设计和制造光学微影掩膜的方法及系统的制作方法
【专利摘要】本发明涉及设计和制造光学微影掩膜的方法及系统，提供一种设计光学光罩的方法，该方法包括：设置目标图案；以光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案；调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型；以及校正第一校正图案。该目标图案指示在半导体衬底上的光阻层中的预图案化开口的目标形状。校正该目标图案包括使用光学邻近校正(OPC)模型以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案及/或该预图案化开口的模拟轮廓的光学邻近校正输出信息。调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型包括以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整。校正该第一校正图案包括回应以该光学邻近校正为基础的调整而使用该光学邻近校正模型来产生第二校正图案。
【专利说明】设计和制造光学微影掩膜的方法及系统
【技术领域】
[0001]本发明的实施例一般是关于用于设计和制造集成电路的方法及系统。具体而言，本发明的实施例是关于用于在光学微影掩膜的设计和制造中的光学邻近校正(OPC)的方法及系统。
【背景技术】
[0002]一般而言，集成电路及其它半导体装置使用于各种电子应用中，如计算机、手机、个人计算装置及许多其他应用。过去只包括机械组件的家庭、工业及汽车装置在目前具有需要半导体装置的电子零件。
[0003]半导体装置的制造通过沉积许多不同类型的材料层于半导体工件或晶圆上方并使用微影图案化各种材料层而达成。材料层通常包括受图案化及蚀刻以形成集成电路(IC)的导电、半导电及绝缘材料的薄膜。在单一晶粒或晶片上可形成有多个晶体管、内存装置、开关、导线、二极体、电容器、逻辑电路及其他电子组件。
[0004]微影涉及到掩膜的影像至晶粒或晶片(也称作晶圆)的材料层的影像传输。影像形成在光阻层中，该光阻已显影，且该光阻于变更材料层的制程期间(如蚀刻及图案化材料层)使用作为掩膜。
[0005]当半导体装置的特征尺寸不断减小时，由于这是半导体工业的趋势，且起因于用以使光阻曝光的光或能量的影响，所以由微影掩膜传输图案至半导体装置的材料层变得更加困难。取决于特征对其它特征的邻近，称作“邻近效应”的现象导致图案线宽变化。虽然在微影掩膜上包含相同尺度，但紧密间隔的特征倾向于小于宽大间隔的特征。在许多的半导体装置的设计中，重要的是让特征在整个晶圆表面上具有可预测及均匀性的尺寸，以达到所需的装置性能。
[0006]为了补偿邻近效应，通常会对微影掩膜作出可能包含调整掩膜上的线宽或线长的光学邻近校正(OPC) O于典型的OPC运行脚本(run set)发展周期(development cycle)中，进行由光学规则检查(ORC)所接续的基于OPC的模型以找寻微影的缺陷。当使用微影掩膜暴露光阻时，ORC评估形成在光阻层中的开口的完全模拟轮廓。该运行脚本接着基于在ORC运行期间所找到的错误而修饰。接着使用此更新目标层进行基于OPC及ORC的模型，且重复该周期直到无ORC错误出现。
[0007]OPC运行脚本的发展周期是费时的，并因此昂贵。在半导体装置工业中，通常想要尽可能将一项产品快速导入市场。然而，针对在半导体装置设计所进行的OPC运行脚本发展计算而言可能花费数天甚至数周。
[0008]因此，期望提供进行用于使用于制造半导体装置的微影掩膜的OPC运行脚本发展周期的更快和更有效的方法和系统。此外，本发明的其他期望的特征及特性将由本发明随后的实施方式及所附权利要求书配合所附图式及本发明的先前技术而变得清楚明白。
【发明内容】
[0009]在此揭露用于设计光学光罩及制作光学微影掩膜的方法及计算机系统。在示例性实施例中，一种设计光学光罩的方法包括:设置在半导体衬底上的光阻层中指示预图案化开口的目标形状的目标图案；使用光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案，以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案及/或该预图案化开口的模拟轮廓的光学邻近校正输出信息；以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整来调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型；以及回应基于该光学邻近校正的调整而使用该光学邻近校正模型来校正该第一校正图案，以产生第二校正图案。
