一种coa基板及其制作方法和显示装置制造方法

一种coa基板及其制作方法和显示装置制造方法
【专利摘要】本发明的实施例提供一种COA基板及其制作方法和显示装置，涉及显示【技术领域】，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显示器件的画面的显示质量。该COA基板包括：栅线、数据线、公共电极层和黑矩阵，其中：所述黑矩阵设置于所述栅线与所述公共电极层之间和/或所述数据线与所述公共电极层之间的位置；所述黑矩阵的材料为金属材料。本发明应用于显示器件的制作技术中。
【专利说明】-种COA基板及其制作方法和显示装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种COA基板及其制作方法和显示装置。

【背景技术】
[0002] 液晶显示器件（LiquidCrystalDisplay,简称LCD)和有机电致发光器件 (Organicelectroluminescentdevice,简称0LED)等显示器件已成为人们生活中的必需 品，随着人们需求的提高，为了提高显示器件的显示品质，避免阵列基板和彩膜基板对盒时 的偏差影响显示器件开口率和出现漏光的问题，彩色滤光片与阵列基板集成在一起的集成 技术（ColorFilteronArray,简称C0A)应用而生，COA技术就是将黑矩阵和彩色滤光片 设置于阵列基板上。
[0003] 现有的黑矩阵一般是采用包覆碳黑颗粒的树脂构成，碳黑颗粒具有一定的导电性 且介电常数较大。而现有COA基板中的黑矩阵一般设置在栅线与公共电极之间和/或数据 线与公共电极之间的位置，会使得公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间产生 很大的寄生电容，这样会产生较大的信号延迟，降低显示器件的画面的显示质量。


【发明内容】

[0004] 本发明的实施例提供一种COA基板及其制作方法和显示装置，解决了现有技术方 案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会产生较大寄生电容的问题，避免 出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显示器件的画面的显示质量。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] 第一方面，提供一种COA基板，所述COA基板包括：栅线、数据线、公共电极层和黑 矩阵，其中：
[0007] 所述黑矩阵设置于所述栅线与所述公共电极层之间和/或所述数据线与所述公 共电极层之间的位置；
[0008] 所述黑矩阵的材料为金属材料。
[0009] 可选的，所述黑矩阵具体设置在所述公共电极层下且紧邻所述公共电极层的位 置。
[0010] 可选的，所述COA基板还包括平坦层和彩色滤光片，其中：
[0011] 所述彩色滤光片形成在所述黑矩阵上覆盖所述基板的位置处，所述彩色滤光片被 所述平坦层覆盖。
[0012] 可选的，所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、 铝、钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
[0013] 可选的，所述黑矩阵的厚度为0· 2?0· 4um。
[0014] 第二方面，提供一种COA基板，所述COA基板包括：设置在基板上的公共电极层和 黑矩阵，其中：
[0015] 所述黑矩阵设置在所述公共电极层上。
[0016] 可选的，所述黑矩阵的材料为金属材料。
[0017] 可选的，所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、 铝、钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
[0018] 可选的，所述黑矩阵的厚度为0· 2?0· 4um。
[0019] 第三方面，提供一种COA基板的制作方法，所述方法包括：在基板上形成栅线、数 据线和公共电极层，还包括：
[0020] 采用金属材料在所述栅线与所述公共电极层之间和/或所述数据线与所述公共 电极层之间的位置形成黑矩阵。
[0021] 可选的，所述方法还包括：
[0022] 在所述基板上形成彩色滤光片；
[0023] 在所述彩色滤光片上形成覆盖所述彩色滤光片的平坦层。
[0024] 可选的，所述采用金属材料在所述栅线与所述公共电极层之间和/或所述数据线 与所述公共电极层之间的位置形成黑矩阵，包括：
[0025] 采用金属材料在所述栅线和数据线上形成一层金属薄膜；
[0026] 通过构图工艺处理所述金属薄膜形成所述黑矩阵；
[0027] 形成所述公共电极层，包括：
[0028] 在所述黑矩阵上紧邻所述黑矩阵的位置形成所述公共电极层。
[0029] 可选的，所述黑矩阵是通过使用阵列基板用曝光设备进行构图工艺处理形成的。
[0030] 可选的，所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、 铝、钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
[0031] 可选的，所述黑矩阵的厚度为0· 2?0· 4um。
[0032] 第四方面，提供一种COA基板的制作方法，所述方法包括：在基板上形成公共电极 层,还包括：
[0033] 在所述公共电极层上形成黑矩阵。
[0034] 可选的，所述在所述公共电极层上形成黑矩阵，包括：
[0035] 采用金属材料在所述公共电极层上形成一层金属薄膜；
[0036] 采用阵列基板用曝光设备通过构图工艺处理所述金属薄膜形成所述黑矩阵。
[0037] 可选的，所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、 铝、钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
[0038] 可选的，所述黑矩阵的厚度为0· 2?0· 4um。
[0039] 第五方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的任一COA基板；
[0040] 或者，所述显示装置包括第二方面所述的任一COA基板。
