1.一种半导体装置，其具有：
绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及
电极端子(6)及半导体元件，它们与所述导电性图案(4b)接合，
所述电极端子(6)和所述导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，
进行所述超声波接合的部位为多个。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述接合面(7)为1个，
在所述接合面(7)处，在多个部位进行了超声波接合。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述接合面(7a、7b、7c、7d)为多个，
所述电极端子(6)的根部(6a、6b、6c、6d)进行分支，
由分支后的各所述根部(6a、6b、6c、6d)形成所述多个接合面(7a、7b、7c、7d)，
各接合面(7a、7b、7c、7d)具有至少1个进行超声波接合的部位。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述电极端子(6)为平板状，
所述电极端子(6)的根部(6a、6b)在其厚度方向或者其宽度方向进行分支。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述电极端子(6)的根部(6a、6b、6c、6d)分支为2个、3个或者4个。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述电极端子(6)的根部(6a、6b、6c、6d)分支为2个、3个或者4个。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述电极端子(6)的根部的进行分支的部分以如下方式分开，即，在所述接合面(7a、7b、7c、7d)，在俯视观察时分支的部分彼此远离。
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述电极端子(6)的根部的进行分支的部分以如下方式分开，即，在所述接合面(7a、7b、7c、7d)，在俯视观察时分支的部分彼此远离。
9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
对于所述接合面(7)处的多个部位的各所述超声波接合，超声波接合时的振动方向彼此不同。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述接合面(7)处，以超声波接合的部位在俯视观察时重叠的方式进行了多次超声波接合。
11.一种半导体装置，其具有：
绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及
电极端子(6)及半导体元件，它们与所述导电性图案(4b)接合，
所述电极端子(6)和所述导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，
在所述接合面(7)处，在所述电极端子(6)设置凸部(6f)且在所述导电性图案(4b)设置凹部(41b)，或者在所述电极端子(6)设置凹部且在所述导电性图案(4b)设置凸部，
所述凸部(6f)和所述凹部(41b)嵌合。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，
所述凸部(6g)及所述凹部(42b)与进行了所述超声波接合的部位在俯视观察时重叠。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
进行所述超声波接合的部位为多个。