[0010]依照另一示例性实施例，一种制作光学微影掩膜的方法包括:设计光学光罩以及制造该光学光罩，其中，设计该光学光罩包含:设置目标图案；以光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案；调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型；以及校正第一校正图案。该目标图案指示在半导体衬底上的光阻层中的预图案化开口的目标形状。校正该目标图案包括使用光学邻近校正(OPC)模型以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案及/或该预图案化开口的模拟轮廓的光学邻近校正输出信息。调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型包括以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整。校正该第一校正图案包括回应以该光学邻近校正为基础的调整而使用该光学邻近校正模型来产生第二校正图案。制造该光学光罩包括根据该第二校正图案而制造该光学光罩。
[0011]依照另一示例性实施例，一种用于运作计算机系统的存储控制逻辑的非暂时性计算机可读取介质包括具有控制逻辑指令的控制逻辑。该控制逻辑指令组构成用于:设置在半导体衬底上的光阻层中指示预图案化开口的目标形状的目标图案；使用光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案，以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案、该预图案化开口的模拟轮廓或其组合的光学邻近校正输出信息；以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整来调整该目标图案、该光学邻近校正模型或其组合；以及回应基于该光学邻近校正的调整而使用该光学邻近校正模型来校正该第一校正图案，以产生第二校正图案。
[0012]本
【发明内容】
以简化形式来介绍一些概念，这些概念将在下文的【具体实施方式】中进一步描述。本
【发明内容】
并非意图识别本发明的关键特征或必要特征，也并非意图使用作为帮助判定本发明的保护范畴。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]以下将配合图式描述本发明的示例性实施例，其中相同的元件符号标示类似组件，且其中:
[0014]图1及图2为依据各种实施例的光学微影数据的简化图；
[0015]图3为依据各种实施例的用于制造半导体装置的方法的流程图；以及
[0016]图4为依据各种实施例的计算系统的方块图。
[0017]符号说明
[0018]30、30A 数据
[0019]32、32A 目标图案
[0020]34第一校正图案
[0021]34A第二校正图案
[0022]36、36A模拟轮廓
[0023]40、40A片段
[0024]41校正的片段
[0025]44软狭缩
[0026]46目标区域
[0027]100方法
[0028]110、114、116、118、120、124、128、129、130、134、138、140、144,148 运作
[0029]200计算机系统
[0030]201处理器
[0031]202汇流排
[0032]203作业系统
[0033]204应用程式
[0034]205唯读内存
[0035]206随机存取内存
[0036]207磁碟配接器
[0037]208磁碟单元
[0038]209通讯配接器
[0039]210使用者介面配接器
[0040]211显示器配接器
[0041]212键盘
[0042]213滑鼠
[0043]214扬声器
[0044]215显示器。
【具体实施方式】