[0041] 本发明的实施例提供的COA基板及其制作方法和显示装置，通过用金属材料形成 COA基板中的黑矩阵，用金属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这 样可以有效避免由于碳黑颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电 极和数据线之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共 电极与数据线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传 送，提高了显示器件的画面的显示质量。

【专利附图】

【附图说明】
[0042] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0043] 图1为本发明的实施例提供的一种COA基板的结构示意图；
[0044] 图2为本发明的实施例提供的另一种COA基板的结构不意图；
[0045] 图3为本发明的实施例提供的又一种COA基板的结构示意图；
[0046] 图4为本发明的实施例提供的一种COA基板的制作方法的流程示意图；
[0047] 图5为本发明的实施例提供的另一种COA基板的制作方法的流程示意图；
[0048] 图6为本发明的实施例提供的又一种COA基板的制作方法的流程示意图；
[0049] 图7为本发明的另一实施例提供的一种COA基板的制作方法的流程示意图；
[0050] 图8为本发明的另一实施例提供的另一种COA基板的制作方法的流程示意图。
[0051] 附图标记：1-基板；2-栅极；3-栅绝缘层；4-有源层；5-源极；6-漏极；7-第一层 钝化层；8-黑矩阵；9-公共电极层；10-平坦层；11-彩色滤光片；12-第二层钝化层；13-像 素电极层。

【具体实施方式】
[0052] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0053] 本发明的实施例提供一种COA基板，参照图1所示，该COA基板包括：基板1、栅极 2、栅线（图中未示出）、栅绝缘层3、有源层4、源极5、漏极6、数据线（图中未示出）、第一 层钝化层7、黑矩阵8和公共电极层9,其中：
[0054] 黑矩阵8设置于栅线与公共电极层9之间和/或数据线与公共电极层9之间的位 置。
[0055] 黑矩阵8的材料为金属材料。
[0056] 具体的，本实施例中黑矩阵采用金属材料形成，优选的可以采用金属材料中反射 率相对较低的金属材料，相比于现有技术中的黑矩阵的碳黑颗粒金属材料的介电常数远远 小于碳黑颗粒的介电常数，极大的减小了COA基板中的数据线与公共电极层和/或栅线与 公共电极层之间的寄生电容。
[0057] 其中，基板可以是玻璃基板或石英基板等；栅极、源极和漏极可以是采用金属材料 等形成的；栅绝缘层可以是采用氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等形成的；有源层 可以是采用金属氧化物半导体材料等形成的；第一层钝化层和可以是采用氮化硅或透明的 有机树脂材料等形成的。公共电极层可以是采用氧化铟锡（Indiumtinoxide，简称ΙΤ0) 或者掺铟氧化锌（indium-dopedzincoxide,简称IZO)等形成的。
[0058] 本发明的实施例提供的COA基板，通过用金属材料形成COA基板中的黑矩阵，用金 属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这样可以有效避免由于碳黑 颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线之间的寄生电 容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会产生 较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显示器件的画面 的显示质量。
[0059] 如图1所示，该COA基板还包括：平坦层10和彩色滤光片11，其中：
[0060] 彩色滤光片11形成在黑矩阵8上覆盖基板1的位置处，彩色滤光片11被平坦层 10覆盖。
[0061] 进一步具体的，参照图2所示，该COA基板中的黑矩阵8设置在公共电极层9下且 紧邻公共电极层9的位置。
[0062] 本实施例中将黑矩阵设置在公共电极层的下面与公共电极层电连接，由于黑矩阵 采用金属材料形成，导电的同时具有较低的介电常数，这样可以提高公共电极层的均一性， 进一步提高画面的显示质量。同时，采用金属材料形成黑矩阵，由于金属材料自身的特性， 相比于碳黑颗粒，在实际的应用中可以在保证黑矩阵的遮光作用的同时，尽量减小黑矩阵 的宽度，提高显示面板的开口率。
[0063] 其中，黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者钥、铬、铝、钛、铜对 应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
[0064] 黑矩阵的厚度可以为0.2?0.4um。
[0065] 具体的，本实施例中优选的可以采用反射率较低的钥、铬、铝、钛和铜中的至少一 种或者包含上述至少一种金属的合金或者上述任一金属对应的金属氧化物和氮化物作为 黑矩阵的材料，减小形成的黑矩阵反射率过大对COA基板中的其它层结构的形成造成影 响，同时保证黑矩阵的遮光作用。黑矩阵的厚度设置为〇. 2?0. 4um，该厚度可以保证形成 的黑矩阵具有很好的吸收可见光的作用，实现黑矩阵的吸光作用。
[0066] 由于本实施例中的黑矩阵的材料为金属材料，故其可以采用形成COA基板中的层 结构的曝光设备（即阵列基板用曝光机）和刻蚀设备进行制备，阵列基板用曝光机相比于 现有技术中形成黑矩阵采用的彩膜曝光机在对位精度及分辨率方面均更高，这样可以进一 步增强栅线和黑矩阵以及数据线和和黑矩阵的对位精度，实现黑矩阵较小宽度的同时达到 遮光的作用，可以最大化的提高显示面板的开口率。
[0067] 需要说明的是，如图2中所示，该COA基板还包括：第二层钝化层12和像素电极层 13。其中，第二层钝化层可以是采用氮化硅或透明的有机树脂材料等形成的；像素电极层可 以是ITO或者IZO等形成的。
