1.一种封装结构制造方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，包括多个阵列排列的芯片；
形成阻挡层在所述晶圆上且所述阻挡层覆盖该些芯片；
对所述阻挡层进行图案化制程，以形成阻挡结构，其中所述阻挡结构包括多个第一框围部、多个第二框围部以及多个阶梯状开口，各所述第一框围部突出于对应的第二框围部以与对应的第二框围部共同定义出各所述阶梯状开口，该些阶梯状开口分别暴露该些芯片；以及
设置基板在所述阻挡结构上以覆盖所述晶圆以及所述阻挡结构。
2.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述晶圆还包括多个切割道，该些切割道设置于该些芯片之间，以分隔该些芯片。
3.根据权利要求2所述的封装结构制造方法，其特征在于，还包括：
在设置所述基板于所述阻挡结构上之后，沿该些切割道切割所述晶圆，以形成多个彼此独立的封装结构。
4.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述图案化制程的步骤还包括：
形成图案化光罩层在所述阻挡层上，其中所述图案化光罩层包括多个图案化开口，该些芯片分别位于该些图案化开口在所述晶圆上的正投影范围内，各所述图案化开口包括第一开口以及多个第二开口，该些第二开口分别环绕所述第一开口，以分别暴露对应的部分所述阻挡层，且该些第二开口的开口面积往远离所述第一开口的方向逐渐减小；以及
对所述阻挡层进行曝光显影制程，以移除被该些图案化开口所暴露的部分所述阻挡层而形成该些阶梯状开口。
5.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述图案化制程的步骤还包括：
形成图案化光罩层在所述阻挡层上，其中所述图案化光罩层包括多个光罩图案，分别覆盖该些芯片在所述阻挡层上的正投影范围，各所述光罩图案包括光阻部以及多个第一开口，该些第一开口分别环绕所述光阻部设置，并暴露对应的部分所述阻挡层，且所述第一开口的开口面积往远离所述光阻部的方向逐渐增大；以及
对所述阻挡层进行曝光显影制程，以移除该些光罩图案中未被该些第一开口所暴露的部分所述阻挡层而形成该些阶梯状开口。
6.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，各所述第一框围部至对应的芯片的最短距离小于200微米。
7.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，各所述第一框围部至对应的芯片的最短距离小于对应的第二框围部至对应的芯片的最短距离。
8.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述阻挡结构为一体成型。
9.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，所述基板为一透明基板。
10.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，该些芯片为图片传感芯片。
11.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，还包括：
形成第一线路层在所述晶圆的上表面，该些芯片电性连接所述第一线路层。
12.根据权利要求11所述的封装结构制造方法，其特征在于，还包括：
形成多个导通孔于所述晶圆；
形成第二线路层在所述晶圆相对所述上表面的下表面，且该些导通孔电性连接所述第一线路层以及所述第二线路层；以及
形成多个焊球在所述下表面，且该些焊球电性连接所述第二线路层。
13.根据权利要求1所述的封装结构制造方法，其特征在于，各所述芯片包括基材以及感光部，所述感光部位于所述基材上，该些阶梯状开口分别暴露该些芯片的感光区。
14.一种封装结构，其特征在于，包括：
芯片，包括基材以及感光部，所述感光部位于所述基材上；
阻挡结构，设置在所述芯片上并包括第一框围部、第二框围部以及阶梯状开口，所述第一框围部与所述第二框围部共同框围所述感光部而定义出所述阶梯状开口，所述阶梯状开口暴露所述感光部，且所述第一框围部位于所述基材上并突出于所述第二框围部；以及
基板，设置在所述阻挡结构上并覆盖所述芯片以及所述阻挡结构。
15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第一框围部至所述感光部的最短距离小于200微米。
16.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第一框围部至所述感光部的最短距离小于所述第二框围部至所述芯片的最短距离。
17.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡结构为一体成型。
18.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述基板为透明基板。
19.根据权利要求18所述的封装结构，其特征在于，该些芯片为图片传感芯片。
20.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，还包括：
第一线路层，设置在所述基材的上表面，所述感光部位于所述上表面并电性连接所述第一线路层；
第二线路层，设置在所述基材相对所述上表面的下表面；
多个导通孔，设置在所述基材并电性连接所述第一线路层以及所述第二线路层；以及
多个焊球，设置在所述下表面并电性连接所述第二线路层。