保护膜形成用薄膜的制作方法

技术特征：

1.一种保护膜形成用薄膜，其用于形成保护半导体晶片的保护膜，所述保护膜形成用薄膜包括：

环氧类热固化性成分，所述环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用薄膜，其中，所述具有环氧基的缩合环式芳香族化合物为下述通式(I)或通式(II)所表示的化合物：

[化学式1]

其中在通式(I)中，CR表示缩合环式芳香族烃；R¹表示氢原子或碳原子数1～10的烷基；m表示2～6的整数；

[化学式2]

其中在通式(II)中，CR¹及CR²表示缩合环式芳香族烃，这些缩合环式芳香族烃可为相同也可为不同；R²表示二价的烃基，该烃基也可以具有取代基；R³表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或缩水甘油醚基；n表示1～3的整数；p表示0～10的整数，在p为0的情况下，R²表示单键；q表示1～3的整数。

3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用薄膜，其中所述缩合环式芳香族化合物的缩合环为萘环。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的保护膜形成用薄膜，其中所述具有环氧基的缩合环式芳香族化合物的环氧当量为160g/eq～170g/eq。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的保护膜形成用薄膜，其中所述具有环氧基的缩合环式芳香族化合物为下述的通式(III)所表示的化合物：

[化学式3]

其中R⁴表示单键或二价的烃基，该烃基也可以具有取代基。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的保护膜形成用薄膜，其含有丙烯酸聚合物。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的保护膜形成用薄膜，其厚度为1μm～100μm。

8.一种保护膜形成用片，其将根据权利要求第一至7项中任一项所述的保护膜形成用薄膜层叠于支撑片上而成。

9.一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序(1)～(4)：

工序(1)：将根据权利要求8所述的保护膜形成用片的保护膜形成用薄膜贴附于被粘物的工序；

工序(2)：加热固化保护膜形成用薄膜而得到保护膜的工序；

工序(3)：分离保护膜形成用薄膜或保护膜、及支撑片的工序；以及

工序(4)：切割被粘物、保护膜形成用薄膜或保护膜的工序。