移动终端的制作方法

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种移动终端。

背景技术：

金属边框手机的cellular(蜂窝天线)主天线设计难度非常大，一方面，特别是4G LTE(Long Term Evolution，长期演进，为第四代移动天线标准)手机对天线频段，带宽及射频性能要求越来越苛刻，另一方面周围增加的金属边框对天线辐射性能会造成显著地抑制。这就造成，要么在手机射频性能跟漂亮的金属质感的金属边框设计之间做取舍，要么突破现有天线技术并创新出新的天线技术以使两者兼顾。

针对4G LTE手机中的Cellular天线，相关技术中大致有以下三种方案：方案之一是采用FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷电路板)或者LDS(Laser Direct Structuring，激光直接成型)工艺将天线做在孤立的塑料支架或塑料壳上，造成金属边框不能和天线一体化设计，导致天线射频性能不好；方案二是对开缝的底部边框作为天线辐射体直接馈电，造成天线调试困难；方案三是一部分天线辐射体采用FPC或者LDS把天线做在孤立的塑料支架或塑料壳上，另一部分天线辐射体直接连接在底部金属边框上，由于需要额外的FPC或LDS天线部件造成成本过高，装配复杂。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种移动终端，该移动终端，降低了成本，提升了天线辐射性能且调试方便灵活。

为了实现上述目的，本发明实施例的移动终端，包括：壳体；设置在所述壳体之中的印刷线路板，所述印刷线路板包括主电路区域和净空区域，其中，所述净空区域位于所述主电路区域的下方；围绕所述壳体的金属边框，所述金属边框包括位于所述壳体两侧的第一边框和第二边框，以及位于所述壳体底部的第三边框，其中，所述第三边框与所述第一边框和第二边框分别相连，所述第三边框具有第一边缝和第二边缝，其中，所述第一边缝和第二边缝之间的边框形成天线主辐射体；第一连接器，所述第一连接器的一端与所述天线主辐射体相连；馈电匹配网络，所述馈电匹配网络的一端与所述第一连接器的另一端相连，所述馈电匹配网络的另一端与所述主电路区域中的馈电端口相连，其中，所述第一连接器和所述馈电匹配网络设置在所述净空区域。

根据本发明实施例的移动终端，具有以下有益效果：1)；不需要额外的天线部件，从而大大降低了成本；2)利用金属边框作为辐射体，提高天线辐射空间的利用率，提升了天线辐射性能；3)在产品开发中的天线调试，不需要微调金属边框的外形及尺寸，避免了金属边框的结构改模的需求；4)对天线谐振及带宽的调试方便灵活；5)实现了5个谐振模式，可以很好地覆盖4G LTE所需的频段需求。

