表面的分子改变（16,17)。例如，Kay 和Giiitze丨发现，当它们采用胆酸衍生物作为对卟啉光敏剂的共吸附剂时，改进太阳能电 池的光电流和光电压（18)。这样的胆酸衍生物用于基于卟啉（19)、酞菁（20、21)、萘酞菁 (naphthalocyanine) (22)、钌三联批陡（黑色染料）（23、24)、和Ru邻二氮杂菲复合物（25) 的DSSC，以改进太阳能电池性能。
[0015] Wang等人报道，利用十六烷基丙二酸（HDM)作为用于基于Ru联吡啶复合物 (Z907染料）的DSSC共吸附剂改进电池的光电流和光电压（26)。由于共吸附剂，改进的光 电流在酸的存在下可有助于TiO2的导带边的正位移，或由于能量传递有助于猝灭过程的抑 制，这两种影响都导致电子-注射产量的增加。认为改进的光电压是由注射的电子和电解 质中的V离子之间的再结合的抑制引起的。
[0016] 此外，报道了，也可通过在Ti02表面上形成另外的偶极层的有机吸附剂改变由紧 凑的TiO2层（n-型）和有机P-型半导体化合物（螺-OMeTAD)组成的在有机的/无机的 异质结上的相对能量学（27)。
[0017] 在光电化学电池中，穿过半导体溶液界面的光敏作用和电子转移起关键作用。在 这些体系中，使用宽带隙半导体，如Ti02、Zn0、Sn02。由于它们的宽带隙，通常在>3eV以上， 这些材料不能宽频太阳能光子吸收。为了延伸它们的光吸收能力，以便通过使用太阳光子 的较宽范围改进器件的性能，使用分子吸附剂，所谓的光敏剂或敏化剂染料。因而，例如，染 料-敏化太阳能电池的主要组件是纳米晶体宽带隙氧化物半导体电极，在它的表面上，吸 附了光敏剂。在表面上形成层的光敏剂不仅将影响半导体的光学性能，而且影响其他物理 性能如组件逸出功或表面能。
[0018] 例如，Hayase研究光敏剂偶极距对TiO2逸出功的转移的影响，和因此对DSCC中的 Voc的影响（28, 29)。如现有技术，关于在金属氧化物含氧酸锚定基团上的附着，使用羧酸。 [0019] 本发明的目的是提供实现传导的（导体的，conducting)、半导体的、或绝缘的衬 底（基板，substrate)的表面的物理和/或光物理性能的方法。本发明的目的也是提供利 用可容易地制备的分子实现这样的衬底的物理和/或光物理性能的方法。
[0020] 本发明的目的也是提供实现这样的衬底的多于一种期望的物理和/或光物理性 能的方法。
[0021] 通过包括作为锚定基团的方形酸或克酮酸基团的化合物解决所有这些目的，所述 化合物具有通式1
[0022]
[0023] 其中n是1或2,和
【权利要求】
1. 一种化合物，包括作为锚定基团的方形酸或克酮酸基团，所述化合物具有通式I
其中n是1或2,和 D选自烷基、芳基、芳烷基、杂烷基、杂芳基或杂芳烷基取代基，每个取代基是取代的或 未取代的， 其中，所述化合物优先选自式2至12中的一种：
其中 a = 0-2， A1和A2各自独立地选自H，或任何环状或非环状取代的、或未取代的烷基、或杂烷基，或 通式-[(CXY) nl- (B1) n3- (CXY) n2-W] P-R的任何直链或支链部分，其中，在每种情况下并且独立 地，P = 0-18,优选 0-3, nl 和 n2 独立地=0-18,优选 0-4, n3 = 0-1， 其中 W 选自-0、-S、-N (R)、-C(R) = N、-C(0)N(R)-、-Si(R)2'-OC (O)、-C(O) 0、-C (0)、-S (0) 2、-N (R) C (0)、和-N (R) S (0) 2， 其中X、Y、R各自独立地选自H或通式-CnH2n+1的任何直链或支链的烷基链、或酯、羧 酸-COOR1、烧氧基-OR1、硫醇-SR1、胺-NR12、硝基-NO 2、氛基-CN、-异氛硫基-SCN、-二氣甲 基-CF3、或齒素？、(：1』1'、1、或取代或未取代的芳基或杂芳基、或酯、羧酸、烷氧基、硫醇、胺、 硝基、氰基官能化或卤代的直链或支链的烷基，其中R 1是H或任何烷基或芳基或杂芳基，和 n = 0-18， 其中B1选自在式13中示出的部分，
其中Z1和Z2各自独立地选自C (R)ml、S、0、S、Si (R) m2、N (R)m3，其中ml和m3独立地= 0-2, m2 = 1 或 2,和 b = 1-5,优选 1-3， 其中X、Y和R根据上述所限定。
2. 根据权利要求1所述的化合物，其中所述方形酸或克酮酸基团具有带有第一极性的 偶极距，并且D是具有至少一种或几种不带电或带电的极性成分的取代基，所述极性成分 具有与所述第一极性相反的第二极性。
