技术总结
本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。
技术研发人员：蒋玉龙;彭雾;王琳琳
受保护的技术使用者：复旦大学
文档号码：201410093312
技术研发日：2014.03.14
技术公布日：2017.01.04