一种有机发光二极管器件及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机发光二极管器件及显示装置，涉及有机电子器件【技术领域】，解决了现有的有机发光二极管注入发光功能层的电子和空穴直接通过阴极和阳极产生，对阴极材料和阳极材料的限制问题。一种有机发光二极管器件，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的发光功能层，还包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，和/或，第三电荷产生层和第四电荷产生层；所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层位于所述阴极和所述发光功能层之间，且所述第一电荷产生层靠近所述发光功能层，用于传输电子；所述第三电荷产生层和所述第四电荷产生层位于所述阳极和所述发光功能层之间，且所述第四电荷产生层靠近所述发光功能层，用于传输空穴。
【专利说明】一种有机发光二极管器件及显示装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电子器件【技术领域】，尤其涉及一种有机发光二极管器件及显示装 置。
【背景技术】
[0002] OLED (Organic Light-Emitting Diode (有机发光二极管）器件被广泛应用于照明 领域以及显示领域。0LED器件的基本结构，如图1所示，包括：阳极1、阴极7以及有机功能 层9 ;其中有机功能层9还可以进一步细分为：空穴注入功能层（HIL层）2、空穴传输功能层 (HTL层）3、发光功能层（EML层）4、电子传输功能层（ETL层）5以及电子注入功能层（EIL 层）6等。有机发光二极管器件中，光的发射是通过阳极1注入的空穴（h+)和阴极7注入 的电子（e〇在发光功能层4相结合形成的激子辐射发光。
[0003] 为了增加器件的发光效率，0LED器件中各层的能带匹配要好。通常情况下，阴极部 分采用功函较低的金属形成，例如Al、Au、Ag、Mg-Ag的合金等，以提高电子的注入；阳极一 般采用功函较高的材料，例如IT0(Indium tin oxide，氧化铟锡），以提高空穴的注入。金 属作为阴极虽然有良好的电子注入性能和一定的透光度，但是由于金属的延展性限制，当 其用于柔性显示设备中，在折叠时会发生断裂，从而导致显示失灵。因此，金属形成的阴极 限制了有机发光二极管在柔性显示设备中的弯曲灵活性。
[0004] 为了解决上述技术问题，现有技术中一般采用溅射的ΙΤ0做阴极，但为了避免溅 射时的高能量毁坏有机功能层，如图2所示，在ΙΤ0形成的阴极7和有机功能层9之间加入 有机保护层8，例如可以是由M〇0 3 (氧化钥）、PED0T (聚乙撑二氧噻吩）、CuPc (酞菁铜）等 形成的有机保护层。由于ΙΤ0形成的阴极7的功函高，以及有机保护层8的加入，带来了以 下两方面的问题：第一方面，ΙΤ0形成的阴极7和有机保护层8之间，有机保护层8和电子 传输层6之间的能垒差大，过大的能垒差会阻碍电子的注入和传输，从而降低器件的工作 效率和寿命。第二方面，ΙΤ0作为阴极7,电子需要穿过保护层8注入发光功能层4,会降低 电子的注入和传输效率。
【发明内容】
[0005] 本发明的实施例提供一种有机发光二极管器件及显示装置，解决了现有的有机发 光二极管注入发光功能层的电子和空穴直接通过阴极和阳极产生，对阴极材料和阳极材料 的限制问题，尤其是采用功函高的材料形成阴极，带来的降低器件的工作效率和寿命的问 题。
[0006] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0007] -方面，本发明实施例提供一种有机发光二极管器件，包括阴极、阳极以及位于所 述阴极和所述阳极之间的发光功能层，还包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，和/或， 第三电荷产生层和第四电荷产生层；
[0008] 所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层位于所述阴极和所述发光功能层之 间，且所述第一电荷产生层靠近所述发光功能层，用于传输电子；所述第二电荷产生层靠近 所述阴极，用于传输空穴；
[0009] 所述第三电荷产生层和所述第四电荷产生层位于所述阳极和所述发光功能层之 间，且所述第三电荷产生层靠近所述阳极，用于传输电子；所述第四电荷产生层靠近所述发 光功能层，用于传输空穴。
[0010] 另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述 的有机发光二极管器件。
