技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖栅极结构、侧壁结构和自对准硅化物；依次蚀刻层间绝缘层和接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；在接触孔中形成接触塞。根据本发明，形成的阻挡层可以有效阻止接触塞的穿透，保护阻挡层下方的自对准硅化物不受破坏。
技术研发人员：龚英嫣;施平;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;
文档号码：201410789214
技术研发日：2014.12.17
技术公布日：2016.07.13