用于电子装置的盖、天线组件、电子装置及其制造方法

用于电子装置的盖、天线组件、电子装置及其制造方法
【专利摘要】本公开涉及用于电子装置的盖、天线组件、电子装置及其制造方法。一种用于电子装置的盖可包括：金属板，具有由金属形成的第一金属区域；通孔，形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化将从通孔到位于第一金属区域的一侧上的端部的金属去金属化来形成该电气开通路径。
【专利说明】用于电子装置的盖、天线组件、电子装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年8月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0096933号以及于2014年I月29日提交的第10-2014-0011684号的权益，通过引用将其全部内容结合于本文中。

【技术领域】
[0003]本公开涉及用于电子装置的盖、天线组件、电子装置及其制造方法。

【背景技术】
[0004]通常，天线可被归类为安装在电子装置外部的外置天线以及安装在电子装置内部的内置天线。人们对内置天线的兴趣逐渐增加，以在容易使用、设计等方面提供各种优势。
[0005]随着通信技术的进步，诸如蜂窝电话等便携式终端变成多功能的，以便提供语音呼叫、文字通信、电子支付等功能，并且安装在便携式终端内的天线还具有多样化。
[0006]此外，由于便携式终端在设计方面朝着高质量发展，故便携式终端的厚度已经日益减小，同时其屏幕的尺寸增大。因此，为了加强其强度，越来越多地采用金属作为用于形成电子装置的外壳的盖(或者箱体，在后文中总体上称为‘盖’)的材料。
[0007]然而，采用金属作为用于便携式终端的盖的材料，可不利地影响在便携式终端内的天线性能，并且可具有其中人体可容易感受到源自由金属构成的便携式终端的电磁的消极方面。
[0008]因此，在便携式终端的情况下，如果用于主要通信以及用于诸如GPS、BT/ff1-Fi等的通信方案的天线被设置在便携式终端的上侧和下侧并且其整个盖由金属构成，会使天线性能退化。为了克服该缺点，例如，在其中设置了天线的盖的区域可至少由除了金属以外的材料构成。
[0009]而且，在越来越多地用于便携式终端中的近场通信(NFC)天线的情况下，这种NFC天线可设置在额外区域中，除了如上所述其中设置用于主要通信以及用于诸如GPS、BT/W1-Fi等的通信方案的天线的区域以外。例如，NFC天线可直接连接至电池或者连接至电池盖。S卩，鉴于其他天线的设置区域，NFC天线可被设置在便携式终端的背面的中心或者该中心附近。然而，在这种情况下，在使用金属盖时，NFC天线的这种布置会使性能退化，因此，这是一个有待解决的问题。
[0010]如上所述，存在对形成采用金属的NFC天线的现有便携式终端的盖的限制，因此，在某些情况下，在其中布置用于主要通信以及用于诸如GPS、BT/ff1-Fi等的通信方案的天线的上侧和下侧由诸如塑料的非金属材料形成。
[0011]然而，使用不同的材料(例如，金属和非金属材料)形成便携式终端的单个盖，会在制造方面造成复杂的处理并且会在时间和成本方面具有缺点。
[0012]此外，在其中NFC天线被用在包括金属盖的便携式终端中的情况下，如果NFC天线图案线圈被设置在金属盖的内表面上，则根据楞次定律(Lenz’s law)，可生成排斥的磁场，造成在与在天线图案线圈中流动的电流的方向相反的方向上形成涡流，以便干扰天线图案线圈的电流流动。这使NFC天线的性能退化。
[0013]为了解决该问题，在现有便携式终端中，人们试图形成物理狭缝，使得在便携式终端的盖内形成的孔与由金属形成的盖的边缘的端部连通，以减少涡流的生成，从而增强天线性能。
[0014]然而，在金属盖中形成狭缝会损坏这种金属外壳的美观外形。因此，为了防止露出狭缝，需要连接一个额外的部件，并且需要喷涂其表面。即，必然需要进行额外的操作。
[0015]同时，由于如上所述的金属越来越多地被采用作为电子装置(例如，智能电话)的盖的材料，故需要考虑将金属盖用作天线的方案。
[0016]下面的专利文档I涉及天线装置和电子装置，公开了使用物理狭缝减少涡流。然而，该文档未公开将没有物理狭缝的金属盖用作天线的技术概念，也未教导在没有在金属盖中形成物理狭缝的情况下改变涡流的路径的技术概念。
[0017][相关技术文献]
[0018](专利文献I)日本专利注册号4993045


【发明内容】

[0019]在本公开中的示例性实施方式可提供用于电子装置的盖、天线组件、电子装置及其制造方法，该电子装置的盖由金属构成，该金属在即使没有物理狭缝的情况下可用作天线并且可使用电气开通区域(electrical open reg1n)和/或电气开通路径(electricalopen reg1n)来改变润流的路径,而不在其内形成物理狭缝。
[0020]根据在本公开中的示例性实施方式，一种用于电子装置的盖可包括:金属板，具有由金属形成的第一金属区域和第二金属区域；电气开通路径，被配置为使第一金属区域与第二金属区域彼此电气隔离；以及天线发射部，被设置在第二金属区域中。
[0021]在本公开中的示例性实施方式中，电气开通路径可包括:凹槽，沿着在第一金属区域与第二金属区域之间的分界线以凹入的方式形成该凹槽；以及金属氧化物层，通过金属氧化将从凹槽的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化来形成金属氧化物层。
[0022]根据在本公开中的第二示例性实施方式，一种用于电子装置的盖可包括:金属板，具有由金属形成的第一金属区域；通孔，形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化从通孔到位于第一金属区域的一侧上的端部形成该电气开通路径。
[0023]根据在本公开中的第三示例性实施方式，一种用于电子装置的盖可包括:金属板，具有由金属形成的第一金属区域；通孔，其通过金属氧化形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化从电气开通区域到位于第一金属区域的一侧上的端部形成该电气开通路径。
[0024]在第一、第二以及第三示例性实施方式中，用于电子装置的盖可进一步包括非金属盖，该非金属盖被设置在金属板上，以至少覆盖电气开通路径。
[0025]根据在本公开中的第四示例性实施方式，一种天线组件可包括:电子装置的盖，其至少一部分由金属形成；以及天线模块，被设置在用于电子装置的盖内部，其中，用于电子装置的盖包括:金属板，具有由金属形成的第一金属区域；通孔，形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化从通孔到位于第一金属区域的一侧上的端部形成该电气开通路径。
[0026]根据在本公开中的第五示例性实施方式，一种天线组件可包括:用于电子装置的盖，其至少一部分由金属形成；以及天线模块，被设置在用于电子装置的盖内部，其中，用于电子装置的盖包括:金属板，具有由金属形成的第一金属区域；电气开通区域，通过金属氧化形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化从电气开通区域到位于第一金属区域的一侧上的端部形成该电气开通路径。
[0027]在本公开中的第五示例性实施方式中，用于电子装置的盖可进一步包括非金属盖，该非金属盖被设置在金属板上，以至少覆盖电气开通区域和电气开通路径。
[0028]根据在本公开中的第六示例性实施方式，一种电子装置可包括:用于电子装置的盖，该盖至少一部分是由金属形成的；天线模块，被设置在用于电子装置的盖的内部；以及电子装置的主体，其包括电气耦合至天线模块的电路单元，其中，用于电子装置的盖包括:金属板，具有由金属形成的第一金属区域；通孔，形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化从通孔到第一金属区域的端部形成该电气开通路径。
[0029]在本公开中的第二、第四以及第六示例性实施方式中，该电气开通路径可包括:凹槽，其由从电气开通区域到位于第一金属区域的一侧上的端部的金属形成；以及金属氧化物层，通过将从凹槽的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化来形成该金属氧化物层。
[0030]根据在本公开中的第七示例性实施方式，一种电子装置可包括:电子装置的盖，其至少一部分由金属形成；天线模块，其被设置在用于电子装置的盖的内部；以及电子装置的主体，其包括电气耦合至天线模块的电路单元，其中，用于电子装置的盖包括:金属板，其具有由金属形成的第一金属区域；电气开通区域，其通过金属氧化形成在金属板的第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化将从电气开通区域到位于第一金属区域的一侧上的端部的金属去金属化来形成电气开通路径。