[0045]下面的详细描述仅仅是说明性质，而非意图限制本发明的实施例或此实施例的应用及用途。此外，并无意图受到先前提到的发明【技术领域】、【背景技术】、
【发明内容】
或以下【具体实施方式】所提出的任何明示或暗示的理论所限制。
[0046]本揭露的实施例提供用于设计光学光罩的方法。光学光罩可用以在此现有【技术领域】的许多步骤中制造集成电路。电磁辐射直接通过光学光罩或从光学光罩反射而照射于已设置覆盖于半导体衬底上的光阻层上。本文所使用的术语“覆盖”，意思是“于某之上”，举例而言光阻层实体直接设置于半导体衬底上，或者于半导体衬底“上方”，举例而言另一材料层插置于光阻层与半导体衬底之间。当电磁辐射接触光阻层时，电磁辐射在光阻层中形成预图案化开口。预图案化开口允许覆盖于半导体衬底上的多数个材料的沉积及/或蚀刻，以于半导体衬底上形成一个或多个半导体晶体管结构。
[0047]虽然是在互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的背景中描述申请标的，然而申请标的不限于CMOS半导体装置，且可使用其它非CMOS的半导体装置的其它金属氧化物半导体(MOS)的半导体装置。另外，尽管术语“M0S装置”通常是指一种具有金属栅极电极及氧化栅极绝缘体的装置，但术语“MOS装置”将在全文中用以称呼所有包含有位于栅极绝缘体(无论是氧化物或其他绝缘体)上方的导电性栅极电极(无论是金属或其他导电材料)的半导体装置，而栅极绝缘体位于半导体衬底上方。
[0048]现在请参照图1，光学微影数据以简化的方块图的形式说明并以元件符号30指示。数据30包括在光阻层中的预图案化开口的目标图案32、第一校正图案34及模拟轮廓36。目标图案32为指示当光阻层已显影时的预图案化开口的目标形状的多数个多边形。预图案化开口通过使光阻层首先暴露于由光学光罩穿透通过或反射并照射到光阻层上的能量而形成。接着显影暴露的光阻层以移除一部分光阻层并产生预图案化开口。举例而言，预图案化开口可接着用以蚀刻晶圆中经由预图案化开口而暴露的部分。
[0049]在目标图案32中的多边形的边缘是分成其位置可通过光学邻近校正(OPC)模型而调整的节段或片段40。正如本【技术领域】目前所已知者，OPC模型应用于所欲的半导体设计以允许使用光学微影在硅晶圆上实现适当的图案。一般而言，OPC模型修饰目标图案中的形状以补偿由光学微影或其它晶圆制程所遭致的图案失真。OPC模型根据邻近特征与微影制程之间的已知互动而模拟预图案化开口的实际形状的轮廓。
[0050]每个片段40包含OPC模型迭代计算各片段40的位置的模拟点(simulat1nsite)。在迭代期间，OPC模型计算模拟轮廓36的点并根据目标图案32与模拟轮廓36之间的差异判断边缘置放误差(EPE)。OPC模型在迭代期间移动或校正各片段40的位置直到EPE最小化。片段40的校正位置通过在第一校正图案34上的各别校正的片段41而表现。
[0051]在所提供的范例中，模拟轮廓36指出有「软狭缩(soft pinch)」44的图案缺陷，其中在模拟轮廓36上的点指出其印出图案将具有低于设计标准的宽度。软狭缩44在模拟轮廓粗略(coarse)光学规则检查(ORC)运作期间所侦测到，并将参照图3而在下文描述。在一些实施例中，围绕软狭缩44的目标区域46是选为用于进一步ORC运作，并将参照图3而在下文描述。
[0052]现在参照图2，修饰的光微影数据以简化图的形式并元件符号30A指示而说明。数据30A类似于数据30，其中相同的元件符号用以指代类似元件。然而，数据30A包括已根据侦测到的软狭缩44所修饰的更新的目标图案32A。更新的目标图案32A包括相对片段40A，相对片段40A相较于目标图案32A的各自片段40而彼此扩大远离。当对于更新的目标图案32A进行OPC运作时，会产生第二校正图案34A及更新的模拟轮廓36A。在提供的范例中，OPC模型能够得出不包括软狭缩44的解决方案。
[0053]现在参照图3，是以流程图的形式说明制造半导体装置的方法100。在一些实施例中，图1及图2的数据30及30A在方法100的运作期间使用。目标图案在运作110中提供。举例而言，可提供目标图案32并使其对应于光阻层中的预图案化开口的目标形状及尺寸。在一些实施例中，目标图案32提供给将执行方法100的运作的计算机系统(即载入到计算机系统的内存内)。
