一种金属硅化物绝缘层的形成方法
【专利摘要】本发明公开了一种金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤：第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；第二步，进行器件结构的制作；第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；第五步，去除不需要的金属沉积层。本发明采用保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，比传统工艺少使用一层掩膜版。
【专利说明】一种金属硅化物绝缘层的形成方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路制造领域，特别是指一种适用于SONOS工艺下的金属硅化物 绝缘层（silicideblock)的形成方法。
【背景技术】
[0002] 集成电路中为了有效提高集成电路工作效率，降低电阻并减少电阻及电容所 造成的信号传递延迟，采用金属硅化物（silicide)成为普遍选择，其电阻率低（约为 KT7Q?!!!)，硬度高。金属硅化物多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接 触、欧姆接触等。
[0003] 金属娃化物工艺是在以溉射沉积的方式沉积一层金属，一般为Ti、Co或Ni,经过 第一次快速退火处理，使硅与淀积的金属发生反应生成金属硅化物。根据退火温度设定， 使得其他绝缘层（氧化硅或者氮化硅）上淀积的金属不产生硅化物。在实际工艺中，有一 些器件区域不需要硅化物，而区分金属硅化物区域和绝缘层区域（silicideblock)则需 要掩膜版来定义。在SONOS工艺中，使用ONO膜层作为Flash的存储介质，ONO掩膜版通常 只保留SONOS区域的膜层，其他所有区域均被刻蚀掉。ONO膜层由3层结构构成，分别为底 层氧化娃（tunneloxide),通常为12?22A;中间氮化娃层（Nitride),通常为80?120A;顶 层氧化硅（HTO)，通常为30?6〇A。ONO膜中间最厚的氮化硅层与一般工艺中的金属硅化物 绝缘层的厚度相仿，本身可作为金属硅化物绝缘层，同时顶层HTO的存在，可以让后续的刻 蚀停止在氧化硅表层，而不消耗氮化硅的厚度，因此，这让ONO膜层从前道保留到后道金属 硅化物层成为可能。
【发明内容】
[0004] 本发明所要解决的技术问题在于提供一种金属硅化物绝缘层的形成方法，其形成 金属硅化物绝缘层不需要额外的掩膜版。
[0005] 为解决上述问题，本发明所述的金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤：
[0006] 第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS 区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；
[0007] 第二步，进行器件的栅极及源漏区的器件结构制作；
[0008] 第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；
[0009] 第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；
[0010] 第五步，去除不需要的金属沉积层。
[0011] 进一步地，所述第二步中，进行器件常规结构的制作过程中，在对多晶硅栅极进行 刻蚀时，采用高选择比的干法刻蚀，确保源漏区的ONO膜层刻蚀停留在顶层氧化硅，防止源 漏区的氮化硅损失。
[0012] 进一步地，所述第五步中，采用选择性强的湿法刻蚀去除不需要的金属沉积层。
[0013] 本发明所述的金属硅化物绝缘层的形成方法，使用SONOS工艺中的ONO膜层来作 为金属硅化物的绝缘层，将ONO膜层保留到金属硅化物的层次，保留的ONO膜层的区域由金 属硅化物的掩膜版定义，从而无需采用额外的光刻板，达到节省掩膜版、降低成本的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0014] 图1是器件多晶硅栅极区域去除ONO膜层示意图。
[0015] 图2是多晶硅刻蚀示意图。
[0016] 图3是LDD注入示意图。
[0017] 图4是源漏注入示意图。
[0018] 图5是本发明工艺流程图。
【具体实施方式】
[0019] 本发明所述的金属硅化物绝缘层的形成方法，包含如下步骤：
