像素结构的制作方法
【专利摘要】一种像素结构，包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层及第一电极层。第一导电层包括扫描线及下电极。半导体层包括具有第一通道层、第一源极区及第一漏极区的第一半导体图案。绝缘层位于半导体层上。第二导电层位于绝缘层上且包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。下电极与上电极重迭以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半导体层及第二导电层，保护层具有第一开口、第二开口及第三开口。第一开口暴露出第一源极及半导体层的第一源极区，第二开口暴露出第一漏极及半导体层的第一漏极区，且第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上且填入第一开口、第二开口及第三开口中。
【专利说明】像素结构
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种黄光工艺对位精准且提高像 素电容稳定度的像素结构。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode, 0LED)面板是一种自发光的显 示装置，其因具有广视角、省电、简易工艺、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化 等优点，而可望成为下一代平面显示器的主流。一般来说，有机发光二极管面板包括多个像 素结构（pixel structure),且各像素结构包括多个主动元件（例如：薄膜晶体管）或被动 元件（例如：电阻、电容）、与主动元件电性连接的阴极或阳极以及位于阴极与阳极之间的 有机发光层。
[0003] 像素结构的主动元件可利用氧化铟镓锌（Indium gallium zinc oxide, IGZ0)技 术制造。IGZO是一种含有铟、镓和锌的金属氧化物，其载子迁移率（mobility)是非晶硅 (a-Si)的10倍以上。因此可以大大提高主动元件对像素电极的充放电速率，实现更快的扫 描频率（frame rate),使动画的播放更加流畅。目前顶栅极（Top Gate)式的像素结构，第 一道工艺为半透明的半导体层（如IGZ0)。但半透明的半导体层存在使后续的黄光工艺不 易精准对位的问题。
【发明内容】
[0004] 本发明提供一种像素结构，可使黄光工艺对位更精准且同时提升像素电容的稳定 度。
[0005] 本发明的像素结构包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层以及 第一电极层。第一导电层包括扫描线以及下电极。半导体层包括第一半导体图案，且第一 半导体图案具有第一通道层、第一源极区以及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第二 导电层位于绝缘层上，第二导电层包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极以及与第一 源极连接的数据线。其中，下电极与上电极重迭以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半 导体层以及第二导电层，其中保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口。第一开口暴露 出第一源极以及半导体层的第一源极区，第二开口暴露出第一漏极以及半导体层的第一漏 极区，且第三开口暴露出第一栅极以及扫描线。第一电极层位于保护层上，其中第一电极层 更填入第一开口、第二开口以及第三开口中，以使得第一源极与第一源极区电性连接，使得 第一漏极与第一漏极区电性连接，且使得第一栅极与扫描线电性连接。
[0006] 其中，该第一电极层与该扫描线以及该数据线重迭。
[0007] 其中：该第一导电层更包括一第一信号线；该半导体层更包括一第二半导体图 案，该第二半导体图案具有一第二通道层、一第二源极区以及一第二漏极区；该第二导电层 更包括一第二栅极以及一第二信号线；该保护层更包括一第四开口以及一第五开口，该第 四开口暴露出该第二源极区以及该第一信号线，该第五开口暴露出该第二漏极区以及该下 电极；以及该第一电极层更包括一第二源极且该第二源极更填入该第四开口与该第二源极 区电性连接，该第一电极层更包括一第二漏极且该第二漏极更填入该第五开口以与该第二 漏极区电性连接。