[0031]在本公开中的第一至第七示例性实施方式中，可通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成该金属。该金属的氧化处理可为阳极氧化处理。
[0032]在本公开中的第三、第五以及第七示例性实施方式中，该电气开通区域可包括:凹槽，其通过凹入的方式形成在第一金属区域的一部分中；以及金属氧化物层，通过金属氧化将从凹槽的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化来形成金属氧化物层。
[0033]该电气开通路径可包括:凹槽，其由从电气开通区域到位于第一金属区域的一侧上的端部的金属形成；以及金属氧化物层，通过金属氧化将从凹槽的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化来形成金属氧化物层。
[0034]根据在本公开中的第八示例性实施方式，一种用于制造用于电子装置的盖的方法可包括:制备金属板，其具有由金属形成的第一金属区域；以及形成电气开通路径，其通过金属氧化形成在金属板的一部分金属中，以设置与金属板的第一金属区域电气隔离的第二金属区域。
[0035]在本公开中的第八示例性实施方式中，该方法可进一步包括去金属化第二金属区域的一部分，以形成天线发射部，所述天线发射部包括由去金属化的部分形成为非氧化金属区域的天线图案。
[0036]形成电气开通路径可包括:沿着在第一金属区域与第二金属区域之间的分界线形成凹槽；以及通过金属氧化将从凹槽的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化来形成金属氧化物层。
[0037]根据在本公开中的第九示例性实施方式，一种用于制造用于电子装置的盖的方法可包括:制备金属板，该金属板具有由金属形成的第一金属区域；在金属板的第一金属区域的一部分中形成通孔，以允许空间电磁波入射和出射穿过所述通孔；以及通过金属氧化将从通孔到位于第一金属区域的一侧上的端部的金属去金属化来形成电气开通路径。
[0038]根据在本公开中的第十示例性实施方式，一种用于制造用于电子装置的盖的方法可包括:制备金属板，该金属板具有由金属形成的第一金属区域；通过金属氧化将第一金属区域的一部分去金属化来形成电气开通区域，以允许空间电磁波入射和出射穿过该电气开通区域；以及通过金属氧化将从电气开通区域到位于第一金属区域的一侧上的端部的金属去金属化来形成电气开通路径。
[0039]在本公开中的第一到第十示例性实施方式中，可由沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成该金属。而且，该金属可包括铝、镁、锌、钛、不锈钢以及铁中的至少一个。

【专利附图】

【附图说明】
[0040]下面通过结合附图进行详细描述将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征以及其他优点，附图中:
[0041]图1为示出了根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的透视图；
[0042]图2至图4为示出了根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的配置的视图；
[0043]图5A和图5B包括根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的透视图，其中，图5A示出了一个天线图案，并且图5B示出了另一个天线图案；
[0044]图6和图7为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的耦接的视图；
[0045]图8为示出根据本公开的示例性实施方式的用于电子装置的盖的电气开通路径的视图；
[0046]图9和图10为示出根据在本公开中的示例性实施方式的天线组件的分解透视图；
[0047]图1lA至图1lD和图12A至图12D为示出根据在本公开中的示例性实施方式的各种电气开通路径的视图；
[0048]图13和图14为示出根据在本公开中的示例性实施方式的通孔和电气开通路径的视图；
[0049]图15和图16为示出根据在本公开中的示例性实施方式的电气开通区域的视图；
[0050]图17A和图17B包括示出根据在本公开中的示例性实施方式的根据具有和没有电气开通路径而在线圈电流与涡流之间进行的比较的视图；
[0051]图18A和图18B包括示出根据在本公开中的示例性实施方式的根据具有和没有电气开通路径而在电流分布之间进行的比较的视图；
[0052]图19A和图19B包括示出根据在本公开中的示例性实施方式的根据具有和没有电气开通路径的识别的距离的图表；
[0053]图20和图21为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法的顺序的视图；
[0054]图22和图23为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法的序列的视图；以及
[0055]图24至图30为示出根据在本公开中的示例性实施方式的形成电气开通区域或电气开通路径的顺序处理的视图。

【具体实施方式】
[0056]在下文中，将参考在本公开中的附图详细描述示例性实施方式。
[0057]然而，本公开可通过多种不同的方式来示例化并且不应理解为限于本文中所阐述的【具体实施方式】。确切地说，提供这些实施方式，使得本公开将是完整和彻底的，并且将本公开的范围充分地传递给本领域的技术人员。
[0058]在附图中，为了清晰起见，可放大部件的形状和尺寸，并且在全文中使用相同的参考数字来表示相同或相似的部件。
[0059]图1为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的透视图。
[0060]参照图1，根据本公开的示例性实施方式的用于电子装置的盖100可包括金属板101、电气开通路径130以及天线发射部125。
[0061]至少一部分金属板101可由金属形成，并且金属板101可包括由金属形成的第一金属区域110和第二金属区域120。
[0062]例如,整个金属板101可由金属形成,或者一部分金属板101可由金属形成。
[0063]这里，可通过沉积、电镀以及喷涂处理中的至少一个来形成该金属。
[0064]而且，根据本公开的示例性实施方式的金属板101可具有平面、弯曲表面、部分弯曲的表面等，并且不特别限制其形状和表面形式。然而，包括金属板101的用于电子装置的盖100可被用作需要天线的电子装置的金属盖，并且在这种情况下，金属板101可具有适合于所应用的电子装置的形状和结构。
[0065]可通过氧化处理将金属板101的金属的一部分去金属化(或未金属化)来形成电气开通路径130，从而使第一金属区域110和第二金属区域120彼此电气隔离。
[0066]金属氧化处理是用于将金属氧化为非金属的氧化处理。例如，阳极氧化处理(或阳极氧化)可被用作氧化处理，但是本公开不限于此。
[0067]阳极氧化处理还可简称为阳极氧化，这是一个表示[阳极+氧化]的术语。在阴极棒和阳极金属产品(金属板)插入装有电解质的反应器内时，根据下面的氧化方程式，金属产品的表面被腐蚀(在后文中称为“氧化”)。
[0068]氧化方程式:4Α1+302— 4Α13++602 — 2Al2O3
[0069]这里，在本公开的每个实施方式中，金属板的金属可包括在铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、钛(Ti)、不锈钢(SUS)以及铁(Fe)中的至少一个。然而，本公开不限于此，并且只要导电，可使用任何材料。这里，如果阳极电压足够高，那么反复腐蚀电解质、损坏涂层并且生成涂层，以在内部扩展涂层，并且通过其厚度，该涂层变成陶瓷涂层，造成形成具有优异的电气绝缘、耐腐蚀性以及耐磨性能的金属氧化物层。
[0070]提出了一种阳极氧化处理，作为金属氧化的一个实例，以帮助理解本公开，并且本公开不限于此。
[0071]在第二金属区域120内可形成天线发射部125。
[0072]在第一金属区域110和第二金属区域120电气隔离时,虽然金属板101的第一金属区域110接地，但是第二金属区域120可用作与第一金属区域110电气隔离的天线发射部。
[0073]例如，在第二金属区域120本身与位于电子装置内部的电路单元或内置天线电气连接或电磁稱合时，天线发射部125可用作天线。
