一种有机发光二极管显示装置的修复方法
【专利摘要】本发明提供了一种0LED显示装置的修复方法，包括：确定杂质粒子在叠层结构中的位置■’去除杂质粒子及杂质粒子上方的位于待形成凹槽区域内的膜层，在叠层结构中形成凹槽，凹槽的开口朝向外界环境；在凹槽内形成修复结构，修复结构的折射率小于叠层结构的折射率。利用上述方法对显示装置修复后，发光层（光密介质）所产生的光线中的一部分会进入修复结构（光疏介质），光线方向改变为朝向修复结构平行于显示平面的表面，从而从修复结构中出射的光线能够被人眼接收，消除了杂质粒子引起的黑缺，提高了产品良率，避免了成本浪费。
【专利说明】一种有机发光二极管显示装置的修复方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种OLED (Organic Light-Emitting Diode, 有机发光二极管）显示装置的修复方法。
【背景技术】
[0002] OLED (Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管）显示装置是目前主流的 显示器件之一，具有主动发光、视角范围大；响应速度快，图像稳定；亮度高、色彩丰富、分 辨率高；驱动电压低、能耗低等一系列优点。
[0003] 0LED显示装置主要包括TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管）阵列基板及设 置于TFT阵列基板上的0LED，其中，0LED为由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层和阴极依次层叠构成的叠层结构。
[0004] 在0LED的生产过程中，依次蒸镀上述各膜层，可能存在杂质粒子混入其中，杂质 粒子会影响空穴和电子的注入与复合，造成所在区域不发光，使像素中出现黑缺问题，降低 了产品的良率；由于0LED为自发光器件，因此一旦膜层中掺入杂质，将无法修复，在显示品 质受到严重影响时，只能进行报废处理，造成成本的浪费。
【发明内容】
[0005] 为克服上述现有技术中的缺陷，本发明所要解决的技术问题为：提供一种0LED显 示装置的修复方法，以解决杂质引起的像素黑缺问题，提高产品良率，避免成本浪费。
[0006] 为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
[0007] 本发明提供了一种有机发光二极管显示装置的修复方法，所述有机发光二极管显 示装置包括形成有机发光二极管的叠层结构，所述修复方法包括：确定杂质粒子在所述叠 层结构中的位置；去除所述杂质粒子及所述杂质粒子上方的位于待形成凹槽区域内的膜 层，在所述叠层结构中形成凹槽，所述凹槽的开口朝向外界环境；在所述凹槽内形成修复结 构，所述修复结构的折射率小于所述叠层结构的折射率。
[0008] 优选的，所述确定杂质粒子在所述叠层结构中的位置具体为：确定所述显示平面 中不发光点的位置，根据所述不发光点的位置确定所述杂质粒子在所述叠层结构中的位 置。
[0009] 优选的，所述去除所述杂质粒子及所述杂质粒子上方的位于待形成凹槽区域内的 膜层具体为：利用激光由外至内依次去除所述杂质粒子上方的位于待形成凹槽区域内的膜 层，直至暴露出所述杂质粒子，利用激光去除所述杂质粒子。
[0010] 优选的，所述凹槽的形状为圆柱体、椭圆柱体、长方体或正方体。
[0011] 优选的，所述在所述凹槽内形成修复结构具体为：采用蒸镀工艺在所述凹槽内填 充修复结构材料，形成所述修复结构。
[0012] 优选的，所述修复结构材料为透明绝缘材料。
[0013] 优选的，所述修复结构的表面与所述叠层结构的表面齐平。
[0014] 优选的，所述修复结构的表面低于所述叠层结构的表面，在形成所述修复结构之 后，还包括：在所述修复结构上形成平坦层，所述平坦层的表面与所述叠层结构的表面齐 平，且所述平坦层的折射率大于所述修复结构的折射率。
[0015] 本发明所提供的0LED显示装置的修复方法中，通过将引起黑缺的杂质粒子及其 上方的膜层的相应部分去除，形成凹槽，之后在凹槽内形成修复结构，使修复结构的折射率 小于0LED叠层结构的折射率。根据光的折射原理，光从光密介质进入光疏介质，远离法线 折射，因此利用本发明所提供的修复方法对显示装置修复后，0LED发光层（光密介质）所产 生的光线中的一部分进入修复结构（光疏介质），该部分光线的方向朝向修复结构与显示 平面平行的表面，最终从显示平面出射进入人眼，即经过修复结构的光线能够被人眼接收， 消除了杂质粒子引起的黑缺，提高了产品良率，避免了成本浪费。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其它的附图。
[0017] 图1?图4为本发明实施例所提供的0LED显示装置的修复方法的各步骤图；
[0018] 图5为经过修复结构的光线的光路图；
[0019] 图6为修复前后像素显示情况的对比图。
【具体实施方式】