[0008] 其中，更包括：一发光层，位于该第一电极层上；以及一第二电极层，位于该发光 层上，其中该第二电极层与该第二信号线电性连接。
[0009] 其中，该第一电极层包括：
[0010] 一第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电性连接该第一源极以及 该第一源极区；
[0011] 一第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电性连接该第一漏极以及 该第一漏极区；以及
[0012] 一第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电性连接该第一栅极与该 扫描线。
[0013] 其中，该半导体层包括金属氧化物半导体材料。
[0014] 其中，更包括一氧化铝层，位于该第二导电层的表面上。
[0015] 本发明的像素结构包括扫描线、数据线、第一主动元件、电容器、保护层、第一连接 结构、第二连接结构以及第三连接结构。第一主动元件与扫描线以及数据线电性连接，其中 第一主动元件包括第一半导体图案、绝缘层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一半导 体图案具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区。绝缘层位于第一半导体图案上。第 一栅极、第一源极以及第一漏极位于绝缘层上。电容器与第一主动元件电性连接，电容器包 括下电极以及上电极，且下电极与扫描线为同一膜层，上电极与第一栅极为同一膜层。保护 层具有第一开口、第二开口以及第三开口。第一连接结构位于保护层上且透过第一开口以 电性连接第一源极以及第一源极区。第二连接结构位于保护层上且透过第二开口以电性连 接第一漏极以及第一漏极区。第三连接结构位于保护层上且透过第三开口以电性连接第一 栅极与扫描线。
[0016] 其中，该第一电极与该扫描线以及该数据线重迭。
[0017] 其中，更包括一第二主动元件，该第二主动元件包括：
[0018] 一第二半导体图案，具有一第二通道区、一第二源极区以及一第二漏极区，且该绝 缘层覆盖该第二半导体图案；
[0019] 一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，位于该绝缘层上；
[0020] 一第一信号线位于该绝缘层下；
[0021] 一第二信号线位于该绝缘层上；
[0022] 该保护层覆盖该第一信号线以及该第二信号线且更包括一第四开口以及一第五 开口，其中该第二源极通过该第四开口以电性连接该第二源极区以及该第一信号线，该第 二漏极通过该第五开口以电性连接该该第二漏极区以及该下电极。
[0023] 其中，更包括：一第一电极，位于该保护层上，并且与该第二漏极连接；一发光层， 位于该第一电极上；以及一第二电极，位于该发光层上。
[0024] 其中，该半导体层包括金属氧化物半导体材料。
[0025] 其中，更包括一氧化铝层，位于该第一栅极、该第一源极、该第一漏极以及该上电 极的表面上。
[0026] 基于上述，本发明的像素结构的第一膜层为第一导电层（例如是金属层）。金属层 较半导体层的反射率高，因此可提升后续黄光工艺对位的精准度。另外，所述像素结构是使 用第一导电层以及第二导电层作为像素电容的电极，以形成金属-绝缘层-金属的电容器， 此种电容器结构相较于传统半导体-绝缘层-金属的电容结构更加稳定。
[0027] 以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【专利附图】
【附图说明】
[0028] 图1A至图1E是本发明一实施例的像素结构的分层上视示意图。
[0029] 图2A至图2E是本发明一实施例的像素结构的剖面图。
[0030] 图2F是本发明一实施例的有机发光二极管显示面板的像素结构的剖面图。
[0031] 图3是本发明一实施例的有机发光二极管显示面板的像素结构的等效电路图。
[0032] 100 :像素结构
[0033] 102 :基板
[0034] 110:第一导电层
[0035] 112:下电极
[0036] 120 :半导体层
[0037] 122 :第一半导体图案
[0038] 122s :第一源极区
[0039] 122c :第一通道区
[0040] 122d :第一漏极区
[0041] 124:第二半导体图案
[0042] 124s :第二源极区
[0043] 124c :第二通道区
[0044] 124d :第二源极区
[0045] 130 :绝缘层
[0046] 132 :第一绝缘层
[0047] 140:第二导电层
