基底剥离装置、剥离基底的方法及制造显示装置的方法

基底剥离装置、剥离基底的方法及制造显示装置的方法
【专利摘要】提供了一种基底剥离装置、一种剥离基底的方法以及一种用于制造显示装置的方法。将具有功率密度的激光提供给基底结合体。所述基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。将第二基底与第一基底分离。测量与第二基底分离的第一基底的光学性质。基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度。
【专利说明】基底剥离装置、剥离基底的方法及制造显示装置的方法
[0001]本申请要求于2013年3月11日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0025733号韩国专利申请以及于2013年11月28日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0146379号韩国专利申请的优先权，上述专利申请的全部内容通过引用被包含于此。

【技术领域】
[0002]本发明涉及一种基底剥离装置、一种用于剥离基底的方法以及一种用于制造柔性显示装置的方法，更具体地讲，涉及一种利用激光的基底剥离装置、一种用于剥离基底的方法以及一种用于制造柔性显示装置的方法。

【背景技术】
[0003]当制造柔性显示装置时，在制造柔性显示装置的结构的同时使用载体基底来支撑柔性显示装置的结构。载体基底的柔性相对较低。在完成柔性显示装置的结构之后，利用基底剥离装置将载体基底与柔性显示装置的结构分离。基底剥离装置被用于利用激光将柔性装置的结构与载体基底分离。


【发明内容】

[0004]根据本发明的示例性实施例，提供一种用于剥离基底的方法。将具有功率密度的激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。将第二基底与第一基底分离。测量与第二基底分离的第一基底的光学性质。基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度。
[0005]根据本发明的示例性实施例，提供一种用于制造显示装置的方法。将具有功率密度的激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。测量基底结合体的反射率。将第一基底与第二基底彼此分离。基于反射率调节激光的功率山/又ο
[0006]根据本发明的示例性实施例，一种基底剥离装置包括激光照射单元和光学性质检测单元。激光照射单元被构造为产生具有功率密度的激光并且将所述激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。光学性质检测单元被构造为利用激光测量与第二基底分离的第一基底的光学性质。基于第一基底的光学性质来调节激光的功率密度。
[0007]根据本发明的示例性实施例，一种基底剥离装置包括激光照射单元和光学性质检测单元。激光照射单元被构造为将具有功率密度的激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。光学性质检测单元被构造为测量基底结合体的光反射率。基于基底结合体的光反射率来调节激光的功率密度。

【专利附图】

【附图说明】
[0008]通过参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的这些和其它特征将变得更明显，在附图中:
[0009]图1是示出根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法的流程图；
[0010]图2是示出根据本发明的示例性实施例的基底剥离装置的框图；
[0011]图3是根据本发明的示例性实施例的基底剥离装置的侧视图；
[0012]图4是示出根据本发明的示例性实施例的向其提供激光的基底结合体的剖视图；
[0013]图5是示出根据本发明的示例性实施例的彼此分离的第一基底和第二基底的剖视图；
[0014]图6是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；
[0015]图7是示出根据本发明的示例性实施例的激光的强度和透光率之间的关系的曲线图；
[0016]图8是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；
[0017]图9是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；
[0018]图10是示出根据本发明的示例性实施例的激光的强度和光反射率之间的关系的曲线图；
[0019]图11是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；
[0020]图12是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；
[0021]图13是示出根据本发明的示例性实施例的激光的强度和回射率(retroreflect1n rat1)的关系的曲线图；
[0022]图14是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；