[0074]关于本公开的示例性实施方式的电子装置可为需要天线的任何电子产品，例如，智能电话、TV广播接收机顶盒、笔记本电脑、电视机等，在后文中，便携式终端主要作为电子装置的一个实例进行描述，但是本公开不限于此，并且任何电子产品可用作电子装置。参照图2到图4描述其一些实例。
[0075]图2至图4为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的配置的视图。
[0076]参照图2，可以看出，根据本公开的示例性实施方式的用于电子装置的盖100被用作便携式终端的后盖。电子装置的盖100可耦接至便携式终端的主体500。
[0077]用于电子装置的盖100可包括通过电气开通路径130电气隔离的第一金属区域110和第二金属区域120，并且第二金属区域120可包括天线发射部125。而且，用于电子装置的盖100可包括用于第一相机的通孔150、用于相机闪光灯的通孔、用于扬声器的通孔坐寸ο
[0078]便携式终端的主体500可包括内置盖510、相机单元520、电池530以及内置摄像头 540。
[0079]用于电子装置的盖100的天线发射部125可与便携式终端的主体500的内置摄像头540形成电气连接或电磁耦合。在这种情况下，如果便携式终端的主体500不包括内置摄像头540，则可设置连接单元或耦合单元来代替内置天线。在这种情况下，天线发射部125可通过连接单元或耦合单元与电路单元电气耦合。
[0080]而且，在其中天线发射部125与便携式终端的主体500的内置摄像头540电气耦合，以在供电给天线发射部125的情况下，可由根据在天线发射部125中的电流流动的电感以及在天线发射部125与便携式终端的主体500的内置摄像头540之间的电气耦合所造成的电容形成与电导体的长度相对应的谐振。使用该谐振频率，可增强天线性能，例如，增益、带宽以及发射特性等。这些元件可应用于本公开的每个示例性实施方式中。
[0081]参照图3，可以看出，用于电子装置的盖100可被用作机顶盒(STB)的上盖。
[0082]参照图3，根据本公开的示例性实施方式的用于电子装置的盖100被用作STB的上盖。用于电子装置的盖100可耦接至STB的主体600。
[0083]用于电子装置的盖100可包括通过电气开通路径130电气隔离的第一金属区域110和第二金属区域120，并且第二金属区域120可包括天线发射部125。
[0084]STB的主体600可包括配备有内置天线640和电路单元的电路板。
[0085]这里，电子装置的盖100的天线发射部125可与STB的主体600的内置天线640形成电气连接或电气耦合。如果STB的主体600不包括内置天线640，那么可设置连接单元或耦合单元，代替内置天线。在这种情况下，天线发射部125可通过连接单元或耦合单元与电路单元电气耦合。
[0086]参照图4，可以看出，根据本公开的示例性实施方式的用于电子装置的盖被用作笔记本电脑的上盖。
[0087]参照图4，根据本公开的示例性实施方式的电子装置的盖100可被用作笔记本电脑的上盖。电子装置的盖100可耦接至笔记本电脑的主体700。
[0088]用于电子装置的盖100可包括通过电气开通路径130电气隔离的第一金属区域110和第二金属区域120，并且第二金属区域120可包括天线发射部125。
[0089]笔记本电脑的主体700可包括配备有内置天线740和电路单元的电路板。
[0090]这里，用于电子装置的盖100的天线发射部125可与笔记本电脑的主体700的内置天线740形成电气连接或电气耦合。如果笔记本电脑的主体700不包括内置天线740，则可设置连接单元或耦合单元来代替内置天线。在这种情况下，天线发射部125可通过连接单元或耦合单元与电路单元电气耦合。
[0091]图5A和图5B包括根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的透视图，其中，图5A示出了一个天线图案并且图5B示出了另一个天线图案。
[0092]参照图5A和图5B，如上所述，在第二金属区域120本身与位于电子装置内部的电路单元或内置天线电气耦合或电磁耦合时，天线发射部125可被用作天线。
[0093]相反，如在图5A和图5B中所示，天线发射部125可具有具体的天线图案。例如，可通过金属氧化去金属化第二金属区域120的一部分，并且在氧化的局部区域124之上的未氧化的金属区域可形成天线图案。
[0094]如在图5A中所示，天线图案可具有沿着边缘形成的环路形状，或者如在图5B中所示，天线图案可具有倒F形状。此外，天线图案可具有螺旋形状。天线图案可具有各种其他形状，而不进行特别限制。
[0095]如上所述，通过与位于电子装置内部的电路单元或内置天线进行的电气连接或电磁耦合，天线发射部125可用作天线。将参照图6和图7来描述其实例。
[0096]图6和图7为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖耦接的视图。
[0097]参照图6，例如，天线发射部125与电子装置的内置天线540电气耦合。在电子装置的盖100固定为与用作电子装置的便携式终端的主体500耦接时，天线发射部125的天线图案的连接部分Tll和T12可与在便携式终端的主体500的内置天线540的连接部分T21和T22上形成的弹性连接销Pll和P12直接接触，以便电气耦合。这是电气连接的实例，并且本公开不限于此。
[0098]参照图7，例如，天线发射部125与电子装置的内置天线540电磁耦合。在用于电子装置的盖100被固定为耦接至便携式终端的主体500时，天线发射部125可与便携式终端的主体500的内置天线540电磁耦合(C耦合)。
[0099]在这种情况下，可在天线发射部125与便携式终端的主体500的内置天线540之间形成电容C。
[0100]图8为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于电子装置的盖的电气开通路径的视图。
[0101]参照图8，电气开通路径130可具有各种结构，例如，情况1C1、情况2C2、情况3C3以及情况4C4。
[0102]例如，参照沿着金属板101的线A-B截取的横截面结构，情况ICl示出了电气开通路径130的横截面结构，通过在其中使用掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面的状态中进行金属氧化来形成该结构，仅仅露出要氧化的区域(即，仅仅除了要氧化的区域以外)。在本公开的示例性实施方式中，掩蔽材料可为掩蔽膜、掩蔽夹具等，用于防止通过金属氧化来氧化金属板101的表面，并且本公开不特别限于掩蔽材料或掩蔽方法。
[0103]情况2C2示出了电气开通路径130的横截面结构，通过在其中使用掩蔽材料分别掩蔽金属板101的上表面和下表面的状态中执行金属氧化来形成该结构，仅仅露出要氧化的区域(即，仅仅除了要氧化的区域以外)。
[0104]情况3C3示出了电气开通路径130的横截面结构，通过在其中凹槽131形成在金属板101的下表面上的状态中，在金属板101的下表面上执行金属氧化(而非掩蔽)来形成该结构。
[0105]情况4C4示出了电气开通路径130的横截面结构，通过在其中凹槽131形成在金属板101的下表面上的状态中，在金属板101的上表面和下表面上执行金属氧化(而非掩蔽)来形成该结构。
[0106]在情况5C5中，非金属部件135可被设置在情况ICl的金属板101上，以至少覆盖电气开通路径130。
[0107]在情况6C6中，非金属部件135可被设置在情况3C3的金属板101上，以至少覆盖电气开通路径130。
[0108]迄今为止，通过将情况I至情况4作为实例描述了电气开通路径130的结构，但是本公开不限于此。
[0109]在金属板101中，形成电气开通路径130的部分会变弱，并且因此，为了加强其强度，非金属部件135可被设置在金属板101上。在情况I至情况4中的每一个中，可设置非金属部件135，并且例如，将通过情况5和情况6对其进行描述。
[0110]单独制造的非金属部件135可连接至金属板101，或者非金属部件135可通过注入或外凸注入形成在金属板101上。这里，非金属部件135在金属板101上的设置不限于以上实例。
[0111]例如，从金属板101的下表面到其上表面，电气开通路径130不应具有金属元件。例如，不应去金属化电气开通路径130，以具有在电气上无限大的阻抗。因此，鉴于金属板101的厚度、金属氧化时间、可通过金属氧化去金属化的金属区域的厚度等，只要可氧化与电气开通路径130对应的金属板101的金属区域，就可使用任何方法，以便从其上表面和下表面中，金属区域没有任何金属元件，从而具有无限大的阻抗。