[0068] 本发明的实施例提供的COA基板，通过用金属材料形成COA基板中的黑矩阵，用金 属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这样可以有效避免由于碳黑 颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线之间的寄生电 容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会产生 较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显示器件的画面 的显示质量。
[0069] 本发明的实施例提供一种COA基板，参照图3所示，该COA基板包括：基板1、栅极 2、栅绝缘层3、有源层4、源极5、漏极6、第一层钝化层7和黑矩阵8和公共电极层9,其中： [0070] 黑矩阵8设置在公共电极层9上。
[0071] 具体的，本实施例中将黑矩阵设置在公共电极层上，这样黑矩阵就不会出现在栅 线与公共电极层和数据线与公共电极层之间的位置，相比于现有技术的方案，极大的减小 了栅线与公共电极层和/或数据线与公共电极层之间的介电常数，从而可以减小栅线与公 共电极层和/或数据线与公共电极层之间的寄生电容。
[0072] 其中，黑矩阵8的材料为金属材料。
[0073] 本实施例中的黑矩阵的材料采用金属材料，由于金属材料导电才介电常数较低， 实现黑矩阵与公共电极层电连接，可以提高公共电极层的均一性，进一步提高画面的显示 质量。同时，由于金属材料自身的特性，相比于碳黑颗粒，在实际的应用中可以在保证黑矩 阵的遮光作用的同时，尽量减小黑矩阵的宽度，提高显示面板的开口率。
[0074] 具体的，黑矩阵的材料可以包括：钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者钥、铬、铝、 钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
[0075] 黑矩阵的厚度为0· 2?0· 4um。
[0076] 具体的，本实施例中优选的可以采用反射率较低的钥、铬、铝、钛和铜中的至少一 种或者包含上述至少一种金属的合金或者上述任一金属对应的金属氧化物和氮化物作为 黑矩阵的材料，减小形成的黑矩阵反射率过大对COA基板中的其它层结构的形成造成影 响，同时保证黑矩阵的遮光作用。黑矩阵的厚度设置为〇. 2?0. 4um，该厚度可以保证形成 的黑矩阵具有很好的吸收可见光的作用，实现黑矩阵的吸光作用。
[0077] 需要说明的是，如图3中所示，该COA基板还包括：被平坦层10、彩色滤光片11、第 二层钝化层12和像素电极层13。
[0078] 其中，基板可以是玻璃基板或石英基板等；栅极、源极和漏极可以是采用金属材料 等形成的；栅绝缘层可以是采用氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等形成的；有源层 可以是采用金属氧化物半导体材料等形成的；第一层钝化层和第二层钝化层可以是采用氮 化硅或透明的有机树脂材料等形成的。公共电极层和像素电极层可以是采用ITO或者IZO 等形成的。
[0079] 本发明的实施例提供的COA基板，通过将COA基板中的黑矩阵设置在公共电极层 上，黑矩阵不会出现在公共电极与栅线和/或公共电极与数据线之间的位置，这样可以有 效避免由于黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线之间的寄 生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会 产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号正常传送，提高了显示器件的画 面的显示质量。
[0080] 本发明的实施例提供一种COA基板的制作方法，参照图4所示，该方法包括以下步 骤：
[0081] 101、在基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的栅金属层。
[0082] 具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层 厚度在1000人至7000A的金属薄膜，该金属薄膜通常可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合 金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、 显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层。
[0083] 102、在栅金属层上形成栅绝缘层。
[0084] 具体的，可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积厚度为 IOOOA至6000人的栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化娃，也可以使 用氧化硅和氮氧化硅等。
[0085] 103、在栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线。
[0086] 具体的，可以利用化学气相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体薄膜，然 后对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用普通的 掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层即可。
[0087] 进而，采用和制作栅线类似的方法，在基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在 1000人到7000人金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成源极、漏极和数据线。
[0088] 104、采用金属材料在栅线与公共电极层之间和/或数据线与公共电极层之间的 位置形成黑矩阵。
[0089] 105、在基板上形成公共电极层。
[0090] 具体的，采用磁控溅射的方法沉积一层厚度在300?500A之间的ITO或者ΙΖ0， 之后经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层。