[0023]图15是示出根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法的流程图；
[0024]图16是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量基底结合体的光学性质的布置的视图；
[0025]图17是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法的流程图；
[0026]图18是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法的流程图。

【具体实施方式】
[0027]下面将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明的构思可以以不同的形式实施并且不应该解释为受限于这里阐述的实施例。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区域的厚度。也将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，其可直接在所述另一层或基底上，或还可存在中间层。贯穿说明书和附图，相同的附图标记可指示相同的元件。
[0028]在下文中，将参照附图来描述本发明的实施例。
[0029]图1是示出根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法的流程图。参照图1，用于剥离基底的方法包括:用具有预定的功率密度的激光照射基底结合体(S1);使基底结合体分离为第一基底和第二基底(S20);测量第一基底的光学性质(S30);以及基于测量的光学性质调节激光的输出(S40)。图1的剥离基底的方法可以通过基底剥离装置来执行。在下文中，将参照图2来描述基底剥离装置。激光的输出可以包括激光的强度或功率密度。激光可以以激光束的形式来提供。
[0030]图2是根据本发明的实施例的基底剥离装置的框图。基底剥离装置10包括激光输出单元11、控制单元12以及光学性质测量单元13。
[0031]激光输出单元11可以产生激光并且将激光提供给基底结合体。激光照射到基底结合体上，并减小第一基底和第二基底之间的结合力以促进基底的剥离。可以调节激光输出单元11产生的激光的输出。
[0032]控制单元12可以控制激光输出单元11以调节激光输出单元11产生的激光的输出。例如，控制单元12可以基于光学性质测量单元13测量的第一基底的光学性质来控制激光输出单元11。在示例性实施例中，可以基于光学性质测量单元13测量的第一基底的光学性质来手动控制激光输出单元11。
[0033]在基底剥离之后或之前，光学性质测量单元13可以测量基底结合体的光学性质。光学性质可以包括透光率、光反射率或回射率，但是不限于此。光学性质测量单元13测量的光学性质可与从激光输出单元11产生的激光的输出有关。随后将参照图7、图10和图13来描述其细节。包括光学性质测量单元13的基底剥离装置10可以基于测量的光学性质来确定激光的输出的程度，并且可以基于光学性质测量单元13的测量的光调节激光的输出在合适的水平。如果激光的输出过多，则可能损坏激光照射的基底结合体，反之，如果激光的输出不足，则可能不会适当地执行基底的剥离。通过激光的输出调节到合适的水平，基底剥离装置10可以使基底剥离而不造成基底结合体的某些损坏。
[0034]在下文中，将参照图3更详细地描述基底剥离装置10。参照图3，基底剥离装置10包括剥离区域R1、传送区域R2和装载区域R3。
[0035]在剥离区域Rl中，可以剥离基底结合体。例如，可以将基底结合体分为第一基底和第二基底。例如，第一基底可以包括透明玻璃基底，第二基底可以包括柔性显示基底。基底剥离装置10还包括第一工作台14。第一工作台14和激光输出单元11 一起布置在剥离区域Rl中。基底结合体放置在第一工作台14上，激光输出单元11给基底结合体提供激光以使基底结合体分离为第一基底和第二基底。在示例性实施例中，激光输出单元11可以布置在第一工作台14上方，并且随着它沿着水平方向移动，可以给基底结合体提供激光。在其它实施例中，可以将激光输出单元11布置在第一工作台14的下方，随着它沿着水平方向移动，可以给基底结合体提供激光。第一工作台14可以包括透明材料以透射激光L。
[0036]可以将在剥离区域Rl中与第二基底分离的第一基底通过传送区域R2传送到装载区域R3。基底剥离装置10还包括与光学性质测量单元13 —起布置在传送区域R2中的辊子15。辊子15可以将第一基底从剥离区域Rl传送到装载区域R3。辊子15可以包括沿着水平方向延伸的多个旋转轴15a和布置在旋转轴15a的圆周的多个接触部件15b。旋转轴15a可以接收来自动力提供工具(未示出)的旋转力，从而旋转。接触部件15b可以接触通过传送工具传送的第一基底，并且可以通过向第一基底传递旋转轴15a的旋转力来传送第一基底。接触部件15b可以包括弹性材料以保护第一基底。第一基底的传递不限于利用辊子15。例如，可以利用传送臂来传递第一基底。
