1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在所述源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；
在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖所述栅极结构、所述侧壁结构和所述自对准硅化物；
依次蚀刻所述层间绝缘层和所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；
在所述接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；
在所述接触孔中形成所述接触塞。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的形成步骤包括：实施第一次沉积，使形成的所述阻挡层的厚度为预定厚度的一半；对形成的所述阻挡层实施第一次等离子体处理，所述等离子体包含N2和H2；实施第二次沉积，使形成的所述阻挡层的厚度达到所述预定厚度；对形成的所述阻挡层实施第二次等离子体处理，所述等离子体包含N2和H2。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定厚度由所述接触孔的特征尺寸而定。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述阻挡层之前，还包括给所述半导体衬底加热升温的步骤。
5.一种采用权利要求1-4之一所述的方法制造的半导体器件。
6.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求5所述的半导体器件。