技术总结
本发明公开了一种基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物。所述源漏电极和绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，所述栅电极位于p型GaN层之上，硅化物位于绝缘层之上，所述的硅化物，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得AlGaN层总体获得张应力，增大2DEG的浓度。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点。
技术研发人员：冯倩;杜锴;代波;张春福;梁日泉;张进成;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201410025004
技术研发日：2014.01.20
技术公布日：2017.01.04