[0037]光学性质测量单元13包括光照射单元13a和光接收单元13b。光照射单元13a布置在辊子15的上方，光接收单元13b布置在辊子15的下方。然而，光照射单元13a和光接收单元13b的布置可以根据示例性实施例而改变。在第一基底与基底结合体分离之后，光学性质测量单元13可以测量通过辊子15传送的第一基底的光学性质。在示例性实施例中，当光学性质测量单元13测量第一基底的光学性质时，辊子15可以使第一基底停止，从而使光学性质测量单元13在第一基底停止的状态下测量第一基底的光学性质。随后将参照图6和图7来描述光学性质测量单元13的细节。
[0038]可以通过辊子15将第一基底装载在装载区域R3中。基底剥离装置10还包括第二工作台16，第二工作台16布置在装载区域R3中。在测量了第一基底的光学性质之后，在第二工作台16上装载第一基底。
[0039]在下文中，将参照图1至图7来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图4是根据本发明的示例性实施例的通过激光L照射的基底结合体的剖视图。图5是根据本发明的示例性实施例的在基底结合体已经被分离为第一基底和第二基底之后第一基底和第二基底的剖视图。图6是示出根据本发明的示例性实施例的测量第一基底20的光学性质的视图。图7是示出根据本发明的示例性实施例的提供给基底结合体的激光输出和第一基底20的透光率之间的关系的曲线图。
[0040]在SlO中，在将基底结合体放置在第一工作台14上的同时用激光L照射基底结合体。基底结合体包括第一基底20和第二基底30。第一基底20可以包括光学透明的材料并且透射激光L。例如，第一基底20可以包括玻璃。第一基底20可以具有比第二基底30相对更低的柔性度。第一基底20可以用作支撑第二基底30的载体基底，但是不限于此。
[0041]第二基底30布置在第一基底20上。第二基底30附着到第一基底20。第二基底30可以包括柔性基底，但是不限于此。此外，第二基底30可以包括布置在柔性基底上的像素。
[0042]更具体地讲，第二基底30可以包括柔性基底、布置在柔性基底上的薄膜晶体管层以及连接到薄膜晶体管层的显示层。
[0043]柔性基底可以包括包含卡普顿(kapton)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)或纤维增强塑料(FRP)的材料，但是不限于此。
[0044]薄膜晶体管层可以包括薄膜晶体管和用于驱动薄膜晶体管的布线。薄膜晶体管可以连接到显示层以控制显示层，因此可以在柔性显示装置的显示层上显示图像。
[0045]显示层可以连接到薄膜晶体管层。显示层可以布置在薄膜晶体管层上。显示层的详细构造可以根据柔性显示装置的种类而改变。柔性显示装置可以包括有机发光显示装置、液晶显示装置或电泳显示器，但是不限于此。例如，如果柔性显示装置是有机发光显示装置，则显示层可以包括布置在阴极电极和阳极电极之间的有机发光层。另外，如果柔性显示装置是液晶显示装置，则显示层可以包括第一电极和第二电极以在它们之间形成电场，并且也可以包括液晶层，所述液晶层包括其布置通过形成在第一电极和第二电极之间的电场而改变的液晶分子。
[0046]基底结合体还包括粘结层40。粘结层40布置在第一基底20和第二基底30之间。粘结层40可以起到促进第一基底20和第二基底30之间的结合的作用。粘结层40可以包括光学透明或者至少透射激光L的材料。粘结层40可以具有高的热阻抗。例如，粘结层40可以具有等于或高于220°C的玻璃转变温度。例如，粘结层40可以包含硅或丙烯酸聚合物粘结剂。在粘结层40包括多晶硅的情况下，粘结层40具有等于或高于220°C的玻璃转变温度。用作粘结层40的多晶硅可以包括硅氧化物作为主要成分的PDMS (聚二甲基硅氧烷)，并且这可以和硅石纳米粉末一起使用。可以以印刷法、狭缝涂覆法、旋涂法或浸溃法将粘结层40形成在第一基底20上。
[0047]在示例性实施例中，可以省略粘结层40并且可以将第一基底20直接结合到第二基底30而无需粘结层40。可以通过在第一基底20上沉积或涂覆第二基底的基体材料形成第二基底30的基体基底。可以在第一基底20和第二基底30之间的界面处使第一基底20和第二基底30彼此物理结合或化学结合。可以通过热处理工艺增强第一基底20和第二基底30之间的结合力。
[0048]将激光L从激光输出单元11提供给基底结合体。激光L可以入射到基底结合体的第一基底20上。入射到第一基底20上的激光L可以透射第一基底20并且可以到达粘结层40。透射到粘结层40的激光L可以通过消融去除掉粘结层40。粘结层40可以被完全去除或部分保留。第一基底20和第二基底30之间的结合力可以随着粘结层40被去除而减小。
[0049]在第一基底20可以直接结合到第二基底30而无需粘结层40的示例性实施例中，入射到第一基底20上的激光L可以透射第一基底20并且可以到达第一基底20和第二基底30之间的界面。透射到界面的激光L可以使第一基底20与第二基底30分离。在示例性实施例中，激光L可以到达与第一基底20相邻的第二基底30并且使第一基底20与第二基底30分离。
