双绝缘层有机薄膜晶体管的制作方法
【专利摘要】一种双绝缘层有机薄膜晶体管，包括最底层的n型硅基片层，n型硅基片层上热生长一层二氧化硅薄膜层，二氧化硅薄膜层上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯层，聚甲基丙烯酸甲酯层上真空蒸发沉积一层酞菁铜层，酞菁铜层上方蒸发沉积一层金电极层，其中二氧化硅薄膜层的厚度为200-220nm，聚甲基丙烯酸甲酯层的厚度为40-50nm，酞菁铜层的厚度为30-40nm，金电极层包括源极和漏极，沟道长度为0.03-0.04mm，沟道宽度为4-7mm。采用上述技术方案，器件载流子迁移率高，漏电电流小，阈值电压较高，整个器件的性能得到较大改善。
【专利说明】双绝缘层有机薄膜晶体管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种薄膜晶体管，特别涉及一种双绝缘层有机薄膜晶体管。
【背景技术】
[0002]有机薄膜晶体管因为低成本和适合大面积制作被越来越多的应用与生产，这种个晶体管具有重量轻，方便携带等优点。与传统的无机材料相比，有机材料的迁移率偏低，提高迁移率的方法一般有两种:一、采用新的有机半导体材料；二、改善绝缘层表面的性能，采用不同的绝缘材料，以现有材料科学的发展状况，第二种方法显然是更加有效的方式。
实用新型内容
[0003]本实用新型的发明目的是设计一种迁移率高，漏电流小的双绝缘层有机薄膜晶体管，其具体的技术方案是:
[0004]一种双绝缘层有机薄膜晶体管，包括最底层的η型硅基片层，η型硅基片层上热生长一层二氧化硅薄膜层，二氧化硅薄膜层上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯层，聚甲基丙烯酸甲酯层上真空蒸发沉积一层酞菁铜层，酞菁铜层上方蒸发沉积一层金电极层，其中二氧化硅薄膜层的厚度为200-220nm，聚甲基丙烯酸甲酯层的厚度为40_50nm，酞菁铜层的厚度为30-40nm，金电极层包括源极和漏极，沟道长度为0.03-0.04mm，沟道宽度为4_7mm。
[0005]采用上述技术方案，器件载流子迁移率高，漏电电流小，阈值电压较高，整个器件的性能得到较大改善。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1双绝缘层有机薄膜晶体管示意图。
[0007]其中，1-η型硅基片层；2_ 二氧化硅薄膜层；3_聚甲基丙烯酸甲酯层；4_酞菁铜层；5_源极；6_漏极。
【具体实施方式】
[0008]下面阐述的实施例代表允许本领域技术人员实践本实用新型的必要信息，并且示出实践本实用新型的最佳方式。一旦根据附图阅读了以下的描述，本领域技术人员就将理解本实用新型的构思并且将认识到此处未特别阐明的这些构思的应用。应当理解，这些构思和应用落入本公开和所附权利要求书的范围。
[0009]参照附图1所示的一种双绝缘层有机薄膜晶体管，包括最底层的η型硅基片层1，η型硅基片层I上热生长一层二氧化硅薄膜层2，二氧化硅薄膜层2上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯层3，聚甲基丙烯酸甲酯层3上真空蒸发沉积一层酞菁铜层4，酞菁铜层4上方蒸发沉积一层金电极层，其中二氧化硅薄膜层2的厚度为200-220nm，聚甲基丙烯酸甲酯层3的厚度为40-50nm，酞菁铜层4的厚度为30_40nm，金电极层包括源极5和漏极6，沟道长度为0.03-0.04mm，沟道宽度为 4_7mm。
[0010]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【权利要求】
1.一种双绝缘层有机薄膜晶体管，包括最底层的η型硅基片层(I)，其特征是η型硅基片层(I)上热生长一层二氧化硅薄膜层(2)，二氧化硅薄膜层(2)上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯层(3)，聚甲基丙烯酸甲酯层(3)上真空蒸发沉积一层酞菁铜层(4)，酞菁铜层(5)上方蒸发沉积一层金电极层，其中二氧化硅薄膜层(2)的厚度为200-220nm，聚甲基丙烯酸甲酯层(3)的厚度为40-50nm，酞菁铜层(4)的厚度为30_40nm，金电极层包括源极(5)和漏极(6)，沟道长度为0.03-0.04mm，沟道宽度为4_7mm。
【文档编号】H01L51/30GK204045636SQ201420425402
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年7月30日 优先权日:2014年7月30日
【发明者】李晓霞, 张培军, 赵强, 贾海亮 申请人:河北工程大学