3. 根据权利要求1或2所述的化合物，其中D是给电子基团， 其中，优选地， A1和A2各自独立地选自H，或任何环状或非环状取代的或未取代的烷基、或杂烷基，或 通式-[(CXY) nl- (B1) n3- (CXY) n2-W] P-R的任何直链或支链部分，其中，在每种情况下并且独立 地，P = 0-18,优选 0-3， nl 和 n2 独立地=0-18,优选 0-4, n3 = 0-1， 其中 W选自-〇、-S、-N(R)、-C(R) = N、-C(O)N(R)、-Si (R)2, 其中X、Y、R各自独立地选自H或通式-CnH2n+1的任何直链或支链的烷基链、或酯、羧 酸-COOR1、烧氧基-OR1、硫醇-SR1、胺-NR12、硝基-NO 2、氛基-CN、-异氛硫基-SCN、-二氣甲 基-CF3、或齒素？、(：1』1'、1、或取代或未取代的芳基或杂芳基、或酯、羧酸、烷氧基、硫醇、胺、 硝基、氰基官能化或卤代的直链或支链的烷基，其中R 1是H或任何烷基或芳基或杂芳基，和 n = 0-18， 其中B1选自根据权利要求1中限定的式13中示出的部分。
4.根据权利要求3所述的化合物，其中A1和/或A2包括在它的结构中的烷氧基、胺或 硫醇基团， 其中，优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， d = 0-6,优选 0-2， G是任何环状或非环状取代的、或直链或支链的烷基， f = 1、2， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(G)f可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
5.根据权利要求3或4所述的化合物，其中A1和A2各自独立地选自
6. 根据权利要求1所述的化合物，其中所述方形酸或克酮酸基团具有带有第一极性的 偶极距，并且D是具有至少一种或几种不带电或带电的极性成分的取代基，所述极性成分 具有与所述第一极性相同的第二极性。
7. 根据权利要求1或6所述的化合物，其中D是电子接受基团， 其中，优选地， A1和A2各自独立地选自H，或任何环状或非环状取代的、或未取代的烷基、或杂烷基，或 通式-[(CXY) nl- (B1) n3- (CXY) n2-W] P-R的任何直链或支链部分，其中，在每种情况下并且独立 地，P = 0-18,优选 0-3， nl 和 n2 独立地=0-18,优选 0-4, n3 = 0-1， 其中 W 选自-OC (O)、-C (O) O、-C (O)、-S (O) 2、-N (R) C (O)、和-N (R) S (O) 2， 其中X、Y、R各自独立地选自H或通式-CnH2n+1的任何直链或支链的烷基链、或酯、羧 酸-COOR1、烧氧基-OR1、硫醇-SR1、胺-NR12、硝基-NO 2、氛基-CN、-异氛硫基-SCN、-二氣甲 基-CF3、或齒素？、(：1』1'、1、或取代或未取代的芳基或杂芳基、或酯、羧酸、烷氧基、硫醇、胺、 硝基、氰基官能化或卤代的直链或支链的烷基，其中R1是H或任何烷基或芳基或杂芳基，和 n = 0-18， 其中B1选自根据权利要求1中限定的式13中示出的部分。
8. 根据权利要求6所述的化合物，其中A1和/或A2包括氟化的烷基或氟化的苯基基 团、硝基、氰基或三嗪、吡嗪、嘧啶或吡啶， 其中，优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， G是任何环状或非环状取代的、或直链或支链的烷基， C= -F、-CF3、-CN、-N02、-C(CF)3, h = 0-18,优选 0-8， 其中G、C各自独立地是以邻-、间-、对-位，优选以邻-和/或对-位连接至芳基环和 杂芳基环的一个或多个。
9. 根据权利要求7或8所述的化合物，其中A1和A2各自独立地选自
10.根据权利要求1所述的化合物，其中A1和/或A2包括在它的结构中的亲水性官 能团，优选羟基（OH)、硫醇（SH)、未取代的胺（NH2)、羧酸（COOH)、氰基（CN)、硝基（NO2)、酮 (CO)、酯（COOR)、碘（I)、溴（Br),优选作为端基或外周基团， 其中，优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， E = -(CH2)h-0H、- (CH2)h-NH2、- (CH2)h-⑶OH、- (CH2)h-CN、- (O-CH2)h-0H、- (CH2) h-SH, - (CH2) h-N02, - (CH2) h-C0, - (CH2) h-0HC00R, - (CH2) h-I, - (CH2) h-Br, h = 0-18,优选 0-4， G是H或任何环状或非环状取代的、或直链或支链的烷基， E是以邻_、间_、对-位连接至芳基环的一个或多个。
11. 根据权利要求10所述的化合物，其中A1和A2各自独立地选自 Wl
〇
