薄膜晶体管阵列基板及显示装置的制造方法

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。

背景技术：
DGS(DataGateShort，栅线和数据线短接)是薄膜晶体管液晶显示器件的常见不良之一。而目前检测DGS的手段非常有限，只有在薄膜晶体管阵列基板刚做完的时候，在产线内检测DGS。当组成模组后，如果发生DGS，检测手段非常有限，甚至无法准确找到发生DGS的位置。而且在产品开发的过程中如果无法找到DGS的发生位置，就会耽误产品的开发进程。

技术实现要素：
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，用以检测DGS的发生位置。本发明还通过一种显示装置，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板，用以提高产品良率。为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，还包括：第一检测线，用于传输第一检测信号；与所述栅线或数据线一一对应设置并电性连接的第一单向导通元件，所述第一单向导通元件的另一端与所述第一检测线电性连接；第一报警元件，当所述第一单向导通元件与栅线一一对应设置时，所述第一报警元件与数据线一一对应设置，并电性连接，当所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置时，所述第一报警元件与栅线一一对应设置，并电性连接，所述第一报警元件用于接收第一检测信号，并输出相应的报警信号。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置；所述薄膜晶体管阵列基板还包括：第二检测线，用于传输第二检测信号；与栅线一一对应设置并电性连接的第二单向导通元件，所述第二单向导通元件的另一端与所述第二检测线电性连接；与数据线一一对应设置并电性连接的第二报警元件，所述第二报警元件用于接收第二检测信号，并输出相应的报警信号。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一检测线与栅线为同层结构，所述第二检测线与数据线为同层结构。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件为二极管。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，数据线和第一检测线作为所述第一单向导通元件的两个电极；栅线和第二检测线作为所述第二单向导通元件的两个电极。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的P型半导体层为同层结构，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的N型半导体层为同层结构。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一报警元件和第二报警元件为发光元件。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一报警元件和第二报警元件为有机发光二极管。如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一报警元件的底电极与栅线为一体结构，所述第二报警元件的底电极与数据线为一体结构。本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。本发明的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，在阵列基板上设置有检测线，用于传输检测DGS的信号，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件从栅线(或数据线)输入，从数据线(或栅线)输出，并在数据线(或栅线)端设置报警元件，报警元件接收检测信号，输出相应的报警信号。其中，单向导通元件与栅线(或数据线)的位置一一对应，报警元件与数据线(或栅线)的位置一一对应，通过获取所述报警信号，即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后，只需关闭模组，输入检测信号，就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件的设置不会影响模组的正常工作。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的俯视图一；图2表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的俯视图二；图3表示图2的局部示意图；图4-图8表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图。具体实施方式本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括检测线，用于传输检测DGS的检测信号。并在阵列基板上设置单向导通元件和报警元件，所述单向导通元件与栅线(或数据线)一一对应设置并电性连接，所述单向导通元件的另一端与所述检测线电性连接。所述报警元件与数据线(或栅线)一一对应设置并电性连接。在检测过程中，当发生DGS时，所述检测信号通过单向导通元件传输至栅线(或数据线)，报警元件接收检测信号，并输出相应的报警信号。通过获取所述报警信号即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后，只需关闭模组，输入检测信号，就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件的设置不会影响产品的正常工作。具体的，当单向导通元件与栅线一一对应设置并电性连接时，所述报警元件与数据线一一对应设置并电性连接。在检测过程中，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件传输至栅线，再通过DGS点传输至数据线，与数据线电性连接的报警元件接收到检测信号，输出相应的报警信号。当单向导通元件与数据线一一对应设置并电性连接时，所述报警元件与栅线一一对应设置并电性连接。在检测过程中，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件传输至数据线，再通过DGS点传输至栅线，与栅线电性连接的报警元件接收到检测信号，输出相应的报警信号。其中，所述检测线可以与栅线(或数据线)交叉分布，并在检测线与栅线(或数据线)的交叉处设置单向导通元件，所述单向导通元件的一端与检测线电性连接，另一端与栅线(或数据线)电性连接。具体的，检测线可以与栅线(或数据线)为同层结构，通过对同一膜层的构图工艺同时形成。下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。如图1所示，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条栅线10和多条数据线20，栅线10和数据线20交叉分布，限定多个像素区域。在阵列基板上还设置有第一检测线1，用于传输检测DGS的第一检测信号。并设置第一单向导通元件2和第一报警元件3，其中，第一单向导通元件2与数据线20一一对应设置并电性连接，第一单向导通元件2的另一端与第一检测线1电性连接。第一报警元件3与栅线10一一对应设置，并电性连接。第一报警元件3用于接收第一检测信号，并输出相应的报警信号。在检测过程中，首先关闭模组，然后通过第一检测线1传输第一检测信号，当发生DGS时，第一检测信号经过第一单向导通元件2传输至数据线20，再通过DGS点7传输至栅线10，与栅线10电性连接的第一报警元件3接收到第一检测信号，输出相应的报警信号，通过获取所述报警信号可以确定哪条栅线10发生DGS，再通过有限的检测手段，即可确定DGS点的精确位置。上述技术方案中，在阵列基板上增加检测线、单向导通元件和报警元件，就可以完成对DGS的检测，不会破坏阵列基板本身的结构。即使组装模组后，只需关闭模组，然后通过检测线传输检测信号，也能有效完成DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件(包括检测线、单向导通元件和报警元件)的设置不会影响模组的正常工作。其中，第一单向导通元件2可以为二极管。第一报警元件3可以为发光元件，例如：有机发光二极管，具体可以将数据线20作为有机发光二极管的底电极，即有机发光二极管的底电极与数据线20为一体结构，以简化制作工艺。需要说明的是，这里并不是一种限定，只是举例说明第一单向导通元件2和第一报警元件3的器件选择。为了简化制作工艺，可以设置第一检测线1与栅线10为同层结构，通过对同一栅金属层的构图工艺同时形成。在一个具体的实施方式中，第一检测线1与数据线20交叉分布，第一单向导通元件2设置在第一检测线1与数据线20的交叉处。以第一单向导通元件2二极管为例，可以设置第一检测线1与数据线20作为第一单向导通...