[0091] 本发明的实施例提供的COA基板的制作方法，通过用金属材料形成COA基板中的 黑矩阵，用金属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这样可以有效 避免由于碳黑颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线 之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据 线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显 示器件的画面的显示质量。
[0092] 本发明的实施例提供一种COA基板的制作方法，参照图5所示，该方法包括以下步 骤：
[0093] 201、在基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的栅金属层。
[0094] 具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层 厚度在1000人至7000人的金属薄膜，该金属薄膜通常可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合 金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、 显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层。
[0095] 202、在栅金属层上形成栅绝缘层。
[0096] 具体的，可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积厚度为 1000人至6000人的栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化娃，也可以使 用氧化硅和氮氧化硅等。
[0097] 203、在栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线。
[0098] 具体的，可以利用化学气相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体薄膜，然 后对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用普通的 掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层即可。
[0099] 进而，采用和制作栅线类似的方法，在基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在 1000人到7000人金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成源极、漏极和数据线。
[0100] 204、制作覆盖有源层、源极、漏极和数据线的第一层钝化层。
[0101] 具体的，采用和栅绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个基板上涂覆一层厚度 在1000人到6000人的第一层钝化层，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。
[0102] 205、米用金属材料在第一层钝化层上形成一层金属薄膜。
[0103] 206、采用阵列基板用曝光设备通过构图工艺处理金属薄膜形成黑矩阵。
[0104] 具体的，可以采用与形成COA基板中的源极和漏极等层结构相同的曝光设备（即 阵列基板用曝光机）和刻蚀设备处理该金属薄膜，形成厚度在2000人至4000人的黑矩 阵。黑矩阵的材料可以为钥、铬、铝、钛和铜中的至少一种或者包含上述至少一种金属材料 的合金或者上述任一金属对应的金属氧化物和氮化物。
[0105] 207、在黑矩阵上形成覆盖基板的彩色滤光片。
[0106] 208、在彩色滤光片上形成覆盖彩色滤光片的平坦层。
[0107]209、在有机树脂层上形成公共电极层。
[0108] 具体的，采用磁控溅射的方法沉积一层厚度在300A?500A之间的ITO或者 ΙΖ0,之后经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层。
[0109] 210、在公共电极层上制作覆盖平坦层的第二层钝化层。
[0110] 具体的，采用和栅绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个基板上涂覆一层钝化 层，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。
[0111] 211、在第二层钝化层上形成像素电极层。
[0112] 采用磁控溅射的方法在第二层钝化层上沉积ITO或者ΙΖ0,然后经过曝光、显影、 刻蚀形成像素电极层。
[0113] 本发明的实施例提供的COA基板的制作方法，通过用金属材料形成COA基板中的 黑矩阵，用金属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这样可以有效 避免由于碳黑颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线 之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据 线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显 示器件的画面的显示质量。
[0114] 本发明的实施例提供一种COA基板的制作方法，参照图6所示，该方法包括以下步 骤：
[0115] 301、在基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的栅金属层。
[0116] 302、在栅金属层上形成栅绝缘层。
[0117] 303、在栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线。
[0118] 304、制作覆盖有源层、源极、漏极和数据线的第一层钝化层。
[0119] 305、在第一层钝化层上形成覆盖基板的彩色滤光片。
[0120] 306、在彩色滤光片上形成覆盖彩色滤光片的平坦层。