[0050]当激光L被照射到粘结层40上或者粘结层40和第二基底30之间的界面上时，可能产生烟灰。产生的烟灰可能残留在第一基底30上。产生的烟灰的量可能与激光L的输出有关。例如，随着激光L的输出的增加，可能产生更多的烟灰。因此，通过检测产生的烟灰的程度，可以估计激光L的输出。如果激光L的输出过多，则激光L可能损坏第二基底30。如果激光L的输出不足，则第一基底20和第二基底30之间的结合力不足以被降低，因此在不造成第二基底30的某些损坏的情况下可能不会使第一基底20和第二基底30彼此分离。在第一基底20和第二基底30之间的结合力不足以被降低的状态下，如果给基底结合体施加外力，则可能损坏第二基底30。根据本发明的示例性实施例，可以利用使用激光L与第二基底30分离的第一基底20的光学性质来检测产生的烟灰的程度。可以利用测量的第一基底20的光学性质来调节激光L的输出，从而使激光L具有合适的功率密度，以避免在第二基底30上造成一些损坏。因此，能够防止在将第一基底20和第二基底30分离的工艺中可能发生的第二基底的损坏。随后将描述其细节。
[0051]在S20中，将第一基底20和第二基底30彼此分离并且彼此分隔开，如图5所示。可以在剥离区域Rl中使第一基底20和第二基底30彼此分离。可以施加外力以使第一基底20和第二基底30彼此分离，并且可以由基底剥离装置10提供外力。至少一部分粘结层40可能保持结合到第一基底20。可以通过运送设备将与第一基底20分离的第二基底30运送到外侧。
[0052]在S30中，可以在传送区域R2中测量第一基底20的光学性质(S30)。参照图6，光学性质测量单元13包括光照射单元13a和光接收单元13b。光照射单元13a给第一基底20提供测试光T。测试光T穿透第一基底20和粘结层40。光照射单元13a布置在第一基底20的上方，光接收单元13b布置在第一基底20的下方。例如，第一基底20布置在光照射单元13a和光接收单元13b之间。光接收单元13b可以接收通过第一基底20或第一基底20和粘结层40的测试光T。例如，测试光T穿透或贯穿第一基底20和粘结层40。
[0053]在S30中，第一基底20的光学性质的测量还包括从光接收单元13b接收的测试光T来测量第一基底20的光学性质。光学性质测量单元13测量的第一基底20的光学性质可以是第一基底20的透光率。透光率通过将在光接收单元13b中接收的测试光T的光强度除以从光照射单元13a提供的测试光T的光强度来计算。
[0054]参照图7，在S40中，基于测量的透光率将激光L的输出调节为具有在第一参考范围Rl内的透光率。如果增加激光L的输出，则在S20中产生的烟灰的量也增加，因此降低了第一基底20的透光率。如果减小激光L的输出，则在S20中产生的烟灰的量也降低，因此增加了第一基底20的透光率。第一参考范围Rl包括与促进第一基底20和第二基底30彼此分离并防止第二基底30的损坏的激光L的输出相对应的透光率的范围。
[0055]例如，如果在S30中测量的透光率在第一参考范围Rl内，则保持激光的输出而无需在S40中调节。然而，如果在S30中测量的透光率在第一参考范围Rl之外，则在S40中调节激光L的输出。例如，如果在S30中测量的透光率低于第一参考范围R1，则降低激光L的输出。如果在S30中测量的透光率高于第一参考范围R1，则增加激光L的输出。因此，基于与第二基底30分离的第一基底20的透光率，可以控制基底剥离装置10以保持激光L的输出在合适的水平。可以基于第一基底20的透光率，利用控制单元12自动地调节激光L的输出，或者可以基于第一基底20的透光率，手动地调节激光L的输出。
[0056]如上所述，在根据本发明的示例性实施例的剥离基底的方法中，测量第一基底20的光学性质以监控激光L的输出。如果激光L的输出偏离图7中所示的合适的范围，则基于第一基底20的光学性质调节激光L的输出以使激光L的输出具有适当范围。因此，可以使第一基底20和第二基底30彼此分离而没有对第二基底30造成损坏，其中，在利用过量或不足的激光L的输出将第二基底30与第一基底20分离时可能发生对第二基底30的损坏。
[0057]在下文中，将参照图8来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图8示出根据本发明的示例性实施例的测量第一基底的光学性质的光学性质测量单元13的布置。
[0058]参照图8，除了光接收单元13b布置在第一基底20的上方并且光照射单元13a布置在第一基底20的下方之外，所述布置基本与图6的布置相似。利用图8的布置，以与参照图1至图7描述的形式基本相似的形式来调节激光的输出，因此将省略对其的详细描述。
[0059]在下文中，将参照图2、图3、图9和图10来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图10是示出根据本发明的示例性实施例的激光输出和光反射率的关系的曲线图。图9示出根据示例性实施例的光学性质测量单元13的布置。为了测量第一基底20的反射率，光学性质测量单元13利用光照射单元13a提供测试光T并且接收从第一基底20反射的光Ta。光照射单兀13a和光接收单兀13b均布置在第一基底20的上方并且布置在第一基底20的同一侧。测试光T可以从第一基底20的第一表面反射并且第一表面靠近粘结层40，但是不限于此。测试光T也可以从第一基底20的第二表面反射。第二表面远离光照射单元13a并且与第一表面相对。测试光也可以从粘结层40反射。反射的测试光Ta被光接收单元13b接收。光照射单元13a和光接收单元13b单独形成,但是不限于此。光照射单元13a和光接收单元13b也可以整体形成。