[0020] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施 例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例 仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技 术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范 围。
[0021] 本发明实施例提供了一种0LED显示装置的修复方法，如图1?图4所示，0LED显 示装置包括形成0LED的叠层结构12,该修复方法包括以下步骤：
[0022] 步骤S1 :确定杂质粒子13在叠层结构12中的位置，如图1所示。
[0023] 杂质粒子13在叠层结构12的位置应该包括其在显示平面上的位置（即位于显 示平面的哪个区域）和在垂直于显示平面的方向上的位置（即位于叠层结构12的哪个膜 层），因此，上述步骤S1具体的可为：确定显示平面中不发光点的位置，根据不发光点的位 置确定杂质粒子13在叠层结构12中的位置。
[0024] 需要说明的是，由于杂质粒子13会在垂直于显示平面的方向上阻断阴极125和电 子传输层124位于杂质粒子13上方的部分中的电子与空穴注入层121和空穴传输层122位 于杂质粒子13下方的部分中的空穴复合，造成杂质粒子13所在位置不能发光，形成不发光 点（即黑缺），因此不发光点在显示平面中的位置即为杂质粒子13在显示平面上的位置。
[0025] 步骤S2 :去除杂质粒子13及杂质粒子13上方的位于待形成凹槽区域内的膜层， 在叠层结构12中形成凹槽21，凹槽21的开口朝向外界环境，如图2所示。
[0026] 上述步骤中，去除杂质粒子13及杂质粒子13上方的位于待形成凹槽区域内的膜 层优选的具体为：利用激光由外至内依次去除杂质粒子13上方的位于待形成凹槽区域内 的膜层，直至暴露出杂质粒子13,利用激光去除杂质粒子13。以图1所示出的杂质粒子13 位于发光层123中的情况为例，在本步骤中，需要去除的部分为电子传输层124和阴极125 位于杂质粒子13上方的部分；在本发明的其它实施例中，阴极125上可能还覆盖有平坦层 126,或者阴极125与电子传输层124之间还包括电子注入层，因此，需要去除的部分还包括 电子注入层和/或平坦层126位于杂质粒子13上方的部分。
[0027] 需要说明的是，相对其它的膜层去除工艺，利用激光的高能量去除产生黑缺的区 域内的杂质粒子13及其以上膜层，能够更好的保证0LED的各膜层不被损伤，提高0LED的 发光性能。
[0028] 另外，需要说明的是，所谓"杂质粒子13的上方"是指：沿垂直于显示平面的方向， 位于杂质粒子13背离阵列基板11的一侧。所谓"待形成凹槽区域"是指杂质粒子13所占 空间，及位于杂质粒子13背离阵列基板11的一侧且杂质粒子13在沿垂直于显示平面方向 上正对的一部分膜层所占空间。所谓"由外至内"是指从远离阵列基板11至靠近阵列基板 11。
[0029] 本实施例对所形成的凹槽21的具体形状并不限定，凹槽21的形状优选的可为圆 柱体、椭圆柱体、长方体或正方体等，形状规则的凹槽能够使在进行激光去除时的工艺可控 性更强，更加简单、易实现。凹槽21的形状还可依据杂质粒子的形状而定，从而可减少膜层 不必要的去除，进一步提高0LED的发光性能。凹槽21的尺寸以能够包围杂质粒子13的结 构的最小尺寸为优选方案。
[0030] 步骤S3 :在凹槽21内形成修复结构31，修复结构31的折射率小于叠层结构12的 折射率如图3所示。
[0031] 如图4和图5所示，为经过修复结构31的光线的光路图，其中，ηι为0LED叠层结 构的折射率，n 2为修复结构31的折射率，n2 < ni ;aa<为叠层结构与修复结构界面的法线； Θ i为从叠层结构入射至修复结构31的光线的入射角，Θ 2为从叠层结构入射至修复结构 31的光线的折射角。
[0032] 根据光的折射原理，修复结构31周围的叠层结构的发光层123所产生的光线从叠 层结构入射至修复结构31，由于η 2 < ηι，即从光密介质入射至光疏介质，光线会远离法线 aa'偏折，θ2，从而使光线方向改变为朝向修复结构31平行于显示平面的表面（即 修复结构31的上表面或下表面），能够被人眼接收，即该修复结构31具有一定的显示亮 度。可见，利用本实施例所提供的修复方法修复后的显示装置，消除了黑缺问题，产品良率 提高，无需进行报废处理，避免了成本的浪费。
[0033] 如图6所示，为修复前后像素显示情况的对比图，修复后出现黑缺的区域61颜色 明显变淡或者消失，使人眼不能识别，可见经过本实施例所提供的修复方法的修复后，显示 装置的黑缺现象被消除。
[0034] 上述步骤中，在凹槽21内形成修复结构31优选的具体可为：采用蒸镀工艺在凹槽 21内填充修复结构材料，形成修复结构31。需要说明的是，相对于滴入、旋涂、印刷等工艺， 采用蒸镀工艺进行修复结构材料的填充，能够更好的保证0LED的各膜层不被液体污染，提 高0LED的发光性能。
