基板处理装置以及喷出头待机方法
【专利摘要】本发明提供一种基板处理装置以及喷出头待机方法。在基板处理装置中，在喷出头待机时，将位于待机位置的喷出头的喷出面浸渍在贮存在贮存槽内的浸渍液中。由此，能够防止设置在喷出面上的多个喷出口以及与喷出口连通的处理液流路干燥。其结果为，能够抑制或者防止微小的喷出口堵塞。在再次利用喷出头对基板进行处理时，在排出贮存槽内的浸渍液之后，利用除液部去除附着于喷出面的浸渍液。由此，能够防止在向基板的上方移动喷出头时等，残留在喷出面上的浸渍液落到基板上并附着在基板上（所谓的滴液）。
【专利说明】基板处理装置以及喷出头待机方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于处理基板的基板处理装置以及基板处理装置的喷出头待机方法。
【背景技术】
[0002]以往，在半导体基板(下面，仅称为“基板”)的制造工序中，利用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板进行各种处理。例如进行如下清洗处理，即，通过向基板的表面供给清洗液，来去除附着于基板的表面上的颗粒等。
[0003]在国际公开第2007/132609号(文献I)的基板清洗装置中，在位于基板外侧的待机位置的处理用喷嘴的附近设置有去除液滴喷嘴，从去除液滴喷嘴向处理用喷嘴吹送气体，以防止从处理用喷嘴意外滴液的现象。
[0004]在日本特开2001-232250号公报(文献2)中提出了如下技术，即，在向基板上喷出涂敷液来形成膜的膜形成装置中，通过向涂敷液喷嘴的喷出口喷射清洗液，来去除附着于喷出口的污染物，然后，吸引并排出喷射到喷出口上的清洗液，并且使喷出口干燥。
[0005]在日本特开2012-43949号公报(文献3)中提出了如下技术，即，在向基板涂敷处理液来形成涂敷膜的涂敷装置中，在使从狭缝状的喷出口喷出处理液的喷嘴待机时，在将喷嘴的流路内的处理液替换为该处理液的溶剂的状态下保持该喷嘴。另外，还提出了如下技术，即，使将处理液替换为溶剂之后的喷嘴的前端浸溃在贮存于壳体内的溶剂中。
[0006]另一方面,在日本特开2006-302934号公报(文献4)的液处理装置中公开了如下技术，即，在处理液供给喷嘴待机时，吸引喷嘴内的处理液来在喷嘴流路的喷出口附近形成空气层，进而在使喷嘴前端浸溃在处理液的溶剂中的状态下进行吸引，由此，在空气层的外侧形成溶剂层。
[0007]但是，已知有如下基板处理装置，S卩，从设置在喷出头上的多个微细的喷出口朝向基板喷出处理液的微小液滴来对基板进行处理的装置。在这样的装置中，在喷出头待机时，喷出口有时因干燥等而堵塞。因此，考虑向喷出口附近给予处理液来防止干燥，但是在再次使用喷出头时，附着于喷出头的处理液有可能落到基板上并附着在基板上(产生所谓的滴液)。
【发明内容】
[0008]本发明提供一种用于处理基板的基板处理装置，其目的在于，防止在喷出头待机时喷出口干燥，并且防止在处理基板时滴液。本发明还提供一种基板处理装置中的喷出头待机方法。
[0009]本发明的基板处理装置具有:基板保持部，其用于保持基板；罩部，其包围所述基板保持部的周围；喷出头，其在所述罩部的内侧，配置于所述基板保持部的上方，从设置在喷出面上的喷出口朝向所述基板喷出处理液；供给部移动机构，其使所述喷出头从所述基板保持部的上方朝向所述罩部的外侧的待机位置移动；贮存槽，其配置于所述罩部的外侧，贮存用于浸溃位于所述待机位置的所述喷出头的所述喷出面的浸溃液；除液部，其从所述喷出面去除所述浸溃液。根据该基板处理装置，能够防止在喷出头待机时喷出口的干燥现象，并且能够防止在处理基板时的滴液现象。
[0010]在本发明的一个优选的实施方式中，利用所述供给部移动机构使所述喷出头向相对接近所述贮存槽的方向移动，来将所述喷出头的所述喷出面浸溃在所述贮存槽内的所述浸溃液中，通过从所述贮存槽排出所述浸溃液，或者通过利用所述供给部移动机构使所述喷出头向相对远离所述贮存槽的方向移动，来使所述喷出面与所述浸溃液分离，在所述喷出面与所述浸溃液分离之后，利用所述除液部去除残留在所述喷出面上的浸溃液。
[0011]在本发明的另一个优选的实施方式中，在所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，从所述喷出口连续或者断续地喷出所述处理液。
[0012]更优选地，在所述喷出面与所述浸溃液分离之前，停止从所述喷出口喷出所述处理液。
[0013]在本发明的另一个优选的实施方式中，所述除液部是朝向所述喷出头喷出气体的气体喷出部。
[0014]更优选地，所述除液部朝向远离所述基板保持部的方向喷出所述气体。或者，所述除液部在所述贮存槽内朝向所述喷出头喷出所述气体。更优选地，设置有覆盖所述贮存槽的上方的盖部，在所述盖部上设置有用于插入所述喷出头的下端部的插入口。
[0015]在本发明的另一个优选的实施方式中，在将所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，连续或者断续地向所述贮存槽内供给所述浸溃液以及从所述贮存槽排出所述浸溃液。
[0016]更优选地，从所述贮存槽的底部供给所述浸溃液，从所述贮存槽的上部排出所述浸溃液。