附图说明

图1是相关技术中针对手机底部金属边框开缝的第一设计类型；

图2是相关技术中针对手机底部金属边框开缝的第二设计类型；

图3是根据本发明一个实施例的移动终端的结构示意图；

图4是根据本发明一个实施例的移动终端中天线设计方案示意图；

图5是根据本发明一个实施例的馈电匹配网络的电路扩扑结构示意图；

图6是根据本发明一个实施例的馈电匹配网络在高频段的等效电路图；

图7是根据本发明一个实施例的馈电匹配网络在低频段的等效电路图；

图8是没有引入馈电匹配网络的天线阻抗曲线图；

图9是没有引入馈电匹配网络的天线RL曲线图；

图10是根据本发明一个实施例的只引入高频匹配网络的天线阻抗曲线图；

图11是根据本发明一个实施例的只引入高频匹配网络的天线RL曲线图；

图12是根据本发明一个实施例的只引入低频匹配网络的天线阻抗曲线图；

图13是根据本发明一个实施例的只引入低频匹配网络的天线RL曲线图；

图14是根据本发明一个实施例的引入完整馈电匹配网络的天线阻抗曲线图；

图15是根据本发明一个实施例的引入完整馈电匹配网络的天线RL曲线图；

图16是根据本发明典型实例一的天线架构图；

图17是根据本发明典型实例一对应的天线阻抗曲线图；

图18是根据本发明典型实例一对应的天线RL曲线图；

图19是根据本发明典型实例二的天线架构图；

图20是根据本发明典型实例二对应的天线阻抗曲线图；

图21是根据本发明典型实例二对应的天线RL曲线图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

首先对相关技术中针对4G LTE手机中的Cellular天线的方案进行分析。

其中，方案一：还是采用传统的天线方案，即采用FPC或者LDS生产工艺把天线做到孤立的塑料支架或塑料壳上，其天线调试跟传统非金属边框手机的天线调试没什么本质区别，金属边框这里作为手机地的一部分，同时在金属边框边上适当位置开0.8～1mm的缝，以及优化金属边框的接地点位置，来减小金属边框对天线调试及性能的影响。但是，其不足之处有，需要额外的FPC或LDS天线部件，占用手机成本，另外，由于金属边框对天线辐射性能导致显著影响，导致其射频性能受限，特别是针对当下的4G LTE手机，频段要覆盖(24～960MHz，1710～2700MHZ)变得近乎不可能。

方案二：对开缝的底部金属边框作为天线辐射体直接馈电，并在PWB(Printed Wiring Board，印刷线路板)上靠近馈电端口附近的馈线上引入匹配网络来强行进行天线阻抗匹配。其不足之处有，天线调试困难，一方面金属边框的尺寸增加及缩短是很难手动更改的，如果通过结构改设计及模具来打样验证，其费用高周期长，另一方面如果是采用传统的馈电端的匹配方法，特别是当天线初始阻抗没法恰巧落到最佳的可匹配区域的时候，要在较宽的带宽范围(824～960MHz，1710～2700MHZ)实现所需的带宽匹配是非常困难，所以最终是很难获得最佳的天线射频性能的。

方案三，可以说是方案一跟方案二的混合体，即一部分天线辐射体采用FPC或者LDS生产工艺把天线做到孤立的塑料支架或塑料壳上,一部分天线辐射体会直接连接到底部金属边框上，同时在PWB上，甚至在天线部件的FPC上引入匹配网络。其不足之处有，需要额外的FPC或LDS天线部件占用手机成本，结构设计及生产装配复杂。

为了解决上述问题，本发明提出了一种移动终端。下面参考附图描述本发明实施例的移动终端。

目前，针对手机底部金属边框开缝的设计，相关技术中有两种类型：类型一：如图1所示，开缝在左右侧边(如iPhone)；类型二：如图2所示，开缝在底部侧边。其中，类型一在可获得的最优天线性能方面有优势，但也有致命缺陷(比如，特别是打电话时，开缝容易被被手握住，导致手机信号丢失，所以相关技术在软硬件上做了很大改进，即在底部天线丢失信号时能及时智能地切换到手机的头部天线，保证信号连续)。类型二，尽管这种类型在可获得的天线性能及设计难度方面较第一种类型没有优势，但却大大降低了开缝被手握住导致信号丢失的概率，故无需采用高成本及复杂的软硬件改进，所以这种类型是相关技术中普遍采用的主流类型，同时也是本发明实施例的移动终端中提供的金属边框手机Cellular天线设计方案所沿用的开缝类型。

图3是根据本发明一个实施例的移动终端的结构示意图。如图3所示，本发明实施例的移动终端，包括：壳体10、印刷线路板20、金属边框30、第一连接器40、馈电匹配网络50。

其中，印刷线路板20设置在壳体10之中，印刷线路板20包括主电路区域21和净空区域22，其中，净空区域22位于是主电路区域21的下方(其中，从图3来看，主电路区域21位于印刷线路板20的上方，净空区域22位于主电路区域21的下方)；围绕壳体10的金属边框30，金属边框30包括位于壳体10两侧的第一边框31和第二边框32，以及位于壳体10底部的第三边框33，其中，第三边框33与第一边框31和第二边框32分别相连，第三边框33具有第一边缝2和第二边缝3，其中，第一边缝2和第二边缝3之间的边框4形成天线主辐射体；第一连接器40的一端与天线主辐射体相连；馈电匹配网络50的一端与第一连接器40的另一端相连，馈电匹配网络50的另一端与主电路区域21中的馈电端口相连，其中，第一连接器40和馈电匹配网络50设置在净空区域22。

在本发明的一个实施例中，第一边缝2和第二边缝3是对称分布的。

在本发明的一个实施例中，如图4所示，移动终端，还包括：多个第一接地连接器60和多个第二接地连接器70。

其中，多个第一接地连接器60(例如，60a，60b，60c)将第一边框31与主电路区域21的地相连；多个第二接地连接器70(例如，70a，70b，70c)将第二边框32与主电路区域21的地相连。第一接地连接器60和第二接地连接器70的个数可以根据实际情况进行设置。