[0060]例如，通过将在光接收单元13b中接收的测试光Ta的光强度除以从光照射单元13a提供的测试光T的光强度来计算反射率。
[0061]图10示出根据本发明的示例性实施例的激光输出和光反射率之间的关系的曲线图。参照图10，如果增加激光L的输出，则在S20中产生的烟灰的量也增加，因此由烟灰吸收的测试光T的量增加。从而，降低了第一基底20的反射率。相反地，如果降低激光L的输出，则反射率增加。与促进第一基底20和第二基底30彼此分离并且防止第二基底30的损坏的激光L的输出相对应的光反射率的范围可以包括第二参考范围R2。
[0062]例如，如果在S30中测量的反射率在第二参考范围R2内，则激光L的输出可以保持不变。然而，如果在S30中测量的反射率在第二参考范围R2之外，则可以调节激光L的输出。例如，如果测量的光反射率低于第二参考范围R2，则激光L的输出过多，因此可以控制基底剥离装置10以将激光L的输出降低至与第二参考范围R2对应的合适的水平。如果测量的光反射率大于第二参考范围R2，则激光L的输出不足，因此可以控制基底剥离装置10以使激光L的输出增加至与第二参考范围R2对应的合适的水平。除了利用反射率监控激光L的输出之外，以与参照图1至图7描述的形式基本相似的形式执行激光的输出的调节，因此将省略对其的详细描述。
[0063]在下文中，将参照图2和图11来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图11示出根据示例性实施例的光学性质测量单元13的布置。参照图11，除了光照射单元13a和光接收单元13b布置在第一基底20的下方，光学性质测量单元13的布置与图9的布置基本相似。利用图11的布置，可以将如上所述的用于剥离基底的方法应用到基底结合体，因此将省略对其的详细描述。
[0064]在下文中，将参照图2、图3、图4、图12和图13来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图12示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底20的光学性质的光学性质测量单元13的布置，图13是示出根据本发明的示例性实施例的激光输出和回射率之间的关系的曲线图。
[0065]参照图12，为了测量回射率，光学性质测量单元13利用光照射单元13a给第一基底20提供测试光T并且利用光接收单元13b接收光Tb。光Tb被布置在第一基底20的下方的反射板13c反射。测试光T和反射光Tb均沿着彼此相反的方向穿透第一基底20。光学性质测量单元13可以包括光照射单元13a、光接收单元13b以及反射板13c。光照射单元13a和光接收单元13b可以独立形成或整体形成。光照射单元13a和光接收单元13b布置在第一基底20的上方并且面向第一基底20的同一侧。反射板13c布置在第一基底20的下方。在这种情况下，光照射单元13a和光接收单元13b可以布置在辊子15的上方，并且反射板13c可以布置在辊子15的下方。光照射单元13a将测试光T提供到第一基底20上。照射到第一基底20的上部上的测试光T穿透第一基底20并且到达反射板13c。反射板13c反射的测试光Tb被提供给基底并且穿透第一基底20。穿透第一基底20两次的测试光Tb在光接收单元13b中被接收。
[0066]第一基底20的光学性质的测量还包括从光接收单元13b接收的测试光Tb来测量第一基底20的光学性质。通过光学性质测量单元13测量的第一基底20的光学性质包括回射率。通过将在光接收单元13b中接收的测试光Tb的光强度除以从光照射单元13a提供的测试光T的光强度来计算回射率。由于回射率是从穿过第一基底20两次的测试光Tb计算的，所以与从穿过第一基底20 —次的测试光计算的穿透率相比，回射率的变化更大，因此可以更精确地辨别激光L的输出水平。
[0067]参照图13，回射率根据激光L的输出而改变。如果增加激光L的输出，则在S30中产生的烟灰的量也增加，因此第一基底20的回射率降低。如果降低激光L的输出，则在S30中产生的烟灰的量也减少，因此第一基底20的回射率增加。与促进第一基底20和第二基底30彼此分离并且防止第二基底30的损坏的激光L的输出相对应的回射率可以具有第三参考范围R3。如果回射率在第三参考范围R3内，则激光的输出的调节(S40)可以包括不改变激光L的输出。如果回射率超过第三参考范围R3，则激光L的输出的调节可以包括增加激光L的输出。因此，在激光L的输出不足的情况下，可以控制基底剥离装置10以将激光L的输出维持在第三参考范围R3内。如果回射率低于第三参考范围R3，则激光L的输出的调节可以包括降低激光L的输出。因此，在激光L的输出过量的情况下，可以控制基底剥离装置10以将激光L的输出维持在第三参考范围R3内。除了利用回射率监控激光L的输出之外中，激光的输出的调节以与参照图1至图7描述的形式基本相似的形式来执行，因此将省略对其的详细描述。
[0068]在下文中，将参照图2和图14来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图14示出了根据示例性实施例的光学性质测量单元13的布置。参照图14，除了光照射单元13a和光接收单元13b布置在第一基底20的下方并且反射板13c布置在第一基底20的上方之外，光学性质测量单元13的布置与图12的布置基本相似。利用图14的布置，可以将如上所述的用于剥离基底的方法应用到基底结合体，因此将省略对其的详细描述。