[0017]在本发明的另一个优选的实施方式中，所述喷出头具有:头部主体部，其在内部保持所述处理液，并且其外表面的一部分为所述喷出面，压电元件，其安装在所述头部主体部上，通过向所述头部主体部内的所述处理液施加振动，来从所述喷出口喷出所述处理液；在将所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，通过驱动所述压电元件，来向所述贮存槽内的所述浸溃液施加振动。
[0018]在本发明的另一个优选的实施方式中，所述浸溃液为与所述处理液相同种类的液体。
[0019]在本发明的另一个优选的实施方式中，所述喷出面由对所述浸溃液的亲和性高的亲液性材料形成。
[0020]在本发明的另一个优选的实施方式中，使用从所述喷出头朝向所述基板喷出的所述处理液对所述基板进行清洗处理。
[0021]本发明的喷出头待机方法为在具有喷出头的基板处理装置中使所述喷出头待机的方法，该喷出头在周围被罩部包围的基板保持部的上方配置于所述罩部的内侧，并且从设置在喷出面上的喷出口朝向由所述基板保持部保持的基板喷出处理液，该喷出头待机方法包括:工序a)，从所述罩部的内侧朝向所述罩部的外侧移动所述喷出头；工序b)，向相对接近贮存有浸溃液的贮存槽的方向移动所述喷出头，来将所述喷出头的所述喷出面浸溃在所述浸溃液中；工序C)，通过从所述贮存槽排出所述浸溃液，或者通过向相对远离所述贮存槽的方向移动所述喷出头，来使所述喷出面与所述浸溃液分离；工序d)，去除残留在所述喷出面上的浸溃液；工序e)，朝向所述罩部的内侧移动所述喷出头。
[0022]参照附加的附图并通过下面进行的本发明的详细的说明，来明确上述目的以及其它目的、特征、方式以及优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是一个实施方式的基板处理装置的主视图。
[0024]图2是基板处理装置的俯视图。
[0025]图3是喷出头的仰视图。
[0026]图4是喷出头的剖视图。
[0027]图5是示出控制单元的功能的框图。
[0028]图6是头部待机部的俯视图。
[0029]图7是示出头部待机部以及喷出头的图。
[0030]图8是示出喷出头的待机动作的流程的图。
[0031]图9是示出头部待机部以及喷出头的图。
[0032]图10是示出头部待机部以及喷出头的图。
[0033]图11是示出喷出口堵塞的比例的图。
[0034]图12是示出头部待机部以及喷出头的图。
[0035]图13是基板处理装置的俯视图。
[0036]其中，附图标记说明如下:
[0037]1: 基板处理装置
[0038]9: 基板
[0039]21: 基板保持部
[0040]22:罩部
[0041]31: 喷出头
[0042]35: 供给部移动机构
[0043]43:盖部
[0044]44: 贮存槽
[0045]47: 除液部
[0046]49: 浸溃液
[0047]311:喷出面
[0048]312:头部主体部
[0049]314:喷出口
[0050]315:压电元件
[0051]431:第一开口
[0052]Sll ?S17:步骤
【具体实施方式】
[0053]图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置I的主视图。图2是基板处理装置I的俯视图。图2改变了图1中的基板处理装置I的朝向。基板处理装置I是逐个处理半导体基板9 (下面，仅称为“基板9”)的单片式的装置。在基板处理装置I中，向基板9喷出处理液来进行规定的处理。在本实施方式中，通过向基板9上喷出作为处理液的清洗液的液滴，来进行从基板9上去除颗粒等的清洗处理。在基板处理装置I中，例如朝向基板9呈喷雾状喷出直径为大约20 μ m (微米)的液滴。
[0054]如图1以及图2所示，基板处理装置I具有基板保持部21、罩部22、基板旋转机构
23、处理液供给部3、供给部移动机构35、保护液供给部36、头部待机部4、腔室6、后述控制单元。在腔室6的内部空间60内容置有基板保持部21、罩部22、基板旋转机构23、处理液供给部3、供给部移动机构35、保护液供给部36以及头部待机部4等结构。在图1以及图2中，用虚线表示腔室6、图示了腔室6的内部。
[0055]在腔室6内，基板保持部21以使基板9 一侧的主面91 (下面，称为“上表面91”)朝向上侧的状态保持基板9。在基板9的上表面91上形成有电路图案等精细图案。罩部22是包围基板9以及基板保持部21的周围的大致圆筒状的构件。基板旋转机构23配置于基板保持部21的下方。基板旋转机构23使基板9与基板保持部21以穿过基板9的中心且与基板9的上表面91相垂直的旋转轴为中心，在水平面内一起旋转。
[0056]处理液供给部3具有:喷出头31，其朝向下方喷出处理液；处理液配管32，其与喷出头31相连接；泵33，其将从基板处理装置I的外部的处理液供给源供给的处理液经由处理液配管32压送至喷出头31。处理液配管32具有:处理液供给配管318(参照图4)，其向喷出头31供给处理液；处理液回收配管319 (参照图4)，其回收来自喷出头31的处理液。喷出头31在罩部22的内侧，配置于基板保持部21的上方。换言之，喷出头31的下表面位于罩部22的上部开口 220和基板9的上表面91之间。喷出头31是从后述多个喷出口连续地喷出相互分离的微小的液滴的装置。通过喷出头31朝向基板9的上表面91喷出处理液的微小液滴。利用纯净水(优选为去离子水(DIW))、苏打水、氨水、双氧水的混合液等液体来作为处理液。从喷出头31喷出的处理液在设计上的喷出方向与上下方向(即，重力方向)大致平行。