[0048] 142:上电极
[0049] 150 :保护层
[0050] 160:第一电极层
[0051] 170 :第二绝缘层
[0052] 172 :发光层
[0053] 174:第二电极层
[0054] 190 :氧化铝层
[0055] C :电容器
[0056] CT:上电极
[0057] CB:下电极
[0058] C1 :第一连接结构
[0059] C2 :第二连接结构
[0060] C3 :第三连接结构
[0061] D1 :第一漏极
[0062] D2 :第二漏极
[0063] DL :数据线
[0064] G1 :第一栅极
[0065] G2 :第二栅极
[0066] L1 :第一信号线
[0067] L2 :第二信号线
[0068] 0A:第一电极
[0069] 0C:第二电极
[0070] 0LED :有机发光二极管
[0071] S1 :第一源极
[0072] S2 :第二源极
[0073] SL :扫描线
[0074] T1 :第一主动元件
[0075] T2 :第二主动元件
[0076] VI:第一开口
[0077] V2:第二开口
[0078] V3:第三开口
[0079] V4:第四开口
[0080] V5:第五开口
【具体实施方式】
[0081] 图1A至图1E是本发明一实施例的像素结构的分层上视示意图。图2A至图2E是 本发明一实施例的像素结构的剖面图。图2A至图2E的剖面位置分为对应至图1A至图1E 的剖面线Ι1-ΙΓ、剖面线12-12'、剖面线13-13'以及剖面线14-14'的位置。以下将依序 说明本发明的像素结构的工艺流程。
[0082] 请同时参照图1A以及图2A，提供一基板102。基板102的材质可为玻璃、石英、有 机聚合物、或是不透光/反射材料（例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材 料）、或是其它可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板102上覆盖一层绝缘层 (未绘示），以避免短路问题。
[0083] 接着，在基板102的上表面上形成第一导电层110。第一导电层110的材质 包括金属。第一导电层110的形成方法例如是透过化学气相沉积（Chemical Vapor D印osition，CVD)先形成导电材料层（未绘示出），之后再通过黄光与蚀刻以定义出图案而 形成第一导电层110。第一导电层110包括扫描线SL、第一信号线L1以及下电极112。之 后，在第一导电层110上形成第一绝缘层132,如图2A所不。由于第一膜层为金属层，以第 一膜层形成的黄光对位记号具有高反射率，便于之后黄光工艺对位。相较于传统顶栅极式 的像素结构的第一膜层为半透明的半导体层，本发明的像素结构可以提高后续黄光工艺对 位的精度。
[0084] 接着，在第一绝缘层132上形成半导体层120。半导体层120的形成方法例如是 先形成半导体材料（未绘示出），之后再加以图案化。更详细来说，如图1B所示，半导体 层120具有第一半导体图案122以及第二半导体图案124。第一半导体图案122与第二 半导体图案124分离。半导体层120例如是金属氧化物半导体材料，例如是氧化铟镓锌 (Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、氧化锋（ZnO)氧化锡（SnO)、氧化铟锋（Indium-Zinc Oxide, ΙΖ0)、氧化嫁锋（Gallium-Zinc Oxide, GZ0)、氧化锋锡（Zinc-Tin Oxide, ΖΤ0)或氧 化铟锡（Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)。
[0085] 之后，在半导体层120上形成绝缘层130,如图2B所示。绝缘层130的材料包含 无机材料（例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈 层）、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
[0086] 请同时参照图1C以及图2C，在绝缘层130上形成第二导电层140。第二导电层 140的材质包括金属。第二导电层140包括第一栅极G1、第一源极S1、第一漏极D1、数据线 DL、上电极142、第二信号线L2、第二栅极G2。第一源极S1与数据线DL连接。第一漏极D1 与上电极142连接，且上电极142与第二栅极G2连接。承上所述，由于第一栅极G1及第二 栅极G2位于半导体层120上，此种主动元件型式又称为顶栅极型主动元件。此外，第二导 电层140的上电极142与第一导电层110的下电极112重迭，以构成一电容器C。相较于传 统半导体-绝缘层-金属的像素电容结构，本发明的像素电容结构为金属-绝缘层-金属。 由于不需施加一高电压于像素电容的半导体层上，因此可提高像素电容的稳定性。第二导 电层140的形成方法例如是在绝缘层130上形成导电材料层（未绘示出），之后同时对导电 材料层、绝缘层130以及第一绝缘层132进行图案化。