[0054]目标图案使用运作114中的OPC模型而被校正。OPC模型通过移动片段位置以达到趋近目标图案的形状的模拟预图案化开口而校正所述片段的位置。OPC模型根据EPE信息而迭代计算多边形的边缘的适合位置。EPE信息根据目标图案与预图案化开口的模拟轮廓之间的差异而计算。OPC模型产生包括EPE信息、第一校正图案及预图案化开口的模拟轮廓的OPC输出信息。第一校正图案包括片段的校正位置，且模拟轮廓根据第一校正图案及/或EPE信息而计算。举例而言，OPC模型可根据第一校正图案34而计算模拟轮廓36。
[0055]于运作116，根据OPC输出信息的模拟轮廓及/或EPE信息而进行粗略的光学规则检查(ORC)。一般而言，ORC是一种后OPC模拟，其验证OPC信息并判断模拟轮廓是否指出违反设计标准的热点/微影缺点，如【技术领域】中已知者。设计标准可基于防止不欲产生的图案输出，如线末端拉回(line end pullback)、颈缩(necking)、栅极长度变化、图案保真度损失及狭缩等等。
[0056]运作116的ORC是一种粗略的0RC，因为进行粗略的ORC的数据点比用在一般、完全的ORC的数据点更为少量。举例而言，数据30的模拟轮廓36不包含如用在一般、完全的ORC中一样多的数据点。因此，粗略的ORC的模拟时间较完全ORC更快，并且粗略的ORC可在完全ORC之前或在完全ORC期间用以提供早期回馈给使用者或给计算机模拟。用于粗略的ORC的数据点可基于OPC输出信息的离散模拟轮廓位置或基于由离散模拟轮廓位置所产生的数学内插轮廓(mathematically interpolated contours)而选择。粗略的ORC侦测模拟轮廓中不符合设计标准的部分。举例而言，模拟轮廓36显示出可由运作116的粗略的ORC所侦测的软狭缩44。
[0057]警报是在回应在运作118时根据OPC输出信息所判断的设计标准违规而产生。警报包含不符合设计标准的警报位置。在一些实施例中，标签贴在对应于警报位置的掩膜片段。在一些实施例中，标签进一步或者替代地贴在对应于己标签的掩膜片段的目标图案上的节段(segment)。举例而言，软狭缩44的位置可被包含于警报中作为警报位置及对应片段40可能被标签。
[0058]在一些实施例中，警报于EPE信息指出EPE在运作118中的警报位置处高于阈值时产生。EPE可在OPC模型不能移动片段至造成模拟轮廓距离目标图案特定距离内的位置时高于阈值。举例而言，OPC模型可包含指出目标图案32与模拟轮廓36之间的特定距离的设计标准，超过特定距离则产生警报。
[0059]在一些实施例中，警报在粗略的ORC侦测到模拟轮廓不在特定设计限制内时产生。例如，警报可回应根据模拟轮廓36而侦测软狭缩44的粗略的ORC而产生。在一些实施例中，警报停止模拟直到使用者检视警报。在一些实施例中，警报触发额外模拟运作，如下所述者。
[0060]在运作120中，方法100判断警报是否是在运作118中产生。当产生警报时，于运作124中的围绕警报位置的目标区域中进行目标0RC。使用于目标ORC中的数据点的密度类似于一般、完全的0RC，但目标ORC仅在围绕警报位置的目标区域进行。由于片段已由OPC校正，所以ORC不须迭代计算片段的移动，且可选择更多点并同时保持目标模拟时间。另外，由于仅选择一目标区域，所以相对于完全ORC可减少计算时间并可提供早期回馈给使用者或目标图案、第一校正图案或OPC模型中关于错误的模拟软体。
[0061]可选择警报位置周围的目标区域以提供可增加有效调整可消除警报的第一校正图案的机会的进一步数据。可根据计算能力、ORC的所欲运行时间、是否有邻近特征、特征类型或用于选择目标区域的任何其它合适的标准而选择目标区域的尺寸。
[0062]在一范例中，可基于超过阈值的EPE信息的值而选择目标区域。在另一个范例中，可基于粗略的ORC而选择目标区域46，粗略的ORC基于OPC的输出信息。在一些实施例中，目标区域可包括包含有警报位置的片段以及邻近该具有警报位置的片段的二个片段。模拟轮廓于沿着这三个片段在额外数据点进行计算，以产生额外信息及设计标准违规。应理解的是，任何合适的ORC模型或计算方法可用于目标区域处的模拟。