[0112]这里，可在金属盖的内表面上形成凹槽131，以便在金属盖固定至电子装置中时，该凹槽不朝外露出。在本公开的示例性实施方式中，提出了在图8中所示的电气开通路径130的横截面结构或者在后文中描述的电气开通路径的横截面结构,作为各种实例的一部分，并非旨在限制其尺寸和形状。
[0113]例如，在其中通过所使用的金属氧化可氧化等于0.7mm的厚度的情况下，如果金属盖100的厚度大约为0.6mm,则通过金属氧化来氧化厚度等于0.7mm的金属，甚至可充分地形成电气开通路径而无需形成凹槽。
[0114]在另一个实例中，在其中通过所使用的金属氧化可氧化等于0.3mm的厚度的情况下，如果金属盖100的厚度大约为0.9mm,则可形成厚度等于0.7mm的凹槽,并且随后,通过金属氧化来氧化厚度等于0.2mm的剩余金属，以充分地形成电气开通路径。
[0115]参照图8，电气开通路径130可仅仅包括金属氧化物层，与在上述情况ICl和情况2C2中一样。
[0116]电气开通路径130还可包括凹槽131和金属氧化物层132，诸如在上述情况3C3和情况4C4中。
[0117]这里，可沿着第一金属区域110与第二金属区域120之间的分界线凹入来形成凹槽 131。
[0118]金属氧化物层132是非金属陶瓷层，通过金属氧化去金属化从凹槽131的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属来形成该非金属陶瓷层。
[0119]图9和图10为示出根据本公开的示例性实施方式的天线组件的分解透视图。
[0120]参照图9和图10，根据本公开的示例性实施方式的天线组件可包括用于电子装置的盖100和天线模块200。
[0121]用于电子装置的盖100可被设置在电子装置的内部或外部。例如，用于电子装置的盖100可为电子装置的外盖或电子装置的内盖。在本公开的示例性实施方式中，例如，虽然用于电子装置的盖100被作为外盖进行描述，但是本公开不限于此。
[0122]例如，天线模块200可包括天线片210和形成在天线片210上的天线图案线圈220。这里，天线片210可包括磁性材料，例如，铁氧体，以便衰减涡流并且增大天线图案线圈220的电流浓度。天线图案线圈220可具有沿着天线片210的边缘形成的环路形状或螺旋形状，并且本公开不限于此。
[0123]天线模块200可被设置在用于电子装置的盖100的内部。例如，天线模块200可被设置在用于电子装置的盖100的内表面上，可被设置在作为电子装置的便携式终端500的内盖510上，或者可设置在电池530上。
[0124]只要与便携式终端的主体500的电路单元电气耦合并且与电子装置的盖100电磁耦合，天线模块200就可设置在任何位置中，并无特别限制。
[0125]然而，例如，在其中天线模块200被应用作为近场通信(NFC)的天线时，天线模块200可被设置在电磁波可通过用于电子装置的盖100的一部分入射和出射穿过的位置中。将参照图9和图10对其进行描述。
[0126]首先，参照图9，用于电子装置的盖100可包括金属板101、通孔(例如，150、155和158)以及电气开通路径180。
[0127]至少一部分金属板101可由金属形成，并且金属板101可包括由金属形成的第一金属区域110。
[0128]例如，至少一部分金属板101可由金属形成，并且整个金属板101可由金属形成或者一部分金属板101可由金属形成。
[0129]这里，可由沉积、电镀以及喷涂处理中的至少一个来形成根据本公开的示例性实施方式的金属。
[0130]可在金属板101的第一金属区域110的一部分内形成通孔，以允许空间电磁波入射和出射穿过该通孔。这里，在其中通孔与天线片210的中心位置相对应的情况下，设置相机摄像路径的透孔可形成在天线片210的中心位置处。
[0131]在本公开的示例性实施方式中，可通过去除从金属板101的上表面到下表面的金属来形成通孔。通孔可填充有非金属，例如，塑料等。在本公开的示例性实施方式中，通孔至少表示具有在电气上无限大的阻抗的开通区域。
[0132]例如，在其中天线模块200与NFC天线一样被用于作为短波频率的低频(例如，13.56MHz)的情况下，需要诸如与电气开通区域对应的通孔的孔，并且在通孔附近的天线模块200的布置可提高天线效率。
[0133]电气开通路径180可以是由通过金属氧化从通孔150到位于第一金属区域110的一侧上的端部的金属的去金属化而形成的部分。电气开通路径180可改变在第一金属区域110中的电磁波路径(例如，涡流)。
[0134]例如，在天线模块200被设置在通孔150附近时，可允许电磁波入射和出射穿过。然而，由于用于电子装置的盖100是金属，故在用于电子装置的盖100中可生成根据楞次定律的排斥磁场，在与在天线模块200中流动的电流的方向相反的方向上在用于电子装置的盖100中形成涡流，并且涡流可干扰在天线模块200中的电流流动，以使天线性能退化。
[0135]这里，由于电气开通路径180改变涡流的路径，故涡流对在天线模块200中的电流流动的影响可减小，并且由于将涡流分布给电子装置的盖100的整个范围，故结果为可增加天线的识别距离。
[0136]参照图10，用于电子装置的盖100可包括金属板101、电气开通区域160以及电气开通路径180。
[0137]这里，与在图9中所示的金属板101相比，金属板101具有电气开通区域160，并且将主要描述该金属板101与图9的金属板的不同之处。
[0138]电气开通区域160可以是非金属区域，由通过金属氧化将金属板101的第一金属区域110的一部分去金属化来形成该非金属区域，允许空间电磁波入射和出射穿过该非金属区域。
[0139]这里，电气开通区域160可以是通过金属氧化来氧化金属从而形成的陶瓷区域。电气开通区域160与通孔150 —样，可允许空间电磁波入射和出射穿过该陶瓷区域。
[0140]例如，在使用天线组件的便携式终端500中，如果不适合于或者不容易在通孔150附近布置天线模块200，则电气开通区域160可被用于允许空间电磁波进入和离开。在使用电气开通区域160时，可不考虑通孔来自由地确定天线模块200的布置。
[0141]如上所述，电气开通路径180还是由通过金属氧化将从电气开通区域160到位于第一金属区域110的一侧上的端部的金属去金属化形成的非金属路径，改变由天线模块200生成的电磁波的路径。
[0142]例如，在天线模块200被设置在电气开通区域160附近时，可允许电磁波进入和离开。然而，由于如上所述，用于电子装置的盖100是金属，故在电子装置的盖100中可生成根据楞次定律的排斥磁场，在与在天线模块200中流动的电流的方向相反的方向上，在用于电子装置的盖100中形成涡流，并且涡流可干扰在天线模块200中流动的电流，以使天线性能退化。
[0143]这里，由于电气开通路径180改变了涡流的路径，故可减小涡流对在天线模块200中的流动的电流的影响，并且由于将涡流分布至用于电子装置的盖100的整个范围，故结果为可增加天线的识别距离。
[0144]图1lA至图1lD和图12A至图12D为示出根据在本公开中的示例性实施方式的各种电气开通路径的视图。
[0145]参照在图1lA至图1lD中所示的情况I至情况4 (Cl至C4)，可以看出，在由金属形成的用于电子装置的盖100中，电气开通路径180可形成为从通孔150在不同的方向上延伸，并且可形成单个或多个电气开通路径180。
[0146]参照在图12A至图12D中所示的情况I至情况4 (Cl至C4)，可以看出，在其中两个端部由非金属材料(例如，塑料)形成并且其他部分由金属形成的电子装置的盖100中，电气开通路径180可形成为从通孔150在不同的方向上延伸，并且可形成单个或多个电气开通路径180。
[0147]图13和图14为示出了根据在本公开中的示例性实施方式的通孔和电气开通路径的视图。
[0148]参照图1lA至图14，通孔是在电子装置的盖100中形成的孔。只要其可允许空间电磁波进入和离开，就可充分地使用任何孔。例如，通孔可以是用于相机的孔150、用于闪光灯的孔155、或者用于扬声器的孔158。或者通孔可为任何其他特别的孔。
[0149]图1lA至图1lD和图12A至图12D示出了用于相机的孔150作为通孔。图13示出了用于闪光灯的孔155作为通孔，并且图14示出了用于扬声器的孔158作为通孔。
[0150]这里，虽然在本公开的示例性实施方式中用于相机的孔150将作为通孔的实例进行描述，但是这仅仅是说明性的，并且本公开不限于此。
[0151]图15和图16为示出根据在本公开中的示例性实施方式的电气开通区域的视图。
[0152]参照图15，电气开通区域160可具有各种结构，例如，情况1C1、情况2C2、情况3C3以及情况4C4。