[0057]图3是示出喷出头31的下表面311的仰视图。在喷出头31的下表面311上设置有多个微细的喷出口 314。下面，将喷出头31的下表面311称为“喷出面311”。多个喷出口 314具有分别沿着图3中的左右方向呈大致直线状延伸的4个喷出口列。在各喷出口列中，多个喷出口 314以规定的排列间距排列。各喷出口 314的直径为大致5μπι?ΙΟμπι。在图3中，各喷出口 314大小大于实际的大小，喷出口 314的个数少于实际的个数。如后述那样，供给部移动机构35使喷出头31在与基板9相向的位置和与头部待机部4相向的位置之间移动，但是无论该移动情况如何，喷出头31的喷出面311几乎都维持在水平状态。
[0058]图4是喷出头31的纵向剖视图。喷出头31具有头部主体部312、压电元件315。在头部主体部312的内部设置有作为用于保持处理液的空间的处理液保持部316。处理液保持部316的一个端部经由处理液供给配管318与用于向喷出头31供给处理液的处理液供给源以及泵33相连接。处理液保持部316的另一个端部经由处理液回收配管319与用于回收来自喷出头31的处理液的处理液回收部相连接。该处理液回收部设置于基板处理装置I的外部。头部主体部312的作为外表面的一部分的下表面为上述喷出面311。多个喷出口 314分别经由处理液流路317与处理液保持部316相连接。压电元件315安装在头部主体部312的上表面上。压电元件315隔着头部主体部312对头部主体部312内的处理液施加振动，由此，从多个喷出口 314分别喷出处理液的微小液滴。
[0059]头部主体部312以及喷出面311，由相对于后述浸溃液49 (参照图7)的亲和性高的亲液性材料形成。在利用纯净水作为浸溃液49的情况下，头部主体部312以及喷出面311，由亲水性材料形成。
[0060]如图1以及图2所示，供给部移动机构35具有臂部351、旋转轴352、头部旋转机构353、头部升降机构354。臂部351从旋转轴352沿着水平方向延伸。在臂部351的前端部安装有喷出头31。头部旋转机构353使喷出头31与臂部351以旋转轴352为中心在水平方向上一起旋转。头部升降机构354使喷出头31与臂部351—起沿着上下方向移动。头部旋转机构353例如具有电动马达。头部升降机构354例如具有滚珠螺杆机构以及电动马达。
[0061]保护液供给部36直接或者间接地固定在喷出头31上，朝向斜下方喷出保护液。在图1以及图2所示的例子中，保护液供给部36安装在臂部351上，间接地固定在喷出头31上。与上述处理液同样地,利用纯净水(优选为，去离子水)、苏打水、氨水、双氧水的混合液等液体来作为保护液。保护液可以是与处理液相同种类的液体，也可以是不同种类的液体。
[0062]在基板处理装置I中，从保护液供给部36朝向基板9的上表面91呈液柱状喷出的保护液，在喷出头31的下方的基板9上扩散，由此，在喷出头31的正下方形成具有规定厚度的保护液的膜(下面，称为“保护液膜”)。通过头部旋转机构353以及头部升降机构354，使保护液供给部36与喷出头31 —起移动。
[0063]图5是示出控制单元7的功能的框图。在图5中，还一并描画出除了控制单元7之外的结构。控制单元7具有处理控制部71、维护控制部76。
[0064]在通过图1以及图2所示的基板处理装置I对基板9进行处理时，首先，将基板9搬入腔室6内并利用基板保持部21保持该基板9。在搬入基板9时，如图2的双点划线所示，喷出头31在配置于罩部22的外侧的头部待机部4上待机。当利用基板保持部21保持基板9时，通过处理控制部71驱动基板旋转机构23，使基板9开始旋转。
[0065]接着，通过处理控制部71驱动供给部移动机构35的头部旋转机构353以及头部升降机构354，使喷出头31以及保护液供给部36从头部待机部4上升并转动，在移动至罩部22的上方之后下降。由此，使喷出头31以及保护液供给部36经由罩部22的上部开口220移动至罩部22的内侧且移动至基板保持部21的上方。接着，开始从保护液供给部36向基板9上供给保护液，从而形成覆盖基板9的上表面91的一部分的保护液膜。另外，从喷出头31的多个喷出口 314 (参照图3)开始朝向形成有保护液膜的基板9的上表面91喷出处理液(即，喷射微小液滴)。保护液膜覆盖多个着落点(即，微小液滴的着落点)，该着落点是指，在设计上来自多个喷出口 314的处理液着落在基板9上的点。
[0066]从喷出头31朝向保护液膜喷射的多个微小液滴，与基板9的上表面91上的保护液膜发生碰撞，并隔着保护液膜间接地与基板9的上表面91发生碰撞。然后，通过因处理液的微小液滴碰撞而产生的冲击，从基板9上去除附着于基板9的上表面91的颗粒等杂物。换言之，通过利用处理液的微小液滴隔着保护液膜间接地对基板9施加的动能，来对基板9的上表面91进行清洗处理。