[0121] 307、采用金属材料在平坦层上且紧邻公共电极层的位置形成一层金属薄膜。
[0122] 308、通过构图工艺处理金属薄膜形成黑矩阵。
[0123] 其中，黑矩阵可以是采用阵列基板用曝光设备进行构图工艺处理形成的。
[0124] 具体的，阵列基板用曝光设备可以是与形成COA基板中的源极和漏极等层结构相 同的曝光设备（即阵列基板用曝光机），也就是可以采用与形成COA基板中的源极和漏极等 层结构相同的曝光设备和刻蚀设备处理该金属薄膜，形成厚度在2000人至4000人的黑 矩阵。黑矩阵的材料可以为钥、铬、铝、钛和铜中的至少一种或者包含上述至少一种金属材 料的合金或者上述任一金属对应的金属氧化物和氮化物。
[0125]309、在黑矩阵上形成公共电极层。
[0126] 具体的，采用磁控溅射的方法沉积一层厚度在300A?500A之间的ITO或者 ΙΖ0,之后经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层。
[0127] 310、在公共电极层上制作覆盖基板的第二层钝化层。
[0128] 311、在第二层钝化层上形成像素电极层。
[0129] 需要说明的是，本实施例中的流程与上述实施例中的步骤相同的描述与上述实施 例中的说明类似，此处不再赘述。
[0130] 本发明的实施例提供的COA基板的制作方法，通过用金属材料形成COA基板中的 黑矩阵，用金属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这样可以有效 避免由于碳黑颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线 之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据 线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显 示器件的画面的显示质量。
[0131] 本发明的实施例提供一种COA基板的制作方法，参照图7所示，该方法包括以下步 骤：
[0132] 401、在基板上形成公共电极层。
[0133] 具体的，采用磁控溅射的方法沉积一层厚度在300A?500A之间的ITO或者 ΙΖ0,之后经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层。
[0134] 402、在公共电极层上形成黑矩阵。
[0135] 在公共电极层上可以保证黑矩阵正常遮光作用的位置处形成黑矩阵。
[0136] 本发明的实施例提供的COA基板的制作方法，通过将COA基板中的黑矩阵制作在 公共电极层上，黑矩阵不会出现在公共电极与栅线和/或公共电极与数据线之间的位置， 这样可以有效避免由于黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据 线之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数 据线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，的保证了信号正常传送，提高了 显示器件的画面的显示质量。
[0137] 本发明的实施例提供一种COA基板的制作方法，参照图8所示，该方法包括以下步 骤：
[0138] 501、在基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的栅金属层。
[0139] 502、在栅金属层上形成栅绝缘层。
[0140] 503、在栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线。
[0141] 504、制作覆盖有源层、源极、漏极和数据线的第一层钝化层。
[0142] 505、在第一层钝化层上形成覆盖基板的彩色滤光片。
[0143] 506、在彩色滤光片上形成覆盖彩色滤光片的平坦层。
[0144] 507、在平坦层上形成公共电极层。
[0145] 508、采用金属材料在公共电极层上形成一层金属薄膜。
[0146] 509、采用阵列基板用曝光设备通过构图工艺处理金属薄膜形成黑矩阵。
[0147] 具体的，可以采用与形成COA基板中的源极和漏极等层结构相同的曝光设备（即 阵列基板用曝光机）和刻蚀设备处理该金属薄膜，形成厚度在2000人至4000人的黑矩 阵。黑矩阵的材料可以为钥、铬、铝、钛和铜中的至少一种或者包含上述至少一种金属材料 的合金或者上述任一金属对应的金属氧化物和氮化物。
[0148] 510、在黑矩阵上形成覆盖公共电极层和基板的第二层钝化层。
[0149] 511、在第二层钝化层上形成像素电极层。
[0150] 需要说明的是，本实施例中的流程与上述实施例中的步骤相同的描述可以参考上 述实施例中的说明，此处不再赘述。
[0151] 本发明的实施例提供的COA基板的制作方法，通过将COA基板中的黑矩阵制作在 公共电极层上，黑矩阵不会出现在公共电极与栅线和/或公共电极与数据线之间的位置， 这样可以有效避免由于黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据 线之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数 据线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，的保证了信号正常传送，提高了 显示器件的画面的显示质量。
[0152] 本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置包括本发明中图1和图2对应的 实施例中提供的任一COA基板。
[0153] 本发明的实施例提供的显示装置，通过用金属材料形成COA基板中的黑矩阵，用 金属材料的黑矩阵代替了现有技术方案中的碳黑颗粒的黑矩阵，这样可以有效避免由于碳 黑颗粒的黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数据线之间的寄生 电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会产 生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，保证了信号的正常传送，提高了显示器件的画 面的显示质量。