[0011] 本发明的实施例提供一种有机发光二极管器件及显示装置，有机发光二极管器件 包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的发光功能层，还包括第一电荷产生层和第二电 荷产生层，和/或，第三电荷产生层和第四电荷产生层；当阴极和阳极同时加载电压，在电 场作用下第一电荷产生层和第二电荷产生层的界面产生电子和空穴，电子通过第一电荷产 生层注入发光功能层，相对于现有直接通过阴极产生电子并注入发光功能层，本发明实施 例提供的有机发光二极管器件，阴极可以采用任何导电材料形成，尤其是采用功函高且延 展性好的ΙΤ0形成阴极时有机发光二极管器件可用于柔性显示，且电子直接通过第一电荷 产生层注入发光功能层，相对于现有技术中必须通过保护层注入发光功能层提高了电子的 注入效率，有利于提高有机发光二极管器件的性能以及延长有机发光二极管器件的寿命； 当阴极和阳极同时加载电压，在电场作用下所述第三电荷产生层和第四电荷产生层的界面 产生电子和空穴，所述空穴通过第四电荷产生层注入发光功能层，这样避免注入发光功能 层的空穴通过阳极产生，对阳极材料的限制问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0012] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0013] 图1为现有技术提供的一种0LED器件的基本结构不意图；
[0014] 图2为现有技术提供的一种ΙΤ0做阴极的0LED器件的基本结构不意图；
[0015] 图3为本发明实施例提供的一种0LED器件的基本结构示意图；
[0016] 图4为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构不意图；
[0017] 图5为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构示意图；
[0018] 图6为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构不意图；
[0019] 图7为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构不意图；
[0020] 图8为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构不意图；
[0021] 图9为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构不意图；
[0022] 图10为本发明实施例提供的另一种0LED器件的基本结构示意图。
[0023] 附图标记：
[0024] 1-阳极；2-空穴注入功能层；3-空穴传输功能层；4-发光功能层；5-电子传输功 能层；6-电子注入功能层；7-阴极；8-有机保护层；9-有机功能层；10-第一电荷产生层； 11-第二电荷产生层；12-第三电荷产生层；13-第四电荷产生层。
【具体实施方式】
[0025] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0026] 本发明实施例提供了一种有机发光二极管器件，如图3-图6所示，包括阴极7、阳 极1以及位于阴极7和阳极1之间的发光功能层4,还包括第一电荷产生层10和第二电荷 产生层11，和/或，第三电荷产生层12和第四电荷产生层13 ;其中，
[0027] 第一电荷产生层10和第二电荷产生层11位于阴极7和发光功能层4之间，且第 一电荷产生层10靠近发光功能层4,用于传输电子f ;第二电荷产生层11靠近阴极7,用于 传输空穴h+ ;
[0028] 第三电荷产生层12和第四电荷产生层13位于阳极1和发光功能层4之间，且第 三电荷产生层12靠近阳极1，用于传输电子eT ;第四电荷产生层13靠近发光功能层4,用于 传输空穴h+。
[0029] 需要说明的是，第一电荷产生层和第二电荷产生层位于阴极和发光功能层之间， 即第一电荷产生层和第二电荷产生层位于阴极和阳极之间，则当阴极和阳极同时加载电 压，在电场的作用下，第一电荷产生层和第二电荷产生层的界面产生电子和空穴，电子通过 第一电荷产生层注入到发光功能层。即注入到发光功能层的电子的产生和注入与阴极材料 无关，则阴极材料的选取不受功函等其他条件的限制，阴极可以采用任何导电材料，拓宽了 发光二极管器件阴极材料的可选择型。
[0030] 同理，第三电荷产生层和第四电荷产生层位于阳极和发光功能层之间，即第三电 荷产生层和第四电荷产生层位于阴极和阳极之间，则当阴极和阳极同时加载电压，在电场 的作用下，第三电荷产生层和第四电荷产生层的界面产生电子和空穴，空穴通过第四电荷 产生层注入发光功能层。即注入到发光功能层的空穴的产生和注入与阳极材料无关，则阳 极材料的选取不受功函等其他条件的限制，阳极可以采用任何导电材料，拓宽了发光二极 管器件阳极材料的可选择型。