12. 根据权利要求1所述的化合物，其中A1和/或A2包括在它的结构中的环状或非环 状、直链或支链的未取代的烷基或芳基，或包括在它的结构中的烷基取代的芳基或杂芳基、 或烷基官能化的胺、或烷氧基或硫醇，优选作为端基或外周基团， 其中，优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， G=环状或非环状、直链或支链的取代的或未取代的烷基，优选比己基（C6)更长， h = 0-18,优选 0-2， f = 1、2， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(G)f可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
13.根据权利要求12所述的化合物，其中A1和A2各自独立地选自
14.根据权利要求1所述的化合物，其中D连接至所述方形酸或克酮酸部分，使得形成 非共轭体系， 其中，优选地，A1和/或A2包括在它的结构中的环状或非环状、直链或支链的未取代的 烷基或芳基，或包括在它的结构中的烷基取代的芳基或杂芳基、或烷基官能化的胺、或烷氧 基或硫醇，优选作为端基或外周基团， 其中，更优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， G=环状或非环状、直链或支链的取代的或未取代的烷基，优选地比己基（C6)更长， h = 0-18,优选 2-12， f = 1、2， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， 其中G是以邻-、间-、对-位连接至芳基环的一个或多个， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(G)f可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
15. 根据权利要求14所述的化合物，其中，A1和A2各自独立地选自
16. 根据权利要求1所述的化合物，其中D连接至所述方形酸或克酮酸部分，使得形成 共轭体系， 其中，优选地，A1和/或A2包括在它的结构中的取代的或未取代的芳基或杂芳基， 其中，更优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， G = H或任何环状或非环状、直链或支链的取代的或未取代的烷基， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， M是H或烷基，优选具有短链长度（优选C1或C2)， 1 = 1、2， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(M)1可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
17. 根据权利要求16所述的化合物，其中A1和A2各自独立地选自
18. 根据权利要求1所述的化合物，其中D是共轭体系和A1和/或A2包括在它的结构 中的至少一个B 1部分， 其中B1选自根据权利要求1中限定的式13中示出的部分。
19. 根据权利要求18所述的化合物，其中，D优选包括在它的结构中的给电子基团，并 且 其中，优选地，仏和^各自独立地选自H，或任何环状或非环状取代的、或未取代的烷 基、或杂烷基，或通式_ [ (CXY) n「(B1) n3- (CXY) n2-W] P-R的任何直链或支链部分，其中，在每种 情况下并且独立地，P = 0-18,优选0-3， nl 和 n2 独立地=0-18,优选 0-4, n3 = 0-1， 其中 W 选自-0、-S、-N (R)、-C(R) = N、-C(0)N(R)-、-Si(R)2'-OC (O)、-C(O) 0、-C (0)、-S (0) 2、-N (R) C (0)、和-N (R) S (0) 2， 其中X、Y、R各自独立地选自H或通式-CnH2n+1的任何直链或支链的烷基链、或酯、羧 酸-COOR1、烧氧基-OR1、硫醇-SR1、胺-NR12、硝基-NO 2、氛基-CN、-异氛硫基-SCN、-二氣甲 基-CF3、或齒素？、(：1』1'、1、或取代或未取代的芳基或杂芳基、或酯、羧酸、烷氧基、硫醇、胺、 硝基、氰基官能化或卤代的直链或支链的烷基，其中R 1是H或任何烷基或芳基或杂芳基，和 n = 0-18, 其中B1选自根据权利要求1中限定的式13中示出的部分。
20. 根据权利要求18或19所述的化合物，其中A1和/或A2包括在它的结构中的取代 的胺衍生物，优选烷基或烷氧基取代的三苯胺， 其中，优选地，A1和A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， G是任何环状或非环状取代的、或直链或支链的烷基， f = 1、2， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(G)f可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的化合物，其中A1和A2各自独立地选自