[0087] 根据一实施例，在形成第二导电层140之后，更包括于图案化的绝缘层130以及第 二导电层140上形成一层铝层（未绘示出）。接着通入氧气中以进行高温退火使得铝层氧 化，形成氧化铝（A1203)层190。在上述高温退火过程之中，于铝层和半导体层120接触的 区域处，铝原子会与半导体层120反应以使得该处的导电度提高，以形成第一源极区122s、 第一漏极区122d、第二源极区124s以及第二漏极区124d。因此，使得第一半导体图案122 具有第一通道区122c、第一源极区122s以及第一漏极区122d。第二半导体图案124具有第 二通道区124c、第二源极区124s以及第二漏极区124d。另外，上述铝层未与半导体层120 接触的区域处所形成的氧化铝层190可作为绝缘层。
[0088] 请参考图1D以及图2D，于第二导电层140以及氧化铝层190上形成保护层150。 保护层150会覆盖第一导电层110、第二导电层140以及半导体层120。保护层150具有第 一开口 VI、第二开口 V2、第三开口 V3、第四开口 V4以及第五开口 V5。第一开口 VI暴露出 第一源极S1以及第一半导体图案122的第一源极区122s。第二开口 V2暴露出第一漏极 D1以及第一半导体图案122的第一漏极区122d。第三开口 V3暴露出第一栅极G1以及扫 描线SL。第四开口 V4暴露出第二源极区124s以及第一信号线L1。第五开口 V5暴露出第 二半导体图案124的第二漏极区124d以及下电极112。形成保护层150的方法包括先形成 一保护材料层（未绘示出）再加以图案化。值得一提的是，在图案化保护材料层时更一并 移除下方的氧化铝层190,以使得半导体层120、第一导电层110以及第二导电层140可以 暴露出来。也就是说，保护层150与氧化铝层190是使用同一道光掩膜工艺。因为保护层 150以及氧化铝层190同时定义，可节省一道光掩膜工艺。据此，可提高产线的生产量。
[0089] 请参考图1E以及图2E。于保护层150上形成第一电极层160,第一电极层160填 入第一开口 VI、第二开口 V2、第三开口 V3、第四开口 V4以及第五开口 V5中。第一电极层 160的形成方法例如是先形成一层电极材料层（未绘示出），并对此电极材料层图案化以定 义出第一、第二及第三连接结构(：1、02工3、第二源极52、第二漏极02以及第一电极(^。更 详细而言，第一电极层160的第一连接结构C1填入第一开口 VI以使得第一源极S1与第一 源极区122s电性连接。第一电极层160的第二连接结构C2填入第二开口 V2以使得第一 漏极D1与第一漏极区122d电性连接。第一电极层160的第三连接结构C3填入第三开口 V3的以使得第一栅极G1与扫描线SL电性连接。第一电极层160的第二源极S2填入第四 开口 V4以与第一信号线L1电性连接。第一电极层160的第二漏极D2填入第五开口 V5与 第二漏极区124d与下电极112电性连接。第二漏极D2与第一电极0A连接在一起，因此第 一电极0A通过第二漏极D2与第二漏极区124d以及下电极112电性连接。
[0090] 承上所述，在上述的像素结构中，第一电极层160的第一电极0A与扫描线SL以及 数据线DL重迭，因此第一电极0A的面积可以提高，以增加像素结构的发光区面积。
[0091] 若上述的像素结构是应用在有机发光二极管显示面板，那么在图2E的步骤之后， 更包括进行图2F的步骤。亦即，于第一电极层160上形成第二绝缘层170,第二绝缘层170 具有第六开口 V6以暴露出第一电极0A。接着在第六开口 V6形成发光层172,其中发光层 172可为红色有机发光图案、绿色有机发光图案、蓝色有机发光图案或是混合各频谱的光产 生的不同颜色（例如白、橘、紫、…等）发光图案。接着在发光层172上覆盖第二电极层 174,其中第二电极层174具有第二电极0C，且第二电极0C电性连接至第二信号线L2。在 此，第一电极0A、发光层172以及第二电极0C构成有机发光二极管0LED。