[0031] 其中，本发明实施例中，有机发光二极管器件，包括第一电荷产生层和第二电荷产 生层，和/或，第三电荷产生层和第四电荷产生层；即有机发光二极管器件可以是如图3、图 4所不，仅包括第一电荷产生层10和第二电荷产生层11 ;或者，有机发光二极管器件可以是 如图5所示，仅包括第三电荷产生层12和第四电荷产生层13 ;有机发光二极管器件还可以 是如图6所示，包括第一电荷产生层10和第二电荷产生层11，以及第三电荷产生层12和第 四电荷产生层13。
[0032] 其中，第一电荷产生层和第三电荷产生层可以为有机η型掺杂层，第二电荷产生 层和第四电荷产生层可以为金属氧化物层、有机层或有机Ρ型掺杂层。另外，第一电荷产生 层、第二电荷产生层、第三电荷产生层和第四电荷产生层还可以均为非掺杂层。且第一电荷 产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层和第四电荷产生层的厚度可以分别为5?20nm。
[0033] 下面，以第一电荷产生层和第二电荷产生层为例，具体说明，第一电荷产生层和第 二电荷产生层的具体材料。第三电荷产生层和第四电荷产生层可以参照第一电荷产生层和 第二电荷产生层。
[0034] 当第一电荷产生层为有机η型掺杂层，第二电荷产生层为金属氧化物层时，具体 的，第一电荷产生层可以是由Alq3(三（8-羟基喹啉）铝）和Mg(镁）形成的有机η型掺 杂层，则对应的，第二电荷产生层可以是由W0 3(三氧化钨）形成的金属氧化物层；或者，第 一电荷产生层可以是由Bphen (4, 7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲）和Li (锂）形成的有机η 型掺杂层，则对应的，第二电荷产生层可以是由Μ〇03(三氧化钥）形成的金属氧化物层；或 者，第一电荷产生层可以是由BCP (2,9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲啰啉）和Li (锂） 形成的有机η型掺杂层，则对应的，第二电荷产生层可以是由V205 (五氧化二钒）形成的金 属氧化物层。
[0035] 当第一电荷产生层为有机η型掺杂层，第二电荷产生层为有机层时，具体的，第一 电荷产生层可以是由Alq3(三（8-羟基喹啉）铝）和Li(锂）形成的有机η型掺杂层，则 对应的，第二电荷产生层可以是由HAT-CN(2, 3,6, 7,10,11-六氰基-1，4, 5,8,9,12-六氮基 苯并菲）形成的有机层。
[0036] 当第一电荷产生层为有机η型掺杂层，第二电荷产生层为有机ρ型掺杂层时，具体 的，第一电荷产生层可以是由Bphen(4,7_二苯基-1，10-邻二氮杂菲）和Cs(铯）形成的 有机η型掺杂层，则对应的，第二电荷产生层可以是由ΝΡΒ(Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -双（1-萘 基）-1，Γ -联苯-4,4' -二胺）和 F4-TCNQ (2, 3, 5,6-四氟-7, 7'，8,8' -四氰二甲基对苯醌） 形成的有机P型掺杂层；或者，第一电荷产生层可以是由TPBI(1，3,5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯）和Li(锂）形成的有机η型掺杂层，则对应的，第二电荷产生层可以 是由咿8仇^-二苯基，，^-双（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺）和？6(：1 3(三氯化 铁）形成的有机Ρ型掺杂层；或者，第一电荷产生层可以是由Alq3(三（8-羟基喹啉）铝） 和Mg(镁）形成的有机η型掺杂层，则对应的，第二电荷产生层可以是由m-MTDATA(4,4'， 4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺）和F 4-TCNQ(2,3,5,6-四氟_7,7'，8,8'_四 氰二甲基对苯醌）形成的有机P型掺杂层。
[0037] 当第一电荷产生层和第二电荷产生层均为非掺杂层，具体的，第一电荷产生层 可以是由F 16CuPc (全氟酞菁铜）形成的非掺杂层，则对应的，第二电荷产生层可以是由 CuPc (酞菁铜）形成的非掺杂层。
[0038] 发光功能层根据实际需要可以采用红色、蓝色或者绿色的荧光或磷光材料形成， 其厚度为20?60nm。