[0153]例如，参照沿着金属板101的线A1-A2截取的横截面结构，情况ICl示出了电气开通区域160的横截面结构，通过在其中使用掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面的状态中执行金属氧化来形成该结构，仅仅露出要氧化的区域(即，仅仅除了要氧化的区域以外)。
[0154]情况2C2显示了电气开通区域160的横截面结构，通过在使用掩蔽材料分别掩蔽金属板101的上下表面的状态中进行金属氧化，形成该结构，仅仅露出要氧化的区域(即，仅仅除了要氧化的区域以外)。
[0155]情况3C3示出了电气开通区域160的横截面结构，通过在其中凹槽161形成在金属板101的下表面上的状态中，在金属板101的下表面上执行金属氧化(而不是掩蔽)来形成该结构。
[0156]情况4C4示出了电气开通区域160的横截面结构，通过在其中凹槽161形成在金属板101的下表面上的状态中，在金属板101的上表面和下表面上执行金属氧化(而不是掩蔽)来形成该结构。
[0157]在情况5C5中，非金属部件165可被设置在情况ICl的金属板101上，以至少覆盖电气开通区域160。
[0158]在情况6C6中，非金属部件165可被设置在情况3C3的金属板101上，以至少覆盖电气开通区域160。
[0159]迄今为止，通过采用情况I至情况4作为实例描述了电气开通区域160的结构，但是本公开不限于此。
[0160]在金属板101中，形成电气开通区域160的部分可变弱，并且因此，为了加强其强度，非金属部件165可被设置在金属板101上。在情况I至情况4的每一个中，可设置非金属部件165，并且例如，将通过情况5和情况6对此进行描述。
[0161]单独制造的非金属部件165可被连接至金属板101，或者非金属部件165可通过插入注入或外凸注入形成在金属板101上。这里，非金属部件165在金属板101上的设置不限于以上实例。
[0162]这里，可在金属盖的内表面上形成凹槽161，使得在金属盖被固定至电子装置中时，该凹槽不朝外露出。这里，金属板的下表面可与内表面相对应，并且金属板的上表面可与朝外露出的表面相对应。
[0163]而且，如在图15中所示，当电气开通区域160和电气开通路径180形成在金属板101上时,非金属部件165可设置在金属板101上，以覆盖电气开通区域160和电气开通路径180。而且，为了在更高程度地加强强度，非金属部件165和185可被设置在金属板101上，以至少覆盖电气开通区域160和电气开通路径180两者。
[0164]这里，可单独形成被设置为覆盖电气开通区域160的非金属部件165以及被设置为覆盖电气开通路径180的非金属部件185，但是鉴于容易处理，非金属部件165和非金属部件185可一体地形成。
[0165]参照图15，电气开通区域160可仅包括金属氧化物层，与在上述情况ICl和情况2C2中一样。
[0166]或者，电气开通区域160可包括凹槽161和金属氧化物层162，与在上述情况3C3和情况4C4中一样。
[0167]这里，可沿着在第一金属区域110与第二金属区域120之间的分界线凹入来形成凹槽161。
[0168]金属氧化物层162是非金属陶瓷层，通过金属氧化去金属化从凹槽161的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属来形成该非金属陶瓷层。
[0169]参照图16，电气开通路径180可具有各种结构，例如，情况1C1、情况2C2、情况3C3以及情况4C4。
[0170]例如，参照沿着金属板101的线B1-B2截取的横截面结构，情况ICl示出了电气开通路径180的横截面结构，通过在其中使用掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面的状态中执行金属氧化来形成该结构，仅仅露出要氧化的区域(即，仅仅除了要氧化的区域以外)。
[0171]情况2C2示出了电气开通路径180的横截面结构，通过在其中使用掩蔽材料分别掩蔽金属板101的上表面和下表面的状态中执行金属氧化来形成该结构，仅仅露出要氧化的区域(即，仅除了要氧化的区域以外)。
[0172]情况3C3示出了电气开通路径180的横截面结构，通过在其中凹槽181形成在金属板101的下表面上的状态中，在金属板101的下表面上执行金属氧化(而不是掩蔽)来形成该结构。
[0173]情况4C4示出了电气开通路径180的横截面结构，通过在其中凹槽181形成在金属板101的下表面上的状态中，在金属板101的上表面和下表面上执行金属氧化(而不是掩蔽)来形成该结构。
[0174]在情况5C5中，非金属部件185可被设置在情况ICl的金属板101上，以至少覆盖电气开通路径180。
[0175]在情况6C6中，非金属部件185可被设置在情况3C3的金属板101上，以至少覆盖电气开通路径180。
[0176]迄今为止，通过将这四种情况用作实例描述了电气开通区域180的结构，但是本公开不限于此。
[0177]在金属板101中，其中形成电气开通区域160的部分会变弱，并且因此，为了加强其强度，非金属部件185可被设置在金属板101上。在情况I到情况4中的每一个中，可设置非金属部件185，并且例如，将通过情况5和情况6对此进行描述。
[0178]单独制造的非金属部件135、165或185可连接至金属板101，或者非金属部件135、165 或 185 可通过插入注入(insert inject1n)或外部注入(outsort inject1n)形成在金属板101上。
[0179]这里，非金属部件135、165或185在金属板101上的设置不限于以上实例。只要由非导电材料(例如，塑料、薄膜等)构成，非金属部件135、165或185就可以是任何部件。
[0180]这里，可在金属盖的内表面上形成凹槽181，使得当金属盖被固定至电子装置中时，该凹槽不朝外露出。这里，金属板的下表面可与内表面相对应，并且金属板的上表面可与朝外露出的表面相对应。
[0181]参照图16，电气开通路径180可仅包括金属氧化物层，与在上述情况ICl和情况2C2中一样。
[0182]或者，电气开通路径180可包括凹槽181和金属氧化物层182，与在上述情况3C3和情况4C4中一样。
[0183]这里，可沿着在第一金属区域110与第二金属区域120之间的分界线凹入地形成凹槽181。
[0184]金属氧化物层182是非金属陶瓷层，通过金属氧化去金属化从凹槽131的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属来形成该非金属陶瓷层。
[0185]如上所述的天线组件可被用于电子装置(例如，便携式终端)内。根据本公开的示例性实施方式的电子装置可进一步包括主体，该主体包括与天线模块200电气耦合的电路单元。这里，电路单元可电气耦合至内置天线，并且可通过天线模块200发送和接收信号。在本公开的示例性实施方式中，电路单元的连接端和天线模块200的连接端可电气耦合。在这种情况下，电气连接不特别限于特定的方案，并且可使用在两个电路模块之间的通用电气连接方案。
[0186]例如，在其中天线模块200是NFC天线的情况下，电子电路单元可包括NFC收发器。
[0187]图17A和图17B包括示出根据本公开的示例性实施方式的根据具有和没有电气开通路径在线圈电流与涡流之间进行的比较的视图。在图17A和图17B中，图17A示出了在未设置电气开通路径180时由天线模块200生成的线圈电流和涡流的流动，并且图17B示出了当具有电气开通路径180时由天线模块200生成的线圈电流和涡流。
[0188]参照图17A，可以看出，在没有电气开通路径180时，线圈电流和涡流在彼此相反的方向流动，并且参照图17B，可以看出，在具有电气开通路径180时，涡流的路径改变。
[0189]图18A和图18B包括示出了根据在本公开中的示例性实施方式的根据具有和没有电气开通路径在电流分布之间进行的比较的视图。在图18A和图18B中，图18A示出了在未提供电气开通路径180时的电流分布，并且图18B示出了在具有电气开通路径180时的电流分布。
[0190]参照图18A，可以看出，在没有电气开通路径180时，电流可集中于与在用于电子装置的盖100(或后盖)中的天线模块200相邻的区域中，并且与图18A相比，参照图18B，可以看出，在具有电气开通路径180时，将电流分布在与天线模块200相邻的区域中以及其在用于电子装置的盖100中的外周中。
[0191]图19A和图19B包括不出根据在本公开中的不例性实施方式的根据具有和没有电气开通路径的识别的距离的图表。在图19A和图19B中，图19A是在未设置电气开通路径180时的识别距离的图表，并且图19B是在具有电气开通路径180时的识别距离的图表。
