本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种LED封装结构及其制作方法。
背景技术：
LED芯片是通过在PN结上加正向电流，自由电子与空穴复合而发光，直接将电能转化为光能，它作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。
现有的LED芯片有三种结构：正装芯片、倒装芯片和垂直芯片。其中倒装芯片和垂直芯片因具有较好的散热能力和较高的出光效率而被广泛的应用。而倒装芯片和垂直芯片的传统封装工艺都是将芯片直接通过共晶焊接的方式固定在支架上，但是由于LED芯片中GaN材料与非陶瓷支架的热膨胀系数相差很大，所以在LED器件长时间的使用过程中容易使得LED芯片产生裂纹，最终导致LED器件失效。因此，有必要提供一种新的LED封装结构和制作方法来解决上述问题。
技术实现要素：
本发明所要解决的问题是：提供一种LED封装结构，该结构能够有效的改善LED芯片和支架之间热膨胀系数严重不匹配所带了的问题，延长LED的使用寿命。
为达到上述目的，本发明提供一种LED封装结构，包括支架，支架上固有LED芯片，在支架和LED芯片之间有一层低膨胀系数的底板，该底板上设有与LED芯片电极位置相对应的导电孔，实现LED芯片与支架的电连接。
优选地，所述底板的膨胀系数介于GaN材料的膨胀系数和支架的膨胀系数之间。
优选地，所述底板的膨胀系数为2~8PPM。
为了实现上述LED封装结构，本发明提供一种LED封装结构的制作方法，包括在支架上固定一层设有与LED芯片电极位置相对应的导电孔的低膨胀系数的底板，在底板上固定LED芯片，实现LED芯片与支架的电连接。
优选地，所述底板的膨胀系数介于GaN材料的膨胀系数和支架的膨胀系数之间。
优选地，所述底板的膨胀系数为2~8PPM。
为了实现上述LED封装结构，本发明提供另一种LED封装结构的制作方法，包括先将多颗LED倒装芯片固定在低膨胀系数的底板上，其中LED倒装芯片的电极位置与低膨胀系数底板上的导电孔位置相对应；然后分割该低膨胀系数的底板，形成单颗含有低膨胀系数底板的LED倒装芯片；最后将该LED倒装芯片固定在支架上，实现LED倒装芯片与支架的电连接。
优选地，所述底板的膨胀系数介于GaN材料的膨胀系数和支架的膨胀系数之间。
优选地，所述底板的膨胀系数为2~8PPM。
本发明的有益效果：本发明通过在LED芯片和支架之间增加了一层低膨胀系数的底板，有效的改善了改善LED芯片和支架之间热膨胀系数严重不匹配所带了的问题，延长LED的使用寿命。
附图说明
图1为本发明一种LED封装结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图对本发明进行进一步的详细说明。
实施例一
将一层低膨胀系数的底板2（膨胀系数为2~8PPM）采用银胶或锡膏固定在支架1上，底板2上面设有与LED倒装芯片3的电极4位置相对应的导电孔5，将LED倒装芯片3通过锡膏或锡金焊接在该底板2上，实现LED倒装芯片3与支架1的电连接，如图1所示，最后点荧光胶形成白光LED。
实施例二
先将多颗LED倒装芯片通过锡膏或锡金固定在低膨胀系数的底板上，其中LED倒装芯片的电极位置与低膨胀系数底板上的导电孔位置相对应；然后分割该低膨胀系数的底板，形成单颗含有低膨胀系数底板的LED倒转芯片；最后将该LED倒装芯片通过锡膏或锡金固定在支架上，实现LED倒装芯片与支架的电连接，最终形成LED灯珠。
以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。