[0067]像这样，与微小液滴直接与基板发生碰撞的情况相比，通过使处理液的微小液滴隔着保护液膜与基板9发生碰撞，不仅能够防止或者抑制对形成在基板9的上表面91上的图案等造成损伤，还能够对基板9进行清洗处理。另外，通过保护液覆盖基板9上的要进行清洗处理的部位，因此能够防止或者抑制从基板9上去除的颗粒等再次附着在基板9的上表面91上。
[0068]在基板处理装置I中，在喷出保护液以及处理液的同时，通过头部旋转机构353使喷出头31以及保护液供给部36转动。喷出头31以及保护液供给部36在处于旋转状态的基板9的中央部的上方与基板9的外缘部的上方之间，沿着水平方向反复进行往返移动。由此，对基板9的整个上表面91进行清洗处理。供给至基板9的上表面91的保护液以及处理液因基板9的旋转而从基板9的边缘向外侧飞溅。利用罩部22接受从基板9飞溅的保护液以及处理液，并进行废弃或者回收。
[0069]当利用来自喷出头31的处理液进行的规定的处理(即，基板9的清洗处理)结束时，停止喷出保护液以及处理液。通过头部升降机构354使喷出头31以及保护液供给部36上升至比罩部22的上部开口 220更靠近上侧的位置。然后，利用头部旋转机构353使喷出头31以及保护液供给部36从基板保持部21以及基板9的上方朝向头部待机部4的上方移动。
[0070]图6是放大示出头部待机部4的俯视图。头部待机部4具有待机容器41、除液部47。图7是采用剖面表示待机容器41的外壁等的头部待机部4的纵向剖视图。在图6以及图7中，还用双点划线一并表示位于头部待机部4的上方的喷出头31等。图6以及图7示出的待机容器41是配置于罩部22 (参照图1以及图2)的外侧的大致长方体状的容器，能够在内部贮存液体。具体地说，在配置于待机容器41的内部空间40的贮存槽44内贮存有液体49 (下面,称为“浸溃液49”)。
[0071]利用纯净水(优选为，去离子水(DIW:de1nized water))、苏打水、氨水、双氧水的混合液等液体来作为浸溃液49。浸溃液49可以是与喷出头31所喷出的处理液相同种类的液体，也可以是不同种类的液体。优选地，浸溃液49是与上述处理液相同种类的液体。
[0072]利用盖部43覆盖待机容器41的内部空间40的上部。在盖部43上设置有分别与喷出头31以及保护液供给部36相对应的第一开口 431以及第二开口 432。在图7中，仅示出了喷出头31，省略示出保护液供给部36 (图9、图10、图12也同样)。
[0073]贮存槽44是大致长方体状的容器，贮存槽44的上部呈开口状态。利用上述盖部43覆盖贮存槽44的上方，贮存槽44位于设置在盖部43上的第一开口 431的下方。如图7所示，在贮存槽44的底部上连接有浸溃液配管45。浸溃液配管45将从基板处理装置I的外部的浸溃液供给源供给的浸溃液49引导至设置在待机容器41中的贮存槽44内。从贮存槽44的底部供给的浸溃液49，在贮存槽44内向上方流动，并从贮存槽44的上部开口441溢出，由此，来从贮存槽44排出浸溃液49。贮存槽44中的浸溃液49的液面的高度与贮存槽44的上部开口 441的高度大致相同。从贮存槽44的上部排出的浸溃液49，通过设置在待机容器41的底部上的浸溃液排出管46向基板处理装置I的外部排出。此外，浸溃液配管45不仅与浸溃液供给源连接，还与用于吸引贮存槽44内的液体等的吸引机构(省略图示)连接。
[0074]除液部47设置在待机容器41的外侧面。待机容器41的固定有除液部47的侧面也是贮存槽44的侧面，因此也能够理解为除液部47设置在贮存槽44的外侧面。除液部47是几乎水平地喷出氮气等气体的气体喷出部。除液部47位于比贮存槽44的上部开口 441更靠近下方(即，比浸溃液49的液面更靠近下方)的位置，因此能够朝向贮存槽44的内部几乎水平地喷出上述气体。除液部47的高度被设定为，与浸溃在浸溃液49中的处于待机状态的喷出头31的喷出面311的高度大致相同。
[0075]图8是示出结束了对基板9进行的处理的喷出头31的待机动作的流程的图。如上述那样，利用供给部移动机构35的头部旋转机构353以及头部升降机构354使结束了对基板9进行的处理的喷出头31从罩部22的内侧向罩部22的外侧移动，并使其位于头部待机部4的上方(步骤SI I)。
[0076]接着，通过维护控制部76控制头部升降机构354，从而使喷出头31朝向待机容器41下降。然后，如图9所示，喷出头31的下端部经由盖部43的第一开口 431插入于待机容器41内，从而容置于待机容器41内。第一开口 431是用于插入喷出头31的下端部的插入口。在下面的说明中，将图9所示的喷出头31的位置称为“待机位置”。
[0077]位于待机位置的喷出头31的下端部在待机容器41内浸溃于在贮存槽44内预先贮存的浸溃液49内。具体地说，喷出面311、喷出头31的侧面中的从喷出面311到向上大约5mm为止的部位浸溃于浸溃液49中(步骤S12)。由此，喷出面311被浸溃液49覆盖，从而与腔室6内的环境气体分离。处于待机位置的喷出头31在上下方向上的位置，S卩，在喷出头31的喷出面311浸溃在浸溃液49中的状态下的喷出头31在上下方向上的位置，与朝向基板9喷出处理液时的喷出头31在上下方向上的位置(参照图1)相同。向贮存槽44贮存浸溃液49，例如能够在从喷出头31向基板9喷出处理液的期间内进行。