在本发明的一个实施例中，多个第一接地连接器60和多个第二接地连接器70均匀分布。

在本发明的一个实施例中，第一边缝2和与第一边缝2相邻的第一接地连接器60(即60c)之间的边框形成第一寄生辐射体，第二边缝3和与第二边缝3相邻的第二接地连接器70(即70c)之间的边框形成第二寄生辐射体。

具体地，图4是根据本发明一个实施例的移动终端的框架及电路示意图，如图4所示，第一边缝2和第二边缝3(例如，边缝大小为0.8mm)位于壳体10底部的第三边框33，且左右对称。在本发明的一个具体实施例中，第一边缝2和第二边缝3之间的天线主辐射体4的长度为40mm(5寸屏幕的移动终端)-46mm(5.5寸屏幕的移动终端)，此处给出的天线主辐射体4的长度只是用来举例，不是对天线主辐射体4的长度的限定。天线主辐射体4通过第一连接器40与净空区域22的馈电匹配网络50(即图中所示的MN1，MN的全称是Matching Network，匹配网络)连接。图4中左下角边框5，在开缝2跟第一接地连接器60c之间的边框，也作为天线辐射体，可以理解为主辐射体4的寄生单元，即第一寄生辐射体。图4中右下角边框6，在开缝3跟第二接地连接器70c之间的边框，也作为辐射体，可以理解为主辐射体4的另外一个寄生单元，即第二寄生辐射体。另外，第一边框31通过第一接地连接器60a、60b、60c与主电路区域21的地(例如，图中的PWB grounding，或者是其他金属地，比如A壳注塑金属，或其他金属屏蔽罩)短接，构成移动终端完整的地。另外，第一边缝2和第二边缝3之间的边框4，也就是天线主辐射体，通过第一连接器40与馈电匹配网络50相连。

如图4所示，净空区域22(其在移动终端长度方向通常建议>8mm)，PWB的grounding在此区域断开，但保留介质基板，天线馈电匹配网络及器件都会放于其上。也就是说，馈电匹配网络50，以及寄生辐射体的匹配电感L1,L2及电阻R1会放在PWB净空区域22中。其中，对于PWB板来说，从天线角度，可以分为两个区域：PWB grounding区域(即主电路区域21)和PWB净空区域22，两个区域的区别是PWB grounding区域上会有大面积的铺铜的‘地’，而在PWB净空区域上要避免铺铜，通常此区域除了天线必要走线及器件，不允许放其他走线或器件。

在本发明的一个实施例中，如图4所示，还包括：第二连接器80，第二连接器80的一端与天线主辐射体4相连；第一电感L1，第一电感L1的一端与第二连接器80的另一端相连；第一电阻R1，第一电阻R1的一端与第一电感L1的另一端相连，第一电阻R1的另一端与主电路区域21的地相连。

在本发明的一个实施例中，第二连接器80与天线主辐射体4的连接点位于天线主辐射体4的中心。

在本发明的一个实施例中，第二连接器80、第一电感L1和第一电阻R1均设置在净空区域22中。

具体地，在第一边缝2和第二边缝3之间的边框4的大约中间位置，边框4通过第二连接器80与第一电感L1(例如，其值为20～40nH)和第一电阻R1(例如，其阻值为0～8ohm)串联，同时，第一电阻R1的另一端短接PWB grounding。