[0063]目标图案及/或OPC模型回应警报并根据OPC输出信息而于运作128中调整。举例而言，可偏置调整(bias adjusted)目标图案32的片段40而成为修饰的目标图案32A的调整片段40A。在一些实施例中，运作128的调整包括改变OPC模型参数，如回馈因子、掩膜误差因子等。通过把调整建立在OPC输出信息的基础上，可在ORC完全运行前作出运作128的调整。如上所述，整个图案的ORC是密集计算的，因而需要大量的计算时间。因此，基于OPC输出信息的调整允许具有较少完全ORC循环的错误校正。
[0064]在一些实施例中，由OPC模型使用的放宽的标准是产生于运作129中。放宽的标准是基于运作128的调整。举例而言，当工程师或使用者注意到已于运作128中作出多次类似更新时，OPC模型的工程师或使用者可创造由OPC模型使用的放宽的标准。因此，放宽的标准可允许OPC模型在OPC模型不能够符合设计标准时进行回应警报的调整。OPC模型可使用放宽的标准以不同于运作114期间的移动的方法来移动片段。
[0065]OPC模型是使用于运作130中以在警报位置处进行目标0PC，以回应运作128的调整。目标OPC重新计算在警报位置处的OPC输出信息，以产生第二校正图案。在一些实施例中，第二校正图案与第一校正图案中未与警报位置对应的部分的第一校正图案相同。举例而言，第二图案34A可在除了片段40A以外的位置中实质类似于第一校正图案34。通过限制运作130于警报位置，目标OPC可较于运作114中进行的完全目标图案的原始OPC更快地完成。
[0066]在运作134时，是对第二校正图案进行完全0RC。由于完全ORC包含较用在粗略ORC及目标ORC 二者中更多的数据点，所以完全ORC是“完全的”。完全ORC如本领域中已知地对于整个图案的大量数据点进行模拟。如上文所述，ORC侦测设计标准的违规。使用大量数据点导致可能为整天或更多的计算时间。通过在运作118中提供违规的早期回馈，可在0PC/0RC循环中早一点校正违规。因此，运作134的完全ORC更可能免于设计标准的违规。从而，运作110、114、118、120、124、128、129、130及134描述一种用于在光阻层中形成预图案化开口的设计光学光罩的有效方法。
[0067]当在运作134的ORC期间侦测到设计标准的违规时，可在运作140中作出对目标图案、OPC模型或其组合的调整。正如上文所讨论者，通过根据OPC输出而在运作128中作出调整，可减少在运作138中侦测到的违规。因此，可减少0PC/0RC循环的数目，并且可在更短时间内设计光学微影掩膜。
[0068]包括第二校正图案的光学微影掩膜是于运作144中制作。光学微影掩膜是用于在运作148中制造半导体装置。光学微影掩膜的制作及半导体装置的制造可通过现有技术实现。
[0069]有利的是，本发明的实施例可在一个或多个计算机系统中实施。举例而言，方法100的OPC模型计算可使用一个或多个计算机系统进行。图4依照某些范例安排的计算系统(computing system) 200的方块图的示例性说明。计算机系统(computer system) 200也代表用于本发明的硬体环境。举例而言，计算机系统200可具有通过系统汇流排202而与各种其它元件耦接的处理器201。
[0070]进一步参照图4，作业系统203可运行于处理器201并提供控制及协调各种元件的功能。依据本发明的范例的原理的应用程式204可结合作业系统203而执行，并提供呼叫及/或指示给作业系统203，其中该呼叫及/或指示实行将由应用程式204进行的各种功能或服务。
[0071]唯读内存(“ROM”) 205可耦接到系统汇流排202，并可包括可控制计算机装置200的某些基本功能的基本输入输出系统(“B1S”)。随机存取内存(“RAM”)206及磁碟配接器207也可耦接系统汇流排202。这样的内存元件可用于存储，举例而言，OPC模型参数或应用程式204软体的代码。应当注意的是，包括作业系统203及应用程式204的软体元件可载入到RAM 206, RAM 206可为计算系统用于执行的主内存。磁碟配接器207可设置成可以是整合式电子驱动介面(“IDE”)或者是并列式先进附加(“PATA”)配接器、序列式先进附加(“SATA”)配接器、小型计算机系统介面(“SATA”)配接器、通用串列汇流排(“USB”)配接器、IEEE 1394配接器或可与磁碟单元208 (即磁碟驱动器)通讯的任何其他适当的配接器。