[0078]在喷出头31从图7所示的位置(即，待机位置上方的位置)向图9所示的待机位置下降使得喷出面311浸溃在贮存槽44内的浸溃液49中时，图6所示的保护液供给部36也与喷出头31 —起下降。保护液供给部36经由盖部43的第二开口 432插入到待机容器41内并容置在待机容器41内。在待机容器41内，容置有喷出头31的下端部的空间和容置有保护液供给部36的空间被间隔壁411分离。在容置有保护液供给部36的空间内没有贮存液体。
[0079]直到下次使用时为止，喷出头31在图9所示的待机位置以喷出面311浸溃于浸溃液49中的状态待机。利用维护控制部76对处于待机状态的喷出头31进行控制，使得从多个喷出口 314(参照图3)连续喷出处理液(步骤S13)。在待机位置上从喷出头31向浸溃液49喷出的处理液的流量，少于在对上述基板9进行处理时从喷出头31朝向基板9喷出的处理液的流量。换言之，利用处于待机位置的喷出头31进行所谓慢喷射(slow leak)。此夕卜，处于待机状态的喷出头31不需要连续地喷出处理液，也可以断续地喷出处理液。但是，从进一步抑制多个喷出口 314的堵塞的角度来说，优选从喷出头31连续喷出处理液。
[0080]在喷出面311浸溃在浸溃液49中的状态下，头部待机部4连续进行从浸溃液配管45向贮存槽44内供给浸溃液49的动作，以及从贮存槽44的上部开口 441排出浸溃液49的动作。由此，在贮存槽44内总是维持浸溃液49从下侧朝向上侧流动。
[0081]在再次通过喷出头31对基板9进行处理时，根据维护控制部76的控制，停止从喷出头31的多个喷出口 314喷出(慢喷射)处理液(步骤S14)。另外，也停止从浸溃液配管45供给浸溃液49。接着，驱动与浸溃液配管45相连接的上述吸引机构，使得贮存槽44内的浸溃液49经由浸溃液配管45向贮存槽44外排出。由此，如图10所示，喷出头31的喷出面311与贮存在贮存槽44中的浸溃液49分离(步骤S15)。优选在喷出面311即将与浸溃液49分离之前，停止上述喷出口 314的慢喷射动作。
[0082]当喷出面311与浸溃液49分离时，喷出面311以及除液部47这两者暴露在贮存槽44内的空气内。接着，从由维护控制部76控制的除液部47朝向位于待机位置的喷出头31，沿着大致水平方向喷出气体。通过除液部47向喷出头31的喷出面311以及喷出面311附近的部位喷射气体，由此，吹散并除去附着(即，残留)在喷出面311以及喷出面311附近的浸溃液49 (步骤S16)。如上所述，除液部47的高度被设定为与浸溃在浸溃液49中的喷出头31的喷出面311的高度大致相同，因此，仅从贮存槽44排出浸溃液49，就能够从除液部47朝向喷出面311直接喷射气体，而不必在上下方向上移动喷出头31。因此，从除液部47喷出气体的动作在贮存槽44内(即，待机容器41内)进行。
[0083]当从喷出面311去除了浸溃液49时,利用头部升降机构354使喷出头31从待机位置上升，向待机容器41的外部移动。然后，利用头部旋转机构353使喷出头31转动至位于基板9的上方，并通过头部升降机构354使该喷出头31下降，从而使该喷出头31向罩部22的内侧移动(步骤S17)。然后，如上所述，通过喷出头31对基板9进行处理。
[0084]如上面说明，在基板处理装置I中，在喷出头31待机时，位于待机位置的喷出头31的喷出面311浸溃于在贮存槽44内贮存的浸溃液49中。由此，能够防止设置在喷出面311上的多个喷出口 314以及与喷出口 314连通的处理液流路317干燥的情况。其结果为，能够抑制或者防止微小的喷出口 314堵塞。另外，还能够防止腔室6内的雾(mist)等附着在处于待机状态的喷出头31的喷出面311上。
[0085]图11是对上述基板处理装置I和比较例的基板处理装置在待机时的喷出口的堵塞情况进行比较的图。在比较例的基板处理装置中，不向贮存槽内贮存浸溃液就使喷出头的下端部插入到待机容器内，并使喷出头在停止从喷出口喷出处理液的状态下待机。即，在比较例的基板处理装置中，喷出头的喷出面暴露在空气中，从开始待机起逐渐地干燥。
[0086]另一方面，在本实施方式的在基板处理装置I中，如上述那样，使喷出头31在使喷出面311浸溃于在贮存槽44内贮存的浸溃液49中的状态下待机。在此，为了易于与比较例的基板处理装置进行比较，在该比较试验中，停止从上述喷出头31向浸溃液49喷出(慢喷射)处理液。图11中的纵轴表示经过一周的待机之后产生堵塞的喷出口数相对于全部喷出口数的比例。图11中的横轴的序号(I)?(3)表示在基板处理装置I以及比较例的基板处理装置中分别用于试验的相同结构的3个喷出头。如图11所示，在比较例的基板处理装置中，从开始待机起一周之后大约10%的喷出口产生堵塞，但是在基板处理装置I中，喷出口 314未产生堵塞。