更具体地，第一电感L1的作用是：当边框4尺寸偏长时，通过引入第一电感L1，在电气上等效为微调边框4的电长度，进而微调天线初始低频阻抗(因为电感值较大，几十nH,会阻断高频信号，所以对天线初始高频阻抗几乎没有影响)，以便于后续通过馈电匹配网络50实现低频的最优阻抗带宽匹配，当然如果边框4的尺寸如果恰好合适时，也可以省掉第一电感L1使其断开。第一电阻R1的作用是，由于周围围绕的金属边框特别是对低频辐射造成明显的抑制，尤其当天线净空区域22过小(例如，<8mm)以及放置过多其他金属器件(例如MIC(Microphone，麦克风)、USB(Universal Serial Bus，通用串行总线)等)到天线净空区域22时，导致天线低频非常低的辐射电阻以及非常高的Q(品质因数)值，进而导致天线在低频很难在在特定带宽内(824～960MHz)实现所需的阻抗匹配，万不得已而引入第一电阻R1，其作用是通过适当增加天线损耗来减小天线低频Q(品质因数)值(由于串联第一电感L1(20～40nH)的作用，对高频信号几乎阻断，所以引入的电阻对高频天线性能几乎没任何影响)，进而使天线在低频段能更容易地实现阻抗匹配以便控制天线跟射频系统之间的阻抗失配在可接受的范围。引入的电阻会增加天线损耗进而减小天线低频辐射效率，但同时也改善了低频阻抗适配导致的反射损耗，所以最终的天线低频的总效率(总效率dB＝阻抗失配损耗dB+天线辐射效率)变化不明显。所以，第一电阻R1，只有在万不得已的情况下(比如阻抗失配已经对接收机或发射机工作稳定性造成隐患时)才会考虑引入，其他情况保持0ohm。

在本发明的一个实施例中，如图4所示，还包括：第三连接器90，第三连接器90的一端与第一边缝2左侧的第三边框33相连；第二电感L2，第二电感L2的一端与第三连接器90的另一端相连，第二电感L2的另一端与主电路区域21的地相连。

在本发明的一个实施例中，第三连接器90和第二电感L2均设置在净空区域22中。

具体地，左下角的金属边框5通过第三连接器90与第二电感L2的一端相连，第二电感L2的另一端会直接短接到PWB grounding。

更具体地，第二电感L2(例如，其值为1～10nH)，其作用是，当边框5尺寸偏长时，通过引入第二电感L2，在电气上等效为微调边框5的电长度，进而微调边框5所对应谐振频率偏移。当然，如果边框5的尺寸如果恰好合适时，也可以省掉第二电感L2，亦或者以一段适当长度的接地的细的弯曲的导线来替代特定值的第二电感L2。

在本发明的一个实施例中，如图5所示，馈电匹配网络50具体包括：第一电容C1，第一电容C1的一端与第一连接器40的另一端相连；第三电感L3，第三电感L3的一端与第一连接器40的另一端相连；第四电感L4，第四电感L4的一端与第三电感L3的另一端相连，第四电感L4的另一端接地；第五电感L5，第五电感L5的一端与第三电感L3的另一端相连；第二电容C2，第二电容C2的一端与第一电容C1的另一端和第五电感L5的另一端相连，第二电容C2的另一端与主电路区域21中的馈电端口相连。

在本发明的一个实施例中，第一电容C1和第二电容C2构成高频通路，第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5和第二电容C2构成低频通路。

具体地，图5为馈电匹配网络50的电路扩扑结构示意图。如图5所示，馈电线路上的匹配网络(即馈电匹配网络50)，放在PWB净空区域22里，馈电匹配网络50由第一电容C1、第二电容C2、第三电感L3、第四电感L4和第五电感L5组成。信号从第一连接器40进来，其路径分成两路，一路连接串联电容C1(需要补充说明的是，第一电容C1可是一个电容元器件，也可以是两端交叉平行两端导线在共面或PWB介质基板上下面之间构成的缝隙来等效耦合电容)，这一路主要对天线高频段阻抗进行匹配同时对低频段信号产生高阻抗；另一路连接“串联电感L3，并联电感L4，串联电感L5”，这一路主要对天线低频段阻抗进行匹配，并对高频信号产生高阻抗。最后这两路再合并在一起跟第二电容C2串联，对天线低频阻抗进一步匹配，同时对天线高频阻抗进一步微调。此馈电匹配网络50，某种程度上，可以近似为一个频分双工，其近似高频(1710～2700MHz)路径经过C1及C2，其近似低频(824～960MHz)路径经过L3，L4，L5以及C2。

进一步地，在高频段(1710～2700MHz)，馈电匹配网络50对应的近似等效电路如图6所示，在低频段(824～960MHz)，馈电匹配网络50对应的近似等效电路如图7所示。

更具体地，馈电匹配网络50设计了一种超宽带的匹配扩扑结构，基于天线初始阻抗可以匹配出5个谐振(低频段两个谐振”LB_F1,LB_F2”,高频段三个谐振“HB_F1,HB_F2，HB_F3”)，从而很好地覆盖4G LTE所需的频带范围(824～960MHz，1710～2700MHZ)，其设计思路如下：