[0192]具体而言，在图19A中，Gll是通过在没有电气开通路径180的情况下的频率在5厘米的距离处测量磁场强度(H)所获得的线路，并且G12是通过在没有电气开通路径180情况下的频率在10厘米的距离处测量磁场强度(H)所获得的线路。
[0193]参照在图19A中的Gll和G12可以看出，在没有电气开通路径180的情况下，在NFC频率(13.56MHz)之上的在5厘米和10厘米的距离处的磁场强度(H)分别是0.095A/m(Pll)以及 0.021A/m(P12)。
[0194]同时，在图19B中，G21是通过在具有电气开通路径180情况下的频率在5厘米的距离处测量磁场强度(H)所获得的线路，并且G22是通过在具有电气开通路径180情况下的频率在10厘米的距离处测量磁场强度(H)所获得的线路。
[0195]参照在图19B中的G21和G22，可以看出，在具有电气开通路径180的情况下，在5厘米和10厘米的距离处的磁场强度(H)分别是0.308A/m(P21)以及0.088A/m(P22)。因此，可以看出，在具有电气开通路径180的情况下，识别距离增强。
[0196]图20和图21为示出了根据在本公开中的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法的顺序的视图。
[0197]将参照图20和图21描述根据本公开的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法。
[0198]在下文中描述根据本公开的示例性实施方式的用于制造电子装置的盖的方法时，可照原来的样子应用上面参照图1至图8进行的描述，并且因此，可省略多余的详细描述。
[0199]首先，在操作SllO中，可制备具有由金属形成的第一金属区域110的金属板101。
[0200]接下来，在操作S120中，为了设置与金属板101的第一金属区域110电气隔离的第二金属区域120,可通过金属氧化将金属板101的一部分金属去金属化，以形成电气开通路径130。
[0201]参照图21，除了在图20中所示的方法以外，根据本公开的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法还可进一步包括操作S130。在操作S130中，通过金属氧化去金属化第二金属区域120的一部分，以形成天线发射部125，包括由去金属化的部分形成为非氧化金属区域的天线图案。
[0202]这里，关于操作S120和S130，在图21中所示的制造顺序仅是示例性的，并且在相同的处理中，可执行操作S120和S130。
[0203]将描述形成电气开通路径130的操作S120的实例。
[0204]首先，参照图21和图8，可沿着在第一金属区域110与第二金属区域120之间的分界线形成凹槽131，并且随后，可通过金属氧化去金属化从凹槽131的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属，以形成金属氧化物层132。
[0205]可替换地，在本公开的示例性实施方式中，在形成电气开通路径130的处理中，可仅仅形成金属氧化物层132，而不形成凹槽。
[0206]图22和图23为示出根据在本公开中的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法的顺序的视图。
[0207]在下文中描述根据本公开的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法时，可应用如上面参照图9至图19B所做的描述，因此，可省略多余的详细描述。
[0208]参照图22，描述根据本公开的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖的方法。首先，在操作S210中，可制备具有由金属形成的第一金属区域110的金属板101。
[0209]接下来，在操作S220中，可在金属板101的第一金属区域110的一部分中形成通孔150，以允许空间电磁波进入和离开该通孔。
[0210]例如，可通过诸如压铸、计算机化数控(CNC)处理等的金属加工处理来形成通孔150。
[0211 ] 然后，在操作S230中，为了改变在主金属区域110中的电磁波的路径，可通过金属氧化将从通孔150到至位于第一金属区域110的一侧上的端部的金属去金属化来形成电气开通路径180。
[0212]例如，可通过作为金属加工处理的后处理的表面处理处理来形成电气开通路径180。
[0213]将描述形成电气开通路径180的操作S230的实例。
[0214]首先，参照图22和图16，可从通孔150到位于第一金属区域110的一侧上的端部形成凹槽181，并且随后，可通过金属氧化去金属化从凹槽181的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属，以形成金属氧化物层182。
[0215]可替换地，在本公开的示例性实施方式中，在形成电气开通路径180的处理中，可仅形成金属氧化物层182而不形成凹槽。
[0216]将参照图23描述根据本公开的示例性实施方式的用于制造用于电子装置的盖100的方法。首先，在操作S310中，可制备由金属制成的具有第一金属区域110的金属板101。
[0217]接下来，在操作S320中，为了允许空间电磁波通过金属板101的第一金属区域110的一部分进入和离开，可通过金属氧化将第一金属区域110的一部分去金属化来形成电气开通区域160。
[0218]并且然后，在操作S330中，为了改变在主金属区域110中的电磁波的路径，可通过金属氧化将从电气开通区域160到位于第一金属区域110的一侧上的端部的金属去金属化来形成电气开通路径180。
[0219]这里，关于操作S320和S330，在图21中所示的制造顺序仅是示例性的，并且在相同的处理中，可执行操作S320和S330。
[0220]将描述形成电气开通路径160的操作S230的实例。
[0221]首先，参照图23和图15，可在第一金属区域110的一部分内形成凹槽161，并且随后，可通过金属氧化将从凹槽181的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化，以形成金属氧化物层162。
[0222]可替换地，在本公开的示例性实施方式中，在形成电气开通路径160的处理中，可仅形成金属氧化物层162而不形成凹槽。
[0223]将描述形成电气开通路径180的操作的实例。
[0224]首先，可从电气开通区域160到位于第一金属区域110的一侧上的端部形成凹槽181，并且随后，可通过金属氧化将从凹槽181的内部下表面到相对侧的另一个表面的金属去金属化，以形成金属氧化物层182。
[0225]可替换地，在本公开的示例性实施方式中，在形成电气开通路径180的处理中，可仅仅形成金属氧化物层182而不形成凹槽。
[0226]图24至图30为示出根据在本公开中的示例性实施方式的形成电气开通区域或电气开通路径的顺序处理的视图。
[0227]参照图24，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，可通过掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面而仅露出要氧化的部分,在操作S3中，可在掩蔽的金属板101的露出区域上执行金属氧化，并且在操作S4中，可去除掩蔽材料，以在操作S5中，最终在金属板101上形成金属氧化物层。这里，金属氧化物层与电气开通区域或电气开通路径相对应。
[0228]参照图25，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，可使用掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面而仅露出要氧化的部分,在操作S3中，可在掩蔽的金属板101的露出区域上以及在金属板101的上表面上执行金属氧化，并且在操作S4中，可去除掩蔽材料，以在操作S5中，最终在金属板101上形成金属氧化物层。
[0229]参照图26，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，可使用掩蔽材料掩蔽金属板101的上表面和下表面而仅露出要氧化的部分,在操作S3中，可在掩蔽的金属板101的两个露出区域上执行金属氧化，并且在操作S4中，可去除掩蔽材料，以在操作S5中，最终在金属板101上形成金属氧化物层。
[0230]参照图27，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，在要氧化的金属板101的下表面的一部分中形成凹槽，并且在操作S3中，随后可在其上形成了凹槽的金属板101的表面上执行金属氧化，以最终在金属板101上形成凹槽和金属氧化物。