[0020] 第一步，在对ONO膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS 区域的ONO膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的ONO膜层也同时保留；
[0021] 第二步，制作形成器件的多晶硅栅极、侧墙、源漏区等常规结构。在对多晶硅栅极 区域进行刻蚀时，采用高选择比的干法刻蚀，确保源漏区的ONO膜层刻蚀停留在顶层氧化 硅，防止源漏区的氮化硅损失。
[0022] 本步骤需要特别注意的是：由于ONO层次在多晶硅层次之前，这需要将器件栅极 区域ONO膜层去除，保留源漏区域ONO膜层，如图1所示。在制作多晶硅栅极时，此处ONO 间距较小，基本等效于多晶硅栅极的尺寸。这对光刻有较高要求，ONO层次设计规则要相应 变动，同时生产中也许需要用到更高等级的掩膜版。
[0023] 由于常规刻蚀都有过刻（overetch)步骤，多晶硅刻蚀会消耗源漏区域ONO顶层 的氧化硅，如果刻蚀不能停止在顶层氧化硅表面，会继续向下刻蚀，如图2所示，消耗中间 的氮化硅层，从而导致最终的绝缘层变薄，妨碍作为金属硅化物绝缘层的效果，所以此处 要求多晶硅刻蚀条件提高多晶硅和氧化硅之间选择比，确保蚀刻停止在氧化硅表面，防止 源漏的氮化硅有损失。
[0024] 同时在制作栅极侧墙的刻蚀过程中，需要特别调整栅极侧墙刻蚀条件，要求刻蚀 对氧化硅和氮化硅之间高选择比，确保栅极侧墙刻蚀能停止在侧墙底层的氧化硅上，防止 消耗ONO氮化娃。
[0025] 同时考虑到多晶硅栅极的特征尺寸/套刻偏差的工艺窗口，源漏区域的ONO区域 与栅极需要一定的间距（对准精度变化以及多晶硅栅极线宽变化）。而一般工艺中的LDD 掺杂都为自对准，如此会造成源漏极LDD注入不均匀，如图3所示。为了解决此问题，可通 过如下两方面来增加此处的氧化硅厚度，达到与ONO膜层厚度相近，减少注入的差异：
[0026] 第一，如图3中所示，减少多晶硅栅极刻蚀过刻量，确保保留较厚的栅氧化层。
[0027] 第二，增加多晶硅栅极刻蚀后热氧化退火（RTO)的氧气含量，生成更厚的氧化硅。
[0028] 而源漏注入时已经有栅极侧墙，侧墙一般会填满ONO与多晶硅栅极之间的间距， 源漏注入不会有类似问题，如图4所示。
[0029] 接触孔（Contact)刻蚀时，金属硅化物绝缘区域源漏会比其他区域多了ONO膜层， 如果本身制程中接触孔有氮化硅停止层（SiNstoplayer)，则需要加多氮化硅过刻；如无 氮化硅停止层，由于氮化硅与氧化硅的高选择比，需要在刻蚀条件中增加氮化硅刻蚀步 骤。
[0030] 第三步，以保留的ONO膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物；
[0031] 第四步，沉积金属，并经过快速退火处理；
[0032] 第五步，采用选择性强的湿法刻蚀去除不需要的金属沉积层。
[0033] 以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来 说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同 替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：包含如下步骤： 第一步，在对0N0膜层进行刻蚀时，采用金属硅化物绝缘层的掩膜版，保留SONOS区域 的0N0膜层，其他金属硅化物绝缘层区域的0N0膜层也同时保留； 第二步，进行器件的栅极及源漏区的器件结构制作； 第三步，以保留的0N0膜层作为金属硅化物绝缘层，器件表面生成金属硅化物； 第四步，沉积金属，并经过快速退火处理； 第五步，去除不需要的金属沉积层。
2. 如权利要求1所述的金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：所述第二步中，在 对器件常规结构的制作过程中，多晶硅栅极进行刻蚀时，采用高选择比的干法刻蚀，确保源 漏区的0N0膜层刻蚀停留在顶层氧化硅，防止源漏区的氮化硅损失。
3. 如权利要求1所述的金属硅化物绝缘层的形成方法，其特征在于：所述第四步中，采 用选择性强的湿法刻蚀去除不需要的金属沉积层。
【文档编号】H01L21/311GK104332400SQ201410604577
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月30日 优先权日:2014年10月30日
【发明者】赵鹏 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司