[0087]如上述那样，在基板处理装置I中，在通过喷出头31再次对基板9进行处理时，利用除液部47去除附着于喷出面311的浸溃液49。由此，能够防止在使喷出头31向基板9上移动等时，残留在喷出面311上的浸溃液49等液体落到基板9上并附着在基板9上(广生所谓的滴液)。这样，在基板处理装置I中，能够防止喷出头31的滴液，因此基板处理装置I的结构尤其适用于视保持基板9的洁净很重要的基板9的清洗处理。
[0088]在基板处理装置I中，通过使喷出头31朝向贮存有浸溃液49的贮存槽44下降，能够易于将喷出面311浸溃于浸溃液49中。另外，通过从贮存槽44排出浸溃液49，能够易于使喷出面311与浸溃液49分离。而且，通过在喷出面311与浸溃液49分离之后驱动除液部47，能够易于从喷出面311去除浸溃液49。
[0089]如上述那样，头部待机部4通过从除液部47朝向喷出头31喷出气体，能够用简单的结构去除喷出面311上的浸溃液49。另外，通过在贮存槽44内进行向喷出头31喷出气体的动作，能够抑制从喷出面311去除(即，吹散)的浸溃液49的雾等向贮存槽44的外部扩散。由此，抑制浸溃液49的雾等向头部待机部4的周围扩散。其结果为，能够抑制浸溃液49的雾等附着在基板9上。
[0090]而且，通过设置覆盖贮存槽44的上方的盖部43，能够抑制扩散至贮存槽44的外部的浸溃液49的雾等向待机容器41的外部扩散。由此，能够进一步抑制浸溃液49的雾等向头部待机部4的周围扩散。此外，插入到第一开口 431内的喷出头31能够抑制从盖部43的第一开口 431流出雾等。
[0091]在头部待机部4中，除液部47不必须对位于贮存槽44内的喷出面311喷出气体。例如，也可以使喷出头31从待机位置稍稍上升，在喷出面311位于待机容器41内且位于贮存槽44的上方的状态下向喷出面311喷出气体。即使在该情况下，也与上述同样地，能够抑制浸溃液49的雾等向头部待机部4的周围扩散。
[0092]另外，如图12所示，也可以使除液部47配置于待机容器41的上方，朝向从待机位置上升至位于待机容器41的上方的喷出头31的喷出面311喷射气体。在该情况下，如图13所示，优选除液部47以向远离基板保持部21的方向喷出气体的方式，配置在位于待机位置的喷出头31和基板保持部21之间。由此，抑制从喷出面311去除的浸溃液49的雾等向接近基板保持部21的方向扩散。其结果为，能够抑制浸溃液49的雾等附着于基板9。
[0093]如上所述，在基板处理装置I中，在将喷出面311浸溃于浸溃液49中的状态下，从喷出口 314连续地或者断续地喷出处理液。由此，即使在贮存槽44内的浸溃液49中掺进颗粒等的情况下，也能够抑制或者防止颗粒等附着在喷出面311或者从喷出口 314进入喷出头31内。另外，在喷出面311与浸溃液49分离之前，停止从喷出头31的多个喷出口 314喷出处理液。由此，能够在喷出面311与浸溃液49分离时，有效地降低喷出面311上的液体流动，从而能够减少残留在喷出面311上的浸溃液49的量。其结果为，能够迅速且容易地通过除液部47从喷出面311除去浸溃液49。
[0094]而且，喷出面311由对浸溃液49的亲和性高的亲液性材料形成，因此在喷出面311与浸溃液49分离时，与在喷出面311附近的部位接触的浸溃液49易于向喷出头31的下端即喷出面311移动。另外,残留在喷出面311上的浸溃液49汇集之后从喷出面311分尚。因此，浸溃液49难以残留在喷出面311上，从而能够更迅速且更容易地利用除液部47从喷出面311去除浸溃液49。
[0095]在头部待机部4中，在使喷出面311浸溃在浸溃液49中的状态下，连续向贮存槽44内供给浸溃液49以及从贮存槽44排出浸溃液49。由此，能够冲洗掉附着在喷出头31的表面的颗粒等。另外，能够使贮存槽44内的浸溃液49总是处于新的洁净的状态。换言之，抑制贮存槽44内的浸溃液49因掺入了在空气中漂浮的颗粒、附着于喷出头31等的颗粒等而被污染。其结果为，能够抑制或者防止颗粒等从喷出口 314进入到喷出头31内。而且，在贮存槽44中，从贮存槽44的底部供给浸溃液49，并从贮存槽44的上部排出浸溃液49。由此，能够总是朝向喷出面311供给新的洁净的浸溃液49。其结果为，能够进一步抑制或者防止颗粒等附着在喷出面311或者从喷出口 314进入喷出头31内。此外，也可以断续地向贮存槽44内供给浸溃液49以及从贮存槽44排出浸溃液49。但是，从将贮存槽44内的浸溃液49总是维持为新的洁净的状态的角度来说，优选连续地向贮存槽44内供给浸溃液49以及从贮存槽44排出浸溃液49。
[0096]在基板处理装置I中，如上述那样，贮存槽44内的浸溃液49与从喷出头31喷出的处理液为相同种类的液体。因此，不会因浸溃液49和处理液混合而产生不良影响。另外，在喷出头31待机时，即使浸溃液49进入喷出口 314内也不可能产生问题。而且，在再次使用喷出头31时，能够省略用于排出喷出口 314内的浸溃液49的冲洗等动作。
[0097]如上述那样，在基板处理装置I中，处于待机位置的喷出头31在上下方向上的位置与在朝向基板9喷出处理液时的喷出头31在上下方向上的位置相同。因此，能够使头部升降机构354的结构以及控制变得简单。
[0098]在基板处理装置I中，也可以在使喷出头31的喷出面311浸溃在贮存槽44内的浸溃液49中的状态下，驱动喷出头31的压电元件315，由此，借助头部主体部312对贮存槽44内的浸溃液49施加振动。由此，能够清洗喷出头31的下端部，能够高效地去除附着于该下端部的表面(即，喷出面311以及侧面中的喷出面311附近的部位)的颗粒等。
