低温度系数多晶硅电阻的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种低温度系数多晶硅电阻的制造方法，步骤包括：1)硅衬底上生长多晶硅膜；2)P型低浓度掺杂；3)高阻多晶硅的光刻曝光显影，在高阻多晶硅以外区域进行N型掺杂；4)去除光刻胶，沉积氮化硅膜；5)一次刻蚀形成N型多晶硅和高阻多晶硅；6)浅掺杂漏注入，生长氮化硅，刻蚀掉字线上和高阻多晶硅上的氮化硅；7)对源漏和部分高阻多晶硅进行P型重掺杂，形成P型源漏和P型多晶硅。该方法通过互掺杂，在光刻版最少的情况下，在低温度系数多晶硅电阻的制造工艺中实现了高阻多晶硅、低阻P型多晶硅和N型多晶硅的同时形成。
【专利说明】低温度系数多晶硅电阻的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及低温度系数多晶硅电阻的制造方法。
【背景技术】
[0002] 目前市场上有很多要求电流精确控制的应用需求，即随温度变化电流波动极小， 因此低温度系数电阻的应用非常广泛。如果在同一工艺中可以实现高阻多晶硅、低阻P型 多晶娃和N型多晶娃，客户的应用和选择也会更加灵活。
[0003] 在SONOS工艺中，为了极大程度上减少器件的面积，使用了自对准孔的技术，需要 在多晶硅表面覆盖一层氮化硅薄膜作为接触孔刻蚀的阻挡层，用于保证接触孔刻蚀过程中 多晶硅侧墙不被刻蚀，以防止多晶硅与接触孔的击穿。但同时带来的问题就是由于多晶硅 表面氮化硅薄膜的存在，导致后续的源漏注入无法注进多晶硅中，不能同时形成N型和P型 的多晶硅。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种低温度系数多晶硅电阻的制造方法，它可以 同时形成商阻多晶娃、低阻P型多晶娃和N型多晶娃。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的低温度系数多晶硅电阻的制造方法，步骤包括：
[0006] 1)在已经形成阱的硅衬底上生长多晶硅膜；
[0007] 2)在多晶硅膜表面进行P型低浓度掺杂；
[0008] 3)进行高阻多晶硅的光刻曝光显影，并在高阻多晶硅以外区域进行N型掺杂；
[0009] 4)去除光刻胶，沉积氮化硅膜；
[0010] 5)在氮化娃膜表面用光刻胶定义出N型多晶娃和高阻多晶娃的光刻图形，一次刻 蚀氣化娃I吴和多晶娃I吴，形成N型多晶娃和商阻多晶娃；
[0011] 6)浅掺杂漏注入，生长氮化硅作为多晶硅侧墙；刻蚀掉字线上和高阻多晶硅上的 氮化硅；
[0012] 7)对源漏和部分高阻多晶硅进行P型重掺杂，形成P型源漏和P型多晶硅。
[0013] 本发明通过互掺杂的方法，在光刻版最少的情况下，在低温度系数多晶硅电阻的 制造工艺中实现了高阻多晶硅、低阻P型多晶硅和N型多晶硅的同时形成。
【专利附图】
【附图说明】
[0014] 图1?图8是本发明的低温度系数多晶硅电阻的制造方法的工艺流程示意图。
[0015] 图中附图标记说明如下：
[0016] 1 :硅衬底
[0017] 2:多晶硅薄膜
[0018] 3、7:光刻胶
[0019] 4:高阻多晶硅
[0020] 5:N型多晶硅
[0021] 6:氮化硅薄膜
[0022] 8:P型多晶硅
【具体实施方式】
[0023] 为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下：
[0024] 本实施例的低温度系数多晶硅电阻的制造方法，具体包括以下工艺步骤：
[0025] 步骤1，在已经形成阱的硅衬底1上，采用低压化学气相沉积的方法生长 1000A?2000A的多晶硅薄膜2,作为后续N型多晶硅、P型多晶硅和高阻多晶硅的膜质。
[0026] 步骤2,在多晶娃薄膜2表面，注入硼（B)，如图1所示，注入剂量为1?3E14个/ cm2,注入能量为5?50Kev，使多晶硅表面形成P型低浓度掺杂，用于形成高阻多晶硅。
[0027] 步骤3,在P型掺杂后的多晶硅上进行高阻多晶硅的光刻曝光显影，然后带着光刻 胶3进行磷（P)注入，如图2所示，注入剂量为5?10E15个/cm 2,注入能量为20?50Kev， 使除高阻多晶硅以外的部分反向掺杂成N型多晶硅。
[0028] 步骤4,去除高阻多晶硅离子注入的光刻胶3,然后采用低压化学气相沉积的方法 沉积1000?2000A的氮化硅薄膜6,如图3所示，作为多晶硅刻蚀的硬质掩膜以及后续自对 准孔刻蚀的侧向阻挡层，保护栅极侧墙不被完全刻蚀，防止自对准孔与栅极多晶硅的击穿。
[0029] 步骤5,在氮化硅薄膜6表面用光刻胶7定义N型多晶硅以及高阻多晶硅的光刻图 形，如图4所示，然后一次刻蚀氮化硅薄膜6与多晶硅薄膜2,形成N型多晶硅5和高阻多晶 娃4,如图5所示。
[0030] 步骤6,进行浅掺杂漏注入，生长多晶硅侧墙氮化硅，刻蚀多晶硅侧墙，并同时将高 阻多晶硅4上的氮化硅膜刻蚀掉，如图6所示。多晶硅侧墙形成后，需要将字线上多晶硅上 的氮化硅刻蚀掉，保证字线的连接孔与下面的多晶硅连通。
[0031] 步骤7,涂布光刻胶7并显影，形成P型源漏和P型多晶硅的光刻图形，然后进行 BF2注入，如图7所示，形成P型源漏和P型多晶娃8,如图8所示。BF2注入能量为10? 50Kev个/cm 2，注入剂量为1?5E15Kev。至此完成低温度系数多晶硅电阻的制造。
【权利要求】
1. 低温度系数多晶硅电阻的制造方法，其特征在于，步骤包括： 1) 在已经形成阱的硅衬底上生长多晶硅膜； 2) 在多晶硅膜表面进行P型低浓度掺杂； 3) 进行高阻多晶硅的光刻曝光显影，并在高阻多晶硅以外区域进行N型掺杂； 4) 去除光刻胶，沉积氮化硅膜； 5) 在氮化娃膜表面用光刻胶定义出N型多晶娃和高阻多晶娃的光刻图形，一次刻蚀氮 化娃I吴和多晶娃I吴，形成N型多晶娃和商阻多晶娃； 6) 浅掺杂漏注入，生长氮化硅作为多晶硅侧墙；刻蚀掉字线上和高阻多晶硅上的氮化 硅； 7) 对源漏和部分高阻多晶硅进行P型重掺杂，形成P型源漏和P型多晶硅。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，采用低压化学气相沉积的方法生 长IOOOA?2000A的多晶硅膜。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，注入硼，注入剂量为1?3E14个 /cm2,注入能量为5?50Kev。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，注入磷，注入剂量为5?10E15 个/cm2,注入能量为20?50Kev。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，采用低压化学气相沉积的方法沉 积1000?2000A的氮化硅膜。
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7)，注入BF2，注入能量为10?50Kev 个/cm2,注入剂量为1?5E15Kev。
【文档编号】H01L21/70GK104319255SQ201410604403
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月30日 优先权日:2014年10月30日
【发明者】袁苑, 陈瑜 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司