顶部发光oled显示器薄膜密封结构的制作方法

文档序号:7078443阅读:341来源:国知局
顶部发光oled显示器薄膜密封结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及OLED显示【技术领域】,特别涉及一种顶部发光OLED显示器薄膜密封结构,其特征在于OLED显示器密封结构,覆盖于顶部发光OLED显示器半透明阴极上,其特征在于由多层膜结构组成,从下往上依次为C60薄膜、金属氧化物薄膜和高分子薄膜。本实用新型的OLED显示器薄膜密封结构具有膜层均匀、致密,与有器件制备工艺高度兼容等优点,能够满足OLED显示器制备和生产需要。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及0LED显示【技术领域】,特别涉及一种顶部发光0LED显示器薄膜密 封结构。 顶部发光OLED显示器薄膜密封结构

【背景技术】
[0002] 顶部发光0LED显示器包括在半透明阴极上形成的多个功能叠层,来自阴极的电 子与来自阳极的空穴分别通过各自的传导层在有机发光层进行复合从而发辐射发光,工业 上进行密封的目的是有效隔绝水氧等杂质对这些功能叠层造成破坏。
[0003] 0LED显示器的密封结构决定了显示器的显示功能和寿命。制作0LED器件发光层 的多数有机物对于大气中的氧气、水气以及其他污染物都十分敏感:氧气以及发光层氧化 后形成的羰基化合物是有效的淬灭剂,会显著降低0LED器件的发光量子效率,甚至导致显 示器丧失发光功能;水汽使有机层发生水解并且影响导电性能,从而导致稳定性大大降低。
[0004] 采用原子层沉积(ALD)技术密封0LED显示器的方法,需要在薄膜制备工艺中需要 引入〇 3等氧化剂,为了防止顶部发光0LED器件半透明电极被氧化,在0LED显示器引入ALD 反应腔室之前,需要对器件实现预密封以有效阻隔氧化剂对半透明金属阴极和有机层造成 不可逆的破坏。尽管采用ΙΤ0或部分小分子有机材料(Alq 3、NBP、CuPc等)能够实现对0LED 显示器预密封,但由于ΙΤ0的制备方法与有机发光薄膜材料的制备方法不兼容,会影响器 件使用寿命。另外,ΙΤ0薄膜掩膜板表面还容易形成颗粒,会极大地影响产品率的提高。同 样,采用小分子有机材料(Alq 3、NBP、CuPc等)对0LED显示器预密封进行预密封,存在膜层 致密性差,膨胀系数大等不足,易于导致0LED显示器出现"爆膜",影响器件良品率的提高。
[0005] 顶部发光0LED显示器,其密封材料除了能够有效阻隔水氧的功能外,还应考虑该 密封材料在可见光范围内需要有高和宽的透过率、高的介电常数或折射率值,密封结构能 有效提高顶部发光0LED器件的显示效果。


【发明内容】

[0006] 为了解决现有0LED器件薄膜密封存在的问题和不足,本实用新型提出一种新的 适用于顶部发光0LED显不器的密封结构。
[0007] 本实用新型的顶部发光0LED显示器密封结构,覆盖于顶部发光0LED显示器半透 明阴极上,其特征在于由多层膜结构组成,从下往上依次为C 6(l薄膜、金属氧化物薄膜和高 分子薄膜。
[0008] 内层薄膜采用c6(l薄膜,具有较小的膨胀系数,可以与半透明阴极和金属氧化物薄 膜实现良好兼容和匹配,能最大限度地抑制器件"爆膜"现象的产生,此外c 6(l薄膜在可见光 波段范围内具有高的透过率。
[0009] 采用C6(l对顶部发光0LED微型显示器阴极进行预密封,完全阻隔了后续原子层 (ALD)镀膜工艺引入的氧化剂(0 3)对Mg : Ag半透明阴极的破坏作用;以ALD方式制备金 属氧化物薄膜,针对有机功能层的密封,隔绝对其伤害较大的水氧杂质;高分子有机膜具备 低气体渗透性,具有屏障作用。
[0010] 作为优选,在三层薄膜结构外周期性交替排列金属氧化物薄膜和高分子薄膜。
[0011] 采用了金属氧化物薄膜和高分子薄膜采用2-3周期交替排列的薄膜密封方法,旨 在避免密封薄膜应力过度集中,导致显示器出现"爆膜"现象。
[0012] 作为优选,所述的金属氧化物薄膜为Zr02。
[0013] 作为优选,所述的高分子薄膜为派瑞林(Parylene)。
[0014] 本实用新型的顶部发光0LED显示器薄膜密封结构适用于硅基0LED微型显示器。
[0015] 本实用新型的顶部发光0LED显示器薄膜密封结构具有膜层均匀、致密,与有器件 制备工艺高度兼容等优点,能够满足0LED显示器制备和生产需要。
[0016] 说明书附图
[0017] 图1为本实用新型的结构示意图。
[0018] 其中,半透明阴极1,C6(l薄膜2,金属氧化物薄膜3,高分子薄膜4。

【具体实施方式】
[0019] 实施例1 :本实用新型的顶部发光0LED显示器密封结构,覆盖于0LED显示器半透 明阴极1上,其特征在于由多层膜结构组成,从半透明阴极1往上依次为c 6(l薄膜2、金属氧 化物薄膜3和高分子薄膜4 ;其后金属氧化物薄膜3和高分子薄膜42个周期交替排列;所 述的金属氧化物薄膜3采用具有高介电常数材料Zr02制备,高分子薄膜4采用派瑞林材料 制备。
【权利要求】
1. 顶部发光OLED显示器密封结构,覆盖于顶部发光OLED显示器半透明阴极(1)上,其 特征在于由多层膜结构组成,从下往上依次为C 6(l薄膜(2)、金属氧化物薄膜(3)和高分子薄 膜⑷。
2. 如权利要求1所述的顶部发光OLED显示器密封结构,其特征在于三层薄膜结构外周 期性交替排列金属氧化物薄膜(3)和高分子薄膜(4)。
3. 如权利要求1所述的顶部发光OLED显示器密封结构,其特征在于所述的金属氧化物 薄膜(3)为高介电常数材料。
【文档编号】H01L27/32GK203910805SQ201420285365
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2014年5月30日
【发明者】王光华, 李牧词, 段瑜, 张筱丹, 季华夏 申请人:云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
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