22.根据权利要求1所述的化合物，其中A1和/或A2各自独立地选自
其中，在每种情况下并且独立地， G是任何环状或非环状取代的、或直链或支链的烷基， f = 1、2， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(G)f可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
23.根据权利要求22所述的化合物，其中A1和/或A2各自独立地选自
24.根据权利要求1所述的化合物，选自下述中的任何一种
其中，在每种情况下并且独立地， G是任何环状或非环状取代的、或直链或支链的烷基， f = 1、2， K 选自 0、S、N， g = 〇、1， 其中所述烧基、烧氧基、胺、硫醇基团_ (K)g-(G)f可以是以邻-、间-、对-位，优选以 邻-和/或对-位连接至芳基环和杂芳基环的一个或多个。
25.根据权利要求1或24所述的化合物，选自下述中的任何一种
26. 至少一种根据权利要求1至25中任一项所述的化合物用于改变或影响传导的、半 导体的、或绝缘的有机或无机衬底的下述中的应用： -逸出功； -表面能； -隧道势鱼；和/或 -光吸收能力。
27. 根据权利要求26所述的应用，其中所述应用包括将所述至少一种化合物吸附到所 述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上。
28. 根据权利要求27所述的应用，其中通过将所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或 无机衬底暴露于包括至少一种根据权利要求1至25中任一项所述的化合物的溶液，发生所 述吸附。
29. 根据权利要求27所述的应用，其中通过将包括至少一种根据权利要求1至25中任 一项所述的化合物的溶液蒸发或旋涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底 的表面上，发生所述吸附。
30. 根据权利要求27所述的应用，其中通过将至少一种根据权利要求1至25中任一项 所述的化合物热蒸发或升华在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上， 发生所述吸附。
31. 根据权利要求27所述的应用，其中通过将包括至少一种根据权利要求1至25中任 一项所述的化合物的溶液或基质刮涂或滴涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无 机衬底的表面上，或通过将至少一种根据权利要求1至25中任一项所述的化合物刮涂或滴 涂在所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的表面上，发生所述吸附。
32. 根据权利要求26至31中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或 绝缘的有机或无机衬底的逸出功，其中所述至少一种化合物根据权利要求2至9中任一项 所限定， 其中，优选地，通过使用至少一种根据权利要求2至5中任一项所限定的化合物，增加 所述逸出功，和/或其中，优选地，通过使用至少一种根据权利要求6至9中任一项所限定 化合物，减少所述逸出功。
33. 根据权利要求26至31中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或 绝缘的有机或无机衬底的表面能，其中所述至少一种化合物根据权利要求10至13中所限 定， 其中，优选地，通过使用至少一种根据权利要求10或11中所限定的化合物，增加所述 表面能，和/或其中，优选地，通过使用至少一种根据权利要求12或13中所限定的化合物， 减少所述表面能。
34. 根据权利要求26至31中任一项所述的应用，用于改变或影响一个或多个传导的、 半导体的、或绝缘的有机或无机衬底，优选两个衬底之间的所述隧道势垒，其中所述至少一 种化合物根据权利要求14至17中所限定， 其中，优选地，通过使用至少一种根据权利要求14或15中所限定的化合物，增加所述 隧道势垒，和/或其中，优选地，通过使用至少一种根据权利要求16或17中所限定的化合 物，减少所述隧道势垒。
35. 根据权利要求26至31中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或 绝缘的有机或无机衬底的所述光吸收能力，其中所述至少一种化合物根据权利要求18至 21中任一项所限定。