[0039] 当然，第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层、第四电荷产生层以及 发光功能层的材料也不局限于上述材料，本发明实施例仅以上述为例进行说明。
[0040] 下面将结合附图，详细说明本发明实施例提供的有机发光二极管器件。
[0041] 实施例一：
[0042] 如图3所示，为本发明实施例提供的一种有机发光二极管器件，包括：阳极1、发光 功能层4、阴极7、第一电荷产生层10和第二电荷产生层11。发光功能层4位于阳极1和 阴极7之间，第一电荷产生层10和第二电荷产生层11位于阴极7和发光功能层4之间，且 第一电荷产生层10靠近发光功能层4,用于向发光功能层4传输电子e'图3所不的有机 发光二极管器件中，阳极1可以是采用高功函的ΙΤ0形成，以利于向发光功能层4传输空穴 h+ ;由于电子f是由第一电荷产生层10和第二电荷产生层11产生并通过第一电荷产生层 10直接注入发光功能层4,则阴极7可以采用任何的导电材料。例如阴极7也可以采用功 函高延展性好的ITO形成，且当阴极7采用延展性好的ITO形成时，如图4所示，阴极7位 于第二电荷产生层11的上面，阴极7和第二电荷产生层11之间形成有保护层8。具体的， 采用ITO形成电极层时，一般通过磁控溅射的方法形成，阴极7位于第二电荷产生层11的 上面，为了避免磁控溅射形成阴极7时的高温溅射对第二电荷产生层11造成损伤，在第二 电荷产生层11的上面形成保护层8。由于ITO的延展性好，则图4所示的有机发光二极管 器件可以适用于柔性显示设备。且本发明实施例及附图，当阴极7和发光功能层4之间包 括第一电荷产生层10和第二电荷产生层11时，均以阴极7为采用ITO形成为例，则在阴极 7和第二电荷产生层11之间还形成保护层8。
[0043] 需要说明的是，本发明实施例中所述"上"、"下"以形成层结构的顺序为依据，在先 形成的层结构即在下，在后形成的层结构即在上。
[0044] 实施例二：
[0045] 如图5所示，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管器件，包括：阳极1、阴极 7、发光功能层4、第三电荷产生层12和第四电荷产生层13。发光功能层4位于阳极1和阴 极7之间，第三电荷产生层12和第四电荷产生层13位于所述阳极1和所述发光功能层4之 间，且第四电荷产生层靠近发光功能层，用于向发光功能层4传输空穴h+。图5所不的有机 发光二极管器件中，阴极7可以采用低功函但导电率高的金属形成，以利于向发光功能层4 传输电子f ;由于空穴h+是由第三电荷产生层12和第四电荷产生层13产生并直接注入发 光功能层4,则阳极1可以采用任何的导电材料，例如阳极1也可以采用导电率更高的金属 材料形成。
[0046] 实施例三：
[0047] 如图6所示，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管器件，包括：阳极1、第一 电荷产生层10、第二电荷产生层11、发光功能层4、第三电荷产生层12、第四电荷产生层13 和阴极7。
[0048] 其中，第一电荷产生层10和第二电荷产生层11位于阴极7和发光功能层4之间， 且第一电荷产生层10靠近发光功能层4,用于向发光功能层4传输电子f ;第三电荷产生 层12和第四电荷产生层13位于阳极1和发光功能层4之间，且第四电荷产生层13靠近发 光功能层4,用于向发光功能层4传输空穴h+。图6所不的有机发光二极管器件中，阴极和 阳极均可以采用导电率高的金属形成。或者，阴极和阳极均可以采用延展性好的ΙΤ0形成， 以使得有机发光二极管器件可以适用于柔性显示设备。
[0049] 实施例四：
[0050] 如图7所示，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管器件，包括：阳极1、阴极 7、发光功能层4、第一电荷产生层10、第二电荷产生层11以及电子传输功能层5 ;其中，电 子传输功能层5位于第一电荷产生层10和发光功能层4之间。则当第一电荷产生层10和 第二电荷产生层11在电场作用下产生电子f和空穴h+，电子f通过第一电荷产生层10以 及电子传输功能层5注入到发光功能层4,电子传输功能层4有利于电子f的传输，进而可 以提高注入到发光功能层4的电子f的传输效率，提高有机发光二极管器件的性能。
[0051] 具体的，电子传输层可以采用Bphen(4,7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲）或 1^^8(1，3,5-三〔（3-吡啶基）-3-苯基〕苯）形成，其厚度为10?3〇11111。
[0052] 需要说明的是，图7所示的有机发光二极管器件还可以是在阳极1和发光功能层 4之间包括第三电荷产生层和第四电荷产生层。
[0053] 实施例五：