[0069]在下文中，将参照图15和图16来描述根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法。图15是示出根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法的流程图，图16示出根据本发明的示例性实施例的测量基底结合体的光学性质的布置。
[0070]参照图15，用于剥离基底的方法包括:利用激光照射基底结合体(SllO);测量基底结合体的光学性质(S120);将第一基底和第二基底彼此分离(S130);以及基于光学性质来调节激光的输出(S140)。在用于剥离基底的方法中，利用激光照射基底结合体的步骤(SllO)与图1中的利用激光照射基底结合体的步骤(SlO)基本相同，并且将第一基底和第二基底彼此分离的步骤(S130)与图1中的将第一基底和第二基底彼此分离的步骤(S20)基本相同。
[0071]参照图16，测量基底结合体的光学性质(S120)可以包括接收提供给第一基底20并且被基底结合体反射的光。光学性质测量单元13包括布置在基底结合体下方的光照射单元13a和光接收单元13b。光照射单元13a和光接收单元13b可以独立形成，但是不限于此。光照射单元13a和光接收单元13b也可以整体形成。参照图2、图3、图15和图16，光学性质测量单元13可以布置在剥离区域Rl中，并且基底结合体可以放置在第一工作台14上。光照射单元13a给基底结合体提供测试光T使得测试光T入射到第一基底20上。测试光T可以被基底结合体反射。例如，测试光T从第一基底20的第一表面反射。第一表面靠近粘结层40。测试光T也可以被第一基底20的第二表面、第二基底30和/或粘结层40反射。第二表面与第一表面相对并且远离接收由基底结合体反射的测试光Tc的光接收单元 13b。
[0072]基底结合体的光学性质的测量(S120)还可以包括从光接收单元13b接收的测试光Tc来计算基底结合体的光学性质。由光学性质测量单元13测量的基底结合体的光学性质是光反射率。通过将在光接收单元13b中接收的测试光Tc的光强度除以从光照射单元13a提供的测试光T的光强度来计算光反射率。
[0073]基底结合体的光反射率和激光L的输出之间的关系可以与第一基底20的光反射率和激光L的输出之间的关系基本相同。由于基于光学性质调节激光L的输出(S140)的说明与图1中的调节激光L的输出以对应光学性质(S40)的说明基本相同，所以将省略其说明。
[0074]将第一基底20和第二基底30彼此分离的步骤(S130)在利用光学性质调节激光L的输出的步骤(S140)之前。可选择地，可以在测量基底结合体的光学性质的步骤(S120)与将第一基底20和第二基底30分离的步骤(S130)之间执行调节激光L的输出的步骤。
[0075]如上所述，已经参照图1至图16描述了基于第一基底的透光率、光反射率或回射率调节激光L的输出以及基于基底结合体的光反射率调节激光L的输出。然而，基于激光L的输出的调节的光学性质不限于此。例如，如果通过激光L的照射而产生的烟灰具有具体的颜色，或者第一基底20和第二基底30的颜色由于激光的照射而改变，则可以基于测试光T的颜色变化来调节激光L的输出。另外，在测试光的折射性质会根据烟灰的密度的增加而改变的情况下，可以基于第一基底或基底结合体的折射性质的变化来调节激光L的输出。
[0076]在下文中，将参照图17和图18来描述根据本发明的示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法。
[0077]图17是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法的流程图。
[0078]参照图17，用于制造柔性显示装置的方法包括:形成基底结合体(S210);将保护膜附着到基底结合体(S220);给基底结合体提供激光(S230);将第一基底和第二基底彼此分离(S240);测量第一基底的光学性质(S250);基于所述光学性质调节激光的输出(S260);以及剥离保护膜(S270)。
[0079]在将保护膜附着到基底结合体的步骤(S220)中，将第一保护膜附着到第二基底。如果将保护膜附着到第二基底，则保护膜可以在第一基底和第二基底彼此分离的步骤(S240)之后支撑第二基底。因此，保护膜可有助于在第二基底与第一基底分离之后制造柔性显示装置的工艺。保护膜可以包括包含聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜的塑料或包含不锈钢(SUS)的金属箔。
[0080]在剥离保护膜的步骤(S270)中，可以将保护膜与第二基底分离。在示例性实施例中，可以省略将保护膜附着到基底结合体的步骤(S220)和剥离保护膜的步骤(S270)。
[0081]图18是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造柔性显示装置的方法的流程图。