基于未加馈电匹配时，其典型阻抗频率曲线图(如图8所示)以及RL(Return Loss，回波损耗)频率曲线图(如图9所示)，可以看到天线初始阻抗带宽是非常不理想的，但是也可以看到天线在高频段的初始阻抗在电感区，如果引入适当的串联电容耦合可使其阻抗匹配到靠近50ohm附近实现RL<＝-6dB，另外也可以看到天线在低频段的初始阻抗在电容区，如果引入适当的“串电感，并电感，串电感，及串电容匹配”也可使其阻抗匹配到靠近50ohm附近实现RL<＝-6dB。

此时，如果引入如图6所示的匹配电路，对天线进行串联耦合电容阻抗匹配，其匹配后的阻抗频率曲线如图10中的虚线所示，以及RL频率曲线如图11中的虚线所示，可以看到天线高频段阻抗被显著优化了，可以覆盖(1710～2700MHz),但也看到此匹配同时也天线低频段阻抗移到了靠近开路点的高阻抗区，从而对低频信号产生阻断。

另外，如果引入如图7所示的匹配电路，对天线进行“串电感，并电感，串电感，串电容”匹配，其匹配后的阻抗频率曲线如图12中的虚线所示，以及RL频率曲线如图13中的虚线所示，可以看到天线低频段阻抗被显著优化了，可以覆盖(824～960MHz)，但也看到此匹配同时也天线高频段阻抗移到了靠近开路点的高阻抗区，从而高频信号产生阻断。

为了对低频段及高频段天线阻抗同时实现宽频匹配，需要把上述如图6所示高频匹配电路及如图7所示的低频匹配电路整合在一起，变成如图5所示的最终匹配网络，其匹配后最终的阻抗频率曲线如图14中的虚线所示，以及RL频率曲线如图15中的虚线所示，可以看到天线的高低频段阻抗被同时显著优化了，可以看到通过MN1匹配出了5个谐振(低频段两个谐振“LB_F1,LB_F2”,高频段三个谐振“HB_F1,HB_F2，HB_F3”)，进而可以很好地覆盖4G LTE的带宽需求(824～960MHz，1710～2700MHz)。在这5个谐振模式中，“LB_F1,LB_F2”是基于边框4的低频段辐射阻抗通过如图6所示的低频近似等效匹配电路激励起来的，HB_F1基于边框4的高频段辐射阻抗通过如图6所示的高频近似等效匹配电路激励起来的，HB_F2是作为寄生单元的边框6激励及通过如图6所示的高频近似等效匹配电路微调出来的(改变边框6的尺寸长短，可以微调此谐振偏移)，HB_F3是作为寄生单元的边框5激励及通过如图6所示的高频近似等效匹配电路微调出来的(改变边框5的尺寸长短或者调整电感L2的值，可以微调此谐振偏移)。

本发明实施例的移动终端，引入第一电感L1，第二电感L2，使之前必须通过改变边框4跟边框5外形及尺寸才能获得的所需天线初始阻抗微调，可以通过微调电感L1，电感L2的值来微调；另外，在万不得已的情况下(比如天线环境极端恶劣时，导致天线低频非常低的辐射电阻以及非常高的Q(品质因数)值，进而导致再怎么匹配，也很难实现期望的阻抗匹配)，引入第一电阻R1，可以在保持天线总辐射效率不变时，在阻抗失配跟天线本身辐射效率之间做平衡，(以防止出现发射、接收机的工作不稳定的极端情况)；基于馈电匹配网络50，本发明的实施例提供了一种新的超宽带匹配方法及电路扩扑结构，通过此馈电匹配网络50，高、低频信号通路近似独立，进而可以对天线高、低频阻抗近似独立地分别进行匹配及优化微调。通过此馈电匹配网络50，可以方便地匹配出5个谐振(低频段两个谐振”LB_F1,LB_F2”,高频段三个谐振“HB_F1,HB_F2，HB_F3”)，从而可以很好地实现超宽带；另外，本发明实施例的移动终端的天线只包括两部分，一部分利用金属边框做辐射体，另外一部分(馈电匹配网络50)完全放在PWB净空区域22的介质基板上，无需额外的天线部件，例如，无需PFC、LDS等。