[0072]计算机系统200可更包括与汇流排202耦接的通讯配接器209。通讯配接器209可以外部网路(未图示)而与汇流排202互连，从而帮助计算机系统200与其它类似及/或不同装置通讯。
[0073]输入/输出(“I/O”)装置也可通过使用者介面配接器210及显示器配接器211连接至计算机系统200。举例而言，键盘212、滑鼠213及扬声器214可通过使用者介面配接器210而与汇流排202互连。数据可通过任何这些范例装置来提供给计算机系统200。显示器215可通过显示器配接器211连接至系统汇流排202。以这种范例方式，使用者可通过键盘212及/或滑鼠213提供数据或其他信息给计算机系统200，并经过显示器215及/或扬声器214而从计算机系统200得到输出。
[0074]图3中说明的运作可通过存储于非暂时性计算机可读取存储介质中且通过计算机系统200的至少一个处理器执行的指令来予以控制。各个示于图3中的运作可对应于存储于非暂时性计算机内存或计算机可读取存储介质中的指令。在各种实施例中，非暂时性计算机可读取存储介质包含磁碟或光碟存储装置、如快闪内存的固态存储装置或其它非挥发性内存装置。存储于非暂时性计算机可读取存储介质上的计算机可读取指令可为来源码、组合语言码、目的码、或者通过一个或多个处理器所转译及/或执行的其它指令格式。
[0075]本文所揭露的方法和系统展示多种有益的特性。举例而言，揭露包含可减少在完全后OPC光学规则检查期间所找到的热点/微影缺陷(设计标准违规)的一种光学邻近校正的方法。该方法并入包含基于目标层改变的同步模型及基于光学邻近校正步骤的模型的混合型OPC流程。该方法更利用在一定数量的OPC迭代后得到的模拟的预图案化开口轮廓形状。
[0076]虽然已在上述实施方式中提出至少一个示例性实施例，但应可以理解到存在有大量的变化。也应理解到，示例性实施例仅作为范例，其并非意图在任何方式上作为本发明的范畴、应用性或组构的限制。相反地，前述的实施方式将提供那些本领域的技术人员用于实行本发明的示例性实施例的方便蓝图。应了解的是，可在不悖离如权利要求书及其法律等效物所阐述的本发明的范畴的情况下，对于元件的功能或配置作出各种变化。
【权利要求】
1.一种设计光学光罩的方法，该方法包括: 设置在半导体衬底上的光阻层中指示预图案化开口的目标形状的目标图案； 使用光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案，以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案、该预图案化开口的模拟轮廓或其组合的光学邻近校正输出信息； 以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整而调整该目标图案、该光学邻近校正模型或其组合；以及 回应基于该光学邻近校正的调整而使用该光学邻近校正模型校正该第一校正图案，以产生第二校正图案。
2.根据权利要求1所述的方法，更包括回应该光学邻近校正输出信息而产生警报，该光学邻近校正输出信息指示于警报位置处的设计标准违规。
3.根据权利要求2所述的方法，更包括根据该光学邻近校正输出信息而进行粗略光学规则检查(ORC)。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，产生该警报更包含回应该边缘位置误差信息而产生该警报，该边缘位置误差信息指示于该警报位置处高于阈值的边缘位置误差。
5.根据权利要求2所述的方法，更包括回应该警报而于围绕该警报位置的目标区域中进行目标光学规则检查。
6.根据权利要求2所述的方法，更包括回应该警报而产生由该光学邻近校正模型使用的放宽标准。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，校正该第一校正图案更包含根据以该光学邻近校正为基础的调整而于该警报位置处进行目标光学邻近校正。
8.根据权利要求7所述的方法，更包括对该第二校正图案进行完全光学规则检查。