[0082]参照图18，用于制造柔性显示装置的方法包括:形成基底结合体(S310);附着保护膜(S320);给基底结合体提供激光(S330);测量第一基底的光学性质(S340);基于所述光学性质调节激光的输出(S350);将第一基底和第二基底彼此分离(S360);以及剥离保护膜(S370)。形成基底结合体的步骤(S310)的说明与图17的形成基底结合体的步骤(S210)的说明基本相同。附着保护膜的步骤(S320)的说明与图17中的附着保护膜的步骤(S220)的说明基本相同，以及利用激光照射基底结合体的步骤(S330)的说明与图17中的利用激光照射基底结合体的步骤(S230)的说明基本相同。另外，将第一基底和第二基底彼此分离的步骤(S360)的说明与图17中的将第一基底和第二基底彼此分离的步骤(S240)的说明基本相同，以及剥离保护膜的步骤(S370)的说明与图17中的剥离保护膜的步骤(S370)的说明基本相同。因此，将省略其说明。在示例性实施例中，可以省略将保护膜附着到基底结合体的步骤(S320)和剥离保护膜的步骤(S370)。
[0083]测量基底结合体的光学性质的步骤(S340)可以包括接收照射到第一基底的第一表面上并且被基底结合体反射的光。光学性质测量单元包括光照射单元和光接收单元。光照射单元和光接收单元可以独立形成或整体形成。可以将光学性质测量单元布置在剥离区域中。光照射单兀给第一基底提供测试光。测试光被基底结合体反射。例如，测试光可以从第一基底和第二基底之间的界面反射。
[0084]测量基底结合体的光学性质的步骤(S340)还可以包括从光接收单元接收的测试光来计算第一基底的光学性质。由光学性质测量单元测量的基底结合体的光学性质包括光反射率。通过将在光接收单元中接收的测试光的光强度除以从光照射单元提供的测试光的光强度来计算光反射率。
[0085]基底结合体的光反射率和激光的输出之间的关系与在图10中示出的第一基底的光反射率和激光的输出之间的关系可以基本相同。由于调节激光的输出以对应于光学性质的步骤(S350)的说明与图1中的调节激光的输出以对应于光学性质的步骤(S40)的说明基本相同，所以将省略其说明。
[0086]虽然已经参照本发明构思的示例性实施例示出并描述了本发明构思，但是对本领域普通技术人员来说将清楚的是，在不脱离如权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节方面的各种改变。
【权利要求】
1.一种用于剥离基底的方法，所述方法包括: 给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底； 将第二基底与第一基底分离； 测量与第二基底分离的第一基底的光学性质；以及 基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度。
2.根据权利要求1所述的用于剥离基底的方法，其中，光学性质包括第一基底的透光率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括: 给第一基底提供测试光使得测试光穿过第一基底； 接收穿过第一基底的测试光；以及 从接收的测试光计算第一基底的透光率。
3.根据权利要求2所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括:如果透光率 小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。
4.根据权利要求2所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括:如果透光率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。
5.根据权利要求1所述的用于剥离基底的方法，其中，光学性质包括光反射率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括: 给第一基底提供测试光，从而使测试光从第一基底反射； 接收从第一基底反射的测试光；以及 利用提供给第一基底的测试光的第一强度和从第一基底反射的测试光的第二强度来计算光反射率。
6.根据权利要求5所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括:如果光反射率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。
7.根据权利要求5所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括:如果光反射率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。
8.根据权利要求1所述的用于剥离基底的方法，其中，光学性质包括回射率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括: 给第一基底提供测试光，从而使测试光沿着第一方向穿过第一基底； 将穿过第一基底的测试光反射到第一基底，使得反射的测试光沿着与第一方向相反的第二方向穿过第一基底； 接收沿着第二方向穿过第一基底的测试光；以及 从提供给第一基底的测试光的第一强度和沿着第二方向穿过第一基底的测试光的第二强度来计算回射率。