[0099]另外，在基板处理装置I中，在步骤S15中使喷出面311与浸溃液49分离时，不必须排出贮存槽44内的浸溃液49。例如，也可以利用供给部移动机构35的头部升降机构354使喷出头31从待机位置向忙存槽44的上方上升，由此使喷出面311与浸溃液49分尚。即使在该情况下，也能够易于使喷出面311与浸溃液49分离。
[0100]在上述基板处理装置I中，能够进行各种变更。
[0101]喷出面311也可以由相对对浸溃液49的亲和性低的材料形成。在该情况下，除液部47能够容易地从喷出面311吹散浸溃液49。除液部47不必须向喷出头31喷出气体，例如，也可以一并吸引喷出面311上的浸溃液49与喷出面311的周围的气体来去除浸溃液49。另外，也可以通过加热等方法使附着于喷出面311的浸溃液49蒸发来去除该浸溃液49。
[0102]不必须从贮存槽44的底部向贮存槽44供给浸溃液49，也不必须从贮存槽44的上部开口 441排出贮存槽44内的浸溃液49。可以在贮存槽44上恰当地选择浸溃液49的供给位置以及排出位置。
[0103]如上述那样，在喷出头31所喷出的处理液为与浸溃液49相同种类的液体的情况下，也可以在从浸溃液配管45供给浸溃液49的同时，或者代替从浸溃液配管45供给浸溃液49的动作，将从喷出头31喷出的处理液贮存在贮存槽44中。
[0104]在将喷出面311浸溃于贮存槽44内的浸溃液49中时，不必须使喷出头31下降，只要使喷出头31向相对接近贮存槽44的方向移动即可。例如，也可以在喷出头31停止的状态下，使贮存有浸溃液49的贮存槽44从喷出头31的下方上升，由此，使喷出面311浸溃在浸溃液49中。另外，在使喷出面311与贮存槽44内的浸溃液49分离时，不必须从贮存槽44排出浸溃液49或者使喷出头31上升，例如可以在喷出头31停止的状态下，使贮存槽44下降，由此，使喷出面311与贮存槽44内的浸溃液49分离。换言之，通过使喷出头31向相对远离贮存槽44的方向移动，来使喷出面311与贮存槽44内的浸溃液49分离。
[0105]在头部待机部4中，可以将待机容器41的一部分或者全部的内部空间40用作贮存浸溃液49的贮存槽44。
[0106]从喷出头31喷出的处理液不限定于液滴状，也可以从喷出头31喷出呈液柱状的连续的处理液。基板处理装置I的结构可以适用于具有仅设置有一个喷出口的喷出头的基板处理装置。
[0107]基板处理装置I还可以用于清洗基板9之外的各种处理。另外，基板处理装置1，除了半导体基板之外，也可以用于对在液晶显示装置、等离子显示器、FED (field emiss1ndisplay，场致发射显示器)等显示装置上所使用的玻璃基板进行的处理。或者，基板处理装置I也可以用于对光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板以及太阳能电池用基板等进行的处理。
[0108]上述实施方式以及各变形例的结构可以在不相互矛盾的情况下进行适当的组合。
[0109]以上，详细地描述并说明了发明，但是上述说明仅仅是例示而非限定。因此，在不脱离本发明的范围的情况下，能够采用多个变形或方式。
【权利要求】
1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 基板保持部，其用于保持基板， 罩部，其包围所述基板保持部的周围， 喷出头，其在所述罩部的内侧，配置于所述基板保持部的上方，从设置在喷出面上的喷出口朝向所述基板喷出处理液， 供给部移动机构，其使所述喷出头从所述基板保持部的上方朝向所述罩部的外侧的待机位置移动， 贮存槽，其配置于所述罩部的外侧，贮存用于浸溃位于所述待机位置的所述喷出头的所述喷出面的浸溃液， 除液部，其从所述喷出面去除所述浸溃液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 利用所述供给部移动机构使所述喷出头向相对接近所述贮存槽的方向移动，来将所述喷出头的所述喷出面浸溃在所述贮存槽内的所述浸溃液中， 通过从所述贮存槽排出所述浸溃液，或者通过利用所述供给部移动机构使所述喷出头向相对远离所述贮存 槽的方向移动，来使所述喷出面与所述浸溃液分离， 在所述喷出面与所述浸溃液分离之后，利用所述除液部去除残留在所述喷出面上的浸溃液。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 所述除液部是朝向所述喷出头喷出气体的气体喷出部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 所述除液部在所述贮存槽内朝向所述喷出头喷出所述气体。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 设置有覆盖所述贮存槽的上方的盖部， 在所述盖部上设置有用于插入所述喷出头的下端部的插入口。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 所述除液部朝向远离所述基板保持部的方向喷出所述气体。