保护膜形成用薄膜的制作方法

技术总结
本发明提供一种保护膜形成用薄膜，其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜，其用于形成保护半导体晶片的保护膜，保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分，环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物。

技术研发人员：稻男洋一;佐伯尚哉
受保护的技术使用者：琳得科株式会社
文档号码：201480078687
技术研发日：2014.07.04
技术公布日：2017.02.22