[0054] 如图8所示，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管器件，包括：阳极1、阴极 7、发光功能层4、第一电荷产生层10、第二电荷产生层11、电子传输功能层5以及电子注入 功能层6。其中，电子注入功能层6位于述第一电荷产生层10和电子传输功能层5之间。则 当第一电荷产生层10和第二电荷产生层11在电场作用下产生电子和空穴h+，电子（通 过第一电荷产生层10以及电子传输功能层5以及电子注入功能层6注入到发光功能层4， 电子注入功能层6有利于电子f的注入，进而可以提高注入到发光功能层4的电子的注入 效率，提1?有机发光-极管器件的性能。
[0055] 需要说明的是，图8所示的有机发光二极管器件还可以是在阳极1和发光功能层 4之间包括第三电荷产生层和第四电荷产生层。
[0056] 实施例六：
[0057] 如图9所示，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管器件，包括：阳极1、阴极 7、发光功能层4、第三电荷产生层12、第四电荷产生层13以及空穴传输功能层3 ;其中，空 穴传输功能层3位于第四电荷产生层13和发光功能层4之间。则当第三电荷产生层12和 第四电荷产生层13在电场作用下产生电子f和空穴h+，空穴h+通过第四电荷产生层13以 及空穴传输功能层3注入到发光功能层4,空穴传输功能层3有利于空穴h+的传输，进而可 以提高注入到发光功能层4的空穴h+的传输效率，提高有机发光二极管器件的性能。
[0058] 其中，空穴传输层可以是采用有机材料NPB(N，N'_二苯基-N，N'_双（1-萘基）_1， Γ -联苯-4,4' -二胺）或CBP (4,4' -N，Ν' -二咔唑联苯）形成，其厚度为20?70nm。
[0059] 需要说明的是，图9所示的有机发光二极管器件还可以是在阴极7和发光功能层 4之间包括第一电荷产生层和第二电荷产生层；或者，在阴极7和发光功能层4之间包括第 一电荷产生层、第二电荷产生层以及电子传输功能层；还可以是，在阴极7和发光功能层4 之间包括第一电荷产生层、第二电荷产生层、电子传输功能层以及电子注入功能层。
[0060] 实施例七：
[0061] 如图10所示，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管器件，包括阳极1、阴极 7、发光功能层4、第三电荷产生层12、第四电荷产生层13、空穴传输功能层3以及空穴注入 功能层2 ;其中，空穴注入功能层2位于第四电荷产生层13和空穴传输功能层3之间。则 当第三电荷产生层12和第四电荷产生层13在电场作用下产生电子f和空穴h+，空穴h+通 过第四电荷产生层13、空穴传输功能层3以及空穴注入功能层2注入到发光功能层4,空穴 注入功能层2有利于空穴h+的注入，进而可以提高注入到发光功能层4的空穴h+的注入效 率，提高有机发光二极管器件的性能。
[0062] 其中，空穴注入层可以由金属氧化物例如M〇03(三氧化钥）形成；还可以是p型掺 杂层，例如由即8(仏^-二苯基4，^-双（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺）和此0 3(三 氧化钥）形成的有机P型掺杂层，或者由NPB(N，N'_二苯基-N，N'_双（1-萘基）-1，Γ-联 苯-4,4'-二胺）和FeCl 3 (三氯化铁）形成的有机ρ型掺杂层，或者由CBP (4,4'-Ν，Ν'-二 咔唑联苯）和W03(三氧化钨）形成的有机ρ型掺杂层，或者由m-MTDATA(4,4'，4"-三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺））和？ 41^觸(2,3,5,6_四氟_7,7'，8,8'_四氰二甲 基对苯醌）形成的有机P型掺杂层，且空穴注入层的厚度为1?30nm。
[0063] 需要说明的是，图10所示的有机发光二极管器件还可以是在阴极7和发光功能层 4之间包括第一电荷产生层和第二电荷产生层；或者，在阴极7和发光功能层4之间包括第 一电荷产生层、第二电荷产生层以及电子传输功能层；还可以是，在阴极7和发光功能层4 之间包括第一电荷产生层、第二电荷产生层、电子传输功能层以及电子注入功能层。
[0064] 本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的有机发 光二极管器件。所述显示装置可以为OLED (Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极 管）显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具 有显示功能的产品或者部件。