本发明实施例的移动终端不需要额外的FPC或LDS天线部件，最大限度做到了成本最低；利用金属边框(图4中的4,5,6)作为辐射体，最大限度利用了天线辐射空间，提升天线辐射性能；在产品开发中的天线调试，不需要微调金属边框的外形及尺寸，规避了金属边框的结构改模的需求；完全利用PWB净空区域里的第一电感L1，第二电感L2，第一电阻R1及MN1(馈电匹配网络50)，可方便灵活地对天线谐振及带宽快速调试；由于本发明实施例提供的天线方案，实现了5个谐振模式，可很好地覆盖4G LTE所需的频段需求(824～960MHz，1710～2700MHZ)。

本发明实施例的移动终端，具有以下有益效果：1)；不需要额外的天线部件，从而大大降低了成本；2)利用金属边框作为辐射体，提高天线辐射空间的利用率，提升了天线辐射性能；3)在产品开发中的天线调试，不需要微调金属边框的外形及尺寸，避免了金属边框的结构改模的需求；4)对天线谐振及带宽的调试方便灵活；5)实现了5个谐振模式，可以很好地覆盖4G LTE所需的频段需求。

基于如图4所示的天线设计方案，本发明提供两种分别针对“5.5寸屏金属边框移动终端，MIC及USB放在天线净空区域22里”及“4.4寸屏金属边框移动终端，只有MIC放在天线净空区域22里”的典型实施例。在这两个实施例中，移动终端为手机。

典型实施例一：

如图16所示，此实例是针对“5.5寸屏，MIC及USB放在天线净空区域里”的金属边框移动终端，其天线架构，在如图4所示的方案基础上，只是仅仅把MIC及USB接地区域引入了进来，其他模型方面的基本信息如下：

金属边框构成的方形区域的长宽高为(147mm*76mm*5.5mm),为了模拟实际手机塑料的壳的影响，在方形区域上下空间上设置厚度1mm的塑料材质(介电常数2.7，损耗角正切0.03@10GHz),中间金属框4的长度为48mm,开缝2,3的宽度0.8mm。

PWB净空区域22在手机长度方向为8mm。

所选取电感、电容值为L3为2nH，L4为9nH，L5为4nH,C1为1.6pF，C2为1.2pF，L1为20nH，L2为1nH，R1为8ohm。

在此实例中，最终的仿真结果对应的阻抗频率曲线如图17所示，对应的RL频率曲线如图18所示，看以看到其带宽可以满足4G LTE的频段需求，特别是高频带宽非常有余量。(此实例中，引入了电阻来改善低频阻抗，导致天线仿真的辐射效率在-3.4dB左右，但由于阻抗失配的改善，其最终的天线仿真总效率还能保持在>-4.7dB,在可接受范围之内)。

典型实施例二：

如图19所示，此实例是针对“4.4寸屏，只有MIC放在天线净空区域里”的金属边框手机，其天线架构，在如图4所示的方案基础上，有如下变动：

因为设置的边框尺寸恰好基本满足需求，所以省略掉了由于辅助微调金属边框电尺寸的L1，L2。

同时由于USB没有放在天线净空区域里以及净空区域的大小还算合理，所以也省略掉了用于平衡天线低频阻抗失配跟辐射效率的第一电阻R1。

另外在馈电匹配网络50里采用了一段末端悬浮的导线跟金属边框4及第一连接器40之间缝隙构成的耦合电容“第一电容C1”来替代如图5所示快点匹配网络50中的第一电容C1。其具体设计为，在如图19所示中，在连接C2，L5的导线中间位置18，在PWB介质基板上打过孔使导线导通到PWB介质基板的另外一面，并在此面上继续布一段长的末端悬浮的导线19，此导线19跟金属边框4及第一连接器40之间缝隙构成的耦合电容“C1”，通过改变此导线19的长度或者离金属边框4的距离可以微调此耦合电容C1的大小。

在该实例中，模型其他一些外形尺寸及电感电容值的基本信息如下：金属边框所围绕构成的矩形区域长宽高为(140mm*70mm*5.5mm),中间金属边框4长度为40mm,金属边框开缝宽度0.8mm,PWB净空区域22在手机长度方向为8mm,L3为4nH，L4为2nH，L5为3nH,C2为1.4pF。

在此实例中，最终的仿真结果对应的阻抗频率曲线如图20所示，对应的RL频率曲线如图21所示，看以看到带宽可以满足4G LTE的频段需求。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。