9.一种制作光学微影掩膜的方法，该方法包括: 设计光学光罩，其中，设计包含: 设置在半导体衬底上的光阻层中指示预图案化开口的目标形状的目标图案； 使用光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案，以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案、该预图案化开口的模拟轮廓或其组合的光学邻近校正输出信息； 以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整而调整该目标图案、该光学邻近校正模型或其组合；以及 回应基于该光学邻近校正的调整而使用该光学邻近校正模型校正该第一校正图案，以产生第二校正图案；以及 根据该第二校正图案而制作该光学光罩。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，设计该光学光罩更包括回应该光学邻近校正输出信息而产生警报，该光学邻近校正输出信息指示于警报位置处并基于粗略光学规则检查(ORC)的设计标准违规、该边缘位置误差信息超过阈值或其组合。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，设计该光学光罩更包括回应该警报而于围绕该警报位置的目标区域中进行目标光学规则检查。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，校正该第一校正图案更包含在基于该光学邻近校正的调整的基础上于该警报位置处进行目标光学邻近校正。
13.一种用于运作计算机系统的存储控制逻辑的非暂时性计算机可读取介质，该控制逻辑包括控制逻辑指令，用于: 设置在半导体衬底上的光阻层中指示预图案化开口的目标形状的目标图案； 使用光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案，以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案、该预图案化开口的模拟轮廓或其组合的光学邻近校正输出信息； 以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整而调整该目标图案、该光学邻近校正模型或其组合；以及 回应基于该光学邻近校正的调整而使用该光学邻近校正模型校正该第一校正图案，以产生第二校正图案。
14.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，该控制逻辑更组构成用于回应该光学邻近校正输出信息而产生警报，该光学邻近校正输出信息指示于警报位置处的设计标准违规。
15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，该控制逻辑更组构成用于根据该光学邻近校正输出信息而进行粗略光学规则检查(ORC)。
16.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，产生该警报更包含回应该边缘位置误差信息而产生该警报，该边缘位置误差信息指示于该警报位置处高于阈值的边缘位置误差。
17.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，该控制逻辑更组构成用于输出与该警报相关联的数据以供使用者检视。
18.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，该控制逻辑更组构成用于回应该警报并在使用该光学邻近校正模型完成校正该目标图案之前，更新于该警报位置的该目标图案、该光学邻近校正模型的更新参数或其组合。
19.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，该控制逻辑更组构成用于在该完全光学规则检查之前，根据该更新目标图案、该光学邻近校正模型的更新参数或其组合而于该警报位置进行目标光学邻近校正。
20.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读取介质，其中，该控制逻辑更组构成用于根据回应该警报的放宽标准而更新该目标图案、该光学邻近校正模型的该参数或其组口 ο
【文档编号】H01L21/68GK104347361SQ201410369382
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年7月30日 优先权日:2013年7月30日
【发明者】P·维尔马, T·P·卢坎 申请人:格罗方德半导体公司