[0065] 优选的，所述有机发光二极管器件至少包括第一电荷产生层和第二电荷产生层， 则有机发光二极管器件的阴极和阳极均采用ΙΤ0形成，显示装置可以为柔性显示装置。具 体的，有机发光二极管器件可以是如图4、图6、图7、图8所示，本发明实施例优选以显示装 置包括图8所示的有机发光二极管器件。
[0066] 由于ΙΤ0具有延展性，采用ΙΤ0形成阴极和阳极的有机发光二极管器件可以使用 在柔性显示装置中，避免了柔性显示装置中采用金属形成阴极，阴极容易发生断裂的问题。 且有机发光二极管器件通过第一电荷产生层和第二电荷产生层产生电子，并通过第一电荷 产生层直接注入到发光功能层，相对于现有的阴极为ΙΤ0,电子必须通过保护层注入发光功 能层的电子注入方式，本发明实施例提供的有机发光二极管器件提高了电子的注入效率， 有利于提高有机发光二极管器件的性能。
[0067] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种有机发光二极管器件，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的发 光功能层，其特征在于，还包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，和/或，第三电荷产生 层和第四电荷产生层；其中， 所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层位于所述阴极和所述发光功能层之间，且 所述第一电荷产生层靠近所述发光功能层，用于传输电子；所述第二电荷产生层靠近所述 阴极，用于传输空穴； 所述第三电荷产生层和所述第四电荷产生层位于所述阳极和所述发光功能层之间，且 所述第三电荷产生层靠近所述阳极，用于传输电子；所述第四电荷产生层靠近所述发光功 能层，用于传输空穴。
2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述有机发光二极管器 件包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，还包括电子传输功能层；其中，所述电子传输功 能层位于所述第一电荷产生层和所述发光功能层之间。
3. 根据权利要求2所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述有机发光二极管器 件还包括电子注入功能层，所述电子注入功能层位于所述第一电荷产生层和所述电子传输 功能层之间。
4. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述有机发光二极管器 件包括第三电荷产生层和第四电荷产生层，还包括空穴传输功能层；其中，所述空穴传输功 能层位于所述第四电荷产生层和所述发光功能层之间。
5. 根据权利要求4所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述有机发光二极管器 件还包括空穴注入功能层，所述空穴注入功能层位于所述第四电荷产生层和所述空穴传输 功能层之间。
6. 根据权利要求2或3所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述阴极具有延展 性。
7. 根据权利要求6所述的有机发光二极管器件，其特征在于，形成所述阴极的材料为 ITO。
8. 根据权利要求7所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述阴极位于所述第二 电荷产生层的上面，且通过磁控溅射的方法形成，所述阴极和所述第二电荷产生层之间形 成有保护层。
9. 根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述第一电荷产生层和 所述第三电荷产生层为有机η型掺杂层，所述第二电荷产生层和所述第四电荷产生层为金 属氧化物层、有机层或有机Ρ型掺杂层；或者，所述第一电荷产生层、所述第二电荷产生层、 所述第三电荷产生层和所述第四电荷产生层均为非掺杂层。
10. -种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的有机发光二极管器 件。
【文档编号】H01L51/50GK104218165SQ201410413349
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月20日 优先权日:2014年8月20日
【发明者】陈磊, 吴海东, 金泰逵 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司