技术总结
本发明涉及一种半导体器件的栅极结构及防止其产生空洞的方法，所述方法包括下列步骤：在半导体衬底上淀积并刻蚀掺杂多晶硅，作为多晶硅栅；在所述多晶硅栅上表面形成金属硅化物层；淀积并刻蚀多晶硅，在所述金属硅化物层上表面形成多晶硅保护帽；对所述半导体衬底进行离子注入；在氧气气氛下对注入的离子进行热退火。本发明在栅极结构的金属硅化物层表面增加一层多晶硅保护帽进行保护，阻止了金属硅化物层下多晶硅栅的析出、氧化，使得器件即使在高温氧气气氛下进行退火处理，也不会形成空洞/凹坑，提高了器件的良率。
技术研发人员：陈雪磊;王者伟;牟亮伟;曹雪姣;李晓明
受保护的技术使用者：无锡华润上华科技有限公司
文档号码：201510164756
技术研发日：2015.04.08
技术公布日：2016.11.23