高亮度发光二极管的制作方法

文档序号:7079590阅读:187来源:国知局
高亮度发光二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高亮度发光二极管,包括:发光晶片和增透灯罩,所述发光晶片包括第一亮晶片和第二亮晶片,所述第一亮晶片与第二亮晶片并联连接,所述第一亮晶片与第二亮晶片之间设有隔温板,所述发光晶片设于增透灯罩的内部,所述发光晶片与增透灯罩之间连接散热板。通过上述方式,本实用新型一种高亮度发光二极管,结构简单,亮度高,发光强度高,运用于对亮度要求比较高的场合,使用方便,成本低廉,适合大批量生产。
【专利说明】高亮度发光二极管

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子元器件领域,特别是涉及一种高亮度发光二极管。

【背景技术】
[0002]发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化娃二极管发黄光,铟镓氮二极管发蓝光。
[0003]一般发光二极管发光亮度不够,需要更高的发光强。


【发明内容】

[0004]本实用新型主要解决的技术问题是提供一种高亮度发光二极管,结构简单,亮度高,发光强度高,运用于对亮度要求比较高的场合,使用方便,成本低廉,适合大批量生产。
[0005]为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种高亮度发光二极管,包括发光晶片和增透灯罩,所述发光晶片包括第一亮晶片和第二亮晶片,所述第一亮晶片与第二亮晶片并联连接,所述第一亮晶片与第二亮晶片之间设有隔温板,所述发光晶片设于增透灯罩的内部,所述发光晶片与增透灯罩之间连接散热板。
[0006]在本实用新型一个较佳实施例中,所述散热板上开有散热孔。
[0007]在本实用新型一个较佳实施例中,所述增透灯罩内壁设有增透膜。
[0008]在本实用新型一个较佳实施例中,所述增透灯罩的材料为有机玻璃。
[0009]本实用新型的有益效果是:本实用新型一种高亮度发光二极管,结构简单,亮度高,发光强度高,运用于对亮度要求比较高的场合,使用方便,成本低廉,适合大批量生产。

【专利附图】

【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
[0011]图1是本实用新型的一种高亮度发光二极管一较佳实施例的结构示意图;
[0012]附图中各部件的标记如下:1、第一亮晶片,2、第二亮晶片,3、增透灯罩,4、增透膜,
5、散热板,6、散热孔,7、隔温板。

【具体实施方式】
[0013]下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0014]本实用新型实施例包括:
[0015]一种高亮度发光二极管,包括发光晶片和增透灯罩3,所述发光晶片包括第一亮晶片I和第二亮晶片2,所述第一亮晶片I与第二亮晶片2并联连接,所述第一亮晶片I与第二亮晶片2之间设有隔温板7,所述发光晶片设于增透灯罩3的内部,所述发光晶片与增透灯罩3之间连接散热板5。
[0016]另外,所述散热板5上开有散热孔6,防止高强度的发光带来的高温。
[0017]另外,所述增透灯罩3内壁设有增透膜4,增加透光率。
[0018]另外,所述增透灯罩3的材料为有机玻璃,透光率高,光强损失小。
[0019]本实用新型一种高亮度发光二极管,结构简单,亮度高,发光强度高,运用于对亮度要求比较高的场合,使用方便,成本低廉,适合大批量生产。
[0020]以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的【技术领域】,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种高亮度发光二极管,其特征在于,包括:发光晶片和增透灯罩,所述发光晶片包括第一亮晶片和第二亮晶片,所述第一亮晶片与第二亮晶片并联连接,所述第一亮晶片与第二亮晶片之间设有隔温板,所述发光晶片设于增透灯罩的内部,所述发光晶片与增透灯罩之间连接散热板。
2.根据权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于,所述散热板上开有散热孔。
3.根据权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于,所述增透灯罩内壁设有增透膜。
4.根据权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于,所述增透灯罩的材料为有机玻璃。
【文档编号】H01L33/64GK203932102SQ201420307080
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年6月11日 优先权日:2014年6月11日
【发明者】钱国珍 申请人:常州市宏硕电子有限公司
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