[0154] 本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置包括本发明中图3对应的实施例 中提供的COA基板。
[0155] 本发明的实施例提供的显示装置，通过将显示装置中的COA基板中的黑矩阵设置 在公共电极层上，黑矩阵不会出现在公共电极与栅线和/或公共电极与数据线之间的位 置，这样可以有效避免由于黑矩阵的存在而使得公共电极和栅线之间和/或公共电极和数 据线之间的寄生电容增大，解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与 数据线之间会产生较大寄生电容的问题，避免出现信号延迟，的保证了信号正常传送，提高 了显示器件的画面的显示质量。
[0156] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种COA基板，所述COA基板包括：栅线、数据线和公共电极层，其特征在于，所述 COA基板还包括：黑矩阵，其中： 所述黑矩阵设置于所述栅线与所述公共电极层之间和/或所述数据线与所述公共电 极层之间的位置； 所述黑矩阵的材料为金属材料。
2. 根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于， 所述黑矩阵具体设置在所述公共电极层下且紧邻所述公共电极层的位置。
3. 根据权利要求1或2所述的COA基板，其特征在于，所述COA基板还包括平坦层和彩 色滤光片，其中： 所述彩色滤光片形成在所述黑矩阵上覆盖所述基板的位置处，所述彩色滤光片被所述 平坦层覆盖。
4. 根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于， 所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、铝、钛、铜对应 的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
5. 根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于， 所述黑矩阵的厚度为〇· 2?0· 4um。
6. -种COA基板，所述COA基板包括：设置在基板上的公共电极层，其特征在于，所述 COA基板还包括：黑矩阵，其中： 所述黑矩阵设置在所述公共电极层上。
7. 根据权利要求6所述的COA基板，其特征在于， 所述黑矩阵的材料为金属材料。
8. 根据权利要求7所述的COA基板，其特征在于， 所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、铝、钛、铜对应 的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
9. 根据权利要求7或8所述的COA基板，其特征在于， 所述黑矩阵的厚度为〇· 2?0· 4um。
10. -种COA基板的制作方法，所述方法包括：在基板上形成栅线、数据线和公共电极 层，其特征在于，所述方法还包括： 采用金属材料在所述栅线与所述公共电极层之间和/或所述数据线与所述公共电极 层之间的位置形成黑矩阵。
11. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 在所述基板上形成彩色滤光片； 在所述彩色滤光片上形成覆盖所述彩色滤光片的平坦层。
12. 根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述采用金属材料在所述栅线与 所述公共电极层之间和/或所述数据线与所述公共电极层之间的位置形成黑矩阵，包括： 采用金属材料在所述栅线和数据线上形成一层金属薄膜； 通过构图工艺处理所述金属薄膜形成所述黑矩阵； 形成所述公共电极层，包括： 在所述黑矩阵上紧邻所述黑矩阵的位置形成所述公共电极层。
13. 根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于， 所述黑矩阵是通过使用阵列基板用曝光设备进行构图工艺处理形成的。
14. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于， 所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、铝、钛、铜对应 的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
15. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于， 所述黑矩阵的厚度为〇· 2?0· 4um。
16. -种COA基板的制作方法，所述方法包括：在基板上形成公共电极层，其特征在于， 所述方法还包括： 在所述公共电极层上形成黑矩阵。
17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述在所述公共电极层上形成黑矩阵， 包括： 采用金属材料在所述公共电极层上形成一层金属薄膜； 采用阵列基板用曝光设备通过构图工艺处理所述金属薄膜形成所述黑矩阵。
18. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于， 所述黑矩阵的材料包括钥、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钥、铬、铝、钛、铜对应 的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个。
19. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于， 所述黑矩阵的厚度为〇· 2?0· 4um。
20. -种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1?5任一所述的COA基 板； 或者，所述显示装置包括权利要求6?9任一所述的COA基板。
【文档编号】H01L27/32GK104317097SQ201410602745
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月31日 优先权日:2014年10月31日
【发明者】张锋, 曹占锋, 姚琪 申请人:京东方科技集团股份有限公司