9.根据权利要求8所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括:如果回射率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。
10.根据权利要求8所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括:如果回射率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。
11.根据权利要求1所述的用于剥离基底的方法，其中，第二基底包括柔性基体材料和布置在柔性基体材料上的薄膜晶体管层。
12.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括: 给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底； 测量基底结合体的反射率； 将第二基底与第一基底彼此分离；以及 基于反射率调节激光的功率密度。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，将激光提供给第一基底的第一表面，并且测量基底结合体的反射率的步骤包括: 给基底结合体提供光，从而使光从基底结合体反射； 接收从基底结合体反射的光；以及 从接收的测试光计算反射率。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，如果反射率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，如果反射率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，第二基底包括柔性基体材料和布置在柔性基体材料上的薄膜晶体管层 。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括:在给基底结合体提供激光之前，将保护膜附着到第二基底。
18.一种基底剥离装置，所述基底剥离装置包括: 激光照射单元，构造为产生具有功率密度的激光并且将激光照射在基底结合体上，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；以及 光学性质检测单元，构造为用激光测量与第二基底分离的第一基底的光学性质， 其中，基于第一基底的光学性质来调节激光的功率密度。
19.根据权利要求18所述的基底剥离装置，其中，光学性质检测单元包括: 光照射单元，布置在第一基底的上方并且构造为将测试光照射在第一基底上，其中，测试光穿过第一基底； 光接收单元，布置在第一基底的下方并且构造为接收穿过第一基底的测试光；以及光学性质检测单元，构造为从光照射单元提供给第一基底的测试光的强度与光接收单元接收的测试光的强度来计算第一基底的透光率。
20.根据权利要求18所述的基底剥离装置，其中，光学性质检测单元包括: 光照射单元，布置在第一基底的上方并且构造为将测试光照射在第一基底上，其中，测试光从第一基底反射； 光接收单元，布置在第一基底的上方并且构造为接收从第一基底反射的测试光；以及光学性质计算单元，构造为从光照射单元提供给第一基底的测试光的强度与光接收单元接收的测试光的强度来计算第一基底的光反射率。
21.根据权利要求18所述的基底剥离装置，其中，光学性质检测单元包括: 光照射单元，布置在第一基底的上方并且构造为将测试光照射在第一基底的一个表面上，其中，测试光沿着第一方向穿过第一基底；反射板，布置在第一基底的下方并且构造为将穿过第一基底的测试光反射到第一基底，其中，从反射板反射的测试光沿着与第一方向相反的第二方向穿过第一基底； 光接收单元，布置在第一基底的上方并且构造为接收沿着第二方向穿过第一基底的测试光；以及 光学性质检测单元，构造为从光照射单元提供给第一基底的测试光的强度和光接收单元接收的测试光的强度来计算第一基底的回射率。
22.根据权利要求18所述的基底剥离装置，所述基底剥离装置还包括构造为基于第一基底的光学性质来调节激光的功率密度的控制单元。
23.一种基底剥离装置，所述基底剥离装置包括: 激光照射单元，构造为将具有功率密度的激光照射在基底结合体上，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；以及 光学性质检测单元，构造为测量基底结合体的光反射率， 其中，基于基底结合体的光反射率来调节激光的功率密度。
24.根据权利要求23所述的基底剥离装置，其中，光学性质检测单元包括: 光照射单元，布置在第一基底的上方并且构造为将测试光照射在第一基底上； 光接收单元，布置在第一基底的上方并且构造为接收从基底结合体反射的测试光；以及 光学性质检测单元，构造为从光照射单元提供的测试光的强度和光接收单元接收的测试光的强度来计算第一基底的光反射率。
25.根据权利要求23所述的基底剥离装置，所述基底剥离装置还包括构造为基于基底结合体的光反射率来调节激光的功率密度的控制单元。
【文档编号】H01L21/683GK104051313SQ201410027800
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年1月21日 优先权日:2013年3月11日
【发明者】林亨哲, 金英求, 赵显俊 申请人:三星显示有限公司