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，从所述喷出口连续或者断续地喷出所述处理液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 在将所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，连续或者断续地向所述贮存槽内供给所述浸溃液以及从所述贮存槽排出所述浸溃液。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述贮存槽的底部供给所述浸溃液，从所述贮存槽的上部排出所述浸溃液。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述喷出面与所述浸溃液分离之前，停止从所述喷出口喷出所述处理液。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于， 在将所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，连续或者断续地向所述贮存槽内供给所述浸溃液以及从所述贮存槽排出所述浸溃液。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述贮存槽的底部供给所述浸溃液，从所述贮存槽的上部排出所述浸溃液。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述除液部是朝向所述喷出头喷出气体的气体喷出部。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于， 所述除液部在所述贮存槽内朝向所述喷出头喷出所述气体。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于， 设置有覆盖所述贮存槽的上方的盖部， 在所述盖部上设置有用于插入所述喷出头的下端部的插入口。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于， 所述除液部朝向远离所述基板保持部的方向喷出所述气体。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 在将所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，连续或者断续地向所述贮存槽内供给所述浸溃液以及从所述贮存槽排出所述浸溃液。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述贮存槽的底部供给所述浸溃液，从所述贮存槽的上部排出所述浸溃液。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的基板处理装置，其它特征在于， 所述喷出头具有: 头部主体部，其在内部保持所述处理液，并且其外表面的一部分为所述喷出面， 压电元件，其安装在所述头部主体部上，通过向所述头部主体部内的所述处理液施加振动，来从所述喷出口喷出所述处理液； 在将所述喷出面浸溃在所述浸溃液中的状态下，通过驱动所述压电元件，来向所述贮存槽内的所述浸溃液施加振动。
20.根据权利要求1至18中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述浸溃液为与所述处理液相同种类的液体。
21.根据权利要求1至18中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述喷出面由相对于所述浸溃液的亲和性高的亲液性材料形成。
22.根据权利要求1至18中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 使用从所述喷出头朝向所述基板喷出的所述处理液对所述基板进行清洗处理。
23.—种喷出头待机方法，为在具有喷出头的基板处理装置中使所述喷出头待机的方法，该喷出头在周围被罩部包围的基板保持部的上方配置于所述罩部的内侧，并且从设置在喷出面上的喷出口朝向由所述基板保持部保持的基板喷出处理液，该喷出头待机方法的特征在于， 包括: 工序a)，从所述罩部的内侧朝向所述罩部的外侧移动所述喷出头， 工序b)，向相对接近贮存有浸溃液的贮存槽的方向移动所述喷出头，来将所述喷出头的所述喷出面浸溃在所述浸溃液中， 工序c )，通过从所述贮存槽排出所述浸溃液，或者通过向相对远离所述贮存槽的方向移动所述喷出头，来使所述喷出面与所述浸溃液分离， 工序d)，去除残留在所述喷出面上的浸溃液， 工序e)，朝向所述 罩部的内侧移动所述喷出头。
【文档编号】H01L21/67GK104051301SQ201410091539
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年3月13日 优先权日:2013年3月15日
【发明者】宗德皓太, 屋敷启之, 佐藤雅伸 申请人:大日本网屏制造株式会社