[0092] 上述的有机发光二极管显示面板的像素结构的等效电路图如图3所示，像素结构 100包括第一主动元件T1、第二主动元件T2以及电容器C，以2T1C的像素结构为例子作为 说明。像素结构100包括扫描线SL、数据线DL、第一主动元件T1、第二主动元件T2、电容 器C、有机发光二极管0LED、第一信号线L1以及第二信号线L2。第一主动兀件T1与T2例 如是顶栅极型薄膜晶体管。第一主动元件T1包括第一栅极G1、第一源极S1以及第一漏极 D1。第二主动元件T2包括第二栅极G2、第二源极S2以及第二漏极D2。第一栅极G1耦接 到扫描线SL。第一源极S1耦接到数据线DL。第一漏极D1耦接到第二栅极G2且耦接到电 容器C的上电极CT。第二源极S2耦接到第一信号线L1。第二漏极D2耦接到有机发光二 极管0LED的阳极且耦接到电容器C的下电极CB。有机发光二极管0LED的阴极耦接到第二 信号线L2。
[0093] 承上所述，由于第一电极层160的第一电极0A可与扫描线SL以及数据线DL重迭， 以增大像素结构的发光区面积。一般来说，像素结构的发光区与整个像素的面积比例称为 开口率。因此，本实施例的第一电极层160与扫描线SL、数据线DL重迭，可提升开口率。
[0094] 综上所述，本发明的像素结构的第一膜层为第一导电层（金属层）。金属层较半 导体层的反射率高，因此可提升后续黄光工艺对位的精准度。另外，使用第一导电层以及第 二导电层作为像素电容的电极。传统半导体-绝缘层-金属的像素电容结构需要施加一高 电压以提升半导体层的导电性。长时间施加高电压容易使像素电容的特性漂移，影响面板 上的像素整体的显示均匀度。本发明的金属-绝缘层-金属的像素电容结构比起传统半导 体-绝缘层-金属的像素电容结构更加稳定。此外，本发明的像素结构的保护层150的第 一开口 VI以及第二开口 V2暴露出第二导电层140以及半导体层120。保护层150的第三 开口 V3暴露出第一导电层110以及第二导电层140。保护层150的第四开口 V4暴露出半 导体层120以及第一导电层110。保护层150的第五开口 V5暴露出半导体层120以及第 一导电层110。接着，利用第一电极层160桥接于半导体层120与第一导电层110之间、桥 接于第一导电层110与第二导电层140之间以及桥接于半导体层120与第二导电层140之 间。因此，本发明的像素结构的设计方式可以节省光掩膜数。另外，因第一电极层160与扫 描线SL以及数据线DL可以重迭设置，因此有利于像素结构的高开口率设计。基于上述，本 发明的像素结构可以提升黄光对位精度、提升像素电容稳定度，并可以维持高开口率且工 艺可以减少一道光掩膜，提高生产量。
[0095]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟 悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1. 一种像素结构，其特征在于，包括： 一第一导电层，包括一扫描线以及一下电极； 一半导体层，包括一第一半导体图案，且该第一半导体图案具有一第一通道层、一第一 源极区以及一第一漏极区； 一第一绝缘层，位于该第一导电层以及该半导体层之间； 一第二绝缘层，位于该半导体层上； 一第二导电层，位于该第二绝缘层上，该第二导电层包括一上电极、一第一栅极、一第 一源极、一第一漏极以及与该第一源极连接的一数据线，其中该下电极与该上电极重迭以 形成一电容器； 一保护层，覆盖该第一导电层、该半导体层以及该第二导电层，其中该保护层具有一第 一开口、一第二开口以及一第三开口，该第一开口暴露出该第一源极以及该半导体层的该 第一源极区，该第二开口暴露出该第一漏极以及该半导体层的该第一漏极区，且该第三开 口暴露出该第一栅极以及该扫描线；以及 一第一电极层，位于该保护层上，其中该第一电极层更填入该第一开口、该第二开口以 及该第三开口中，以使得该第一源极与该第一源极区电性连接，使得该第一漏极与该第一 漏极区电性连接，且使得该第一栅极与该扫描线电性连接。
2. 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极层与该扫描线以及该数 据线重迭。
3. 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于， 该第一导电层更包括一第一信号线； 该半导体层更包括一第二半导体图案，该第二半导体图案具有一第二通道层、一第二 源极区以及一第二漏极区； 该第二导电层更包括一第二栅极以及一第二信号线； 该保护层更包括一第四开口以及一第五开口，该第四开口暴露出该第二源极区以及该 第一信号线，该第五开口暴露出该第二漏极区以及该下电极；以及 该第一电极层更包括一第二源极且该第二源极更填入该第四开口与该第二源极区电 性连接，该第一电极层更包括一第二漏极且该第二漏极更填入该第五开口以与该第二漏极 区电性连接。