36. 根据权利要求26至35中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或 绝缘的有机或无机衬底的所述逸出功和所述光吸收能力， 优选朝向真空能级转移所述逸出功，并且改进所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或 无机衬底的所述光吸收能力， 其中所述至少一种化合物优选是
37. 根据权利要求26至35中任一项所述的应用，用于改变或影响传导的、半导体的、或 绝缘的有机或无机衬底的所述逸出功、所述表面能和所述光吸收能力， 优选减少所述传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述逸出功，减少其所述 表面能和改进其所述光吸收能力， 其中所述至少一种化合物根据权利要求15中所限定。
38. 根据权利要求26至37中任一项所述的应用，其中使用两种至十种根据权利要求I 至25中任一项所述的化合物，优选使用两种或三种根据权利要求1至25中任一项所述的 化合物。
39. 根据权利要求38所述的应用，其中使用至少两种根据权利要求1至25中任一项所 述的化合物来改进传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述光吸收能力并且同 时增加其隧道势垒， 其中，所述两种化合物优选是
40. 根据权利要求38所述的应用，其中使用至少两种根据权利要求1至15中任一项所 述的化合物来改进传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的所述光吸收能力并且同 时减少其逸出功， 其中，所述两种化合物优选是
41. 一种电子器件，包括至少一种根据权利要求1至25中任一项所述的化合物，其中， 优选地，所述器件选自发光器件、肖特基势垒二极管、整流器、场效应晶体管、光伏器件、光 化学器件、存储器件、传感器、显示器、或光催化的水分解器件。
42. -种用于电子器件中的组件，所述组件包括： a) 传导衬底、半导体衬底、或绝缘的有机或无机衬底，所述衬底具有表面， b) 在所述表面上的包括方形酸或克酮酸基团的至少一种化合物的层，其中，所述层经 由所述方形酸或克酮酸基团共价地附着至所述表面，并且其中包括方形酸或克酮酸基团的 所述化合物根据权利要求1至25中任一项所限定，以及 c) 沉积在所述层上的有机层、无机层、或电解质层。
43. -种用于电子器件中的组件，所述组件包括： a)为传导衬底、半导体衬底、或绝缘的有机或无机衬底的第一衬底，所述第一衬底具有 为第一表面的表面， b) 在所述第一表面上的包括方形酸或克酮酸基团的至少一种化合物的第一层，其中， 所述第一层经由所述方形酸或克酮酸基团共价地附着至所述第一表面，并且其中包括方形 酸或克酮酸基团的所述化合物根据权利要求1至25中任一项所限定，以及 c) 为传导衬底、半导体衬底、或绝缘的有机或无机衬底的第二衬底，所述第二衬底具有 为第二表面的表面， d) 在所述第二表面上的包括方形酸或克酮酸基团的至少一种化合物的第二层，其中， 所述第二层经由所述方形酸或克酮酸基团共价地附着至所述第二表面，并且其中包括方形 酸或克酮酸基团的所述化合物根据权利要求1至25中任一项所限定， 其中，b)和d)的所述化合物可以是相同的或不同的， 其中，所述第一衬底和所述第二衬底可以是相同的或不同的， 其中，优选地，所述第一衬底和所述第二衬底彼此不接触， 其中，更优选地，所述第一层和所述第二层（i)可以彼此接触或（ii)另外的层在所述 第一层和所述第二层之间。
44. 一种包括根据权利要求42或43所述的组件的电子器件，其中，优选地，所述器件选 自发光器件、肖特基势垒二极管、整流器、场效应晶体管、光伏器件、光化学器件、存储器件、 传感器、显示器、或光催化的水分解器件。
45. -种改变传导的、半导体的、或绝缘的有机或无机衬底的逸出功、表面能、隧道势垒 和/或光吸收能力的方法，所述方法包括以下步骤： a) 将根据权利要求1至25中任一项中所限定的化合物吸附在所述传导的、半导体的、 或绝缘的有机或无机衬底的表面上，所述吸附根据权利要求28至31中任一项中所限定，和 b) 将有机层、无机层、或电解质层沉积在所述层上。
【文档编号】H01L51/30GK104284943SQ201380024368
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年4月8日 优先权日:2012年5月7日
【发明者】格尔达·富尔曼, 拉尔斯·彼得·舍勒, 大卫·丹纳, 马库斯·奥伯迈尔, 阿梅内·巴梅迪, 加布里埃莱·内尔斯 申请人:索尼公司