[0231]参照图28，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，在要氧化的金属板101的下表面的一部分中形成凹槽，并且在操作S3中，随后可在其上形成凹槽的金属板101的表面上以及在金属板101的上表面上执行金属氧化，以最终在金属板101上形成凹槽和金属氧化物层。
[0232]参照图29，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，在要氧化的金属板101的下表面的一部分中形成凹槽，在操作S3中，可使用掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面(不包括凹槽)，并且在操作S3中，随后可在金属板101的掩蔽的下表面和上表面上执行金属氧化，以最终在金属板101上形成凹槽和金属氧化物层。
[0233]参照图30，在操作SI中，可制备金属板101，在操作S2中，在要氧化的金属板101的下表面的一部分中形成凹槽，在操作S3中，可使用掩蔽材料掩蔽金属板101的下表面(不包括凹槽)以及其他剩余的表面(不包括与凹槽相对的上表面)，并且在操作S4中，可随后在金属板101的掩蔽的下表面和上表面上执行金属氧化，以最终在金属板101上形成凹槽和金属氧化物层。
[0234]这里，在本公开的示例性实施方式中，可在金属盖的内表面上形成凹槽，以便在金属盖固定至电子装置时，该凹槽不朝外露出。金属板的下表面可与内表面对应，并且金属板的上表面可与朝外露出的表面对应。
[0235]如上所述，根据本公开的示例性实施方式，在需要天线的电子装置中，电气开通区域和/或开通路径可用作甚至没有物理狭缝的天线，并且使用电气开通区域和/或开通路径，可改变涡流的路径，而不在金属盖上形成物理狭缝，因此，可增强天线性能。
[0236]因此，由于没有物理狭缝，故不影响金属盖的外部设计，并且不需要用于在外观上去除物理狭缝的缺点的额外操作。
[0237]虽然上面已经显示和描述了示例性实施方式，但是对于本领域的技术人员，在不背离由所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可进行修改和变更。
【权利要求】
1.一种用于电子装置的盖，所述盖包括: 金属板，具有由金属形成的第一金属区域和第二金属区域； 电气开通路径，被配置为将所述第一金属区域与所述第二金属区域彼此电气隔离；以及 天线发射部，被布置在所述第二金属区域内。
2.根据权利要求1所述的盖，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个来形成所述金属。
3.根据权利要求1所述的盖，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的盖，其中，通过氧化处理将所述金属板的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理为阳极氧化处理。
5.根据权利要求1所述的盖，其中，所述天线发射部电磁耦合至所述电子装置的内置天线。
6.根据权利要求1所述的盖，其中，所述天线发射部电气耦合至所述电子装置的电路单元。
7.根据权利要求1所述的盖，其中，所述天线发射部包括通过金属氧化形成的天线图案。
8.根据权利要求1所述的盖，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，沿着所述第一金属区域与所述第二金属区域之间的分界线以凹入的方式形成；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成。
9.根据权利要求1所述的盖，进一步包括非金属盖，所述非金属盖被设置在所述金属板上以至少覆盖所述电气开通路径。
10.一种用于电子装置的盖，所述盖包括: 金属板，具有由金属形成的第一金属区域； 通孔，形成在所述金属板的所述第一金属区域的一部分中；以及 电气开通路径，从所述通孔至所述第一金属区域的端部形成所述电气开通路径。
11.根据权利要求10所述的盖，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个来形成所述金属。
12.根据权利要求10所述的盖，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
13.根据权利要求10所述的盖，其中，通过氧化处理将所述第一金属区域的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理为阳极氧化处理。
14.根据权利要求10所述的盖，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，形成为从所述通孔延伸至位于所述第一金属区域的一侧的端部；以及金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
15.根据权利要求10所述的盖，进一步包括非金属盖，所述非金属盖被设置在所述金属板上以至少覆盖所述电气开通路径。
16.一种用于电子装置的盖，所述盖包括: 金属板，具有由金属形成的第一金属区域； 电气开通区域，形成在所述金属板的所述第一金属区域的一部分上；以及 电气开通路径，从所述电气开通区域至所述第一金属区域的端部形成所述电气开通路径。
17.根据权利要求16所述的盖，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个来形成所述金属。
18.根据权利要求16所述的盖，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢以及铁中的至少一个。
19.根据权利要求16所述的盖，其中，通过氧化处理将所述第一金属区域的一部分去金属化来形成所述电气开通区域以及通过所述氧化处理将所述第一金属区域的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理是阳极氧化处理。
20.根据权利要求16所述的盖，其中，所述电气开通区域包括: 凹槽，以凹入的方式形成在所述第一金属区域的一部分中；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
21.根据权利要求16所述的盖，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，由从所述电气开通区域至位于所述第一金属区域的一侧的端部的所述金属形成；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
22.根据权利要求16所述的盖，进一步包括非金属盖，所述非金属盖被设置在所述金属板上以至少覆盖所述电气开通区域和所述电气开通路径。
23.一种天线组件，包括: 用于电子装置的盖，所述盖的至少一部分由金属形成；以及 天线模块，被设置在用于电子装置的所述盖的内部， 其中，用于电子装置的所述盖包括: 金属板，具有由所述金属形成的第一金属区域； 通孔，形成在所述金属板的所述第一金属区域的一部分中；以及 电气开通路径，从所述通孔至所述第一金属区域的端部形成所述电气开通路径。
24.根据权利要求23所述的天线组件，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个来形成所述金属。
25.根据权利要求23所述的天线组件，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
26.根据权利要求23所述的天线组件，其中，通过氧化处理将所述第一金属区域的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理是阳极氧化处理。
27.根据权利要求23所述的天线组件，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，由从电气开通区域至位于所述第一金属区域的一侧的端部的所述金属形成；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
28.一种天线组件，包括: 用于电子装置的盖，所述盖的至少一部分由金属形成；以及 天线模块，被设置在用于电子装置的所述盖的内部， 其中，用于电子装置的所述盖包括: 金属板，具有由所述金属形成的第一金属区域； 电气开通区域，形成在所述金属板的所述第一金属区域的一部分上；以及 电气开通路径，从所述电气开通区域至所述第一金属区域的端部形成所述电气开通路径。