4. 根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，更包括： 一发光层，位于该第一电极层上；以及 一第二电极层，位于该发光层上，其中该第二电极层与该第二信号线电性连接。
5. 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极层包括： 一第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电性连接该第一源极以及该第 一源极区； 一第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电性连接该第一漏极以及该第 一漏极区；以及 一第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电性连接该第一栅极与该扫描 线。
6. 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体层包括金属氧化物半导体 材料。
7. 根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括一氧化铝层，位于该第二导电 层的表面上。
8. -种像素结构，其特征在于，包括： 一扫描线以及一数据线； 一第一主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接，其中该第一主动元件包括： 一第一半导体图案，具有一第一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区； 一绝缘层，位于该第一半导体图案上； 一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，位于该绝缘层上； 一电容器，与该第一主动兀件电性连接，该电容器包括一下电极以及一上电极，且该下 电极与该扫描线为同一膜层，该上电极与该第一栅极为同一膜层； 一保护层，该保护层具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口； 一第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电性连接该第一源极以及该第 一源极区； 一第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电性连接该第一漏极以及该第 一漏极区；以及 一第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电性连接该第一栅极与该扫描 线。
9. 根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第一电极与该扫描线以及该数据 线重迭。
10. 根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，更包括： 一第二主动元件，包括： 一第二半导体图案，具有一第二通道区、一第二源极区以及一第二漏极区，且该绝缘层 覆盖该第二半导体图案； 一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，位于该绝缘层上； 一第一信号线位于该绝缘层下； 一第二信号线位于该绝缘层上； 该保护层覆盖该第一信号线以及该第二信号线且更包括一第四开口以及一第五开口， 其中该第二源极通过该第四开口以电性连接该第二源极区以及该第一信号线，该第二漏极 通过该第五开口以电性连接该该第二漏极区以及该下电极。
11. 根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，更包括： 一第一电极，位于该保护层上，并且与该第二漏极连接； 一发光层，位于该第一电极上；以及 一第二电极，位于该发光层上。
12. 根据权利要求9所述的像素结构，其特征在于，该半导体层包括金属氧化物半导体 材料。
13. 根据权利要求8所述的像素结构，更包括一氧化铝层，位于该第一栅极、该第一源 极、该第一漏极以及该上电极的表面上。
【文档编号】H01L51/50GK104064679SQ201410316916
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年7月4日 优先权日:2014年5月22日
【发明者】林奕呈, 陈钰琪 申请人:友达光电股份有限公司