[0035] 修复结构材料优选的可为透明绝缘材料，以保证修复结构31具有高的光线透过 率，提高修复结构31的亮度，增强修复效果。
[0036] 修复结构31的形状和在显示平面上的尺寸优选的可与凹槽的形状和在显示平面 上的尺寸相同，以是修复结构31与凹槽紧密接触，更好的发挥改变光路的作用，提高修复 效果。
[0037] 通常情况下，叠层结构12具有覆盖空穴注入层121、空穴传输层122、发光层123、 电子传输层124、阴极125等各膜层的平坦层126,平坦层126位于杂质粒子13上方的部分 在形成凹槽21的过程中被去除，因此在形成修复结构31时，优选的可使修复结构31的表 面与叠层结构12的表面齐平（即与平坦层126的表面齐平）；或者可使修复结构31的表 面低于叠层结构12的表面（例如可与阴极125的表面齐平），再在修复结构上形成平坦层 126'，使平坦层126'的表面与叠层结构12的表面齐平（即与平坦层126的表面齐平）， 以使器件的表面平坦化，并保护修复结构31。
[0038] 对于上述使修复结构31的表面低于叠层结构12的表面，再在修复结构上形成平 坦层126'的方案，如图4和图5所示，若平坦层126'的折射率为n 3，则优选的可使平坦层 126'的折射率％大于修复结构31的折射率112，即n2<n 3，假设bb'为平坦层126'与修 复结构31的法线，Θ 3为从修复结构31入射至平坦层126'的光线的入射角，Θ 4为从修复 结构31入射至平坦层126'的光线的折射角，根据光的折射原理，光线从修复结构31入射 至平坦层126'，由于n 2<n3，即从光疏介质入射至光密介质，因此光线会靠近法线bb'偏 折，θ3> θ4，从而使光线方向进一步朝向修复结构31平行于显示平面的表面（即进一步 趋近垂直于显示平面），增加了经过修复结构31的被人眼接收的光线的量，即进一步提高 了修复结构31的显示亮度，从而进一步缩小了修复结构31处与正常发光处的亮度差距，优 化了黑缺的消除效果。
[0039] 需要说明的是，本实施例中修复方法能够适用各种0LED显示装置，如：电子纸、手 机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品 或部件。
[0040] 以上所述仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应 涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为 准。
【权利要求】
1. 一种有机发光二极管显示装置的修复方法，所述有机发光二极管显示装置包括形成 有机发光二极管的叠层结构，其特征在于，所述修复方法包括： 确定杂质粒子在所述叠层结构中的位置； 去除所述杂质粒子及所述杂质粒子上方的位于待形成凹槽区域内的膜层，在所述叠层 结构中形成凹槽，所述凹槽的开口朝向外界环境； 在所述凹槽内形成修复结构，所述修复结构的折射率小于所述叠层结构的折射率。
2. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述确定杂质粒子在所述叠层结构 中的位置具体为：确定所述显示平面中不发光点的位置，根据所述不发光点的位置确定所 述杂质粒子在所述叠层结构中的位置。
3. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述去除所述杂质粒子及所述杂质 粒子上方的位于待形成凹槽区域内的膜层具体为：利用激光由外至内依次去除所述杂质粒 子上方的位于待形成凹槽区域内的膜层，直至暴露出所述杂质粒子，利用激光去除所述杂 质粒子。
4. 根据权利要求3所述的修复方法，其特征在于，所述凹槽的形状为圆柱体、椭圆柱 体、长方体或正方体。
5. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成修复结构具 体为：采用蒸镀工艺在所述凹槽内填充修复结构材料，形成所述修复结构。
6. 根据权利要求5所述的修复方法，其特征在于，所述修复结构材料为透明绝缘材料。
7. 根据权利要求1?6任一项所述的修复方法，其特征在于，所述修复结构的表面与所 述叠层结构的表面齐平。
8. 根据权利要求1?6任一项所述的修复方法，其特征在于，所述修复结构的表面低于 所述叠层结构的表面，在形成所述修复结构之后，还包括：在所述修复结构上形成平坦层， 所述平坦层的表面与所述叠层结构的表面齐平，且所述平坦层的折射率大于所述修复结构 的折射率。
【文档编号】H01L51/56GK104218069SQ201410425967
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月26日 优先权日:2014年8月26日
【发明者】马群, 闵天圭, 吴海东 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司