29.根据权利要求28所述的天线组件，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成所述金属。
30.根据权利要求28所述的天线组件，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
31.根据权利要求28所述的天线组件，其中，通过氧化处理将所述第一金属区域的一部分去金属化来形成所述电气开通区域并且通过所述氧化处理将所述金属板的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理是阳极氧化处理。
32.根据权利要求28所述的天线组件，其中，所述电气开通区域包括: 凹槽，以凹入的方式形成在所述第一金属区域的一部分中；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
33.根据权利要求28所述的天线组件，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，由从所述电气开通区域至位于所述第一金属区域的一侧的端部的所述金属形成；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
34.一种电子装置，包括: 用于所述电子装置的盖，所述盖的至少一部分由金属形成； 天线模块，被设置在用于所述电子装置的所述盖的内部；以及 所述电子装置的主体，包括电气耦合至所述天线模块的电路单元， 其中，用于所述电子装置的所述盖包括: 金属板，具有由所述金属形成的第一金属区域； 通孔，形成在所述金属板的所述第一金属区域的一部分中；以及电气开通路径，通过金属氧化从所述通孔至所述第一金属区域的端部形成所述电气开通路径。
35.根据权利要求34所述的电子装置，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个来形成所述金属。
36.根据权利要求34所述的电子装置，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
37.根据权利要求34所述的电子装置，其中，通过氧化处理将所述金属板的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理是阳极氧化处理。
38.根据权利要求34所述的电子装置，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，由从所述电气开通区域至位于所述第一金属区域的一侧的端部的所述金属形成；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
39.一种电子装置，包括: 用于所述电子装置的盖，所述盖的至少一部分由金属形成； 天线模块，被设置在用于所述电子装置的所述盖的内部；以及 所述电子装置的主体，包括电气耦合至所述天线模块的电路单元， 其中，用于所述电子装置的所述盖包括: 金属板，具有由所述金属形成的第一金属区域； 电气开通区域，通过金属氧化形成在所述金属板的所述第一金属区域的一部分上；以及 电气开通路径，通过所述金属氧化从所述电气开通区域至所述第一金属区域的端部形成所述电气开通路径。
40.根据权利要求39所述的电子装置，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成所述金属。
41.根据权利要求39所述的电子装置，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
42.根据权利要求39所述的电子装置，其中，通过氧化处理将所述第一金属区域的一部分去金属化来形成所述电气开通区域以及通过所述氧化处理将所述金属板的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，并且所述金属的所述氧化处理是阳极氧化处理。
43.根据权利要求39所述的电子装置，其中，所述电气开通区域包括: 凹槽，以凹入的方式形成在所述第一金属区域的一部分中；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
44.根据权利要求39所述的电子装置，其中，所述电气开通路径包括: 凹槽，由从所述电气开通区域至位于所述第一金属区域的一侧的端部的所述金属形成；以及 金属氧化物层，通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化来形成所述金属氧化物层。
45.一种用于制造用于电子装置的盖的方法，所述方法包括: 制备金属板，所述金属板具有由金属形成的第一金属区域；以及 形成电气开通路径，通过金属氧化将所述金属板的所述金属的一部分去金属化来形成所述电气开通路径，以提供与所述金属板的所述第一金属区域电气隔离的第二金属区域。
46.根据权利要求45所述的方法，进一步包括将所述第二金属区域的一部分去金属化以形成天线发射部，所述天线发射部包括通过去金属化的部分形成为非氧化金属区域的天线图案。
47.根据权利要求45所述的方法，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成所述金属。
48.根据权利要求45所述的方法，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
49.根据权利要求45所述的方法，其中，所述金属的氧化处理是阳极氧化处理。
50.根据权利要求45所述的方法，其中，形成电气开通路径包括: 沿着所述第一金属区域与所述第二金属区域之间的分界线形成凹槽；以及 通过金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化，以形成金属氧化物层。
51.一种用于制造用于电子装置的盖的方法，所述方法包括: 制备金属板，所述金属板具有由金属形成的第一金属区域； 在所述金属板的所述第一金属区域的一部分中形成通孔，以允许空间电磁波入射和出射穿过所述通孔；以及 通过金属氧化将从所述通孔至所述第一金属区域的端部的所述金属去金属化，以形成电气开通路径。
52.根据权利要求51所述的方法，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成所述金属。
53.根据权利要求51所述的方法，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
54.根据权利要求51所述的方法，其中，所述金属的氧化处理是阳极氧化处理。
55.根据权利要求51所述的方法，其中，形成所述电气开通路径包括: 形成从所述通孔至位于所述第一金属区域的一侧的端部的凹槽；以及 通过所述金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化，以形成金属氧化物层。
56.一种用于制造用于电子装置的盖的方法，所述方法包括: 制备金属板，所述金属板具有由金属形成的第一金属区域； 通过金属氧化将所述第一金属区域的一部分去金属化来形成电气开通区域，以允许空间电磁波入射和出射穿过所述电气开通区域；以及 通过所述金属氧化将从所述电气开通区域至所述第一金属区域的端部的所述金属去金属化，以形成电气开通路径。
57.根据权利要求56所述的方法，其中，通过沉积处理、电镀处理以及喷涂处理中的至少一个形成所述金属。
58.根据权利要求56所述的方法，其中，所述金属包括铝、镁、锌、钛、不锈钢和铁中的至少一个。
59.根据权利要求56所述的方法，其中，所述金属的氧化处理是阳极氧化处理。
60.根据权利要求56所述的方法，其中，形成电气开通区域包括: 在所述第一金属区域的一部分中形成凹槽；以及 通过所述金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化，以形成金属氧化物层。
61.根据权利要求56所述的方法，其中，形成所述电气开通路径包括: 从所述电气开通区域至位于所述第一金属区域的一侧的端部形成所述金属的凹槽；以及 通过所述金属氧化将从所述凹槽的内部下表面至相对侧的另一个表面的所述金属去金属化，以形成金属氧化物层。
【文档编号】H01Q1/38GK104377424SQ201410397550
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月13日 优先权日:2013年8月14日
【发明者】全大成, 金钟来, 崔刚龙 申请人:三星电机株式会社